NO790817L - Termoelementinnretning. - Google Patents
Termoelementinnretning.Info
- Publication number
- NO790817L NO790817L NO790817A NO790817A NO790817L NO 790817 L NO790817 L NO 790817L NO 790817 A NO790817 A NO 790817A NO 790817 A NO790817 A NO 790817A NO 790817 L NO790817 L NO 790817L
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- thermocouple
- armature
- bore
- assembly according
- axial
- Prior art date
Links
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000004323 axial length Effects 0.000 claims description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 9
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 9
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
- G01K1/08—Protective devices, e.g. casings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
- Vending Machines For Individual Products (AREA)
- Heat Sensitive Colour Forming Recording (AREA)
- Control Of Combustion (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
Termoelementinnretning
Oppfinnelsen angår generelt temperaturmålingsteknikk, og særlig temperaturmåling ved benyttelse av et termoelement. Nærmere bestemt angår oppfinnelsen en termoelementmontasje som er konstruert for på beskyttende måte å bevare et termoelement i en høytrykksomgivelse på en slik måte at termoelementets reaksjonstid ikke forringes.
Ved fremstillingen av polyethylen er nøyaktig kontroll av den temperatur som er tilstede i en reaktor, vesentlig for å sikre produksjon av et polyethylenprodukt av høy kvalitet. Tid-lige polyethylenreaktorer benyttet vanligvis et termoelement som var installlert i en varmebrønn, og hvor et varmeledende materia-le, såsom en olje eller silicon, var anbragt i varmebr.ønnen for å sikre en god termisk forbindelse eller en høy grad av varmeover-føring mellom brønnen og termoelementet. Etter at dette arrange-ment var benyttet i flere år, ble det konstruert et termoelement som på tilfredsstillende måte ville motstå de store trykk som hersket i polyethylenreaktoren, og som følgelig ville være i stand til å nedsenkes direkte i reaktantmaterialene som ble be-handlet i reaktoren, uten å nødvendiggjøre bruken av en beskyttende varmebrønn. Selv om bruken av et termoelement som kunne installeres direkte i reaktorprosessmediet, representerte en for-bedring i forhold til den tidligere type av termoelement som var installert i en varmebrønn, kunne de termoelementet som ble benyttet, ikke detektere temperaturendringer tilstrekkelig raskt til å gjøre det mulig å ta forholdsregler som ville hindre øde-leggende, ukontrollerte reaksjoner fra å genereres i reaktoren, eller resultere i produksjon a<y>materialer som ikke oppfyller sine fremstillingsspesifikasjoner.
Reaksjonstiden til disse tidligere kjente termoelementer passet ganske godt til reaksjonstiden for styreutrustningen for den polyethylenreaktor som på den tid var tilgjengelig i teknikken. I de senere år er det imidlertid blitt utviklet styreutrustning som har mye raskere reaksjonstider. Med hen-blikk på den raske reaksjonstid for eksisterende styreutrustning har den iblant langsommere reaksjonstid for termoelementet blitt en begrensende faktor i reaksjonshastigheten for det totale reaktor s ty resy stem .
Reaksjons- eller responstiden for et termoelement defi-neres generelt som den medgåtte tid som kreves for at termoelementovergangen skal nå 63,2 % av sin endelige temperatur når den fortløpende utsettes for to forskjellige temperaturnivåer. Reaksjonstiden blir vanligvis påvirket av flere faktorer, deriblant typen og størrelsen av tråd som benyttes for å danne elementene i termoelementovergangen, størrelsen av termoelementovergangs-sveisen og varmebortledningsvirkningen av de beskyttende hylstere eller kapper som benyttes for å holde og omslutte termoelementet. Det har derfor vært praksis på området å installere termoelementer i en forholdsvis tung, rustfri stålkappe for å sikre at termoelementmontasjen har tilstrekkelig mekanisk styrke for benyttelse i.polyethylenreaktorer. Den beskyttende kappe virker som en varmestråler eller varmebortleder og blir følgelig en meget vesentlig faktor når det gjelder å forringe termoelementets reaksjonstid.
