RU2700231C1 - Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек - Google Patents

Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек Download PDF

Info

Publication number
RU2700231C1
RU2700231C1 RU2018137464A RU2018137464A RU2700231C1 RU 2700231 C1 RU2700231 C1 RU 2700231C1 RU 2018137464 A RU2018137464 A RU 2018137464A RU 2018137464 A RU2018137464 A RU 2018137464A RU 2700231 C1 RU2700231 C1 RU 2700231C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
irradiation
reagent
dimensional structures
external source
Prior art date
Application number
RU2018137464A
Other languages
English (en)
Inventor
Евгений Эдуардович Гусев
Николай Алексеевич Дюжев
Валерий Юрьевич Киреев
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Priority to RU2018137464A priority Critical patent/RU2700231C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2700231C1 publication Critical patent/RU2700231C1/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber

Abstract

Изобретение относится к производству интегральных микросхем и микроэлектромеханических приборов и может быть использовано для формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек без использования фотошаблонов и фоторезистивных масок. Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности кремниевой подложки включает размещение подложки в вакуумной реакционной камере, откачивание реакционной камеры, локальное облучение подложки от внешнего источника, подачу к подложке реагента, из которого на облучаемые локальные области подложки осаждают топологические элементы с трехмерными структурами функционального слоя. Локальное облучение подложки осуществляют с использованием лазера с любой стороны подложки с энергией облучения от внешнего источника, превышающей энергию десорбции осаждаемого материала на ней. Время задержки между включением внешнего источника для локального облучения и началом подачи реагента составляет не менее 100 нc, а осаждаемый материал представляет собой атомы индия или алюминия. Обеспечивается повышение энергоэффективности процесса и повышение равномерности осаждаемого слоя в структуре за счет облучения с любой стороны подложки, снижение себестоимости структуры изделия и сокращения времени осаждения слоя за счет использования одного реагента. 3 ил., 2 пр.

