PL199523B1 - Wodna kompozycja czyszcząca do oczyszczania podłoży stosowanych w mikroelektronice i sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego - Google Patents

Wodna kompozycja czyszcząca do oczyszczania podłoży stosowanych w mikroelektronice i sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego

Info

Publication number
PL199523B1
PL199523B1 PL367434A PL36743402A PL199523B1 PL 199523 B1 PL199523 B1 PL 199523B1 PL 367434 A PL367434 A PL 367434A PL 36743402 A PL36743402 A PL 36743402A PL 199523 B1 PL199523 B1 PL 199523B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
acid
hydroxyethyl
weight
group
triethanolamine
Prior art date
Application number
PL367434A
Other languages
English (en)
Other versions
PL367434A1 (pl
Inventor
Chien-Pin Sherman Hsu
Original Assignee
Mallinckrodt Baker Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mallinckrodt Baker Inc filed Critical Mallinckrodt Baker Inc
Publication of PL367434A1 publication Critical patent/PL367434A1/pl
Publication of PL199523B1 publication Critical patent/PL199523B1/pl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/261—Alcohols; Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
    • C11D3/0073—Anticorrosion compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
    • C11D3/04—Water-soluble compounds
    • C11D3/042—Acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2068—Ethers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/28—Heterocyclic compounds containing nitrogen in the ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/32—Amides; Substituted amides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/33—Amino carboxylic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/43—Solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/08—Acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3263—Amides or imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3281—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5009—Organic solvents containing phosphorus, sulfur or silicon, e.g. dimethylsulfoxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5022—Organic solvents containing oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/20—Other heavy metals
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/263—Ethers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest wodna kompozycja czyszcz aca do oczyszczania pod lo zy stoso- wanych w mikroelektronice, która zawiera od 0,05% do 30% wagowych jednej lub wi ecej mocnych nie daj acych amoniaku zasad zawieraj acych nienukleofilowe, dodatnio na ladowane przeciwjony, stano- wi acych wodorotlenek tetraalkiloamoniowy lub jego sól o wzorze [(R) 4 N + ]p[X -q ], w którym ka zdy R nie- zale znie oznacza podstawiony lub niepodstawiony alkil; X oznacza OH lub anion soli; a p i q s a równe i oznaczaj a liczby ca lkowite od 1 do 3; od 0,5 do 99,95% wagowych jednego lub wi ecej rozpuszczalni- ków hamuj acych korozj e, maj acych co najmniej dwa miejsca zdolne do tworzenia kompleksów z meta- lami i wybranych z grupy obejmuj acej: glikol etylenowy, glikol dietylenowy, glicerol, dieter dimetylowy glikolu etylenowego, trietanoloamin e, N,N-dimetyloetanoloamin e, 1-(2-hydroksyetylo)-2-pirolidynon, 4-(2-hydroksyetylo)morfolin e, N-(2-hydroksyetylo)acetamid, N-(2-hydroksyetylo)sukcynoimid i 3-(diety- loamino)-1,2-propanodiol; od powy zej 0 do 99,45% wagowych co najmniej jednego organicznego wspó l- rozpuszczalnika wybranego z grupy obejmuj acej sulfotlenek dimetylu, sulfolan i dimetylopiperydon; od 0 do 5% wagowych srodka chelatuj acego metal wybranego z grupy obejmuj acej kwas etylenodia- minotetraoctowy EDTA, kwas butylenodiaminotetraoctowy, kwas trans-1,2-cykloheksyle-nodi- nitrilotetraoctowy CyDTA i kwas aminofosfoniowy, i wod e. Ujawniono sposób oczyszczania uk ladu mikroelektronicznego zawieraj acego co najmniej jeden element z grupy obejmuj acej porowaty dielek- tryk o ma lej lub du zej warto sci sta lej dielektrycznej ? oraz o zdolno sci metalizacji miedzi a, w którym pod lo ze kontaktuje si e z kompozycj a czyszcz ac a wed lug wynalazku. PL PL PL PL

Description

Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku są wolne od amoniaku kompozycje czyszczące do oczyszczania podłoży stosowanych w mikroelektronice, a zwłaszcza takie kompozycje czyszczące przydatne do i o lepszej kompatybilności z podłożami stosowanymi w mikroelektronice, o małej lub dużej stałej dielektrycznej κ oraz zdolności metalizacji miedzią. Kompozycje według wynalazku zastosowano do usuwania powłok fotomaski, oczyszczania z pozostałości po plazmowo wytwarzanych organicznych, metaloorganicznych i nieorganicznych związkach i oczyszczanie z pozostałości po procesach planaryzacji, takich jak chemiczno-mechaniczne polerowanie (CMP), jak również jako dodatek w zawiesinowych pozostałościach po planaryzacji.
Do zastosowania w dziedzinie mikroelektroniki proponowano wiele środków do usuwania fotomasek i środków do usuwania pozostałości jako jednoczesne lub późniejsze środki czyszczące w linii produkcyjnej. W procesie wytwarzania cienka warstwa fotomaski jest osadzana na płytce podłoża, a następnie obwód drukowany zostaje odwzorowany na tej cienkiej warstwie. Po wysuszeniu, niespolimeryzowaną maskę usuwa się z zastosowaniem wywoływacza fotomaski. Uzyskany obraz przenosi się następnie na podstawowy materiał, którym jest na ogół dielektryk lub metal, stosując reaktywne gazy plazmowe do trawienia lub roztwory chemiczne do trawienia. Gazy do trawienia lub roztwory chemiczne do trawienia selektywnie atakują niezabezpieczoną fotomaską powierzchnię podłoża. W efekcie plazmowego procesu trawienia, fotomaską, gaz trawiący i produkty uboczne trawienia materiału osadzają się jako pozostałość wokół lub na bocznej ściance wytrawionych otworów na podłożu.
Ponadto, po zakończeniu etapu trawienia, maskę trzeba usunąć z zabezpieczonej powierzchni płytki tak, aby możliwa była końcowa operacja wykańczająca. Można to przeprowadzić w etapie spopielania plazmowego, stosując odpowiednie gazy do spopielania plazmowego lub chemiczne środki do usuwania powłok na mokro. Problematyczne okazało się także opracowanie odpowiedniej kompozycji czyszczącej do usuwania tej substancji maski bez szkodliwego wpływu, jak np. korozja, rozpuszczanie lub matowienie metalowych obwodów elektrycznych.
W miarę zwiększania poziomów scalenia w procesach produkcji mikroelektroniki i zmniejszania wymiarów urządzeń mikroelektroniki wzornikowej, coraz powszechniejsze stało się stosowanie w dziedzinie metalizacji miedzią dielektryków o małej i dużej stałej dielektrycznej κ. Te materiały mają dodatkowe zalety jeśli chodzi o znalezienie dopuszczalnych kompozycji czyszczących. Wielu kompozycji opracowanych w uprzednich technologiach wykorzystujących „tradycyjne lub „typowe urządzenia półprzewodnikowe, zawierających Al/SiO2 lub Al (Cu)/SiO2 nie można stosować do metalizowanych miedzią o małej i dużej stałej dielektrycznej κ dielektryków. Np. kompozycje środka do usuwania powłok lub środka do usuwania pozostałości na bazie hydroksyloaminy z powodzeniem stosowano do urządzeń do oczyszczania z zastosowaniem metalizacji Al, ale w praktyce nie nadają się przy metalizacji miedzią. Podobnie, wiele środków do usuwania powłok z dielektryków metalizowanych miedzią o małej wartości stałej dielektrycznej κ nie nadaje się dla urządzeń metalizowanych Al, jeśli nie przeprowadzi się znaczących zmian składu.
Usunięcie pozostałości po trawieniu i/lub spopielaniu, będących wynikiem trawienia i/lub procesu spopielania okazało się problematyczne. Brak możliwości całkowitego usunięcia lub neutralizacji tych pozostałości może prowadzić do absorpcji wilgoci i powstawania niepożądanych substancji, które mogą powodować korozję struktur metalicznych. Materiały obwodów elektrycznych zostają skorodowane niepożądanymi substancjami i powstają nieciągłości obwodów elektrycznych oraz niepożądane zwiększanie oporności elektrycznej.
Stosowane obecnie środki do czyszczenia końcowego w szerokim zakresie wykazują kompatybilność z pewnymi wrażliwymi dielektrykami i sposobami metalizacji, w zakresie od całkowicie niedopuszczalnego do marginesowo zadowalającego. Wiele z aktualnych środków do usuwania powłok lub środków czyszczących do usuwania pozostałości nie jest dopuszczalnych w zaawansowanych połączonych wzajemnie materiałach, takich jak porowate i dielektryki o małej wartości stałej dielektrycznej κ oraz metalizowane miedzią. Ponadto, typowo stosowane alkaliczne roztwory czyszczące są zbyt agresywne wobec dielektryków porowatych i o małej i dużej wartości stałej dielektrycznej κ i/lub metalizowanych miedzią. Ponadto, wiele z tych alkalicznych kompozycji czyszczących zawiera organiczne rozpuszczalniki, które wykazują małą trwałość produktu, szczególnie przy wyższych wartościach pH i w wyższych temperaturach procesu.
