KR100900341B1 - 액정 표시 패널 세정제 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정 표시 패널 세정제에 관한 것이다. 본 발명에서 제공하는 액정 표시 패널 세정제는, 염기성 유기수산화화합물 3 내지 10 중량%; 질소를 포함하지 않는 1 내지 3가의 제1알코올 60 내지 80 중량%; 물 10 내지 30 중량%; 질소를 포함하는 제2알코올 5 내지 10 중량%; 및 알킬렌디아민 0.5 내지 5중량%;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 첫째, 금속 배선 패턴이 형성된 기판면에 대해 세정 공정을 진행하면서, 다양한 형태로서 제안되고 있는 금속 패턴에 대한 침식 등이 실용적인 공정 진행 동안에 발생되지 않는다. 둘째, 전술한 바와 같은 세정 효과가 종래에 사용되고 있는 물질에 비하여 뒤떨어지지 않으며 대등하거나 더욱 우수한 세정 효과를 발현하고 있다. 셋째, 불량 판정된 액정 배향막을 제거하기 위한 목적으로 전술한 세정제를 사용하여도 배향막 제거 효율이 우수하여야 한다. 넷째, 배향막 제거 과정에서 노출되는 금속 배선 패턴에 대한 침식이 발생되지 않아 기판 재생 효율이 높아진다. 마지막으로, 본 발명에서 제공하는 세정제는, 기판 세정은 물론 액정 배향막 제거 공정에 동시에 동일한 물질로 이용될 수 있으므로, 공정 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
세정, 염기성, 암모늄염, 알코올, 배향막, 알루미늄, 삼중막, 배선, 침식

Description

액정 표시 패널 세정제{Composition for cleaning of liquid crystal display panel}
본 발명은 액정 표시 패널 세정제에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 액정 표시 패널 상에 금속 배선을 형성한 후, 그 표면을 세정함에 있어서 금속 배선 침식을 최소화하면서 세정 효과를 향상시킬 수 있는 액정 표시 패털 세정제에 관한 것이며, 아울러 액정 표시 패널을 재생하기 위해 이미 형성된 액정 배향막 제거에 효과적으로 이용될 수 액정 표시 패널 세정제에 관한 것이다.
일반적으로, 액정 표시 장치는, 하부기판, 상기 기판에 대향하는 컬러필터기판, 그리고 양 기판 사이에 개재되어 전기적으로 인가되는 신호에 따라 광의 투과 여부를 결정하는 액정을 포함하여 이루어진 액정 표시 패널을 구비한다. 특히, 상기와 같은 하부기판에는 박막 필름형의 트랜지스터가 이용되고 있으므로 이를 TFT (Thin Film Transistor) 기판이라 약칭하기도 한다.
상기 TFT 기판에는 트랜지스터를 구성하는 게이트, 소스 및 드레인 배선용 금속막이 형성되어 있으며, 이들은 전기 저항이 작은 알루미늄이 보편적으로 사용되었다. 알루미늄 소재는 내화학성이 취약하고 후속 공정에서 배선 결함의 문제가 발생함에 따라 다른 기술적 대안이 다양하게 제시되었다. 그 중 하나는 내화학성을 개선시킨 알루미늄 합금 형태를 이용하는 것이며, 다른 하나는 알루미늄층 또는 알루미늄 합금층 상부에 다른 금속층, 예컨대 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 주석(Sn) 등을 적층시켜 형성된 금속막의 형태로 배선을 형성하는 것이다.
상기 TFT 기판과 컬러필터기판 사이에 개재되는 액정에 대해 목적하는 바에 따른 분자배열상태를 얻기 위한 목적에서 액정 배향막이 형성되며, 이러한 액정 배향막으로는 배향의 안정성, 내구성, 생산성을 고려해 폴리이미드계 고분자 화합물이 널리 사용되고 있다. 최근에는 액정 배향막이 폴리이미드계 화합물 이외에도, 실리콘(Si)을 포함하는 유기/무기 하이브리드 배향막이 제시되고 있다. 이러한 액정 배향막은 대면적에 대해 균일한 두께로 도포되어야 제품의 신뢰성이 확보될 수 있다. 따라서, 액정 배향막의 도포 두께의 관리를 위한 후속 공정, 예컨대 용매 건조, 경화, 러빙 등을 진행함에 따라 액정 배향막의 균일도(Uniformity) 유지에 각별한 주의가 요망된다. 그러나, 공정 진행 과정에서 의도하지 않았던 여러 요인들에 의해 액정 배향막에 불량이 발생될 수 있으며, 이러한 불량품에 대해서는 별도의 검출과정을 통해 후속 공정에 포함되어 진행되지 않도록 공정에서 배제시키고, 불량 형성된 액정 배향막을 TFT 기판으로부터 제거하여, TFT 기판을 재생하여 사용하면 바람직하다.