Description

Изобретение относится к области производства интегральных микросхем (ИМС) и микроэлектромеханических (МЭМС) приборов и может быть использовано для формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек без использования фотошаблонов и фоторезистивных масок.
В настоящее время для формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек при производстве ИМС и МЭМС-приборов используется стандартный процесс фотолитографии, который состоит из следующей последовательности операций: очистка поверхности функционального слоя (ФС), подготовка поверхности ФС путем обработки в парах гексаметилдисилазана (ГМДС) для нанесения слоя фоторезиста (ФР), нанесение слоя ФР, сушка слоя ФР, контроль толщины и дефектности слоя ФР, экспонирование слоя ФР через фотошаблон (ФШ) с заданным рисунком топологических элементов ФС оптическим излучением с требуемой длиной волны, постэкспозиционная термическая обработка ФР для удаления эффектов стоячих волн при отражении излучения от подложки, проявление топологического рисунка в ФР и создание фоторезистивной маски (ФРМ), задубливание - термическая обработка ФРМ с целью увеличения ее стойкости к реагентам, используемым для травления ФС, контроль толщины и дефектности ФРМ, травление ФС через ФРМ с целью получения в нем заданных топологических элементов, удаление остатков ФРМ после травления ФС, очистка поверхности ФС с полученными топологическими элементами [1].
Количество стандартных процессов фотолитографии увеличивается с уменьшением топологических норм - минимальных - размеров элементов ИМС и МЭМС-приборов. Так для производства динамических оперативных запоминающих устройств (ДОЗУ) и микропроцессоров (МП) по топологической норме 250 нм требуется соответственно 19 и 22 процессов фотолитографии, тогда как для их производства по топологической норме 32 нм необходимо соответственно 28 и 238 процессов фотолитографии.
Стоимость стандартных процессов фотолитографии в изготовлении ИМС и МЭМС-приборов составляет от 25 до 40% от общей стоимости их производства. Поэтому на протяжении всего периода развития микроэлектроники предпринимаются попытки разработки новых способов формирования трехмерных размерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек и устройств для их осуществления, позволяющих отказаться от создания фоторезистивных масок, изготовления комплектов фотошаблонов и технологии вытравливания не нужных областей функциональных слоев [1].
Известен способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек без использования фоторезистивных масок, включающий размещение подложки с функциональным слоем на поверхности подложкодержателя, расположенного в вакуумной реакционной камере, облучение через фотошаблон заданных локальных участков подложки актиничным излучением с энергией квантов не менее 3 эВ, подачу к подложкодержателю газообразных реагентов, которые обеспечивают селективное травление облучаемых участков функционального слоя и, таким образом, формирования в нем топологических элементов [2].
К недостаткам способа можно отнести использование дорогостоящих фотошаблонов, и недостаточную воспроизводимость профиля травления получаемых топологических элементов, связанную с неоднородным распределением световой энергии на экспонируемых участках подложек. Кроме того, в стандартных фотолитографических процессах используется «вычитающая» или «субтрактивная» технология, при которой функциональный слой вначале наносится на всю подложку, а потом в нем с помощью фоторезистивной маски формируются заданные топологические элементы путем вытравливания не нужных областей функционального слоя. Естественно, что вытравленная (не нужная) часть функционального слоя, которая может составлять от 20 до 80% площади подложки, также относится к затратам стандартного процесса фотолитографии. И эти затраты достаточно велики для особо чистых и драгоценных материалов функциональных слоев ИМС и МЭМС-приборов.
Известен способ формирования трехмерных размерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек без использования фотошаблонов и фоторезистивных масок, включающий размещение подложки на поверхности подложкодержателя, расположенного в вакуумной реакционной камере, локальное облучение по заданной программе подложкодержателя сфокусированным электронным пучком, подачу к подложкодержателю газо- или парообразных реагентов, из которых под действием электронов на заданные локальные области подложки осаждается функциональный слой. В способе используется «аддитивная технология», то есть топологические элементы функционального слоя создаются на локальных участках подложки путем осаждения материала [3].
