JP4501444B2 - トランジスタにおける配線構造の形成方法及び電界効果型トランジスタの製造方法 - Google Patents
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(A)基体上に、少なくとも、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する材料から成る第1層と、導電性材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が残される第2層とを、順次、積層した後、
(B)第1層と第2層の積層構造にエネルギー線を局所的に照射し、次いで、第2層を現像することで、エネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域とエネルギー線の照射を受けた絶縁性の領域とから成る第1層、及び、エネルギー線の照射を受けた領域から成る第2層を得ることを特徴とする。
(A)基体上に、少なくとも、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する材料から成る第1層と、導電性材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が除去される第2層とを、順次、積層した後、
(B)第1層と第2層の積層構造にエネルギー線を局所的に照射し、次いで、第2層を現像することで、エネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域とエネルギー線の照射を受けた絶縁性の領域とから成る第1層、及び、エネルギー線の照射を受けなかった領域から成る第2層を得ることを特徴とする。
(A)基体上に、チャネル形成領域を形成するための半導体材料層と、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する材料から成る第1層と、ゲート絶縁層と、導電性材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が残される第2層とを、順次、積層した後、
(B)少なくとも、第1層とゲート絶縁層と第2層の積層構造にエネルギー線を局所的に照射し、次いで、第2層を現像する、
工程から成り、
ソース/ドレイン電極は、第1層のエネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域から構成され、
ゲート電極は、第2層のエネルギー線の照射を受けた領域から構成されることを特徴とする。
(A)基体上に、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する材料から成る第1層と、チャネル形成領域を形成するための半導体材料層と、ゲート絶縁層と、導電性材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が残される第2層とを、順次、積層した後、
(B)第1層と半導体材料層とゲート絶縁層と第2層の積層構造にエネルギー線を局所的に照射し、次いで、第2層を現像する、
工程から成り、
ソース/ドレイン電極は、第1層のエネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域から構成され、
ゲート電極は、第2層のエネルギー線の照射を受けた領域から構成されることを特徴とする。
(A)基体上に、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する材料から成る第1層と、ゲート絶縁層と、チャネル形成領域を形成するための半導体材料層と、導電性材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が残される第2層とを、順次、積層した後、
(B)第1層とゲート絶縁層と半導体材料層と第2層の積層構造にエネルギー線を局所的に照射し、次いで、第2層を現像する、
工程から成り、
ゲート電極は、第1層のエネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域から構成され、
ソース/ドレイン電極は、第2層のエネルギー線の照射を受けた領域から構成されることを特徴とする。
(A)基体上に、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する材料から成る第1層と、ゲート絶縁層と、導電性材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が残される第2層とを、順次、積層した後、
(B)第1層とゲート絶縁層と第2層の積層構造にエネルギー線を局所的に照射し、次いで、第2層を現像した後、
(C)少なくとも、現像処理によって残された第2層の領域の間に位置するゲート絶縁層上に、チャネル形成領域を形成するための半導体材料層を形成する、
工程から成り、
ゲート電極は、第1層のエネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域から構成され、
ソース/ドレイン電極は、第2層のエネルギー線の照射を受けた領域から構成されることを特徴とする。
ポリピロール[図7の構造式(3)参照]
ポリフラン[図7の構造式(4)参照]
ポリチオフェン[図7の構造式(5)参照]
ポリセレノフェン[図7の構造式(6)参照]
ポリテルロフェン[図7の構造式(7)参照]
ポリ(3−アルキルチオフェン)[図7の構造式(8)参照]
ポリ(3−チオフェン−β−エタンスルホン酸)[図7の構造式(9)参照]
ポリ(N−アルキルピロール)[図8の構造式(10)参照]
ポリ(3−アルキルピロール)[図8の構造式(11)参照]
ポリ(3,4−ジアルキルピロール)[図8の構造式(12)参照]