Występuje zatem zapotrzebowanie na kompozycje czyszczące w mikroelektronice odpowiednie dla końcowych operacji czyszczenia, które są skutecznymi środkami czyszczącymi i nadają się do
PL 199 523 B1 usuwania fotomasek, oczyszczania z pozostałości po plazmowym procesie wytwarzania substancji organicznych, metaloorganicznych i nieorganicznych oraz oczyszczania z pozostałości po operacjach planaryzacji, takich jak chemiczno-mechaniczne polerowanie itp. Przedmiotem wynalazku są kompozycje skuteczne w usuwaniu fotomasek, przygotowaniu/oczyszczaniu powierzchni i układów półprzewodnikowych z dobrą kompatybilnością z zaawansowanymi połączonymi wzajemnie materiałami, takimi jak dielektryki porowate i o małej i dużej wartości stałej dielektrycznej κ oraz elementy metalizowane miedzią.
Stwierdzono że, amoniak (NH3) i zasady pochodzące od amoniaku, takie jak wodorotlenek amonu i inne sole (NH4X, X=OH, węglan itp.) są zdolne do rozpuszczania/korodowania metali, takich jak miedź poprzez tworzenie kompleksu. Wybór preparatów do czyszczenia półprzewodników jest zatem ograniczony, gdy wymagana jest kompatybilność z dielektrykami o małej wartości stałej dielektrycznej κ (tj., o wartości κ wynoszącej 3 lub mniejszej) lub dielektrykami o dużej wartości stałej dielektrycznej κ (tj. o wartości κ wynoszącej 20 lub wyższej) oraz metalizowanymi miedzią. Te związki mogą generować amoniak w procesie równowagowym. Amoniak może tworzyć kompleks z metalami, takimi jak miedź i prowadzić do korozji/rozpuszczania metalu zgodnie z następującym równaniem.
NH4X θ NH3 + HX (Równanie 1)
Cu + 2NH3 [Cu(NH3)2] [Cu(NH3)2]2+ (Równanie 2)
Zatem wodorotlenek amonu i sole amoniowe mogą być źródłem nukleofilowego i chelatującego metal amoniaku (NH3) w procesie równowagowym opisanym w równaniu 1, szczególnie, gdy dodaje się inne zasady, takie jak aminy i alkanoloaminy. W obecności tlenu, metale takie jak miedź mogą rozpuszczać się/korodować poprzez tworzenie kompleksu z amoniakiem, jak opisano w równaniu 2. Takie tworzenie kompleksu może ponadto przesunąć równowagę (Równanie 1) w prawo, powodując powstanie większej ilości amoniaku, prowadząc do większego rozpuszczenia/korozji metalu.
Na ogół, wrażliwe dielektryki o małej wartości stałej dielektrycznej κ ulegają znacznej degradacji w warunkach silnie alkalicznych. Amoniak i amoniak pochodzący od zasady także wykazują słabą kompatybilność z wrażliwymi dielektrykami, takimi jak krzemopółtoratlenek wodoru (HSQ) i krzemopółtoratlenek metylu (MSQ). Ponownie, mogą one być źródłem amoniaku i/lub innego nukleofilu i tym samym prowadzą do reakcji/degradacji wrażliwych dielektryków.
Stwierdzono, że alkaliczne preparaty czyszczące zawierające mocną nie dającą amoniaku zasadę zawierającą nienukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony (takie jak tetraalkiloamoniowy) w rozpuszczalnikach, które zawierają co najmniej jeden hamujący korozję składnik lub grupę, wykazują znacznie ulepszoną kompatybilność z wrażliwymi dielektrykami porowatymi lub o małej wartości stałej dielektrycznej κ i/lub metalizowanymi miedzią. Korzystne bazy rozpuszczalnikowe są odporne na silnie alkaliczne warunki, z uwagi na efekty przeszkody przestrzennej i/lub małą lub brak reaktywności w reakcjach nukleofilowych (w stosunku do nukleofili, takich jak jony wodorotlenowe). Ulepszoną kompatybilność wobec dielektryków częściowo osiąga się przez brak niepożądanych substancji nukleofilowych w kompozycjach. Dobrą kompatybilność z metalizacją miedzią osiąga się przez selektywne zastosowanie pewnych rozpuszczalników kompatybilnych z miedzią lub „hamujących korozję. Te składniki można komponować w częściowo wodne do praktycznie niewodnych (na bazie rozpuszczalnika organicznego) roztworów lub zawiesin czyszczących.
Przedmiotem wynalazku jest wodna kompozycja czyszcząca do oczyszczania podłoży stosowanych w mikroelektronice, która zawiera:
od 0,05% do 30% wagowych jednej lub więcej mocnych nie dających amoniaku zasad zawierających nienukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony, stanowiących wodorotlenek tetraalkiloamoniowy lub jego sól o wzorze
[(R)4N+] p [X-q] w którym każdy R niezależnie oznacza podstawiony lub niepodstawiony alkil; X oznacza OH lub anion soli; a p i q są równe i oznaczają liczby całkowite od 1 do 3;
od 0,5 do 99,95% wagowych jednego lub więcej rozpuszczalników hamujących korozję, mających co najmniej dwa miejsca zdolne do tworzenia kompleksów z metalami i wybranych z grupy obejmującej: glikol etylenowy, glikol dietylenowy, glicerol, dieter dimetylowy glikolu etylenowego, trietanoloaminę, N,N-dimetyloetanoloaminę, 1-(2-hydroksyetylo)-2-pirolidynon, 4-(2-hydroksyetylo)morfolinę, N-(2-hydroksyetylo)acetamid, N-(2-hydroksyetylo)sukcynoimid i 3-(dietyloamino)-1,2-propanodiol;
PL 199 523 B1 od powyżej 0 do 99,45% wagowych co najmniej jednego organicznego współrozpuszczalnika wybranego z grupy obejmującej sulfotlenek dimetylu, sulfolan i dimetylopiperydon;
od 0 do 5% wagowych środka chelatującego metal wybranego z grupy obejmującej kwas etylenodiaminotetraoctowy EDTA, kwas butylenodiaminotetraoctowy, kwas trans-1,2-cykloheksylenodinitrilotetraoctowy CyDTA i kwas aminofosfoniowy, i wodę.
Kompozycja czyszcząca korzystnie zawiera związek, w którym R oznacza alkil o 1 do 22 atomach węgla i X oznacza OH, korzystniej zawiera związek, w którym R oznacza alkil o od 1 do 6 atomach węgla.
Kompozycja czyszcząca według wynalazku korzystnie jako hamujący korozję rozpuszczalnik zawiera trietanoloaminę.
Korzystnie kompozycja zawiera wodorotlenek tetrametyloamoniowy, trietanoloaminę, kwas trans-1,2-cykloheksylenodinitrilotetraoctowy, sulfolan i wodę.
Korzystniej kompozycja czyszcząca zawiera wodorotlenek tetrametyloamoniowy, sulfotlenek dimetylu, trietanoloaminę i wodę.
Przedmiotem wynalazku jest sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego zawierającego co najmniej jeden element z grupy obejmującej porowaty dielektryk o małej lub dużej wartości stałej dielektrycznej κ oraz o zdolności metalizacji miedzią, w którym podłoże kontaktuje się z kompozycją czyszczącą według wynalazku.
W sposobie według wynalazku korzystnie jako hamujący korozję rozpuszczalnik stosuje się trietanoloaminę.
Korzystnie stosuje się wodorotlenek tetrametyloamoniowy, trietanoloaminę, kwas trans-1,2-cykloheksylenodinitrilotetraoctowy, sulfolan i wodę.
Korzystnie w sposobie według wynalazku stosuje się wodorotlenek tetrametyloamoniowy, sulfotlenek dimetylu, trietanoloaminę i wodę.