Указанному способу присущи следующие недостатки и ограничения. Геометрия формируемых топологических элементов функционального слоя в горизонтальной и вертикальных плоскостях определяется формой сечения электронного пучка, распределением энергии электронов в пучке по сечению и в вертикальной плоскости, распределением концентрации поступающего реагента по площади обработки и в вертикальной плоскости. Так, указанные параметры электронного пучка и реагента нельзя выдержать с высокой точностью в течение длительного времени, формируемые топологические элементы функционального слоя будут невоспроизводимы по точности размеров и геометрии формы, как в горизонтальной, так и в вертикальной плоскостях. Формируемые топологические элементы будут обладать большой неровностью-волнистостью края в горизонтальной плоскости и неконтролируемым углом наклона края элементов в вертикальной плоскости. Кроме того, в указанном способе формирование топологических элементов функционального слоя осуществляется в последовательном лучевом процессе, характеризуемом очень низкой производительностью. Поэтому для повышения производительности указанного способа предлагается использовать набор из 10-ти электронно-лучевых систем, что значительно повышает стоимость реализации способа.
Наиболее близким по технической сути является способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложки, включающий расположение подложки в вакуумной реакционной камере, локальное облучение подложки от внешнего источника, подачу к подложке реагентов, из которых на облучаемые локальные области подложки осаждается функциональный слой, причем реагенты в реакционную камеру подаются циклически в виде повторяющего набора стадий, состоящего из напуска первого реагента и его адсорбции на поверхности подложки, откачки реакционной камеры после напуска первого реагента, напуска второго реагента и его химической реакции с адсорбированным на поверхности подложки первым реагентом, приводящей к формированию на подложке функционального слоя, откачки реакционной камеры после напуска второго реагента, причем облучение, вызывающее удаление адсорбированного слоя первого реагента с локальных областей поверхности подложки, осуществляется с обратной стороны подложки в процессе откачки реакционной камеры после напуска первого реагента[4].
К недостаткам изобретения можно отнести ограниченность направления облучения. Облучение происходит с обратной стороны пластины. Для эффекта локального осаждения требуется генерировать высокую мощность излучения, что снижает энергоэффективность процесса. Использование высокой мощности излучения приводит к разогреву структуры, следовательно, возникают механические напряжения, вызванные разницей температурных коэффициентов линейного расширения материала подложки и осаждаемого слоя.
Также в некоторых случаях для формирования слоя достаточно использовать один реагент вместо двух. Применение дополнительного реагента увеличивает стоимость структуры, возрастает время формирования слоя, затрачиваемое на процесс откачки реакционной камеры и подачи реагента.
Задачей настоящего изобретения является повышение энергоэффективности процесса и повышение равномерности осаждаемого слоя в структуре за счет облучения с любой стороны подложки, снижение себестоимости структуры изделия и сокращения времени осаждения слоя за счет использования одного реагента.
Это достигается тем, что в предложенном способе формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности кремниевой подложки, включающий размещение подложки в вакуумной реакционной камере, откачивание реакционной камеры, локальное облучение подложки от внешнего источника, подачу к подложке реагента, из которого на облучаемые локальные области подложки осаждают топологические элементы с трехмерными структурами функционального слоя, причем локальное облучение подложки осуществляют с использованием лазера с любой стороны подложки с энергией облучения от внешнего источника, превышающей энергию десорбции осаждаемого материала на ней, при этом время задержки между включением внешнего источника для локального облучения и началом подачи реагента составляет не менее 100 не, а осаждаемый материал представляет собой атомы индия или алюминия.
В отличие от прототипа, в предлагаемом способе топологические элементы с трехмерными структурами функционального слоя формируются с помощью одного реагента. Откачка камеры осуществляется один раз перед напуском реагента. Это позволяет сократить время процесса осаждения, а также уменьшить финансовые затраты на реагенты.
Локальное облучение кремниевой подложки от внешнего источника (лазера) осуществляется с любой стороны подложки, например, с лицевой. Это позволяет более эффективно расходовать энергию лазера, т.к. не теряется энергия в процессе прохождения излучения через кремниевую подложку.
