NL1010935C2 - Halfgeleiderinrichting gebruikmakend van een polymeerbevattend fotomasker, en wijze voor de bereiding ervan. - Google Patents
Halfgeleiderinrichting gebruikmakend van een polymeerbevattend fotomasker, en wijze voor de bereiding ervan. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1010935C2 NL1010935C2 NL1010935A NL1010935A NL1010935C2 NL 1010935 C2 NL1010935 C2 NL 1010935C2 NL 1010935 A NL1010935 A NL 1010935A NL 1010935 A NL1010935 A NL 1010935A NL 1010935 C2 NL1010935 C2 NL 1010935C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- norbornene
- carboxylate
- formula
- polymer
- butyl
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
- C07C69/52—Esters of acyclic unsaturated carboxylic acids having the esterified carboxyl group bound to an acyclic carbon atom
- C07C69/533—Monocarboxylic acid esters having only one carbon-to-carbon double bond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F232/00—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
- C08F232/08—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having condensed rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C67/00—Preparation of carboxylic acid esters
- C07C67/30—Preparation of carboxylic acid esters by modifying the acid moiety of the ester, such modification not being an introduction of an ester group
- C07C67/333—Preparation of carboxylic acid esters by modifying the acid moiety of the ester, such modification not being an introduction of an ester group by isomerisation; by change of size of the carbon skeleton
- C07C67/343—Preparation of carboxylic acid esters by modifying the acid moiety of the ester, such modification not being an introduction of an ester group by isomerisation; by change of size of the carbon skeleton by increase in the number of carbon atoms
- C07C67/347—Preparation of carboxylic acid esters by modifying the acid moiety of the ester, such modification not being an introduction of an ester group by isomerisation; by change of size of the carbon skeleton by increase in the number of carbon atoms by addition to unsaturated carbon-to-carbon bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
- C07C69/74—Esters of carboxylic acids having an esterified carboxyl group bound to a carbon atom of a ring other than a six-membered aromatic ring
- C07C69/753—Esters of carboxylic acids having an esterified carboxyl group bound to a carbon atom of a ring other than a six-membered aromatic ring of polycyclic acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
- C08F222/04—Anhydrides, e.g. cyclic anhydrides
- C08F222/06—Maleic anhydride
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Description
Titel: Halfgeleiderinrichting gebruikmakend van een polymeerbevattend fotomasker, en wijze voor de bereiding ervan.
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een halfgeleiderinrichting die gebruik maakt van een fotomasker, en een werkwijze voor het bereiden ervan. Meer in het bijzonder heeft zij betrekking op een polymeer 5 bruikbaar voor een lithografiewerkwijze die gebruik maakt van een lichtbron met licht van een ultra-korte golflengte zoals KrF (248 nm), ArF (193 nm), Röntgenstralen, ionenbundels en E-bundels, welke verwacht wordt toegepast te worden in 1G of 4G DRAM of andere in hoge mate 10 geïntegreerde circuits, waarin een nieuw norborneenmonomeer in de hoofdketen van een polymeer is geïntroduceerd; een werkwijze voor het bereiden ervan; en een fotomasker dat datzelfde polymeer bevat.
Verschillende soorten van fotomaskers zijn gebruikt 15 of voorgesteld. Deze maskers dienen een veelheid aan gewenste karakteristieken of eigenschappen te hebben. In het algemeen vereisen alle of de meeste van deze maskers etsweerstand, een hechting bij lage lichtabsorptie bij een golflengte van 193 nm voor ArF. Daarnaast moet het masker 20 ontwikkelbaar zijn onder toepassing van een 2,38 gew.%-ige waterig tetramethylammoniumhydroxide (TMAH) -oplossing. Het is echter moeilijk om een polymeer te synthetiseren dat een of al deze eigenschappen bezit.