Det blir derfor ønskelig å tilveiebringe en termoelementmontasje som er konstruert for å virke i en omgivelse med høyt trykk opp til ca. 4 000 kg/cm 2, slik som i en polyethylenreaktor, som vil virke i en omgivelese med høy temperatur opp til ca. 315° C, som har tilstrekkelig mekanisk styrke til å tillate den å utnyttes i reaktoren, og som også har en rask reaksjonstid, av en størrelse på mindre 0,2 sek., for å sette den i stand til raskt å avføle eventuelle temperaturendringer som finner sted i reaktoren.
US patent nr. 3 811 9 58 (Maurer) viser en termoelementmontasje i hvilken den avfølende termoelementovergang er innkaps-let i en sylindrisk metallkappe som er forenet med en større sylindrisk kappe. Maurer beskjeftiger seg ikke i det hele tatt med drift i en høytrykksomgivelse, og forbindelsen mellom de to
sylindriske seksjoner av termoelementet ville ikke tilveiebringe en tilstrekkelig trykktetning for en høytrykksomgivelse. Videre
viser ikke dette patent noen dobbel termoelementmontasje, men har i stedet en konstruksjon som sørger for b are én termoelementovergang.
US patent nr. 3 589 192 (Sabovik) viser en termoele-mentmontas je i hvilken et langstrakt, mantlet termoelement er opptatt i en boring i en monterings- eller armatur-legemsdel. Det mantlede termoelement fastholdes løsbart i monteringslegemet, slik at det er bevegelig eller forskyvbart aksialt i forhold til legemsdelen, og derved tilveiebringer en justering ved hjelp av hvilken termoelementovergangen kan rage varierende avstander ut fra legemsdelens ende. Trykktetningen i denne termoelementmontasje er dannet av en kompressibel pakning som er anordnet mellom de to bevegelige deler og som ville gi tilstrekkelig tetning i en høytrykksomgivelse.
US patent nr. 3 539 400 (Pustell) viser en termoele-mentmontas je som er dannet av to konsentriske, sylindriske kapper i hvilke den ytre sylindriske kappe fullstendig omslutter den indre sylindriske kappe. Konstruksjonen av denne termoelementmontasje er utformet for å utligne varmeutvidelse mellom de forskjellige kapper i montasjen. Pustell beskjeftiger seg ikke i det hele tatt med tilstrekkelig tetning av termoelementmontasjen mot de skadelige virkninger av drift i en høytrykksomgivelse.
US patent nr. 3 284 247 (McCall) viser en termoelementmontasje i hvilken termoelementtrådene er anbragt i to aksiale kanaler som er dannet i termoelementoverflaten og strekker seg langs den aksiale lengde av et element av montasjen. Termoelementtrådene er imidlertid bare anbragt i disse kanaler for føringsformål, og termoelementmontasjen som er vist i McCall-patentet, er ikke konstruert for å motstå uforholdsmessig høye driftstrykk.
US patent nr. 3 996 071 (Klicks) viser ehtermoelement-montas je som er konstruert for å måle temperatur i omgivelser med ekstremt høyt trykk, men er ikke opptatt av om termoelementets reaksjonstid forringes på grunn av den beskyttende montasje. Konstruksjonen av termoelementmontasjen ifølge dette patent er følgelig av en beskaffenhet som er fullstendig forskjellig fra beskaffenheten av konstruksjonen ifølge den foreliggende oppfin-nelse .
For å overvinne eller redusere de begrensninger og ulemper som påtreffes i den kjente teknikk, tar oppfinnelsen sikte på ' tilveiebringelse av en forbedret termoelementmontasje som er konstruert for å virke i en omgivelse med høy temperayatur og høyt trykk, og hvor montasjen også er konstruert for å reagere raskt på endringer i temperatur.
I overensstemmelse med en foretrukket utførelse av oppfinnelsen skal det beskrives en termoelementmontasje som omfatter minst ett termoelement som er i det minste delvis anbragt i en aksial kanal som strekker seg langs lengden av en monterings-eller armaturdel. Den temperaturfølende ende av termoelementet rager noe utenfor den ene ende av armaturdelen for å tillate termoelementet å reagere raskt på endringer i temperatur uten å besværes urimelig av armaturdelens langsommere temperaturendring. Den nevnte armaturdels andre ende er anbragt i; en aksial boring som er dannet i den ene ende av en andre armaturdel, idet den sistnevnte ende av den første armaturdel i boringen er tettende forenet med den andre armaturdel for å danne en høytrykksbestandig tetning for montasjen.