전술한 바와 같은 금속 배선이 형성된 이후, 그 상부면에 액정 배향막을 도포하기 위해서는 그 표면을 세정하여야 하며, 액정 배향막이 도포된 이후, 기 도포된 액정 배향막에 불량이 발생한 경우, 이를 제거하여 그 하부기판을 재생하기 위 해서는 액정 배향막을 제거하는 공정이 반복적으로 요구되고 있다. 이러한 공정의 연속적인 처리, 기판면에 대한 세정공정 및 불량 형성된 액정 배향막 제거공정에 있어서, 동일한 물질이 각 공정에서 목적하는 바를 동시에 달성할 수 있다면 공정 효율성이 담보될 수 있어 바람직하다.
종래부터, 염기성 세정제는 중성 세정제에 비해, 유지류, 수지, 입자(particle) 등의 제거 능력이 우수하기 때문에 전자부품, 금속부품, 세라믹부품 등의 생산 현장에서 폭넓게 사용되었다. 종래에 특별한 첨가제가 없는 유기 용매로서, 예를 들면 N-메틸피롤리돈 등의 용제는 알루미늄 배선에 부식이 없이, 경화되지 않은 유기고분자막이나 가소성 고분자막, 예컨대 반소성 상태인 수평배향 타입의 폴리이미드 배향막을 효과적으로 박리시킬 수 있었으나, 수직배향 타입의 폴리이미드 배향막의 경우에는 반소성 상태이더라도 그 박리가 잘 이루어지지 않으며, 반경화 또는 경화성 고분자의 제거에는 그 활성이 충분하지 않은 문제가 지적되어 옴에 따라 점차 염기성 세정제를 이용하게 되었다.
그러나, 염기성 세정제는 알루미늄 등의 비철금속을 용이하게 부식시키기 때문에 알루미늄이 부품의 일부 또는 전부에 사용되고 있는 전자 부품의 세정에는 그 사용상의 한계가 있다. 따라서, 이러한 문제를 해결하기 위한 목적으로 이들 물질에 방식제를 첨가하여 배선 패턴을 보호하기도 하였으며, 활성억제제로서 다른 유기 용매를 함유시키기는 여러 방법이 제안되고 있으나, 세정 및 제거 성능의 제어의 곤란성, 제조 공정의 비효율성, 비경제성 등의 문제가 여전히 지적되고 있다.
본 발명은 전술한 여러 기술적 배경하에서, 금속 배선 패턴이 형성된 기판에 대한 세정 공정 및 불량 판정된 액정 배향막을 기판으로부터 제거하는 공정에서 효과적으로 이용될 수 있는 새로운 물질을 개발하기 위한 노력에서 안출된 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 다음과 같다. 첫째, 금속 배선 패턴이 형성된 기판면에 대해 세정 공정을 진행하면서, 다양한 형태로서 제안되고 있는 금속 패턴에 대한 침식 등이 발생되지 않도록 하여야 한다. 둘째, 전술한 바와 같은 세정 효과가 종래에 사용되고 있는 물질에 비하여 뒤떨어지지 않아야 한다. 셋째, 불량 판정된 액정 배향막을 제거하기 위한 목적으로 전술한 세정제를 사용하여도 배향막 제거 효율이 우수하여야 한다. 넷째, 배향막 제거 과정에서 노출되는 금속 배선 패턴에 대한 침식이 발생되지 않아야 한다.
본 발명은 전술한 과제를 달성할 수 있는 액정 표시 패널 세정제를 제공함을 그 목적으로 한다. 상기 제공된 세정제는 액정 배향막 제거제로서도 동시에 이용될 수 있는 특징을 갖는다.