Veel onderzoeken zijn gericht geweest op studies 25 van norborlac-type hars als een hars om de lichtdoorlaatbaarheid bij een golflengte van 193 nm te verhogen en de etsweerstand te verhogen. Als een van de vele mogelijke voorbeelden is bij "Bell Labs" getracht een alicyclische eenheid in de hoofdketen van een copolymeer te introduceren 30 teneinde de etsweerstand te verbeteren. Een copolymere hars waarin de hoofdketen een norborneen-, een acrylaat- en een maleïnezuuranhydridesubstituent bevat, als weergegeven in chemische formule I, is voorgesteld: »1 0109 35 2 [FORMULE I] ΡαΛ ε,
In de polymere hars van formule I was het maleïnezuuranhydridegedeelte (A-gedeelte) gebruikt voor het polymeriseren van een alicyclische olefinegroep.
15 Het maleïnezuuranhydridegedeelte is oplosbaar in een 2,38 gew.%-ige TMAH-oplossing, zelfs wanneer het niet is blootgesteld, en derhalve dient het y-gedeelte met de tert-butylsubstituent in hoge mate vergroot te worden, teneinde oplossing te voorkomen. Een toename van het 20 y-gedeelte veroorzaakt echter een relatieve afname van het z-gedeelte, dat de gevoeligheid en de hechting met het substraat verbetert, waardoor het nadeel ontstaat, dat het fotomasker verwijderd wordt van de wafel bij patroonontwikkeling in de praktijk.
25 Derhalve kan er geen effectief patroon gevormd worden zonder apart een oplosbaarheidsregulerend middel te gebruiken, en zelfs dan, als er een patroon gevormd wordt door gebruik te maken van een oplosbaarheidsregulerend middel, is de hechting te slecht om toegepast te worden bij 30 patroonontwikkeling in de praktijk.
Onder dergelijke omstandigheden, heeft Bell Labs geprobeerd de bovengenoemde problemen op te lossen door gebruik te maken van oplosbaarheidsregulerende middelen van het cholesteroltype en door een tweecomponentmasker in te 35 zetten, omvattende een polymeer van cyclo-olefine en maleïnezuuranhydride.
a (»10109 35 * 3
In dit geval moet echter een zeer grote hoeveelheid (ongeveer 30 gew.% gebaseerd op het polymeer) van het oplosbaarheidsregulerende middel gebruikt worden, en heeft zodoende het polymeer met de bovengenoemde moleculaire 5 structuur in principe een te lage reproduceerbaarheid en brengt te hoge kosten met zich mee om toegepast te worden als een polymeer voor een fotomasker.
Uit het bovenstaande kan worden opgemaakt dat een verbeterde fotomaskerhars die rendabel en gemakkelijk te 10 bereiden is, en gewenste overige eigenschappen heeft duidelijk gewenst is.
De onderhavige uitvinders hebben intensieve studies verricht teneinde de bovengenoemde beperkingen die men tegenkomt bij conventionele harsen weg te nemen, en als 15 resultaat daarvan, zijn zij in staat gebleken nieuwe norborneenderivaten met (een) hydrofiele groep(en) te synthetiseren. In een bijzondere uitvoeringsvorm, biedt de onderhavige uitvinding een methode met een stap waarin het monomeer in de hoofdketen van het polymeer wordt 20 geïntroduceerd, teneinde een polymeer te ontwikkelen met een uitstekende resolutie ten gevolge van de prominente verbetering van de hechtingskracht door het introduceren van een hydrofiele groep (-OH). De onderhavige werkwijze levert een fotomasker op met een uitstekende etsweerstand 25 en warmteweerstand, wat de kenmerken zijn van alicyclische olefinen.
Veel profijt of voordeel wordt bereikt door middel van de onderhavige uitvinding in vergelijking met conventionele technieken. In een bijzondere uitvoeringsvorm 30 verschaft de onderhavige uitvinding een monomeer omvattende een nieuw bicyclisch norborneenderivaat, weergegeven door de volgende formule II: »1010935 4 [FORMULE II]
(0¾ o K
10 waarin R' en R" onafhankelijk van elkaar waterstof, of een lineaire of vertakte C^-C^-alkylgroep met of zonder substituent (en) weergeven, m een getal van 1 tot en met 8 is, .en n een getal van 1 tot en met 6 voorstelt, alsmede 15 een werkwijze voor de bereiding hiervan.