I den beskrevne utførelse har de første og andre armaturdeler videre i hovedsaken sylindrisk form og er fortrinnsvis dannet av rustfritt stål, idet armaturdelene er sammenloddet langs sine innbyrdes, kontaktflater hvor den første armaturdels ende strekker seg inn i den aksiale boring som er dannet i den andre armaturdel. I den viste utførelse av oppfinnelsen er videre termoelementet loddet inn i den aksiale kanal i nærheten av der hvor de første og andre sylindriske deler er sammenloddet, og også ved den ende av den første armaturdel fra hvilken termoelementet strekker seg inn i det temperaturfølende område.
I overensstemmelse med en første beskrevet utførelse av oppfinnelsen er videre den aksiale kanal dannet i overflaten av den første armaturdel, mens den aksiale kanal i en andre utførel-se av oppfinnelsen er utformet som en åpning som strekker seg innvendig over den aksiale lengde- av den første armaturdel. I den foretrukne utførelse av oppfinnelsen er dessuten termoelementmon-tas jen en dobbel montasje som har to separate.termoelementer som er anbragt i to aksiale kanaler som er dannet i den første armaturdel.
Det er følgelig et formål med oppfinnelsen å tilveiebringe en termoelementmontasje som omfatter et termoelement som er innrettet til å operere med raske respons- eller reaksjonstider som reaksjon på endringer i temperatur.
Et annet formål med oppfinnelsen er å tilveiebringe en termoelementmontasje av den beskrevne type i hvilken det termoelementet er tilveiebragt en armatur som vil sette termoelementet i stand til å benyttes i en høytrykksomgivelse.
Et mer spesielt formål med oppfinenlsen er å tilveiebringe en termoelementmontasje for benyttelse i en polyethylenreaktor, hvor termoelementmontasjen har en rask respons på endringer i temperatur og er innrettet til å motstå de høye trykk og temperaturer som påtreffes i en sådan reaktor.
De foregående og andre formål og fordeler med termo-elementmontas jen ifølge oppfinnelsen vil fremgå av den etterføl-gende nærmere beskrivelse av foretrukne utførelsesformer under henvisning til tegningene, der fig. 1 viser et lengdesnitt av en første utførelse av en termoelementmontasje som er konstruert i overensstemmelse med oppfinnelsen, fig. 2 viser et tverrsnitt etter linjen 2 - 2 på fig. 1, fig. 3 viser et tverrsnitt etter linjen 3 - 3 på fig. 1, fig. 4 viser et lengdesnitt av én kompo-nent av termoelementmontasjen på fig. 1, fig. 5 viser et lengdesnitt av en ahdre utførelse av en termoelementmontasje ifølge oppfinnelsen, og fig. 6 viser et tverrsnitt etter linjen 6 - 6 på f ig . 5 .
Idet det nå henvises til utførelsen ifølge fig. 1-4 på tegningene, er det på fig. 1 vist et langsgående snittbilde av en termoelementmontasje som omfatter første og andre termoelementer 12 og 14 som er montert i en beskyttende armatur 16. Termoelementene omfatter temperaturfølgende ender 18 og 2 0 i hvilke termoelementovergangene er beliggende, og trådparéne 22, 24 som leder termoelementenes utgangssignaler, idet de sistnevnte er beskyttende anbragt i sylinderformede kapper eller mantler 26 og 28 som strekker seg langs i hovedsaken hele lengden av armaturen
16. Termoelementene 12 og 14 kan være kommersielt tilgjengelig utstyrt som er tilgjengelig fra det amerikanske firma Omega Engineering Company, Inc., Stamford, Connecticut. Termoelementene benytter fortrinnsvis tråd med en diameter på 0,025 mm for å danne termoelementovergangen som er innesluttet i en mantel som har en diameter på 0,5 mm og er dannet av Inconel. Inconel-mantelen setter termoelementet i stand til å avføle ekstremt høye temperaturer uten å bli ødelagt. Denne fysiske egenskap er vik-tig da de temperaturer som termoelementene utsettes for i en polyethylenreaktor, særlig under voldsomme nedbrytninger i reaktoren, er ekstremt høye.