Nowe kompozycje do czyszczenia końcowego według wynalazku zawierają jedną lub więcej dowolnych odpowiednich mocnych nie dających amoniaku zasad zawierających nienukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony i jeden lub więcej dowolnych odpowiednich rozpuszczalników, trwałych w silnie alkalicznych warunkach oraz składnik hamujący korozję metalu w rozpuszczalniku. Spośród odpowiednich nie dających amoniaku silnych zasad zawierających nienukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony, odpowiednich do zastosowania w kompozycjach czyszczących według wynalazku można wymienić wodorotlenki tetraalkiloamoniowe lub sole o wzorze [(R)4N+] p [X-q], w którym każdy R oznacza niezależnie podstawiony lub niepodstawiony alkil, korzystnie alkil o od 1 do 22, korzystniej 1 do 6 atomach węgla (R ϊ H); i X = OH lub odpowiedni anion soli, taki jak węglan itp.; p i q są równe i oznaczają liczbę całkowitą od 1 do 3. Odpowiednie silne zasady obejmują także KOH i NaOH. Kompozycje czyszczące zawierające nie dające amoniaku silne zasady zawierające nienukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony wykazują znacznie lepszą kompatybilność z dielektrykami porowatymi i o małej wartości stałej dielektrycznej κ oraz metalizowanymi miedzią. Wolne od amoniaku wodorotlenki tetraalkiloamoniowe (TAAH) obejmują bardzo silne zasady, które zbadano uzyskując nieoczekiwanie ulepszoną kompatybilność z dielektrykami porowatymi i o małej wartości stałej dielektrycznej κ, w porównaniu z kompozycjami czyszczącymi zawierającymi wodorotlenek amonu. Szczególnie korzystne substancje obejmują tetrametylowodorotlenek amonu, tetrabutylowodorotlenek amonu i wodorotlenek choliny.
Podczas, gdy poprzednie próby kontrolowania lub hamowania korozji metalu polegały na dokładnym regulowaniu wartości pH i/lub zastosowaniu hamujących korozję związków, takich jak benzotriazol (BT), we względnie niskich stężeniach <2% wagowych, nieoczekiwanie stwierdzono że znaczące ulepszenie hamowania korozji miedzi można uzyskać stosując kompozycje czyszczące według wynalazku, gdy stosuje się jeden lub więcej „hamujących korozję rozpuszczalników”, tj. rozpuszczalnik, który ma w cząsteczce co najmniej dwa miejsca zdolne do tworzenia kompleksu z metalem.
Jako takie korzystne hamujące korozję rozpuszczalniki obejmują związki posiadające w cząsteczce dwa lub więcej miejsc zdolnych do tworzenia kompleksu z metalem i o jednym spośród dwóch następujących wzorów ogólnych:
W-(CR1R2)n1-X-(CR1R2)n2-Y]z lub
T-[(CR3R4)m-Z]y
PL 199 523 B1 w których W i Y niezależ nie od siebie oznaczają =O, -OR, -O-C(O)-R, -C(O)-, -C(O)-R, -S, -S(O)-R, -SR, -S-C(O)-R, -S(O)2-R, -S(O)2, -N, -NH-R, -NR1R2, -N-C(O)-R, -NR1-C(O)-R2, -P(O), -P(O)-OR i -P(O)-(OR)2; X oznacza alkilen, cykloalkilen lub cykloalkilen zawierający jeden lub więcej hetero-atomów wybranych z grupy obejmującej atomy O, S, N i P i arylen lub arylen zawierający jeden lub więcej heteroatomów wybranych z grupy obejmującej atomy O, S, N i P; każdy spośród R, R1 i R2 niezależnie od siebie oznacza atom wodoru, alkil, cykloalkil lub cykloalkil zawierający jeden lub więcej heteroatomów wybranych z grupy obejmującej atomy O, S, N i P i aryl lub aryl zawierający jeden lub więcej heteroatomów wybranych z grupy obejmującej atomy O, S, N i P; każdy spośród n1 i n2 oznacza niezależnie liczbę całkowitą od 0 do 6; i z oznacza liczbę całkowitą od 1 do 6, gdy X oznacza alkilen, cykloalkilen lub arylen; a z oznacza liczbę całkowitą od 0 do 5, gdy X oznacza cykloalkilen zawierający jeden lub więcej heteroatomów wybranych z grupy obejmującej atomy O, S, N i P lub arylen zawierający jeden lub więcej heteroatomów wybranych z grupy obejmującej atomy O, S, N i P; T jest wybrany z grupy obejmującej -O, -S, -N i -P; Z jest wybrany z grupy obejmującej atom wodoru, -OR5, -N(N5)2 i -SR5; każdy spośród R3, R4 i R5 niezależnie od siebie oznacza atom wodoru, alkil, cykloalkil lub cykloalkil zawierający jeden lub więcej heteroatomów wybranych z grupy obejmującej atomy O, S, N i P i aryl lub aryl zawierają cy jeden lub wię cej heteroatomów wybranych z grupy obejmują cej atomy O, S, N i P; m oznacza liczbę całkowitą od 0 do 6 i y oznacza liczbę całkowitą od 1 do 6.
W powyż szych definicjach alkil i alkilen korzystnie zawierają od 1 do 6 atomów wę gla, korzystniej od 1 do 3 atomów węgla, cykloalkil i cykloalkilen korzystnie od 3 do 6 atomów węgla i aryl i arylen korzystnie od 3 do 14 atomów węgla, korzystniej od 3 do 10 atomów węgla. Alkil korzystnie obejmuje metyl, etyl lub propyl; alkilen korzystnie obejmuje metylen, etylen lub propylen; aryl korzystnie obejmuje fenyl; arylen korzystnie zawiera fenylen; heteropodstawiony cykloalkil korzystnie obejmuje dioksyl, morfolinyl i pirolidynyl; a heteropodstawiony aryl korzystnie obejmuje pirydynyl.
Pewne odpowiednie przykłady takich hamujących korozję rozpuszczalników obejmują np., lecz nie ograniczając się do nich, glikol etylenowy, glikol dietylenowy, glicerol, dieter dimetylowy glikolu etylenowego, monoetanoloaminę, dietanoloaminę, trietanoloaminę, N,N-dimetyloetanoloaminę , 1-(2-hydroksyetylo)-2-pirolidynon, 4-(2-hydroksyetylo)morfolinę, 2-(metyloamino)etanol, 2-amino-2-metylo-1-propanol, 1-amino-2-propanol, 2-(2-aminoetoksy)etanol, N-(2-hydroksyetylo)-acetamid, N-(2-hydroksyetylo)sukcynoimid i 3-(dietyloamino)-1,2-propanodiol.
Kompozycje czyszczące według wynalazku zawierające nie dające amoniaku silne zasady można komponować w kompozycje wodne, częściowo wodne lub na bazie rozpuszczalnika organicznego. Nie dające amoniaku silne zasady zawierające nienukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony można stosować z hamującymi korozję rozpuszczalnikami, samymi lub w połączeniu z innymi trwałymi rozpuszczalnikami, korzystnie jednym lub więcej polarnymi rozpuszczalnikami organicznymi odpornymi na działanie silnych zasad, a które nie zawierają grup nukleofilowych bez efektu przeszkody przestrzennej, takie jak sulfotlenek dimetylu (DMSO), sulfolan (SFL) i dimetylopiperydon. Kompozycja czyszcząca może także ewentualnie zawierać kwasy organiczne lub nieorganiczne, korzystnie słabe kwasy organiczne lub nieorganiczne, rozbudowane przestrzennie aminy, rozbudowane przestrzennie alkanoloaminy i rozbudowane przestrzennie hydroksyloaminy. Kompozycje czyszczące mogą także zawierać inne inhibitory korozji metali, takie jak benzotriazol i związki arylowe zawierające 2 lub więcej grup OH lub OR, w których R oznacza alkil lub aryl, taki jak np. katechol, pirogalol, rezorcyna itp.
Kompozycje czyszczące mogą także zawierać dowolne odpowiednie surfaktanty, takie jak np. dimetyloheksynol (Surfynol-61), etoksylowany tetrametylodecynodiol (Surfynol-465), politetrafluoroetylenocetooksypropylobetaina (Zonyl FSK), (Zonyl FSH) itp.
W kompozycjach wedł ug wynalazku moż na stosować dowolny odpowiedni krzemian nie zawierający jonów metalu. Krzemiany korzystnie obejmują czwartorzędowe krzemiany amoniowe, takie jak krzemian tetraalkiloamoniowy (obejmujący grupy alkilowe zawierające hydroksy- i alkoksy-, na ogół o od 1 do 4 atomach wę gla w alkilu lub alkoksylu). Najbardziej korzystnym krzemianem nie zawierają cym jonów metalu jest krzemian tetrametyloamoniowy. Inne odpowiednie krzemiany nie zawierające jonów metalu dla celów tego wynalazku mogą powstawać in-situ przez rozpuszczenie dowolnej jednej lub więcej następujących substancji w silnie alkalicznej kompozycji czyszczącej. Odpowiednie nie zawierające jonów metalu substancje przydatne do wytwarzania krzemianów w kompozycji czyszczącej obejmują stałe płytki krzemowe, kwas krzemowy, koloidalną krzemionkę, dymioną krzemionkę lub dowolną inna odpowiednią postać krzemu lub krzemionki. Można stosować krzemiany metali takie jak metakrzemian sodu, lecz nie są one zalecane z uwagi na szkodliwy wpływ zanieczyszczeń metalicz6
PL 199 523 B1 nych na obwody scalone. Krzemiany mogą występować w kompozycji w ilości od 0 do 10% wagowych, korzystnie w ilości od 0,1 do 5% wagowych.