In een alternatieve uitvoeringsvorm verschaft de onderhavige uitvinding een polymeer voor een fotomasker omvattende bicycloalkeenverbindingen, weergegeven door chemische formules II en V, en maleinezuuranhydride van 20 chemische formule VI, en een werkwijze voor het bereiden hiervan.
[FORMULE III] 25 o π=/,^’Ν=ο o=/°Vo r Γ Γ R, (K—C-R“)m
CH
"4 ! p1 0 109 3 5 5 [FORMULE IV] R, (K-C-R*)m l
OH
15 In de formule stellen R' en R" onafhankelijk van elkaar waterstof, of een lineaire of vertakte C^-C^-alkylgroep met of zonder substituent(en), Rx en R2 onafhankelijk van elkaar waterstof, of een lineair of vertakt alkyl, cycloalkyl, alkoxyalkyl of cycloalkoxyalkyl met 1 tot en 20 met 10 koolstofatomen met of zonder substituent(en) en m een getal van 1 tot en met 8 voor, en de verhouding x : y : z is (0,1-99%) : (0,1-99%) : (0,1-99%) [onder het voorbehoud dat x is 0,005 - 0,9 delen gebaseerd op aantal molen, en y en z zijn 0,001 - 0,9 delen gebaseerd op aantal 25 molen, respectievelijk, bij formule IV].
In nog een andere uitvoeringsvorm verschaft de onderhavige uitvinding een polymeer voor een fotomasker die bicycloalkeenverbindingen, weergegeven door formules II en V, en maleïnezuuranhydride weergegeven door formule VI, en 30 een fotomasker gevormd door gebruik te maken van een polymeer weergegeven door formule III, IV, VII, VIII of IX, en een werkwijze voor het bereiden van het fotomasker.
HO 10935 6 [FORMULE V] (Οψ o /XT*-™ 10 [FORMULE VI] o=L \=o
15 O
Daarnaast verschaft de onderhavige uitvinding een 20 polymeer voor een fotomasker. Het polymeer omvat een veelheid aan elementen zoals bicycloalkeenverbindingen weergegeven door formules II en V, en maleïnezuuranhydride weergegeven door formule VI, en een werkwijze voor het vormen van een fotomaskerpatroon door gebruik te maken van 25 het fotomasker dat gevormd is met het polymeer weergegeven door formule III, IV, VII, VIII of IX.
Daarenboven verschaft de onderhavige uitvinding een polymeer voor een fotomasker. Het onderhavige polymeer omvat een veelheid aan elementen zoals 30 bicycloalkeenverbindingen weergegeven door formules II en V, en maleïnezuuranhydride weergegeven door formule VI, en I een halfgeleiderinrichting die gebruik maakt van het fotomasker dat gevormd is met het polymeer weergegeven door j formule III, IV, VII, VIII of IX.
HO 109 35 i [FORMULE VII] 7 ' vvv^ ίο r° r° T° ó <j> Ah -- CHj CH, £h2
OH
15 [FORMULE VIII] 20 . vw 0=0 c=o 0=0
0 <j> OH
-h p* 1 QHz 30 CHa (jn2
OH
35 ü1 O 1 O 9 3 5 [FORMULE IX] 8 v, 2¾ ~£c, <r 10 9=0 c=o o=c c=o 1U 1 I I | O <j> OHOCHj -- CH, fh 0¾
15 OH
Figuur 1 toont NMR-data van het polymeer dat bereid 20 is in Voorbeeld 9.
De onderhavige uitvinding wordt hieronder in detail beschreven:
Onder de bicycloalkeenverbindingen weergegeven door formule II, zijn 3-hydroxypropyl-5-norborneen-2-25 carboxylaat, 4-hydroxybutyl-5-norborneen-2-carboxylaat, 5-hydroxypentyl-5-norborneen-2-carboxylaat, 6-hydroxyhexyl-5-norborneen-2-carboxylaat, 7-hydroxyheptyl-5-norborneen-2-carboxylaat, 8-hydroxyoctyl-5-norborneen-2-carboxylaat of dergelijke verbindingen, voorkeursverbindingen.