Fordelen med å benytte forholdsvis små termoelementer ligger i det faktum at de har forholdsvis små termiske tregheter, slik at de er egnet for å reagere raskt på endringer i temperatur inne i reaktoren. I modifikasjoner av oppfinnelsen er det mulig å benytte andre størrelser og typer av termoelementer. Armatyren 16 som beskyttende opptar termoelementene, består av en første
langstrakt, sylindrisk seksjon eller del 30 og en andre sylindrisk
del 32 med større diameter. Den ene ende av delen 30 med den minste diameter strekker seg inn i en sirkulær boring 34 i den sylindriske del 32 (fig. 4) langs den sentrale- lengdeakse ved delens ene ende. Enden av den sylindriske del 30 strekker seg inn i boringen 3 4 til kontakt med en skulder 3 6 som er dannet av en tverrgående endevegg vhor boringen 3 4 er forenet med en koaksial boring 38 som har mindre diameter og som fortsetter gjennom i hovedsaken resten av lengden av den sylindriske del 32. Armaturdelene 30 og 32 er sølvslagloddet ved sine forbindelsesflater, slik at de tilveiebringer en høytrykkstetning for termoelement-montiasjen.
Den sylindriske del 32 omfatter et utvendig gjenget parti 40 som tillater termoelementmontasjen å monteres på sikker måte i en tilsvarende, innvendig gjenget åpning i reaktoren. Delen 33 omfatter videre et avsmalnende eller konisk parti 42 ved den ende hvor den er forenet med delen 3 0 med liten diameter. Det avsmelnende parti 42 kan være'tilpasset til å lette tetning av montasjen mot en tilsvarende, sammenpassende flate i reaktoren (ikke vist) når montasjen skrues på plass i reaktoren. En boring 44 med større diameter /som er dannet i den motsatte ende av delen 32, opptar den ene ende av en armatur eller et rørstykke 4 6 som kan innpresses i boringen og loddes på plass, og som opptar forbindelsene mellom parene av utgangssignaltråder 22 og 24
og ytterligere ledninger 48 og 50 som kopler utgangssignalene fra
termoelementene tilpassende styreutrustning (ikke vist) for reaktoren. Rørstykket 4 6 er ved sin utragende ende forsynt med en utvendig gjenge 52 for å oppta et tilsmalnende innvendig gjenget, andre parti av armaturen (ikke vist). I en foretrukket utførelse av oppfinnelsen kan de sylindriske deler 30 og 32 være konstruert av rustfritt stål av høy kvalitet, selv om andre passende materialer også kan benyttes. Når montasjen er montert på reaktoren, slik den er vist på tegningene, er den sylindriske del til venstre for det gjengede parti 40 anbragt i reaktoren, mens den sylindriske del med større diameter til høyre for det gjengede parti 40 strekker seg utenfor reaktoren. Montasjen er konstruert for å motstå trykkforskjeller mellom det indre og det ytre av reaktoren opp til ca. 4000 kg/cm 2.
Den sylindriske del 3 0 av armaturen har to i lengderet-ningen forløpende, diametralt motstående, åpne kanaler 54 som er dannet langs delens ytre sylindriske overflate. Kanalene 54 kan være freset inn i delens 30 overflate. De åpne kanaler 54 strekker seg fra delens'30 temperaturfølende ende langs størstedelen av delens lengde, men ender foran det sted hvor delens 30 andre ende går inn i boringen 34. I den andre ende av delen 30 er boret aksialt forløpende hull 3 6 som dannerønskede kanaler som i koak-sialt forhold står i forbindelse med bunnpartiene av de åpne kanaler 54. Hullene har noe større diameter enn termoelementmantlene, og når for eksempel mantlene hver har en ytterdiameter på 0,5 mm, kan hvert av'hullene ha en diameter på 0,65 mm. Termoelementene anbringes i kanalene 54, slik som vist på fig. 1, 2 og 3, og sølv-slagloddes deretter u hullene eller de lukkede kanaler 56 for å tilveiebringe høytrykkstetninger for montasjen. Termoelementene blir også sølvslagloddet i de åpne kanaler 54 ved spissen 58 nær den temperaturfølende ende av montasjen, ved bare å anbringe noen få dråper av loddemetall i kanalene ved 58. Termoelementene 12 og 14 festes således i kanalene i den sylindriske del 30 ved beg-ge ender av denne, men er fritt understøttet i kanalene 54 over det meste av sin lengde langs delen 30. Denne fritt understøt-tede plassering tillater termoelementene å bøyes svakt i lengden for å kompensere for eventuelle forskjeller i graden av varmeutvidelse mellom armaturen og termoelementene.