Kompozycje według wynalazku mogą także zawierać odpowiednie środki chelatujące metal w celu zwiększenia wydajności preparatu do zatrzymywania metali w roztworze i w celu zwiększenia rozpuszczenia metalicznej pozostałości na płytce. Chelatujący środek na ogół występuje w kompozycjach w ilości od 0 do 5% wagowych, korzystnie w ilości od 0,1 do 2% wagowych. Typowe przykłady środków chelatujących przydatnych do tego celu obejmują następujące kwasy organiczne i ich izomery i sole: kwas etylenodiaminotetraoctowy (EDTA), kwas butylenodiaminotetraoctowy, kwas trans1,2-cykloheksylenodinitrilotetraoctowy (CyDTA), kwas dietylenotriaminopentaoctowy (DE-TPA), kwas etylenodiaminotetrapropionowy, kwas (hydroksyetylo)etylenodiaminotrioctowy (HEDTA), kwas N,N,N',N'-etylenodiaminotetra(metylenofosfoniowy) (EDTMP), kwas trietylenotetraaminoheksaoctowy (TTHA), kwas 1,3-diamino-2-hydroksypropano-N,N,N',N'-tetraoctowy (DHPTA), kwas metyloiminodioctowy, kwas propylenodiaminotetraoctowy, kwas nitrolotrioctowy (NTA), kwas cytrynowy, kwas winowy, kwas glukonowy, kwas cukrowy, kwas glicerynowy, kwas szczawiowy, kwas ftalowy, kwas maleinowy, kwas migdałowy, kwas malonowy, kwas mlekowy, kwas salicylowy, katechol, kwas galusowy, galusan propylu, pirogalol, 8-hydroksychinolina i cysteina. Korzystne środki chelatujące obejmują kwasy aminokarboksylowe takie jak EDTA, CyDTA i kwas aminofosfoniowy taki jak EDTMP.
Kompozycje czyszczące mogą także ewentualnie zawierać związki fluorkowe, takie jak np. fluorek tetrametyloamoniowy, fluorek tetrabutyloamoniowy i fluorek amonu. Inne odpowiednie fluorki obejmują, np. fluoroborany, fluoroborany tetrabutyloamoniowe, heksafluorki glinu, fluorek antymonu itp. Fluorki występują w ilości od 0 do 10% wagowych, korzystnie od 0,1 do 5% wagowych.
Zatem można stosować szeroki zakres pH i temperatur obróbki/roboczych podczas skutecznego usuwania i czyszczenia z fotomasek, pozostałości po trawieniu/spopieleniu plazmowym, substancje protektorowe absorbujące światło i powłoki antyrefleksyjne (ARC). Stwierdzono także, że niektóre preparaty tego typu są szczególnie skuteczne do czyszczenia bardzo trudnych próbek, które zawierają tantal w ich strukturze, takie jak warstwy barierowe z tantalu (Ta) lub azotku tantalu oraz tlenku tantalu.
W dalszych częściach tego zgłoszenia do oznaczenia wskazanych składników zastosowano następujące skróty:
HEP = 1-(2-hydroksyetylo)-2-pirolidynon
TMAH = 25% wodorotlenek tetrametyloamoniowy
BT = benzotriazol
DMSO = sulfotlenek dimetylu
TEA = trietanoloamina
CyDTA = kwas trans-1,2-cykloheksylenodinitrilotetraoctowy
SFL = sulfolan
EG = glikol etylenowy
CAT = katechol
EDTMP = kwas etylenodiaminotetra(metylenofosfoniowy)
DMPD = dimetylopiperydon
TMAF = 25% fluorek tetrametyloamoniowy
BSA = kwas benzenosulfonowy
TMAS = 10% krzemian tetrametyloamoniowy
Przykłady tych typów preparatów przedstawiono w poniższych tabelach 1A, 1B i 1C, w których ilości składników podano w częściach wagowych.
T a b e l a 1A Kompozycje
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Składnik A B C D E F G H
HEP 90 90
H2O 7 8 32 16 12 8
TMAH 10,8 15 16 16 16 24 10 2,7
BT 0,11 0,11
DMSO 16
PL 199 523 B1 cd. tabeli 1A
1 2 3 4 5 6 7 8 9
TEA 16 16 16 24 10
CyDTA 0,2 0,2 0,3
SFL 16 16 24 24 40
EG
CAT
EDTMP
DMPD
T a b e l a 1B Kompozycje
Składnik I J K L
HEP
H2O 54 54 32 32
TMAH 45 36 4 16
BT
DMSO
TEA 36 36 16 15
CyDTA 0,4
SFL
EG 54 54 48
CAT 6
EDTMP 0,36 0,36 0,4
DMPD 16
W tabeli 1C opisano zmiany kompozycji D i F z tabeli 1A, z ewentualnie dodatkowo dodanymi składnikami.
T a b e l a 1C Kompozycje
Składnik M N O P Q R S
Kompozycja D 100 100 100 100
Kompozycja F 100 100 100
TMAF 2,5 2,5
TMAH 2 2 2
H2O 10 10 10
BSA 2 2
H2SO4 0,5 0,5 0,5
TMAS 1
Szybkości wytrawiania warstwy wewnętrznej dielektryka (ILD) dla Kompozycji D i F według tabeli 1A i kompozycji M do S według tabeli 1C dla różnych dielektryków oszacowano stosując następującą procedurę testową.
Grubości warstw na płytkach mierzono stosując urządzenie Rudolph Interferometer. Płytki (z materiałem ILD osadzonym na płytkach krzemowych) zanurzano w wybranych kompozycjach czyszczących o wybranej temperaturze na 30 minut, a następnie płukano wodą dejonizowaną i su8
PL 199 523 B1 szono w warunkach przepływu strumienia azotu. Następnie grubości zmierzono ponownie, po obróbce, po czym obliczono szybkości wytrawiania w przeliczeniu na zmianę grubości warstw, która powstaje po tej obróbce. Wyniki przedstawiono w tabelach 2, 3, 4 i 5.
T a b e l a 2
Szybkości wytrawiania dielektryków (nm/mm) w temperaturze 45°C (30 minut)
Kompozycja CDO Black Diamond SiLK Coral FSG TEOS FOx-16 SiN
D 0,2 0,7 <0,1 <0,1 <0,1 <0,1 -- <0,1
F 0,2 0,7 <0,1 <0,1 <0,1 <0,1 -- <0,1
T a b e l a 3
Szybkości wytrawiania dielektryków (nm/minutę) w temperaturze 55°C (30 minut)
Kompozycja CDO Black Diamond SiLK Coral FSG TEOS FOx-16 SiN
D -- 2,9 <0,1 0,6 <0,1 0,1 -- <0,1
F 0,2 2,5 0,3 0,4 <0,1 0,4 -- <0,1
T a b e l a 4
Szybkości wytrawiania dielektryków (nm/minutę) w temperaturze 65°C (30 minut)
Kompozycja CDO Black Diamond SiLK Coral FSG TEOS FOx -16 SiN
D 0,2 4,2 0,5 0,9 <0,1 0,1 -- <0,1
F 0,2 4,0 0,5 0,8 <0,1 0,1 -- <0,1
T a b e l a 5
Szybkości wytrawiania dielektryków (nm/minutę) w temperaturze 70°C (30 minut)
Kompozycja CDO SiLK Coral TEOS
M 0,5 <0,1 1,2 0,3
N 0,5 <0,1 1,4 0,3
O 0,4 0,2 1,2 0,2
P <0,1 <0,1 0,5 0,1
Q <0,1 <0,1 0,3 <0,1
R 0,2 <0,1 0,2 <0,1
S <0,1 <0,1 <0,1 0,3
W tabelach 2, 3, 4 i 5 opisano następujące dielektryki:
CDO = węgiel domieszkowany tlenkiem;
Black Diamond™ = nazwa handlowa węgla domieszkowanego tlenkiem;
SiLKTM = polimer organiczny;
Coral™ = nazwa handlowa węgla domieszkowanego tlenkiem;
FSG = fluorowane szkło krzemianowe;
TEOS = tetraetyloortokrzemian;
FOx-16™ = tlenek w zawiesinie wodnej (typ HSQ); i
SiN = azotek krzemu.