본 발명의 과제를 해결하기 위한 수단으로서 제공되는 액정 표시 패널 세정제는, 염기성 유기수산화화합물 3 내지 10 중량%; 질소를 포함하지 않는 1 내지 3가의 제1알코올 60 내지 80 중량%; 물 10 내지 30 중량%; 및 질소를 포함하는 제2알코올 5 내지 10 중량%; 및 알킬렌디아민 0.5 내지 5중량%;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 염기성 유기수산화화합물은, 테트라알킬암모늄하이드록사이드이면 바람직하다. 상기 테트라알킬암모늄하이드록사이드는, 테트라메틸암모늄하이드록사이 드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 테트라프로필암모늄하이드록사이드, 및 테트라부틸암모늄하이드록사이드로 이루어진 물질 군 중에서 선택된 하나의 물질 또는 둘 이상의 물질이면 더욱 바람직하나. 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1알코올은, 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올, 부탄올, 2-메톡시에탄올, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,3-펜탄디올, 1,4-펜탄디올, 1,5-펜탄디올, 및 글리세린으로 이루어진 물질 군 중에서 선택된 하나의 물질 또는 둘 이상의 물질이면 바람직하나. 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 물은, 이온교환수지법 및 증류법 중 하나 또는 둘 이상의 방법으로 정제된 순수이면 바람직하나. 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2알코올은, 하이드록시 작용기를 1 내지 3개를 갖는 알칸올아민이면 바람직하다. 이때, 상기 알칸올아민은, 모노에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 글리콜아민, 디글리콜아민, 및 모노이소프로판올아민로 이루어진 물질 군 중 선택된 선택된 하나의 물질 또는 둘 이상의 물질이면 더욱 바람직하나. 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 액정 표시 패널 세정제는, 액정 표시 패널에 배선 형성 공정을 진행한 후, 상기 배선 패턴이 형성된 표면에 액정 배향막을 도포하기 전에 그 상면을 세정하기 위해 이용되면 바람직하다. 상기 배선 패턴은, 산화막(CuOx) 또는 질화막(CuNx)으로 보호된 구리(Cu) 단일막, 크롬(Cr)/알루미늄(Al)이 이중적층금속막, 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo)의 삼중적층금속막, 및 티타늄(Ti)/구 리(Cu)/티타늄(Ti)의 상중적층금속막 중 선택된 하나의 금속막으로 이루어진 것이면 더욱 바람직하나. 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 액정 표시 패널 세정제는, 액정 표시 패널의 액정 배향막을 도포한 후, 액정 표시 패널의 재생을 위해 상기 도포된 액정 배향막을 제거하기 위해 이용되면 바람직하다. 이때, 상기 배선 패턴은, 산화막(CuOx) 또는 질화막(CuNx)으로 보호된 구리(Cu) 단일막, 크롬(Cr)/알루미늄(Al)이 이중적층금속막, 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo)의 삼중적층금속막, 및 티타늄(Ti)/구리(Cu)/티타늄(Ti)의 상중적층금속막 중 선택된 하나의 금속막 으로 이루어진 것이면 더욱 바람직하나. 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 상기 액정 배향막은, 유기성 폴리이미드(PI) 배향막 또는 유기/무기 하이브리드 배향막이면 바람직하며, 상기 유기/무기 하이브리드 배향막은, 알콕시실란 또는 클로로실란을 주성분으로 하며 유기 작용기를 포함하는 실리콘(Si) 에멀젼을 이용하여 형성된 것이면 더욱 바람직하나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다. 첫째, 금속 배선 패턴이 형성된 기판면에 대해 세정 공정을 진행하면서, 다양한 형태로서 제안되고 있는 금속 패턴에 대한 침식 등이 실용적인 공정 처리시간 동안 발생되지 않는다. 둘째, 전술한 바와 같은 세정 효과가 종래에 사용되고 있는 물질에 비하여 뒤떨어지지 않으며 대등하거나 보다 우수한 세정 효과를 발현하고 있다. 셋째, 불량 판정된 액정 배향막을 제거하기 위한 목적으로 전술한 세정제를 사용하여도 배향막 제거 효율이 우수하여야 한다. 넷째, 배향막 제거 과정에서 노출되는 금속 배선 패턴에 대한 침식 현상이 발생되지 않아 기판 재생 효율을 높일 수 있다. 마지막으로, 본 발명에서 제공하는 세정제는, 기판 세정은 물론 액정 배향막 제거 공정에 동시에 동일한 물질로 이용될 수 있으므로, 공정 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
종래의 염기성 세정제의 대표적인 예인 TMAH 또는 TEAH의 경우에는 세정 뒤 유리기판 상면에 잔존함으로써 기판 상에 형성된 배선 패턴을 침식시키는 문제를 발생시키는 것으로 알려지고 있다. 따라서, 기판 상에 TMAH나 TEAH가 남지 않도록 반응을 억제시키거나, TMAH/TEAH의 금속에 대한 활성을 저하시키는 방안을 통해 배선의 내화학성을 강화시켜 배선 침식에 대한 안정성을 확보하는 방향으로의 연구를 통해 전술한 바와 같은 구성을 갖는 발명이 제안된 것이다.