De temperaturfølende ender av termoelementene 12 og 14, hvor termoelementovergangene er beliggende, rager en aksial av stand D utenfor enden av delern 30. Den utragende avstand D tillater termoelementene å reagere raskt på endringer i temperatur som finner sted i reaktoren, da de itragende ender av termoelementene er forholdsvis frigjort fra den høye termiske treghet av den større fysiske masse av armaturen. I én utførelse ble denne utragende avstand D valgt lik 1,2 mm. Den utragende avstand D for termoelementendene er et kompromiss mellom en stor avstand som sørger for en høy reaksjonshastighet for termoelementene, og en liten avstand som gir maksimal beskyttelse av termoelementene. Avhengig av den ønskede anvendelse av termoelementmontasjen og den nødvendige reaksjonstid, kan avstanden D selektivt velges større eller mindre.
Den så langt beskrevne utførelse av termoelementmontasjen ifølge oppfinnelsen konstrueres ved benyttelse av følgende monteringsteknikk: •
Armaturdelene rengjøres med et passende løsningsmiddel, og de overflater av termoelementene som skal loddes sammen, ren-gjøres med et fint sandpapir. Loddepasta påføres på de områder av termoelementene som skal loddes sammen, og termoelementene inn-føres i og gjennom de aksiale kanaler i den sylindriske del 30. Termoelement-mantlene 26, 28 beveges deretter frem og tilbake for å sikre at loddepasta arbeides grundig inn i de lukkede partier 56 av de aksiale kanaler 54, 56. Loddepasta anbringes deretter
på den temperaturfølende ende 58 av delen 3 0 hvor termoelementene skal loddes. Deretter innstilles den aksiale utragningsavstand D
- for termoelementenes temperaturfølende ender utenfor enden av delen 30. De partier av termoelementmantlene 26, 28 som ligger nær montasjens temperaturfølende ende 58, sølvslagloddes deretter i kanalene 54. Termoelementene blir deretter krummet eller svakt bøyd i kanalene 54 for å tillate forskjell i varmeutvidelse mellom termoelementene og armaturdelen 3 0 med minst diameter. Den
o
sylindriske del 30 anbringes deretter i vertikal stilling, og den del av armaturen som omgir de lukkede kanaler 56, oppvarmes for å fordampe fuktighet fra loddepastaen i de lukkede kanaler. Loddepasta og en liten vulst av sølv-loddemetall anbringes deretter
rundt termoélementmantelen ved toppen av inngangen til de lukkede kanaler. Delen 30 oppvarmes deretter rundt partiet med de lukkede kanaler 56 inntil loddemetall strømmer fullstendig gjennom de lukkede kanaler og kommer frem ved disses nedre ender. Enden av
den minste sylinderarmatur 30 som skal innføres i den aksiale boring 34 i den større armaturdel 32, rengjøres deretter med et fint sandpapir og all loddepasta og sølv-loddemetall fjernes fra. denne ende. Loddepasta anbringes på de arealer eller flater som skal loddes, og enden av delen 3 0 innføres i boringen 3 4 i den større del 32 inntil den berører flaten eller skulderen 36. Montasjen anbringes deretter i vertikal stilling med delen 30 på toppen, og den største sylindriske armaturdel 32 oppvarmes rundt det område som skal loddes, for å fordampe eventuell fuktighet i loddepastaen. Loddepasta og en vulst av sølvloddemetall anbringes på toppen av delen 32 med størst diameter rundt det område som skal sammenføyes. Utsiden av den store sylindriske armaturdel 3 2 oppvarmes deretter rundt det område som skal loddes, inntil loddemetall strømmer inn i området mellom de to monterte deler 30 og 32. Deretter avkjøles montasjen, og den avsmalnende ende 42 av den store sylindriske del maskineres til den riktige koniske form.
Fig. 5 og 6 viser en andre utførelse av en termoelementmontasje 60 som likner den som allerede er beskrevet og hvor lik-nende eller like deler er betegnet med de samme henvisningstall som på fig. 1-4, men hvor imidlertid kanalene 62 og 64 som er dannet i den sylindriske del 3 0 av armaturen, er fullsteridig luk-ket langs hele lengden av denne del i stedet for å være åpne slik som kanalene 54 i den foran beskrevne utførelse. I denne utfø-relse av oppfinnelsen kan kanalene dannes ved ganske enkelt å
bore to aksiale hull langs lengden av delen 30. Hullene bør være tilstrekkelig store til å tillate eventuell forskjell i varmeutvidelse som finner sted mellom termoelementene 26, 28 og armaturen 30, og bør likevel fremdeles tillate en tilfredsstillende lodding av termoelementenes endepartier 66 og 68 i endene av den sylindriske armaturdel 30.