Энергия облучения в локальной области превышает энергию десорбции частиц, в результате в локальной области материал не осаждается (без использования фоторезистивных масок). Очевидно, что величина энергии десорбции зависит от типа атомов осаждаемого материала и технологических параметров процесса (например, давления в реакционной камере) Поэтому необходимо варьировать параметры процесса формирования структур. Изменяя время задержки между включением внешнего источника для облучения и началом подачи потока реагента, варьируя мощность облучения, настраивая площадь (фокус) облучения, можно сгенерировать энергию облучения, превышающую энергию десорбции.
Время задержки между включением внешнего источника для облучения и началом подачи потока реагента зависит от типа осаждаемого материала. В случаях, когда осаждаемый материал представляет собой атомы индия или алюминия, время задержки между включением внешнего источника для облучения и началом подачи потока реагента должно составлять не менее 100 нс.
Выполняя облучение, не воздействуя на объем кремниевой подложки, не вызывают термических механических напряжений, которые являются причиной изгиба пластины. В результате пластина становится более ровной по сравнению с прототипом, значит, повышается равномерность осаждаемого слоя. Варьируя угол облучения, можно формировать цилиндрические или конусоидальные структуры.
На фиг. 1 и 2 показан пример реализации предлагаемого способа, где: 1 - источник атомов реагента, 2 - атомы реагента, 3 - кремниевая подложка, 4 - внешний источник (лазер), 5 - вакуумная реакционная камера, 6 - элементы функционального слоя, 7 - локальная область облучения на подложке. На фиг. 3 представлена экспериментальная алюминиевая конусообразная структура с полостью в центральной области, полученная с использованием облучения локальной области подложки от внешнего источника.
Пример №1 конкретного применения способа. Нанесение пленок алюминия (реагент - поток атомов алюминия) на кремниевые подложки методом магнетронного распыления. Нанесение пленок алюминия проводилось в следующем режиме: остаточное давление в камере pr=7⋅10-4 Па, рабочее давление аргона в процессе распыления р=0.6 Па, мощность на магнетроне Wm=500 Вт, температура подложки Ts=120°С, расстояние от мишени до подложки L=50 мм. В таком режиме обеспечивалась скорость осаждения пленок алюминия на подложки vd=36 нм/мин. При облучении центра подложки на области диаметром 750 нм в процессе осаждения атомов алюминия излучением синего лазера с длиной волны (энергией кванта) λb=480 нм (εb=2.6 эВ) и плотностью мощности 0,2 Вт/см (0,2×10 Вт/нм). Время задержки между включением внешнего источника для облучения и началом подачи потока реагента составляет не менее 100 не. Площадь круглой области диаметром 750 нм составляет 441562 нм2. Удельная мощность составляет 4.53 Вт/нм3. В результате в течение 100 не воздействует удельная энергия 4.53×10-7 (c×Вт/нм3=Дж/нм3). Как результат, удалось сгенерировать
энергию облучения превышающую энергию десорбции. Вследствие этого, на указанной области диаметром 750 нм фиксировалось отсутствие пленки алюминия.
Пример №2 конкретного применения способа. Нанесение пленок индия (реагент - пары индия) на кремниевые подложки методом термического испарения. В качестве испарителя использовалась лодочка из тантала. Нанесение пленок индия проводилось в следующем режиме: остаточное давление в камере pr=7⋅10-4 Па, рабочее давление паров индия в процессе нанесения р=1.4⋅10-2 Па, мощность на испарителе Wev=500 Вт, температура подложки Ts=30°С, расстояние от испарителя до подложки L=100 мм. В таком режиме обеспечивалась скорость осаждения пленок индия на подложки vd=12 мкм/мин. При облучении центра подложки на области диаметром 1100 нм в процессе осаждения атомов индия излучением зеленого лазера с длиной волны (энергией кванта) λg=540 нм (εg=2.3 эВ) и плотностью мощности 0.15 Вт/см. Время задержки между включением внешнего источника для облучения и началом подачи потока реагента составляет не менее 100 не. Площадь круглой области диаметром 1150 нм составляет 949850 нм2. Удельная мощность составляет 1.58 Вт/нм3. В результате в течение 250нс воздействует удельная энергия 3.95×10-7 (с×Вт/нм3=Дж/нм3). Как результат, удалось сгенерировать энергию облучения превышающую энергию десорбции. Вследствие этого, на указанной области диаметром 1150 нм фиксировалось отсутствие пленки индия.
Таким образом, заявляемый способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек без использования фотошаблонов и фоторезистивных масок по сравнению с прототипом позволяет повысить энергоэффективность процесса, повысить равномерность осаждаемого слоя, снизить себестоимости структуры, сократить время осаждения слоя.
Источники информации:
1. Киреев В.Ю. Нанотехнологии в микроэлектронике. Нанолитография - процессы и оборудование. Издательский Дом «Интеллект», 2016. - 320 с.
2. Авторское свидетельство СССР №997576.
3. Патент США №9453281.
4. Патент РФ №2654313 - прототип.