또한, 하기 표 1과 같은 조성을 갖는 다양한 실시예로 구분하여 세정제를 준비하였다. 세정제 혼합 공정에서는 각 용제의 상용성을 감안, 그 순서를 상용성이 높은 것들부터 혼입하도록 하여야 한다. 예를 들어 유기수산화염기와 초순수를 먼저 섞은 뒤 유기 용제를 조금씩 넣어 혼합용제를 만들어야 한다.
하기 표 1에서의 각 성분별 표시 수치의 단위는 중량%이다.
구분 실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5 실시예 6 실시예 7
셩분 1 3(TEAH) 3(TEAH) 4(TEAH) 4(TEAH) 4(TMAH) 6(TMAH) 4(TEAH)
성분 2 55 47 55 51 51 24 21
성분 3 10 10 10 10 10 25 30
성분 4 9 9 9 9 9 9 9
성분 5 12 20 16 20 20 30 30
성분 6 10 10 5 5 5 5 5
성분 7 1 1 1 1 1 1 1
상기 표 1에서, 성분 1은 유기수산화화합물로서 4급암모늄염을 나타내고 있으며, 성분 2는 질소를 포함하는 알코올로서 2-메톡시에탄올, 성분 3은 질소를 포함하는 알코올로서 디에틸렌글리콜을 나타내고, 성분 4는 질소를 포함하지 않는 알코올로서 1,3-프로판디올을 나타내고, 성분 5는 초순수이고, 성분 6은 질소를 포함하는 알코올로서 에탄올아민을 나타내며, 성분 7은 방식의 역할을 하는 디아민으로서 에틸렌디아민을 나타낸다. 한편, 성분 1과 관련하여, 각 실시예별로 나타낸 괄호안의 물질인 TEAH는 테트라에틸암모늄하이드록사이드, TMAH는 테트라메틸암모늄하이드록사이드를 나타낸다.
실시예 1 내지 7에 따르는 조성물은, 염기성 암모늄 염(성분 1)이 전체 조성물 대비 미량이 사용되었으며, 제거되는 배향막의 용해성을 증가시키기 위해 2-메톡시 에탄올(성분 2)을 주성분으로 하며, 박리성의 암모늄 염(성분 1)이 잘 녹는 초순수(성분 5)가 소량 포함되어 있고, 초순수(성분 5)와 암모늄 염(성분 1)의 부식성을 조절하기 위한 확산 조절제로서 디에틸렌클리콜(성분 3)를 포함하고 있음을 알 수 있다. 또한, 질소를 포함하지 않는 염기성의 알코올인 에탄올아민(성분 6)를 소량 포함하여 질소를 포함하지 않는 알코올(성분 2, 3, 4)과 암모늄염(성분 1)과의 친화력을 향상시켰다. 또한, 금속 부식을 방지하기 위한 방식 목적으로서 알킬렌디아민(성분 7)을 첨가하였다.
단순히 배향막의 제거 효율을 높이기 위한 목적인 경우라면, 암모늄염(성분 1) 또는 초순수(성분 5)의 함량을 증가시키면 되지만, 그 함량이 적정량을 초과하게 되면 금속 배선 패턴을 침식할 수 있으므로, 상기와 같이 방식 성분(성분 7)을 포함하도록 하였지만, 각 성분별 함량 조절에 각별한 주의가 요망된다.