Claims (9)
1. Termoelementmontasje for drift i en omgivelse med høyt trykk og som sørger for rask reaksjonstid på avfølte endringer i temperatur, karakterisert ved at den omfatter minst ett termoelement (12, 14) som har rask reaksjonstid på av-følte temperaturendringer, en første beskyttende armaturdel (30) som har minst én aksial kanal (54, 56; 62, 64) som strekker seg langs lengden av armaturdelen, idet termoelementet er beskyttet ved at det er i det minste delvis anbragt 1 den aksiale kanal, idet termoelementet har en temperaturfø lende ende (18, 20) som rager noe utenfor den første armaturdels (30) ene ende for å sette den i stand til å avføle temperaturen i det umiddelbart tilgrensende område uten å påvirkes for mye av den første armaturdels temperatur, en andre beskyttende armaturdel~ (32) som er utformet med en aksial boring (34), idet den første armaturdels andre ende er anbragt i boringen, og idet termoelementet strekker seg gjennom boringen, og en anordning for tettende sammenføyning av den første armaturdels (30) andre ende med den andre armaturdel (32) i den nevnte boring (34), for å danne en høytrykkstet-ning mellom de første og andre armaturdeler.
2. Termoelementmontasje ifølge krav 1, karakterisert ved at de første og andre armaturdeler (30, 32) hver har en i hovedsaken sylindrisk form.
3. Termoelementmontasje ifølge krav 1 eller 2, karakterisert ved at anordningen for tettende sammenføyning av armaturdelene omfatter midler for lodding av den første armaturdels (30) andre ende i den nevnte boring (34) i den andre armaturdel (32) .
4. Termoelementmontasje ifølge krav 3, karakterisert ved at termoelementet (12, 14) er fastloddet i den aksiale kanal (54, 56; 62, 64) i nærheten av den loddede forbindelse mellom de første og andre armaturdeler, idet termoelementet er fastloddet i den aksiale kanal nær den første armaturdels andre ende, idet et parti av termoelementet strekker seg mellom de to områder hvor det er fastloddet i den aksiale kanal, slik at det er fritt bevegelig i forhold til den aksiale kanal for å tillate en forskjell i varmeutvidelse mellom termoelementet og den første armaturdel.
.
5. Termoelementmontasje ifølge ett av de foregående krav, karakterisert ved at den andre armaturdel (32) har et utvendig gjenget parti (40) langs.en del av sin aksiale lengde, og en aksial boring (38) i hvilken termoelementet strekker seg.
6. Termoelementmontasje ifølge ett av de foregående krav, karakterisert ved at den aksiale kanal (54, 56) er dannet i den ytre overflate av den første armaturdel (30).
7.. Termoelementmontasje ifølge ett av de foregående krav, karakterisert ved at den aksiale kanal (62, 64) er en boring som strekker seg aksialt inne i den første armaturdel (30).
8. Termoelementmontasje ifølge ett av de foregående krav, karakterisert ved at den omfatter to av de nevnte termoelementer (12, 14), og at to aksiale kanaler (54, 56; 62, 64) er dannet i parållelt adskilt forhold i den første beskyttende armaturdel (30) og strekker seg aksialt langs denne, idet hver aksial kanal er innrettet til å oppta et respektivt av termoelementene (12, 14).