W poniż szych przykł adach zilustrowano doskona łą kompatybilno ść z Cu w porównaniu ze względnie słabą kompatybilnością z Al kompozycji według wynalazku. Podano dane dla kompozycji D i F wedł ug tabeli 1A i kompozycji L wedł ug tabeli 1B.
Szybkość wytrawiania miedzi i glinu dla kompozycji czyszczących według wynalazku pokazano przez dane o szybkości wytrawiania w poniższych tabelach 6 i 7. Szybkość wytrawiania określano wykorzystując następującą procedurę testową. Zastosowano fragmenty folii glinowej lub miedzianej o wymiarach w przybliżeniu 13 x 50 mm. Fragmenty folii zważono. Po czyszczeniu 2-propanolem, wodą destylowaną i acetonem, fragmenty folii suszono w piecu suszarniczym. Następnie oczyszczoPL 199 523 B1 ne, osuszone fragmenty folii umieszczono w luźno zamkniętych butelkach z wstępnie ogrzanymi kompozycjami czyszczącymi według wynalazku i umieszczono w piecu próżniowym przez od dwóch do dwudziestu czterech godzin w wybranej temperaturze. Po obróbce i wyjęciu z pieca i z butelek, oczyszczone folie przepłukano dużą ilością wody destylowanej i suszono w piecu suszarniczym przez około 1 godzinę, po czym pozostawiono do oziębienia do temperatury pokojowej, a następnie szybkość wytrawiania określono w przeliczeniu na stratę masy lub zmianę masy.
T a b e l a 6
Szybkości wytrawiania metali (nm/minutę) w temperaturze 55°C (badanie 24 godziny)
Kompozycja Szybkości wytrawiania Cu Szybkości wytrawiania Al
D <0,1 >100
F <0,1 >100
T a b e l a 7
Szybkości wytrawiania metali (nm/minutę) w temperaturze 65°C (badanie 24 godziny)
Kompozycja Szybkości wytrawiania Cu Szybkości wytrawiania Al
D <0,1 >100
F <0,1 >100
L 0,1
Zalety zastosowania hamujących korozję rozpuszczalników według wynalazku występujących w kompozycji pokazano w następujących przykładach, wykorzystując różne hamujące korozję rozpuszczalniki, z porównywalnymi danymi dla dwóch przykładów porównawczych bez obecności hamującego korozję rozpuszczalnika. Test szybkości wytrawiania Cu prowadzono w taki sam sposób jak to opisano powyżej, a wyniki przedstawiono w tabeli.
T a b e l a 8
Szybkości wytrawiania Cu (nm/godzinę) w temperaturach 70-75°C (temperatura pieca) (test 24 godzinny)
1 2 3 4
Składniki kompozycji części wagowe Rodzaj inhibitora Zawartość inhibitora % wagowe Szybkość wytrawiania Cu (nm/godzinę)
22 : 32 25% TMAH-DMSO Brak 0 22
22 : 16: 16 25% TMAH-DMSO-2-(metyloamino)etanol 2-(metyloamino)etanol 30 <1
22 : 16: 16 25% TMAH-DMSO-N,N-dimetyloetanoloamina N,N-dimetyloetanoloamina 30 <1
22 : 16: 16 25% TMAH-DMSO-3-(dietyloamino)-112-propanodiol 3-(dietyloamino)-1,2- -propanodiol 30 <1
32 : 15 : 7 DMSO-25% TMAH-H2O Żaden 0 22
16 : 15 : 7 : 16 DMSO-25% TMAH-H2O-trietanoloamina Trietanoloamina 30 <1
16 : 15 : 7 : 16 DMSO-25% TMAH-H2O-dietanoloamina Dietanoloamina 30 <1
16 : 15 : 7 : 16 DMSO-25% TMAH-H2O-monoetanoloamina Monoetanoloamina 30 <1
16 : 15 : 7 : 16 DMSO-25% TMAH-H2O-HEP HEP 30 <1
PL 199 523 B1 cd. tabeli 8
1 2 3 4
24 : 15:7 : 8 DMSO-25% TMAH-H2O-trietanoloamina Trietanoloamina 15 <1
24 : 15:7 : 8 DMSO-25% TMAH-H2O-dietanoloamina Dietanoloamina 15 <1
24 : 15:7 : 8 DMSO-25% TMAH-H2O-monoetanoloamina Monoetanoloamina 15 <1
24 : 15:7 : 8 DMSO-25% TMAH-H2O-HEP HEP 15 <1
Podobny test szybkości wytrawiania Cu przeprowadzono stosując preparat zawierający TMAH, DMSO i H20, z i bez hamującego korozję rozpuszczalnika, a dane o szybkości wytrawiania przedstawiono w tabeli 9.
T a b e l a 9
Szybkości wytrawiania Cu (nm/godzinę) w temperaturze 70-75°C (temperatura pieca) (test 24 godzinny)
Rodzaj inhibitora Zawartość inhibitora % wagowe Szybkość wytrawiania Cu (nm/godzinę)
Żaden 0 14
2-amino-2-metylo-1-propanol 30 <1
1-amino-2-propanol 30 <1
2-(2-aminoetoksy)etanol 30 <1
Inne serie badań szybkości wytrawiania Cu prowadzono stosując preparat SFL i TMAH z i bez hamującego korozję rozpuszczalnika występującego w preparacie. Dane takiego testu przedstawiono w tabeli 10.
T a b e l a 10
Szybkości wytrawiania Cu (nm/godzinę) w temperaturze 70-75°C (temperatura pieca) (test 24 godzinny)
Składniki kompozycji części wagowe Rodzaj inhibitora Zawartość inhibitora % wagowe Szybkość wytrawiania Cu (nm/godzinę)
10 : 50 25% TMAH- SFL Żaden 0 3
10 : 40 : 10 25% TMAH-SFL-TEA TEA 17 <1
W poniższym przykładzie wskazano lepszą kompatybilność nieamoniowych silnych zasad, np. TMAH, w porównaniu z zasadami amoniowymi, np. wodorotlenkiem amonu (NH4OH), z wrażliwymi dielektrykami o małej wartości stałej dielektrycznej κ, takimi jak krzemopółtoratlenek wodoru (HSQ) typu FOx-15™ tlenku w zawiesinie wodnej. Zastosowano następującą procedurę testową. Próbki płytek powleczone warstwami dielektryka zanurzano w mieszanym mieszadłem magnetycznym roztworze chemicznym zawierającym wodę (szybkość mieszania 300 obrotów/minutę), a następnie przemywano izopropanolem i wodą destylowaną. Następnie próbki suszono w strumieniu azotu przed analizą IR.
Transmitancję widma IR otrzymano stosując spektrometr Nicolet 740 FTIR, używając detektora na bazie deuterowanego siarczanu triglicyny (DTGS). Uzyskano widma z rozdzielczością 4 cm-1 i uśredniono je dla 32 badań. Do badania strukturalnych zmian dielektryków HSQ zastosowano analizę transformaty Fouriera widma w podczerwieni (FTIR). Przyporządkowania pasm w absorpcji w podczerwieni typowych osadzonych warstw HSQ były następujące.
PL 199 523 B1
Przyporządkowania pasm absorbcji w podczerwieni dielektryka HSQ
Częstotliwości absorpcji (cm -1) Przyporządkowanie pasma
2250 Rozciągłość Si-H
1060-1150 Rozciągłość Si-O-Si
830-875 Oscylacje mieszane H-Si-O
Zawartość wiązań Si-H w warstwie HSQ można określić metodą pomiaru powierzchni piku pasma absorbcji dla Si-H przy długości fali 2250 cm-1. Zastosowanie absorpcji wzorcowej płytki krzemowej przy długości fali 650-525 cm-1 (dla sieci wiązań Si-Si i zanieczyszczeń Si-C) jako wzorca wewnętrznego/odniesienia dawało w wyniku ilościowe analizy IR z dobrą dokładnością (względne odchylenie standardowe: 2-5%).
T a b e l a 11
Kompatybilność z dielektrykami F0x-15 HSQ o małej wartości stałej dielektrycznej κ
Składniki kompozycji części wagowo % Si-H pozostałych po obróbce (metodą pomiaru FTIR) % Grubości warstwy pozostałej po obróbce
90 : 8 : 1 : 0,11; HEP-H2O-NH4OH-BT 20 96
90 : 8 : 2,66 : 0,11; HEP-H2O-TMAH-BT 92,5 100
Początkowa grubość warstwy: 450 nm.