배향막 도포 전 세정공정에서의 세정력 평가
기판 상에 액정 배향막을 도포하기 전에, 기판 상면에 대해 강제로 먼지 오염시킨 후, 60℃에서 약 1분간 상기 표 1에 따라 준비된 실시예 1 내지 7에 따르는 세정액을 이용하여 세정한 후, 초순수로 다시 3분간 세정한 후, 현미경으로 관찰한 결과 TMAH 0.5%로 세정한 시료(비교예)와 본 발명에 따르는 실시예(상기 표 1에서의 실시예 1~7)에 따르는 세정제로 세정한 시료 모두에서 이물질이 기판 표면으로부터 제거되어 우수한 세정력이 발현되고 있음을 확인하였다.
상기 표 1에 따른 조성을 갖는 실시예 1 내지 7에 따르는 세정제를 이용하여, 폴리이미드계 배향막과 실리콘을 주성분으로 하는 유기/무기 하이브리드 배향막에 대한 제거시간 및 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 삼중적층금속막 구조의 금속 배선 패턴에 대한 침식 발현시간을 관찰한 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
구분(단위: 분) 실시예
1 2 3 4 5 6 7
측정 1 배향막 1 1 미만 1 미만 1 미만 1 미만 1 미만 1 미만 1 미만
배향막 2 3 2 2 2 2 1 1
측정 2 배향막 1 60 초과 60 초과 60 초과 60 초과 60 초과 50 초과 50 초과
배향막 2 60 초과 60 초과 60 초과 60 초과 60 초과 50 초과 50 초과
상기 표 2에서, 측정 1은 폴리이미드계 배향막(배항막 1)과 알콕시실란을 주성분으로 하며 유기 작용기를 포함하는 실리콘(Si) 에멀적을 이용하여 제조된 유기/무기 하이브리드 배향막(배향막 2)에 대해, 70℃에서 프리 큐어링(pre-curing)을 진행한 후, 70℃의 온도 조건에서 배향막 제거 공정을 진행하였으며, 이때 배향막이 완전히 제거되는 데에 소요되는 시간을 측정했음을 나타낸다. 상기 표 2에서, 측정 2는 폴리이미드계 배향막(배항막 1)과 실리콘을 주성분으로 하는 유기/무기 하이브리드 배향막(배향막 2)을 70℃의 온도 조건에서 제거하면서, 그 하부의 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 삼중적층금속막 구조의 금속 배선 패턴에 대한 배선 침식이 발현되는 데에 소요되는 시간을 측정했음을 나타내고 있다.
배향막 제거공정에서의 배향막 제거 성능
액정 표시 패널 제조 공정 중, 불량이 발생된 액정 배향막을 제거하여 기판을 재생하는 공정에서, 액정 배향막의 제거 유무는 육안으로 관찰이 가능하며, 하기 표 2와 같이 액정 배향막의 종류에 따라 약간의 편차는 존재하나, 아주 짧은 시간 내에 액정 배향막이 제거되었음을 알 수 있다. 통상 기판 재생을 위해 배향막 제거에 요구되는 기준 조건은 5분 이내임에 비추어본다면, 상기 표 2를 통해 확인할 수 있는 바와 같이 실시예 1 내지 7 모든 경우에서 우수한 결과가 발현되고 있음을 알 수 있다. 특히, 폴리이미드계 배향막(배향막 1)의 경우에는 그 제거 시간이 1분을 넘지 않았으며, 유기/무기 하이브리드 배향막(배향막 2)의 경우에도 3분을 넘지 않는 짧은 시간 내에 완전하게 제거되었음을 확인하였다.
배향막 제거공정에서의 배선 침식성 평가
액정 표시 패널 제조 공정 중, 불량이 발생된 액정 배향막을 제거하여 기판을 재생하는 공정에서, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴의 삼중적층금속막 구조의 배선 패턴에 대한 침식성을 평가하였다.