ポリ(2,2’−チエニルピロール)[図8の構造式(13)参照]
ポリアニリン[図8の構造式(14)参照]
ポリ(ジベンゾチオフェンスルフィド)[図8の構造式(15)参照]
4,4’−ジイソシアノビフェニル[図9の構造式(17)参照]
4,4’−ジイソシアノ−p−テルフェニル[図9の構造式(18)参照]
2,5−ビス(5’−チオアセチル−2’−チオフェニル)チオフェン[図9の構造式(19)参照]
先ず、基体1上に、少なくとも、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する材料から成る第1層10と、導電性材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が残される第2層20とを、順次、積層する。
次に、第1層10と第2層20の積層構造にエネルギー線を局所的に照射する。あるいは又、少なくとも、第1層10とゲート絶縁層30と第2層20の積層構造に(実施例1においては、より具体的には、半導体材料層40と第1層10とゲート絶縁層30と第2層20の積層構造に)、エネルギー線を局所的に照射する。具体的には、第2層20の上方に、エネルギー線透過領域と不透過領域とを有するマスク50を配置し、エネルギー線として紫外線を使用して、これらの層に紫外線を照射する。この状態を、模式的に図1の(B)に示す。
その後、第2層20を現像することで、エネルギー線の照射を受けなかった領域(可溶部)が除去される。尚、現像液(例えば、水酸化テトラメチルアンモニウムを水で2.38%まで希釈したもの。尚、特にネガ型レジスト剤でポリビニルアルコールを主成分としたレジスト剤の中には、現像液として水を利用するものもある)に第2層20を浸漬した後、乾燥することで、第2層20を現像することができる。後述する実施例2〜実施例5においても、第2層20の現像を同様に行えばよい。こうして、図1の(C)に示す構造を得ることができる。即ち、エネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域(ソース/ドレイン電極10B)とエネルギー線の照射を受けた絶縁性の領域(第1層絶縁部10A)とから成る第1層10、及び、エネルギー線の照射を受けた導電性の領域(第2層不溶化部20A,ゲート電極)から成る第2層20を得ることができる。
その後、全面に絶縁層を形成し、各種の配線を設ける。更には、完成後のFETにエネルギー線が照射されることによって第1層や第2層に損傷や変化、変質が生じることを防止するために、FETにエネルギー線吸収層(例えば、紫外線吸収層、紫外線カット層)を形成することが好ましい。以下の実施例においても同様である。
先ず、基体1上に、少なくとも、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する材料から成る第1層10と、導電性材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が残される第2層20とを、順次、積層する。
次に、第1層10と第2層20の積層構造にエネルギー線を局所的に照射する。あるいは又、第1層10と半導体材料層40とゲート絶縁層30と第2層20の積層構造にエネルギー線を局所的に照射する。具体的には、第2層20の上方に、エネルギー線透過領域と不透過領域とを有するマスク50を配置し、エネルギー線として紫外線を使用して、これらの層に紫外線を照射する。この状態を、模式的に図2の(B)に示す。
その後、第2層20を現像することで、エネルギー線の照射を受けなかった領域(可溶部)が除去される。こうして、図2の(C)に示す構造を得ることができる。即ち、実施例1と同様に、エネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域(ソース/ドレイン電極10B)とエネルギー線の照射を受けた絶縁性の領域(第1層絶縁部10A)とから成る第1層10、及び、エネルギー線の照射を受けた導電性の領域(第2層不溶化部20A,ゲート電極)から成る第2層20を得ることができる。その後、実施例1の[工程−130]と同様の工程を実行する。
先ず、基体1上に、少なくとも、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する材料から成る第1層10と、導電性材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が残される第2層20とを、順次、積層する。
次に、第1層10と第2層20の積層構造にエネルギー線を局所的に照射する。あるいは又、第1層10とゲート絶縁層30と半導体材料層40と第2層20の積層構造にエネルギー線を局所的に照射する。具体的には、第2層20の上方に、エネルギー線透過領域と不透過領域とを有するマスク50を配置し、エネルギー線として紫外線を使用して、これらの層に紫外線を照射する。この状態を、模式的に図3の(B)に示す。
その後、第2層20を現像することで、エネルギー線の照射を受けなかった領域(可溶部)が除去される。こうして、図3の(C)に示す構造を得ることができる。即ち、エネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域(ゲート電極10C)とエネルギー線の照射を受けた絶縁性の領域(第1層絶縁部10D)とから成る第1層10、及び、エネルギー線の照射を受けた導電性の領域(第2層不溶化部20A,ソース/ドレイン電極)から成る第2層20を得ることができる。その後、実施例1の[工程−130]と同様の工程を実行する。
先ず、基体1上に、少なくとも、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する材料から成る第1層10と、導電性材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が残される第2層20とを、順次、積層する。