Zdolność kompozycji według wynalazku do czyszczenia zilustrowano w poniższych testach, w których układ mikroelektroniczny składający się z płytki o następującej strukturze warstwowej, mianowicie fotomaska/węgiel domieszkowany tlenkiem/azotek krzemu/miedź, z azotkiem krzemu przedziurkowanym w celu odsłonięcia miedzi, zanurzano w roztworach czyszczących o wybranej temperaturze i przez wybrany czas, następnie płukano wodą, suszono, po czym czyszczenie określono metodą kontroli SEM. Wyniki przedstawiono w tabeli 12.
T a b e l a 12
Kompozycja i warunki obróbki Parametry czyszczenia
Kompozycja F, 75°C, 40 minut 100% czystości; usunięto wszystkie PR (duże PR i stwardniałe, polimeryczne „występy poza kołnierz/obramowanie)
Kompozycja D, 75°C, 20 minut 100% czystości; usunięto wszystkie PR (duże PR i stwardniałe, polimeryczne „występy poza kołnierz/obramowanie)
Kompozycja B, 75°C, 40 minut 100% czystości; usunięto wszystkie PR (duże PR i stwardniałe, polimeryczne „występy poza kołnierz/obramowanie)
Takie same testy czyszczenia prowadzono na układzie mikroelektronicznym składającym się z płytki o następującej strukturze liniowej, mianowicie fotomaska/azotek tantalu/FSG/miedź. Dla porównania zbadano także dwa obecnie dostępne w handlu produkty do czyszczenia. Wyniki czyszczenia przedstawiono w tabeli 13.
T a b e l a 13
Kompozycja i warunki obróbki Parametry czyszczenia Kompatybilność z podłożem
Kompozycja F, 75°C, 20 minut 100% czystości; usunięto wszystkie PR (duże PR i stwardniałe, polimeryczne „obramowanie) 100% kompatybilności z TaN i FSG
EKC-265™, 75°C, 20 minut Nie oczyszczone; usuni ę to du ż e PR, lecz stwardniałe, polimeryczne „obramowanie pozostało
ATM I ST-250, 30°C, 20 minut (środek do usuwania powłok na bazie fluorku) Nie oczyszczone; nic się nie zmieniło
PL 199 523 B1
Podobny test czyszczenia przeprowadzono na układzie mikroelektronicznym składającym się z płytki o następującej strukturze warstwowej, mianowicie fotomaska/węgiel domieszkowany tlenkiem/azotek krzemu/miedź, lecz bez dziurkowania azotku krzemu w celu odsłonięcia miedzi. Wyniki przedstawiono w tabeli 14.
T a b e l a 14
Kompozycja i warunki obróbki Parametry czyszczenia
Kompozycja D, 70°C, 20 minut 100% czystości; usunięto wszystkie PR (duże PR i stwardniałe, polimeryczne „występy poza kołnierz/obramowanie)
Podobny test czyszczenia przeprowadzono na układzie mikroelektronicznym, który składał się z płytki o następującej strukturze warstwowej, mianowicie pTEOS/Coral/SiN/Coral/SiN/miedź. Wyniki przedstawiono w tabeli 15.
T a b e l a 15
Kompozycja i warunki obróbki Parametry czyszczenia Kompatybilność z podłożem
Kompozycja B, 65°C, 20 minut 100% czystości; usunięto wszystkie pozostałości Kompatybilny z metaliczną Cu, dielektrykami i warstwami zatrzymującymi/barierowymi podczas wytrawiania.
Zastrzeżenia patentowe

Claims (12)

1. Wodna kompozycja czyszcząca do oczyszczania podłoży stosowanych w mikroelektronice, znamienna tym, że zawiera:
od 0,05% do 30% wagowych jednej lub więcej mocnych nie dających amoniaku zasad zawierających nienukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony, stanowiących wodorotlenek tetraalkiloamoniowy lub jego sól o wzorze [(R)4N+] p [X-q] w którym każdy R niezależnie oznacza podstawiony lub niepodstawiony alkil; X oznacza OH lub anion soli; a p i q są równe i oznaczają liczby całkowite od 1 do 3;
od 0,5 do 99,95% wagowych jednego lub więcej rozpuszczalników hamujących korozję, mających co najmniej dwa miejsca zdolne do tworzenia kompleksów z metalami i wybranych z grupy obejmującej: glikol etylenowy, glikol dietylenowy, glicerol, dieter dimetylowy glikolu etylenowego, trietanoloaminę, N,N-dimetyloetanoloaminę, 1-(2-hydroksyetylo)-2-pirolidynon, 4-(2-hydroksyetylo)morfolinę, N-(2-hydroksyetylo)acetamid, N-(2-hydroksyetylo)sukcynoimid i 3-(dietyloamino)-1,2-propanodiol;
od powyżej 0 do 99,45% wagowych co najmniej jednego organicznego współrozpuszczalnika wybranego z grupy obejmującej sulfotlenek dimetylu, sulfolan i dimetylopiperydon;
od 0 do 5% wagowych środka chelatującego metal wybranego z grupy obejmującej kwas etylenodiaminotetraoctowy EDTA, kwas butylenodiaminotetraoctowy, kwas trans-1,2-cykloheksylenodinitrilotetraoctowy CyDTA i kwas aminofosfoniowy, i wodę.
2. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 1, znamienna tym, że zawiera związek, w którym R oznacza alkil o 1 do 22 atomach węgla i X oznacza OH.
3. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 1, znamienna tym, że zawiera związek, w którym R oznacza alkil o od 1 do 6 atomach węgla.
4. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 1, znamienna tym, że jako hamujący korozję rozpuszczalnik zawiera trietanoloaminę.
5. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 1, znamienna tym, że zawiera wodorotlenek tetrametyloamoniowy, trietanoloaminę, kwas trans-1,2-cykloheksylenodinitrilotetraoctowy, sulfolan i wodę.
6. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 1, znamienna tym, że zawiera wodorotlenek tetrametyloamoniowy, sulfotlenek dimetylu, trietanoloaminę i wodę.
7. Sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego zawierającego co najmniej jeden element z grupy obejmującej porowaty dielektryk o małej lub dużej wartości stałej dielektrycznej κ oraz o zdolPL 199 523 B1 ności metalizacji miedzią, znamienny tym, że podłoże kontaktuje się z kompozycją czyszczącą, przy czym wodna kompozycja czyszcząca zawiera:
od 0,05% do 30% wagowych jednej lub więcej mocnych nie dających amoniaku zasad zawierających nienukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony, stanowiących wodorotlenek tetraalkiloamoniowy lub jego sól o wzorze [(R)4N+] p [X-q] w którym każ dy R niezale żnie oznacza podstawiony lub niepodstawiony alkil; X oznacza OH lub anion soli; a p i q są równe i oznaczają liczby całkowite od 1 do 3;
od 0,5 do 99,95% wagowych jednego lub więcej rozpuszczalników hamujących korozję mających co najmniej dwa miejsca zdolne do tworzenia kompleksów z metalami i wybranych z grupy obejmującej; glikol etylenowy, glikol dietylenowy, glicerol, dieter dimetylowy glikolu etylenowego, trietanoloaminę, N,N-dimetyloetanoloaminę, 1-(2-hydroksyetylo)-2-pirolidynon, 4-(2-hydroksyetylo)morfolinę, N-(2-hydroksyetylo)acetamid, N-(2-hydroksyetylo)sukcynoimid i 3-(dietyloamino)-1,2-propanodiol;
od powyżej 0 do 99,45% wagowych co najmniej jednego organicznego współrozpuszczalnika wybranego z grupy obejmującej sulfotlenek dimetylu, sulfolan i dimetylopiperydon;
od 0 do 5% wagowych środka chelatującego metal wybranego z grupy obejmującej kwas etylenodiaminotetraoctowy EDTA, kwas butylenodiaminotetraoctowy, kwas trans-1,2-cykloheksylenodinitrilotetraoctowy CyDTA i kwas aminofosfoniowy, i wodę.
8. Sposób według zastrz. 7, znamienny tym, że stosuje się związek, w którym R oznacza alkil o 1 do 22 atomach wę gla i X oznacza OH.
9. Sposób według zastrz. 8, znamienny tym, że stosuje się związek, w którym R oznacza alkil o od 1 do 6 atomach wę gla.
10. Sposób według zastrz. 6, znamienny tym, że jako hamujący korozję rozpuszczalnik stosuje się trietanoloaminę.
11. Sposób według zastrz. 7, znamienny tym, że stosuje się wodorotlenek tetrametyloamoniowy, trietanoloaminę, kwas trans-1,2-cykloheksylenodinitrilotetraoctowy, sulfolan i wodę.
12. Sposób według zastrz. 7, znamienny tym, że stosuje się wodorotlenek tetrametyloamoniowy, sulfotlenek dimetylu, trietanoloaminę i wodę.