TMAH 0.5%로 세정한 시료(비교예)에서는 침식이 발생하였으나, 70℃의 온도 조건에서 약 1분간 본 발명에 따르는 실시예(상기 표 1에서의 실시예 1~7)에 따른 세정제 조성물로서 세정을 행한 후, 초순수로 다시 3분간 세정하고, 이후 현미경을 이용하여 관찰한 결과 배선 침식이 발생되지 않았음을 알 수 있었다.
현재의 공정 조건에 비추어본다면, 액정 배향막 제거제에 노출되는 시간이 5분 내외인 정도를 감안한다면, 상기 표 2에 나타낸 배선 침식이 발현되는 시간에 비추어, 배선 침식이 거의 발생하지 않게 할 수 있음을 알 수 있다.
한편, 상기 표 1 및 표 2에 따르면, 실시예 6 및 7에서와 같이, 초순수(성분 5)의 함량이 상대적으로 증가되는 경우에는 암모늄염(성분 1)의 활성이 증가되어 금속 배선 침식 발현시간이 다소 단축되는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르는 세정제에서의 수분 함량 제어를 통해 공정 제어를 행할 수도 있음을 확인할 수 있다.
이로써, 본 발명에 따라 제공되는 세정제는 배향막 도포 전 기판에 대한 세정 성능이 우수하며, 액정 배향막 제거 성능이 모두 우수하게 발현되고 있음을 알 수 있다.
본 발명에 따라 제공되는 세정제는 그 용도가 특별히 한정되지 않으며, 각종 전자부품, 전기부품, 알루미늄 건재 등의 세정에 사용되고, 바람직하게는 전자부품의 세정, 알루미늄이 부품의 일부 또는 전부에 사용되고 있는 전자부품 등의 세정용으로 폭넓게 사용될 수 있다. 또한, 알루미늄 또는 알루미늄 합금층이 다른 금속층과 2층 또는 그 이상이 금속이 적층된 금속막이 부품의 일부 또는 전부에 사용되고 있는 전자부품 등의 세정용으로도 사용될 수 있다. 예컨대, 액정 표시 패널용 기판, 프린트 기판, 플라즈마 디스플레이 기판, 서멀헤드 등의 전자 부품, 에어콘의 냉각핀, 공기청정기의 전극판, 전기면도날 등의 전기부품 등의 세정에 이용될 수 있다. 이러한 세정은, 유분, 지문, 수지, 유기입자, 무기입자 등의 각종 미세 오염물을 대상으로 이루어질 수 있다. 특히, 본 발명에서 제공되는 세정제는, 액정 표시 패널용 기판에서 액정 배향막을 도포하기 전의 세정은 물론, 불량 판정된 액정 배향막을 제거하여 기판을 재생하는 공정에 이용될 수 있다.
본 발명에 따르는 세정제를 이용한 세정 방법은, 초음파세정, 샤워세정, 스프레이세정, 침지세정, 침지요동에 의한 세정 등의 종래에 알려져 있는 각각의 방법의 단독 또는 임의의 조합을 통하여 진행할 수 있음은 자명하다.
이상에서 설명된 본 발명의 최적 실시예들이 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 당업자에게 본 발명을 상세히 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위해 사용된 것이 아니다.
본 발명은 액정 표시 패널 제조 공정에서, 금속 배선 패턴이 형성된 이후의 기판 상면을 세정하는 공정에 이용될 수 있으며, 이후 액정 배향막 형성 공정이 완료된 이후, 불량으로 판정된 액정 배향막을 제거하는 공정에도 동시에 이용될 수 있다. 또한, 종래의 폴리이미드계 배향막은 물론 유기/무기 하이브리드 배향막의 제거에도 이용될 수 있다.