Claims (1)

  1. Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности кремниевой подложки, включающий размещение подложки в вакуумной реакционной камере, откачивание реакционной камеры, локальное облучение подложки от внешнего источника, подачу к подложке реагента, из которого на облучаемые локальные области подложки осаждают топологические элементы с трехмерными структурами функционального слоя, отличающийся тем, что локальное облучение подложки осуществляют с использованием лазера с любой стороны подложки с энергией облучения от внешнего источника, превышающей энергию десорбции осаждаемого материала на ней, при этом время задержки между включением внешнего источника для локального облучения и началом подачи реагента составляет не менее 100 нc, а осаждаемый материал представляет собой атомы индия или алюминия.
RU2018137464A 2018-10-24 2018-10-24 Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек RU2700231C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018137464A RU2700231C1 (ru) 2018-10-24 2018-10-24 Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018137464A RU2700231C1 (ru) 2018-10-24 2018-10-24 Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2700231C1 true RU2700231C1 (ru) 2019-09-13

Family

ID=67989984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018137464A RU2700231C1 (ru) 2018-10-24 2018-10-24 Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2700231C1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2183882C2 (ru) * 1998-01-28 2002-06-20 Тин Филм Электроникс Аса Способ формирования электропроводящих или полупроводниковых трехмерных структур и способы уничтожения этих структур
US20060233953A1 (en) * 1998-09-30 2006-10-19 Optomec Design Company Apparatuses and methods for maskless mesoscale material deposition
US9453281B1 (en) * 2015-01-23 2016-09-27 Multibeam Corporation Precision deposition using miniature-column charged particle beam arrays
RU2654313C1 (ru) * 2017-05-04 2018-05-17 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2183882C2 (ru) * 1998-01-28 2002-06-20 Тин Филм Электроникс Аса Способ формирования электропроводящих или полупроводниковых трехмерных структур и способы уничтожения этих структур
RU2210834C2 (ru) * 1998-01-28 2003-08-20 Тин Филм Электроникс Аса Способ формирования электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур, способ уничтожения этих структур и генератор/модулятор электрического поля для использования в способе формирования
US20060233953A1 (en) * 1998-09-30 2006-10-19 Optomec Design Company Apparatuses and methods for maskless mesoscale material deposition
US9453281B1 (en) * 2015-01-23 2016-09-27 Multibeam Corporation Precision deposition using miniature-column charged particle beam arrays
RU2654313C1 (ru) * 2017-05-04 2018-05-17 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102489215B1 (ko) 유사 원자층 에칭 방법
US4405710A (en) Ion beam exposure of (g-Gex -Se1-x) inorganic resists
US7195021B2 (en) In-situ cleaning of light source collector optics
Kazanskiy et al. Gas discharge devices generating the directed fluxes of off-electrode plasma
WO2004099875A2 (en) Etching of chromium layers on photomasks utilizing high density plasma and low frequency rf bias
TWI557518B (zh) 直流電流重疊凍結
US4620898A (en) Ion beam sputter etching
US20190131141A1 (en) Method for processing workpiece
JP2009267352A (ja) プラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
KR100944846B1 (ko) 마스크 에칭 프로세스
US8475635B2 (en) Processes and device for the deposition of films on substrates
US8778574B2 (en) Method for etching EUV material layers utilized to form a photomask
CN101046626A (zh) 一种在制造光掩模时蚀刻钼层的方法
RU2700231C1 (ru) Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек
US9250514B2 (en) Apparatus and methods for fabricating a photomask substrate for EUV applications
JP3965213B2 (ja) 三次元エッチングプロセス
RU2654313C1 (ru) Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек
KR102310841B1 (ko) 레지스트 리플로우 온도 향상을 위한 직류 중첩 경화
JPH0552662B2 (ru)
JPH04240729A (ja) パターン形成方法
WO2005015308A2 (en) Fabrication process for high resolution lithography masks using evaporated or plasma assisted electron sensitive resists with plating image reversal
KR102634208B1 (ko) 기판을 에칭하기 위한 시스템 및 방법
RU2703773C1 (ru) Способ изготовления массивов регулярных субмикронных отверстий в тонких металлических пленках на подложках
CN116988065A (zh) 一种类光栅结构金属电极制造方法和电极
JP2024012043A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
QZ41 Official registration of changes to a registered agreement (patent)

Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20190805

Effective date: 20191205