9. Termoelementmontasje ifølge ett av de foregående krav, karakterisert ved at termoelementet (10, 60) er et forholdsvis tynt, i hovedsaken sylinderformet termoelement.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/886,232 US4217463A (en) | 1978-03-13 | 1978-03-13 | Fast responsive, high pressure thermocouple |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO790817L true NO790817L (no) | 1979-09-14 |
Family
ID=25388667
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO790817A NO790817L (no) | 1978-03-13 | 1979-03-12 | Termoelementinnretning. |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4217463A (no) |
JP (1) | JPS54122180A (no) |
BE (1) | BE874801A (no) |
BR (1) | BR7901477A (no) |
DE (1) | DE2909692A1 (no) |
DK (1) | DK101379A (no) |
FI (1) | FI790327A (no) |
FR (1) | FR2422943A1 (no) |
GB (1) | GB2016804A (no) |
IT (1) | IT1111529B (no) |
LU (1) | LU81032A1 (no) |
NL (1) | NL7901254A (no) |
NO (1) | NO790817L (no) |
Families Citing this family (333)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2473177B1 (fr) * | 1980-01-04 | 1985-06-21 | Kawaso Electric Ind Co | Dispositif pour determiner la teneur en carbone d'un metal en fusion |
DE3147484A1 (de) * | 1981-12-01 | 1983-06-09 | Schott-Geräte GmbH, 6238 Hofheim | Druck- und flammendurchschlagsicherer sensorenkopf |
JPS6112032U (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-24 | 大同特殊鋼株式会社 | 測温センサ− |
US4778538A (en) * | 1987-07-15 | 1988-10-18 | Westinghouse Electric Corp. | Dual temperature sensing device having twin well thermowell for dual resistance temperature detectors |
FR2659445B1 (fr) * | 1990-03-06 | 1992-07-10 | Auxitrol | Element sensible a la temperature, et sonde de mesure comportant un tel element. |
US5427452A (en) * | 1994-01-10 | 1995-06-27 | Thiokol Corporation | Rugged quick-response thermocouple for use in evaluating gas generants and gas generators |
JP2858220B2 (ja) * | 1994-09-13 | 1999-02-17 | 川惣電機工業株式会社 | 温度測定装置における測温センサーエレメント |
DE19600822A1 (de) * | 1996-01-11 | 1997-07-17 | Basf Ag | Sonde zur Temperaturmessung |
KR970063801A (ko) * | 1996-02-22 | 1997-09-12 | 김광호 | 반도체 소자 제조 장치의 열전대(thermocouple) |
US7018096B2 (en) * | 2003-04-25 | 2006-03-28 | Universal Leaf Tobacco Company, Inc. | Packed product temperature measuring device |
DE102006040135B4 (de) * | 2006-08-26 | 2010-04-08 | Temperaturmeßtechnik Geraberg | Temperaturfühler mit Prüfkanal |
US7874726B2 (en) * | 2007-05-24 | 2011-01-25 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
US20090052498A1 (en) * | 2007-08-24 | 2009-02-26 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
US7946762B2 (en) * | 2008-06-17 | 2011-05-24 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US8262287B2 (en) | 2008-12-08 | 2012-09-11 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8382370B2 (en) | 2009-05-06 | 2013-02-26 | Asm America, Inc. | Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction |
US8100583B2 (en) * | 2009-05-06 | 2012-01-24 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
US9297705B2 (en) * | 2009-05-06 | 2016-03-29 | Asm America, Inc. | Smart temperature measuring device |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
FR2958037A1 (fr) * | 2010-03-26 | 2011-09-30 | Sc2N Sa | Capteur de temperature |
DE202011001277U1 (de) | 2011-01-10 | 2012-04-16 | Klaus Irrgang | Thermoelektrischer Temperaturfühler |
DE102011008176B4 (de) | 2011-01-10 | 2013-02-07 | Klaus Irrgang | Thermoelektrischer Temperaturfühler |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9188489B2 (en) * | 2011-12-01 | 2015-11-17 | Rosemount Inc. | Twisted sensor tube |
WO2013173301A1 (en) * | 2012-05-14 | 2013-11-21 | Thermo King Corporation | Temperature probe for transport refrigeration |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9587993B2 (en) * | 2012-11-06 | 2017-03-07 | Rec Silicon Inc | Probe assembly for a fluid bed reactor |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
USD702188S1 (en) | 2013-03-08 | 2014-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Thermocouple |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
TW201733721A (zh) * | 2016-03-29 | 2017-10-01 | Goodhouse Enterprise Co Ltd | 伸縮式加熱工具頭及具有該工具頭之加熱工具 |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102613349B1 (ko) | 2016-08-25 | 2023-12-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법 |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