PL367434A 2001-07-09 2002-07-08 Wodna kompozycja czyszcząca do oczyszczania podłoży stosowanych w mikroelektronice i sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego PL199523B1 (pl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US30403601P 2001-07-09 2001-07-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL367434A1 PL367434A1 (pl) 2005-02-21
PL199523B1 true PL199523B1 (pl) 2008-09-30

Family

ID=23174755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL367434A PL199523B1 (pl) 2001-07-09 2002-07-08 Wodna kompozycja czyszcząca do oczyszczania podłoży stosowanych w mikroelektronice i sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego

Country Status (22)

Country Link
US (1) US20040220065A1 (pl)
EP (1) EP1404797B1 (pl)
JP (2) JP4256258B2 (pl)
KR (1) KR101009550B1 (pl)
CN (1) CN100410359C (pl)
AT (1) ATE355356T1 (pl)
AU (1) AU2002326341A1 (pl)
BR (1) BR0210888A (pl)
CA (1) CA2452885C (pl)
DE (1) DE60218468T2 (pl)
DK (1) DK1404797T3 (pl)
ES (1) ES2282453T3 (pl)
IL (2) IL159762A0 (pl)
IN (1) IN2004CH00044A (pl)
MY (1) MY131912A (pl)
NO (1) NO20040068L (pl)
PL (1) PL199523B1 (pl)
PT (1) PT1404797E (pl)
RS (1) RS51832B (pl)
TW (1) TWI262946B (pl)
WO (1) WO2003006598A1 (pl)
ZA (1) ZA200400067B (pl)

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7129199B2 (en) * 2002-08-12 2006-10-31 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants
MY143399A (en) * 2001-07-09 2011-05-13 Avantor Performance Mat Inc Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning
JP4282054B2 (ja) * 2002-09-09 2009-06-17 東京応化工業株式会社 デュアルダマシン構造形成プロセスに用いられる洗浄液および基板の処理方法
US20040220066A1 (en) * 2003-05-01 2004-11-04 Rohm And Haas Electronic Materials, L.L.C. Stripper
US7442675B2 (en) * 2003-06-18 2008-10-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Cleaning composition and method of cleaning semiconductor substrate
US6930017B2 (en) 2003-08-21 2005-08-16 Micron Technology, Inc. Wafer Cleaning method and resulting wafer
JP2005075924A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Neos Co Ltd シリカスケール除去剤
KR100593668B1 (ko) 2004-01-20 2006-06-28 삼성전자주식회사 세정액 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 세정방법
WO2005076332A1 (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Mitsubishi Chemical Corporation 半導体デバイス用基板洗浄液及び洗浄方法
US7498295B2 (en) 2004-02-12 2009-03-03 Air Liquide Electronics U.S. Lp Alkaline chemistry for post-CMP cleaning comprising tetra alkyl ammonium hydroxide
US7435712B2 (en) 2004-02-12 2008-10-14 Air Liquide America, L.P. Alkaline chemistry for post-CMP cleaning
US8338087B2 (en) * 2004-03-03 2012-12-25 Advanced Technology Materials, Inc Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate
JP4390616B2 (ja) * 2004-04-27 2009-12-24 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 洗浄液及び半導体装置の製造方法
WO2006056298A1 (en) * 2004-11-25 2006-06-01 Basf Aktiengesellschaft Resist stripper and residue remover for cleaning copper surfaces in semiconductor processing
KR20060064441A (ko) * 2004-12-08 2006-06-13 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 비수성 비부식성 마이크로전자 세정 조성물
TWI538033B (zh) * 2005-01-27 2016-06-11 安堤格里斯公司 半導體基板處理用之組成物
US7923423B2 (en) * 2005-01-27 2011-04-12 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions for processing of semiconductor substrates
KR100675284B1 (ko) * 2005-02-01 2007-01-26 삼성전자주식회사 마이크로일렉트로닉 세정제 및 이것을 사용하여반도체소자를 제조하는 방법
US7365045B2 (en) * 2005-03-30 2008-04-29 Advanced Tehnology Materials, Inc. Aqueous cleaner with low metal etch rate comprising alkanolamine and tetraalkylammonium hydroxide
KR20060108436A (ko) * 2005-04-13 2006-10-18 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자 세정용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의세정 방법
JP4667147B2 (ja) * 2005-07-15 2011-04-06 株式会社トクヤマ 基板洗浄液
US8772214B2 (en) * 2005-10-14 2014-07-08 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous cleaning composition for removing residues and method using same
US8263539B2 (en) 2005-10-28 2012-09-11 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and methods for its use
US9329486B2 (en) 2005-10-28 2016-05-03 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US7632796B2 (en) 2005-10-28 2009-12-15 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
TW200734448A (en) * 2006-02-03 2007-09-16 Advanced Tech Materials Low pH post-CMP residue removal composition and method of use
KR100770217B1 (ko) * 2006-06-12 2007-10-26 삼성전자주식회사 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 범프 전극의형성 방법
US8685909B2 (en) 2006-09-21 2014-04-01 Advanced Technology Materials, Inc. Antioxidants for post-CMP cleaning formulations
US20080076688A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Barnes Jeffrey A Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use
KR20090076938A (ko) * 2006-09-25 2009-07-13 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 웨이퍼 재작업 적용을 위한 포토레지스트의 제거를 위한 조성물 및 방법
JP2010518242A (ja) * 2007-02-14 2010-05-27 マリンクロット ベーカー， インコーポレイテッド エッチング残留物を除去するための、過酸化物によって活性化されたオキソメタレートベース調合物
JP4848504B2 (ja) * 2007-03-14 2011-12-28 公益財団法人新産業創造研究機構 セラミックス基板又は無機耐熱性基板の洗浄方法及びこれを用いた素子の製造方法並びに素子
WO2009032460A1 (en) * 2007-08-02 2009-03-12 Advanced Technology Materials, Inc. Non-fluoride containing composition for the removal of residue from a microelectronic device
KR100900341B1 (ko) 2007-08-21 2009-06-02 (주)켐넥스 액정 표시 패널 세정제
US7976638B2 (en) * 2007-11-13 2011-07-12 Sachem, Inc. High negative zeta potential polyhedral silsesquioxane composition and method for damage free semiconductor wet clean
JP5412722B2 (ja) * 2007-11-27 2014-02-12 富士通株式会社 電子装置の製造方法
KR101752684B1 (ko) 2008-10-21 2017-07-04 엔테그리스, 아이엔씨. 구리 세척 및 보호 조성물
JP4903242B2 (ja) * 2008-10-28 2012-03-28 アバントール パフォーマンス マテリアルズ， インコーポレイテッド 多金属デバイス処理のためのグルコン酸含有フォトレジスト洗浄組成物
CN101735903B (zh) * 2008-11-04 2012-02-01 江阴市润玛电子材料有限公司 一种太阳能光伏专用电子清洗剂
US8361237B2 (en) 2008-12-17 2013-01-29 Air Products And Chemicals, Inc. Wet clean compositions for CoWP and porous dielectrics
EP2401352B1 (en) 2009-02-25 2013-06-12 Avantor Performance Materials, Inc. Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers
US8444768B2 (en) 2009-03-27 2013-05-21 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
US8309502B2 (en) 2009-03-27 2012-11-13 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
US8614053B2 (en) 2009-03-27 2013-12-24 Eastman Chemical Company Processess and compositions for removing substances from substrates
US8110535B2 (en) 2009-08-05 2012-02-07 Air Products And Chemicals, Inc. Semi-aqueous stripping and cleaning formulation for metal substrate and methods for using same
US8518865B2 (en) * 2009-08-31 2013-08-27 Air Products And Chemicals, Inc. Water-rich stripping and cleaning formulation and method for using same
US8298751B2 (en) 2009-11-02 2012-10-30 International Business Machines Corporation Alkaline rinse agents for use in lithographic patterning
DE102010006099A1 (de) * 2010-01-28 2011-08-18 EXCOR Korrosionsforschung GmbH, 01067 Zusammensetzungen von Dampfphasen-Korrosionsinhibitoren, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung für den temporären Korrosionsschutz
JP5508130B2 (ja) * 2010-05-14 2014-05-28 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、半導体装置の製造方法及び洗浄方法
CN101838111B (zh) * 2010-05-20 2012-06-27 合肥茂丰电子科技有限公司 玻璃基板蚀刻液及其制备方法
DE102011050136A1 (de) 2010-09-03 2012-03-08 Schott Solar Ag Verfahren zum nasschemischen Ätzen einer Siliziumschicht
KR101827031B1 (ko) 2010-10-06 2018-02-07 엔테그리스, 아이엔씨. 질화 금속을 선택적으로 에칭하기 위한 조성물 및 방법