30 De bicycloalkeenderivaten (formule II) kunnen volgens de onderhavige uitvinding worden bereid door hydroxyalkylacrylaat met cyclopentadieen te laten reageren in aanwezigheid van tetrahydrofuran.
p1Ó10§35 i 9
Het hydroxyalkylacrylaat wordt bij voorkeur gekozen uit de groep omvattende 3-hydroxypropylacrylaat,· 4-hydroxybutylacrylaat, 5-hydroxypentylacrylaat, 6-hydroxyhexylacrylaat, 7-hydroxyheptylacrylaat en 5 8-hydroxyoctylacrylaat.
Het polymeer volgens de onderhavige uitvinding (formule III of IV) kan worden bereid door de bicyclo-alkeenverbindingen weergegeven door formules II en V en maleïnezuuranhydride weergegeven door formule VI te laten 10 polymeriseren in de aanwezigheid van een polymerisatie-katalysator.
Bicycloalkenen die de voorkeur genieten voor gebruik voor de polymeren voor fotomaskers volgens de onderhavige uitvinding kunnen een of meer verbindingen zijn 15 uit de groep omvattende bicycloalkenen weergegeven door formule V waarin R waterstof of een tert-butylgroep is, en bicycloalkenen weergegeven door formule II waarin m is 3 en R' en R'' waterstof zijn.
Liever worden de bicycloalkenen voor de polymeren 20 volgens de onderhavige uitvinding gekozen uit een groep omvattende 3-hydroxypropyl-5-norborneen-2 -carboxylaat, tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat, 5-norborneen-2 -carboxylzuur, 3-hydroxypropyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-een-3-carboxylaat, tert-butyl-bicyclo[2,2,2]oct-2-een-carboxylaat 25 en bicyclo[2,2,2]oct-5-een-2-carboxylzuur.
Onder de polymeren volgens de onderhavige uitvinding genieten de polymeren die bereid worden uit (1) bicycloalkeen weergegeven door formule V waarin R waterstof of tert-butyl is en η 1 is, de bicycloalkenen weergegeven 30 door formule II waarin R' en R" waterstof zijn en m 3 is [i.e. een of meer bicycloalkenen gekozen uit de groep omva11 ende 3 -hydroxypropyl-5-norborneen-2 -carboxylaat, tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat en 5-norborneen-2-carboxylzuur], en (2) maleïnezuuranhydride weergegeven door 35 formule VI, sterke voorkeur.
r1010935 10
De polymeren volgens de onderhavige uitvinding kunnen bereid worden door een conventionele polymerisatie-werkwijze zoals bulkpolymerisatie of oplossingspoly-merisatie. Bruikbare polymerisatie-initiatoren volgens de 5 onderhavige uitvinding omvatten benzoylperoxide, 2,2'-azobisisobutyronitril (AIBN), acetylperoxide, lauryl-peroxide, tert-butylperacetaat, di-tert-butylperoxide of dergelijke verbindingen.
Als oplosmiddel kunnen cyclohexanon, methylethyl-10 keton, benzeen, tolueen, dioxaan, dimethylformamide en/of tetrahydrofuran afzonderlijk of als mengsel worden gebruikt.
In de werkwijze voor het bereiden van polymeren volgens de onderhavige uitvinding kunnen algemene 15 polymerisatiecondities, met inbegrip van temperatuur en druk voor radicaalpolymerisatie, afhankelijk van de eigenschappen van de reactanten worden geregeld, maar het geniet de voorkeur om de polymerisatiereactie uit te voeren op een temperatuur tussen de 60 en 200°C gedurende 4 tot 20 24 uur.
De polymeren die zijn weergegeven in formule III of IV hebben volgens de onderhavige uitvinding een molecuul-gewicht van 3.000 - 100.000 en kunnen gebruikt worden in een lithografiewerkwijze die gebruik maakt van licht met 25 een ultra-korte golflengte zoals KrF- of ArF-lichtbron, Röntgenstralen, ionenbundels of E-bundels welke verwacht wordt toegepast te worden in 1G of 4G DRAM.