次に、第1層10と第2層20の積層構造にエネルギー線を局所的に照射する。あるいは又、第1層10とゲート絶縁層30と第2層20の積層構造にエネルギー線を局所的に照射する。具体的には、第2層20の上方に、エネルギー線透過領域と不透過領域とを有するマスク50を配置し、エネルギー線として紫外線を使用して、これらの層に紫外線を照射する。この状態を、模式的に図4の(B)に示す。
その後、第2層20を現像することで、エネルギー線の照射を受けなかった領域(可溶部)が除去される。
次に、少なくとも、現像処理によって残された第2層20の導電性の領域(第2層不溶化部20A,ソース/ドレイン電極)の間に位置するゲート絶縁層30上に(実施例4においては、より具体的には、露出したゲート絶縁層30及びソース/ドレイン電極20A上に、言い換えれば、全面に)、チャネル形成領域40Aを形成するための半導体材料層40を形成する。こうして、図4の(C)に示す構造を得ることができる。即ち、エネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域(ゲート電極10C)とエネルギー線の照射を受けた絶縁性の領域(第1層絶縁部10D)とから成る第1層10、及び、エネルギー線の照射を受けた導電性の領域(第2層不溶化部20A,ソース/ドレイン電極)から成る第2層20を得ることができる。その後、実施例1の[工程−130]と同様の工程を実行する。
先ず、基体1上に、少なくとも、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する材料から成る第1層110と、導電性材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が残される第2層120とを、順次、積層する。より具体的には、実施例5においては、基体1上に、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する材料から成る第1層110と、層間絶縁層130と、導電性材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が残される第2層120とを、順次、積層する。こうして、図5の(A)に示す構造を得ることができる。
次に、第1層110と第2層120の積層構造にエネルギー線を局所的に照射する。実施例5においては、第1層110と層間絶縁層130と第2層120の積層構造にエネルギー線を局所的に照射する。具体的には、第2層120の上方に、エネルギー線透過領域と不透過領域とを有するマスク50を配置し、エネルギー線として紫外線を使用して、これらの層に紫外線を照射する。この状態を、模式的に図5の(B)に示す。
その後、第2層120を現像することで、エネルギー線の照射を受けなかった領域(可溶部)が除去される。こうして、図5の(C)に示す構造を得ることができる。即ち、エネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域(下層配線)とエネルギー線の照射を受けた絶縁性の領域(第1層絶縁部110A)とから成る第1層110、及び、エネルギー線の照射を受けた導電性の領域(第2層不溶化部120A,上層配線)から成る第2層120を得ることができる。下層配線の射影像と上層配線の射影像とは重なり合う。その後、エネルギー線が照射されることによって第1層や第2層に損傷や変化、変質が生じることを防止するために、全面にエネルギー線吸収層(例えば、紫外線吸収層、紫外線カット層)を形成することが好ましい。以下の実施例6においても同様である。
先ず、基体1上に、少なくとも、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する材料から成る第1層210と、導電性材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が除去される第2層220とを、順次、積層する。より具体的には、実施例6においては、基体1上に、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する材料から成る第1層210と、層間絶縁層230と、導電性材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が除去される第2層220とを、順次、積層する。こうして、図6の(A)に示す構造を得ることができる。
次に、第1層210と第2層220の積層構造にエネルギー線を局所的に照射する。実施例6においては、第1層210と層間絶縁層230と第2層220の積層構造にエネルギー線を局所的に照射する。具体的には、第2層220の上方に、エネルギー線透過領域と不透過領域とを有するマスク50を配置し、エネルギー線として紫外線を使用して、これらの層に紫外線を照射する。この状態を、模式的に図6の(B)に示す。
その後、第2層220を現像することで、エネルギー線の照射を受けた領域(第2層可溶化部220B)が除去される。尚、現像液(例えば、水酸化テトラメチルアンモニウムを水で2.38%まで希釈したもの)に第2層220を浸漬した後、乾燥することで、第2層220を現像することができる。こうして、図6の(C)に示す構造を得ることができる。即ち、エネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域(下層配線)とエネルギー線の照射を受けた絶縁性の領域(第1層絶縁部210A)とから成る第1層210、及び、エネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域(上層配線)から成る第2層220を得ることができる。下層配線の射影像と、上層配線と上層配線との間の隙間の射影像とは重なり合う。