Claims (15)

  1. 염기성 유기수산화화합물 3 내지 10 중량%;
    질소를 포함하지 않는 1 내지 3가의 제1알코올 60 내지 80 중량%;
    물 10 내지 30 중량%;
    질소를 포함하는 제2알코올 5 내지 10 중량%; 및
    알킬렌디아민 0.5 내지 5 중량%;를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 세정제.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 염기성 유기수산화화합물은, 테트라알킬암모늄하이드록사이드인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 세정제.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 테트라알킬암모늄하이드록사이드는, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 테트라프로필암모늄하이드록사이드, 및 테트라부틸암모늄하이드록사이드로 이루어진 물질 군 중에서 선택된 하나의 물질 또는 둘 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 세정제.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1알코올은, 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올, 부탄올, 2-메톡시에탄올, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,3-펜탄디올, 1,4-펜탄디올, 1,5-펜탄디올, 및 글리세린으로 이루어진 물질 군 중에서 선택된 하나의 물질 또는 둘 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 세정제.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 물은, 이온교환수지법 및 증류법 중 하나 또는 둘 이상의 방법으로 정제된 순수인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 세정제.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2알코올은, 하이드록시 작용기를 1 내지 3개를 갖는 알칸올아민인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 세정제.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 알칸올아민은, 모노에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 글리콜아민, 디글리콜아민, 및 모노이소프로판올아민로 이루어진 물질 군 중 선택된 선택된 하나의 물질 또는 둘 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 세정제.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 알킬렌디아민은, 두개의 1차 아민 작용기를 갖는 직쇄 알킬렌 구조인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 세정제.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 알킬렌디아민은, 에틸렌디아민, 1,3-프로필렌디아민, 및 1,4-부틸렌디아민으로 이루어진 물질 군 중 선택된 하나의 물질 또는 둘 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 세정제.
  10. 제1항 내지 제9항 중 선택된 한 항에 있어서,
    상기 액정 표시 패널 세정제는, 액정 표시 패널에 배선 형성 공정을 진행한 후, 상기 배선 패턴이 형성된 표면에 액정 배향막을 도포하기 전에 그 상면을 세정하기 위해 이용되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 세정제.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 배선 패턴은, 산화막(CuOx) 또는 질화막(CuNx)으로 보호된 구리(Cu) 단일막, 크롬(Cr)/알루미늄(Al)이 이중적층금속막, 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo)의 삼중적층금속막, 및 티타늄(Ti)/구리(Cu)/티타늄(Ti)의 상중적층금속막 중 선택된 하나의 금속막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 세정제.
  12. 제1항 내지 제9항 중 선택된 한 항에 있어서,
    상기 액정 표시 패널 세정제는, 액정 표시 패널의 액정 배향막을 도포한 후, 액정 표시 패널의 재생을 위해 상기 도포된 액정 배향막을 제거하기 위해 이용되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 세정제.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 배선 패턴은, 산화막(CuOx) 또는 질화막(CuNx)으로 보호된 구리(Cu) 단일막, 크롬(Cr)/알루미늄(Al)이 이중적층금속막, 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo)의 삼중적층금속막, 및 티타늄(Ti)/구리(Cu)/티타늄(Ti)의 상중적층금속막 중 선택된 하나의 금속막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 세정제.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 액정 배향막은, 유기성 폴리이미드(PI) 배향막 또는 유기/무기 하이브리드 배향막인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 세정제.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 유기/무기 하이브리드 배향막은, 알콕시실란 또는 클로로실란을 주성분으로 하며 유기 작용기를 포함하는 실리콘(Si) 에멀젼을 이용하여 형성된 것을 특 징으로 하는 액정 표시 패널 세정제.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0420541A (ja) * 1990-05-16 1992-01-24 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ポリイミドフィルムのエッチング方法
JPH09106081A (ja) * 1995-10-12 1997-04-22 Dainippon Printing Co Ltd レジストパターン形成方法
US20040220065A1 (en) 2001-07-09 2004-11-04 Hsu Chien-Pin Sherman Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
KR20070050373A (ko) * 2005-11-10 2007-05-15 에포크 머티리얼 컴퍼니, 리미티드 수성 알칼리성 포토레지스트 세정용 조성물 및 이의 사용방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0420541A (ja) * 1990-05-16 1992-01-24 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ポリイミドフィルムのエッチング方法
JPH09106081A (ja) * 1995-10-12 1997-04-22 Dainippon Printing Co Ltd レジストパターン形成方法
US20040220065A1 (en) 2001-07-09 2004-11-04 Hsu Chien-Pin Sherman Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
KR20070050373A (ko) * 2005-11-10 2007-05-15 에포크 머티리얼 컴퍼니, 리미티드 수성 알칼리성 포토레지스트 세정용 조성물 및 이의 사용방법

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