JP6632583B2 (ja) * | 2017-08-30 | 2020-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送装置及び基板処理装置 |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
TWI779134B (zh) | 2017-11-27 | 2022-10-01 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成 |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
CN108151895A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-12 | 大连交通大学 | 一种尺寸可定制的瞬态响应温度传感器及其制备方法 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
KR20200108016A (ko) | 2018-01-19 | 2020-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TWI816783B (zh) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
CN112292477A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
TWI751420B (zh) | 2018-06-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm知識產權私人控股有限公司 | 薄膜沉積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
TWI838458B (zh) | 2019-02-20 | 2024-04-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
TW202142733A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 反應器系統、抬升銷、及處理方法 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
JP7197534B2 (ja) * | 2020-06-12 | 2022-12-27 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒータ |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB814503A (en) * | 1956-06-06 | 1959-06-03 | Jay Paul Gould | Thermocouple attachment for pressure vessels, lines and the like |
US3376169A (en) * | 1963-07-12 | 1968-04-02 | Bayard C. Davis | Thermocouple assembly having a deformable ferrule housing |
-
1978
- 1978-03-13 US US05/886,232 patent/US4217463A/en not_active Expired - Lifetime
-
1979
- 1979-02-01 FI FI790327A patent/FI790327A/fi unknown
- 1979-02-09 JP JP1345579A patent/JPS54122180A/ja active Pending
- 1979-02-13 GB GB7904991A patent/GB2016804A/en not_active Withdrawn
- 1979-02-16 NL NL7901254A patent/NL7901254A/xx not_active Application Discontinuation
- 1979-02-27 FR FR7905027A patent/FR2422943A1/fr not_active Withdrawn
- 1979-03-12 LU LU81032A patent/LU81032A1/xx unknown
- 1979-03-12 BR BR7901477A patent/BR7901477A/pt unknown
- 1979-03-12 DE DE19792909692 patent/DE2909692A1/de not_active Withdrawn
- 1979-03-12 DK DK101379A patent/DK101379A/da unknown
- 1979-03-12 NO NO790817A patent/NO790817L/no unknown
- 1979-03-13 IT IT20949/79A patent/IT1111529B/it active
- 1979-03-13 BE BE0/193991A patent/BE874801A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT7920949A0 (it) | 1979-03-13 |
US4217463A (en) | 1980-08-12 |
DK101379A (da) | 1979-09-14 |
FR2422943A1 (fr) | 1979-11-09 |
LU81032A1 (fr) | 1979-10-30 |
JPS54122180A (en) | 1979-09-21 |
IT1111529B (it) | 1986-01-13 |
BE874801A (fr) | 1979-09-13 |
FI790327A (fi) | 1979-09-14 |
NL7901254A (nl) | 1979-09-17 |
DE2909692A1 (de) | 1979-09-27 |
GB2016804A (en) | 1979-09-26 |
BR7901477A (pt) | 1979-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO790817L (no) | Termoelementinnretning. | |
US3038951A (en) | Fast acting totally expendable immersion thermocouple | |
US20200284681A1 (en) | Fill fluid thermal management | |
US2999121A (en) | Fast acting totally expendable immersion thermocouple | |
US5348395A (en) | Aspirating pyrometer with platinum thermocouple and radiation shields | |
US2839594A (en) | Contact thermocouple assembly | |
US4971452A (en) | RTD assembly | |
US4510343A (en) | Thermowell apparatus | |
KR100441572B1 (ko) | 온도측정용프로브 | |
US20150330840A1 (en) | Corrosion resistant thermowells with thin wall tips | |
US3668099A (en) | Apparatus for measuring oxygen content of a fluid | |
GB1378279A (en) | Device for positioning within a wall of a furnace and for measuring the temperature in the furnace | |
US2152153A (en) | Thermocouple | |
US4460802A (en) | Radially activated thermocouple assembly | |
US5201022A (en) | Coated optical fiber | |
Magee et al. | High-temperature adiabatic calorimeter for constant-volume heat capacity measurements of compressed gases and liquids | |
US2094102A (en) | Thermoelectric apparatus | |
US2581229A (en) | High-temperature quick action thermocouple | |
US3467175A (en) | Infrared detecting device | |
US3954508A (en) | High temperature thermocouple probe | |
Pace et al. | Adiabatic Calorimeter for Use with Condensable Gases and Gas‐Solid Systems between 10 and 150° K | |
US2669593A (en) | Aspirator thermocouple mounting for measuring the temperature of hot gases | |
CN215893817U (zh) | 一种密封热电偶 | |
CN211178772U (zh) | 热电偶 | |
Rusby | Introduction to temperature measurement. |