Claims (6)
- (A)基体上に、少なくとも、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する有機材料から成る第1層と、導電性有機材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が残される第2層とを、順次、積層した後、
(B)第1層と第2層の積層構造にエネルギー線を局所的に照射し、次いで、第2層を現像することで、エネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域とエネルギー線の照射を受けた絶縁性の領域とから成る第1層、及び、エネルギー線の照射を受けた領域から成る第2層を得ることで、第1層における導電性の領域から成る下層配線及び第2層から成る上層配線を形成するトランジスタにおける配線構造の形成方法。 - (A)基体上に、少なくとも、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する有機材料から成る第1層と、導電性有機材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が除去される第2層とを、順次、積層した後、
(B)第1層と第2層の積層構造にエネルギー線を局所的に照射し、次いで、第2層を現像することで、エネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域とエネルギー線の照射を受けた絶縁性の領域とから成る第1層、及び、エネルギー線の照射を受けなかった領域から成る第2層を得ることで、第1層における導電性の領域から成る下層配線及び第2層から成る上層配線を形成するトランジスタにおける配線構造の形成方法。 - (A)基体上に、チャネル形成領域を形成するための半導体材料層と、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する有機材料から成る第1層と、ゲート絶縁層と、導電性有機材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が残される第2層とを、順次、積層した後、
(B)少なくとも、第1層とゲート絶縁層と第2層の積層構造にエネルギー線を局所的に照射し、次いで、第2層を現像する、
工程から成り、
ソース/ドレイン電極は、第1層のエネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域から構成され、
ゲート電極は、第2層のエネルギー線の照射を受けた領域から構成されることを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。 - (A)基体上に、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する有機材料から成る第1層と、チャネル形成領域を形成するための半導体材料層と、ゲート絶縁層と、導電性有機材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が残される第2層とを、順次、積層した後、
(B)第1層と半導体材料層とゲート絶縁層と第2層の積層構造にエネルギー線を局所的に照射し、次いで、第2層を現像する、
工程から成り、
ソース/ドレイン電極は、第1層のエネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域から構成され、
ゲート電極は、第2層のエネルギー線の照射を受けた領域から構成されることを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。 - (A)基体上に、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する有機材料から成る第1層と、ゲート絶縁層と、チャネル形成領域を形成するための半導体材料層と、導電性有機材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が残される第2層とを、順次、積層した後、
(B)第1層とゲート絶縁層と半導体材料層と第2層の積層構造にエネルギー線を局所的に照射し、次いで、第2層を現像する、
工程から成り、
ゲート電極は、第1層のエネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域から構成され、
ソース/ドレイン電極は、第2層のエネルギー線の照射を受けた領域から構成されることを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。 - (A)基体上に、エネルギー線の照射によって導電性から絶縁性へと導電性が変化する有機材料から成る第1層と、ゲート絶縁層と、導電性有機材料から成り、エネルギー線の照射及び現像処理によってエネルギー線の照射を受けた領域が残される第2層とを、順次、積層した後、
(B)第1層とゲート絶縁層と第2層の積層構造にエネルギー線を局所的に照射し、次いで、第2層を現像した後、
(C)少なくとも、現像処理によって残された第2層の領域の間に位置するゲート絶縁層上に、チャネル形成領域を形成するための半導体材料層を形成する、
工程から成り、
ゲート電極は、第1層のエネルギー線の照射を受けなかった導電性の領域から構成され、
ソース/ドレイン電極は、第2層のエネルギー線の照射を受けた領域から構成されることを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
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