De polymeren volgens de onderhavige uitvinding kunnen gebruikt worden in de vorming van een positief 30 micro-patroon door een fotomaskeroplossing te bereiden waarin het polymeer is gemengd met een organisch oplosmiddel en een conventionele fotozuurgenerator volgens een conventionele werkwijze voor het bereiden van een fotomaskersamenstelling.
35 In de werkwijze voor het vormen van een fotomasker- - patroon van een halfgeleiderelement hangt de hoeveelheid *1010935 ] 11 polymeer volgens de onderhavige uitvinding af van het gebruikte organische oplosmiddel of de gebruikte fotozuurgenerator, en de condities van de lithografie, maar normaliter is dit 10 tot 30 gew.% gebaseerd op de in de 5 bereiding van het fotomasker gebruikte hoeveelheid organisch oplosmiddel.
De werkwijze voor het vormen van een fotomasker-patroon van een halfgeleiderelement door gebruik te maken van een polymeer volgens de onderhavige uitvinding is 10 hieronder in detail beschreven:
Het polymeer volgens de onderhavige uitvinding wordt opgelost in cyclohexanon, methyl-3-methoxypropionaat, ethyl-3-ethoxypropionaat, ethyllactaat of propyleenglycol-methyletheracetaat met een concentratie van 10 tot 15 30 gew.%. Oniumzout of organisch sulfonzuur als fotozuurgenerator (0,01 tot 10 gew.% gebaseerd op het polymeer) wordt in de oplossing gebracht, en het mengsel wordt vervolgens gefiltreerd door een ultra-microfilter teneinde het fotomaskeroplossing te bereiden.
20 Als fotozuurgenerator kan trifenylsulfonium- triplaat, dibutylnaftylsulfoniumtriplaat, 2,6-dimethyl-fenylsulfonaat, bis(arylsulfonyl)-diazomethaan, oximsulfonaat en 1,2-diazonaftoquinon-4-sulfonaat worden genoemd.
25 Vervolgens wordt de fotomaskeroplossing gespincoat op een silicium wafel teneinde een dunne film gevormd te krijgen, welke dan voorgebakken wordt in een oven op 80-150°C of op een hete plaat gedurende 1-5 minuten, blootgesteld aan licht door gebruik te maken van een ver-30 ultraviolet-exposer of een eximer laser-exposer, en nagebakken in een oven op een temperatuur tussen 100°C en 200°C of op een hete plaat gedurende 1 seconde tot 5 minuten.
De blootgestelde wafel wordt geïmpregneerd in een 35 2,38 %-ige waterige TMAH-oplossing gedurende 30 seconden p1 0 109 35 12 tot 1,5 minuten teneinde een ultra-micro positief fotomaskerpatroon te verkrijgen.
De synthese van nieuwe norborneenderivaten volgens de onderhavige uitvinding, de syntheses van polymeren 5 gebruikmakend van de derivaten, het vervaardigen van het fotomasker die de polymeren omvatten, en de werkwijze voor het vormen van micro-patronen in een halfgeleiderinrichting worden in detail beschreven onder verwijzing naar de * Voorbeelden.
10 Een beter begrip van de onderhavige uitvinding kan verkregen worden in het licht van de volgende voorbeelden, welke bedoeld zijn om de uitvinding te illustreren maar welke niet beperkend voor de onderhavige uitvinding opgevat dienen te worden.
: 15 - <SYNTHESE VAN NORBORNEENDERIVATEN>
VOORBEELD I
Synthese van 3-hydroxypropyl-5-norborneen-2-carboxylaat 20 Een reactor werd beladen met cyclopentadieen (66 g) en tetrahydrofuran als oplosmiddel (500 g) en het mengsel werd homogeen geroerd. Aan het reactiemengsel werd 3-hydroxypropylacrylaat (130 g) toegevoegd en het resulterende mengsel werd geroerd op een temperatuur tussen 25 -30°C en 60°C gedurende ongeveer 10 uur om de reactie te laten verlopen.