US8889609B2 (en) 2011-03-16 2014-11-18 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning formulations and method of using the cleaning formulations
JP6066552B2 (ja) 2011-12-06 2017-01-25 関東化學株式会社 電子デバイス用洗浄液組成物
CN102662312A (zh) * 2012-04-20 2012-09-12 陕西科技大学 一种金属基印刷ps 版上预感光涂层的清洗液及清洗方法
US9536730B2 (en) 2012-10-23 2017-01-03 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning formulations
US9029268B2 (en) 2012-11-21 2015-05-12 Dynaloy, Llc Process for etching metals
US9158202B2 (en) * 2012-11-21 2015-10-13 Dynaloy, Llc Process and composition for removing substances from substrates
JP6203525B2 (ja) 2013-04-19 2017-09-27 関東化學株式会社 洗浄液組成物
CN103336412B (zh) * 2013-07-03 2017-02-08 北京科华微电子材料有限公司 一种新型的光刻胶剥离液及其应用工艺
WO2015156171A1 (ja) * 2014-04-10 2015-10-15 三菱瓦斯化学株式会社 半導体素子の洗浄用液体組成物、および半導体素子の洗浄方法
KR102405063B1 (ko) 2014-06-30 2022-06-07 엔테그리스, 아이엔씨. 텅스텐 및 코발트 상용성을 갖는 에치후 잔류물을 제거하기 위한 수성 및 반-수성 세정제
WO2017150620A1 (ja) * 2016-03-01 2017-09-08 東京応化工業株式会社 半導体基板又は装置の洗浄液及び洗浄方法
CN109962015B (zh) * 2017-12-22 2021-11-02 长鑫存储技术有限公司 用于改善铜线短路的制程工艺
US11353794B2 (en) * 2017-12-22 2022-06-07 Versum Materials Us, Llc Photoresist stripper
US20220326620A1 (en) * 2019-08-30 2022-10-13 Dow Global Technologies Llc Photoresist stripping composition
KR20220012521A (ko) * 2020-07-23 2022-02-04 주식회사 케이씨텍 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정 방법

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4744834A (en) * 1986-04-30 1988-05-17 Noor Haq Photoresist stripper comprising a pyrrolidinone, a diethylene glycol ether, a polyglycol and a quaternary ammonium hydroxide
US5091103A (en) * 1990-05-01 1992-02-25 Alicia Dean Photoresist stripper
US6110881A (en) * 1990-11-05 2000-08-29 Ekc Technology, Inc. Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
JP3160344B2 (ja) * 1991-01-25 2001-04-25 アシュランド インコーポレーテッド 有機ストリッピング組成物
AU2494092A (en) * 1992-09-03 1994-03-29 Circuit Chemical Products Gmbh Cleaning-agent mixture for cleaning printed circuits and a method of cleaning such circuits
US5308745A (en) * 1992-11-06 1994-05-03 J. T. Baker Inc. Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins
US5320709A (en) * 1993-02-24 1994-06-14 Advanced Chemical Systems International Incorporated Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution
JP3422117B2 (ja) * 1994-01-28 2003-06-30 和光純薬工業株式会社 新規な表面処理方法及び処理剤
US5466389A (en) * 1994-04-20 1995-11-14 J. T. Baker Inc. PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates
US5498293A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US5478436A (en) * 1994-12-27 1995-12-26 Motorola, Inc. Selective cleaning process for fabricating a semiconductor device
US5563119A (en) * 1995-01-26 1996-10-08 Ashland Inc. Stripping compositions containing alkanolamine compounds
US5571447A (en) * 1995-03-20 1996-11-05 Ashland Inc. Stripping and cleaning composition
JP3236220B2 (ja) * 1995-11-13 2001-12-10 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
US5855811A (en) * 1996-10-03 1999-01-05 Micron Technology, Inc. Cleaning composition containing tetraalkylammonium salt and use thereof in semiconductor fabrication
US5989353A (en) * 1996-10-11 1999-11-23 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US5709756A (en) * 1996-11-05 1998-01-20 Ashland Inc. Basic stripping and cleaning composition
US5698503A (en) * 1996-11-08 1997-12-16 Ashland Inc. Stripping and cleaning composition
WO1998030667A1 (en) * 1997-01-09 1998-07-16 Advanced Technology Materials, Inc. Semiconductor wafer cleaning composition and method with aqueous ammonium fluoride and amine
US5798323A (en) * 1997-05-05 1998-08-25 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Non-corrosive stripping and cleaning composition
JPH1167632A (ja) * 1997-08-18 1999-03-09 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 半導体装置用洗浄剤
US6211126B1 (en) * 1997-12-23 2001-04-03 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1, 3-dicarbonyl compound chelating agent for stripping residues from semiconductor substrates
US6225030B1 (en) * 1998-03-03 2001-05-01 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Post-ashing treating method for substrates
US6432209B2 (en) * 1998-03-03 2002-08-13 Silicon Valley Chemlabs Composition and method for removing resist and etching residues using hydroxylazmmonium carboxylates
PT1105778E (pt) * 1998-05-18 2009-09-23 Mallinckrodt Baker Inc Composições alcalinas contendo silicato para limpeza de substratos microelectrónicos
US6043005A (en) * 1998-06-03 2000-03-28 Haq; Noor Polymer remover/photoresist stripper
US6103680A (en) * 1998-12-31 2000-08-15 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive cleaning composition and method for removing photoresist and/or plasma etching residues
US6248704B1 (en) * 1999-05-03 2001-06-19 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices
JP3372903B2 (ja) * 1999-06-21 2003-02-04 ニチゴー・モートン株式会社 フォトレジスト剥離剤
JP3410403B2 (ja) * 1999-09-10 2003-05-26 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
JP4283952B2 (ja) * 1999-10-12 2009-06-24 多摩化学工業株式会社 非鉄金属洗浄用洗浄液組成物
US6413923B2 (en) * 1999-11-15 2002-07-02 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues
US6194366B1 (en) * 1999-11-16 2001-02-27 Esc, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
US6417147B2 (en) * 2000-02-29 2002-07-09 Showa Denko K.K. Cleaning agent composition, method for cleaning and use thereof
US6599370B2 (en) * 2000-10-16 2003-07-29 Mallinckrodt Inc. Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
WO2002045148A2 (de) * 2000-11-29 2002-06-06 Infineon Technologies Ag Reinigungslösung für halbleiterscheiben im beol-bereich
US6627587B2 (en) * 2001-04-19 2003-09-30 Esc Inc. Cleaning compositions
MY143399A (en) * 2001-07-09 2011-05-13 Avantor Performance Mat Inc Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning
JP2004538503A (ja) * 2001-07-13 2004-12-24 イーケーシー テクノロジー，インコーポレイティド スルホキシド−ピロリドン（ピロリジノン）−アルカノールアミン系剥離および洗浄組成物
US7393819B2 (en) * 2002-07-08 2008-07-01 Mallinckrodt Baker, Inc. Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009081445A (ja) 2009-04-16
AU2002326341A1 (en) 2003-01-29
RS1204A (sr) 2007-02-05
WO2003006598A1 (en) 2003-01-23
CN1656206A (zh) 2005-08-17
ATE355356T1 (de) 2006-03-15
DK1404797T3 (da) 2007-06-11
JP4256258B2 (ja) 2009-04-22
IN2004CH00044A (pl) 2005-12-02
NO20040068L (no) 2004-03-09
CA2452885A1 (en) 2003-01-23
DE60218468D1 (de) 2007-04-12
ES2282453T3 (es) 2007-10-16
RS51832B (sr) 2012-02-29
DE60218468T2 (de) 2007-11-15
PL367434A1 (pl) 2005-02-21
CA2452885C (en) 2011-09-13
IL159762A (en) 2006-12-31
BR0210888A (pt) 2004-06-22
KR101009550B1 (ko) 2011-01-18
IL159762A0 (en) 2004-06-20
NO20040068D0 (no) 2004-01-08
CN100410359C (zh) 2008-08-13
US20040220065A1 (en) 2004-11-04
ZA200400067B (en) 2004-11-18
MY131912A (en) 2007-09-28
JP2004536910A (ja) 2004-12-09
JP4753986B2 (ja) 2011-08-24
TWI262946B (en) 2006-10-01
PT1404797E (pt) 2007-04-30
EP1404797B1 (en) 2007-02-28
KR20040018438A (ko) 2004-03-03
EP1404797A1 (en) 2004-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL199523B1 (pl) Wodna kompozycja czyszcząca do oczyszczania podłoży stosowanych w mikroelektronice i sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego
CA2452921C (en) Microelectronic cleaning compositions containing ammonia-free fluoride salts
US7393819B2 (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
CA2452884C (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Decisions on the lapse of the protection rights

Effective date: 20120708