Zodra de reactie was afgelopen, werd het oplosmiddel verwijderd met behulp van een roterende verdamper en werd het residu gedestilleerd onder gereduceerde druk 30 teneinde 168 g (opbrengst: 86%) 3-hydroxypropyl-5-norborneen-2-carboxylaat te verkrijgen.
p1 010935 13
VOORBEELD II
Synthese van 4-hydroxybutyl-5-norborneen-2-carboxylaat
Dezelfde procedure als beschreven in Voorbeeld I 5 werd herhaald maar 4-hydroxybutylacrylaat (144 g) werd gebruikt in plaats van 3-hydroxypropylacrylaat teneinde 178 g (opbrengst: 85%) 4-hydroxybutyl-5-norborneen-2-carboxylaat te verkrijgen.
10 VOORBEELD III
Synthese van 5-hydroxypentyl-5-norborneen-2-carboxylaat
Dezelfde procedure als beschreven in Voorbeeld I werd herhaald maar 5-hydroxypentylacrylaat (158 g) werd 15 gebruikt in plaats van 3-hydroxypropylacrylaat teneinde 190 g (opbrengst: 85%) 5-hydroxypentyl-5-norborneen-2-carboxylaat te verkrijgen.
VOORBEELD IV
20 Synthese van 6-hydroxyhexy1-5-norborneen-2-carboxylaat
Dezelfde procedure als beschreven in Voorbeeld I werd herhaald maar 6-hydroxyhexylacrylaat (172 g) werd gebruikt in plaats van 3-hydroxypropylacrylaat teneinde 205 25 g (opbrengst: 86%) 6-hydroxyhexyl-5-norborneen-2-carboxylaat te verkrijgen.
VOORBEELD V
Synthese van 7-hydroxyheptyl-5-norborneen-2-carboxylaat 30
Dezelfde procedure als beschreven in Voorbeeld I werd herhaald maar 7-hydroxyheptylacrylaat (186 g) werd gebruikt in plaats van 3-hydroxypropylacrylaat teneinde 204 g (opbrengst: 81%) 7-hydroxyheptyl-5-norborneen-2-35 carboxylaat te verkrijgen.
P»1 0 10 9 3 5 14
VOORBEELD VI
Synthese van 8-hydroxyoctyl-5-norborneen-2-carboxylaat
Dezelfde procedure als beschreven in Voorbeeld I 5 werd herhaald maar 8-hydroxyoctylacrylaat (200 g) werd gebruikt in plaats van 3-hydroxypropylacrylaat teneinde 207 g (opbrengst: 78%) 8-hydroxyoctyl-5-norborneen-2-carboxylaat te verkrijgen.
10 <SYNTHESE VAN BICYCLOALKEENVERBINDINGEN>
VOORBEELD VII
Synthese van tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat
Een reactor werd beladen met cyclopentadieen (66 g) 15 en tetrahydrofuran als oplosmiddel (500 g) en het mengsel werd homogeen geroerd. Aan het reactiemengsel werd tert-butylacrylaat (128 g) toegevoegd en het resulterende mengsel werd geroerd op een temperatuur tussen -30°C en 60°C gedurende ongeveer 10 uur om de reactie te laten 20 verlopen.
Zodra de reactie was afgelopen, werd het oplosmiddel verwijderd met behulp van een roterende verdamper en werd het residu gedestilleerd onder gereduceerde druk teneinde 175 g (opbrengst: 90%) tert-butyl-5-norborneen-2-25 carboxylaat te verkrijgen.
VOORBEELD VIII
Synthese van 5-norborneen-2-carboxylzuur 30 Een reactor werd beladen met cyclopentadieen (66 g) en tetrahydrofuran als oplosmiddel (500 g) en het mengsel werd homogeen geroerd.
Aan het reactiemengsel werd acrylzuur (72 g) toegevoegd en het resulterende mengsel werd geroerd op een 35 temperatuur tussen -30°C en 60°C gedurende ongeveer 10 uur om de reactie te laten verlopen.
p1 0 10 9 3 5 15
Zodra de reactie was afgelopen, werd het oplosmiddel verwijderd met behulp van een roterende verdamper en werd het residu gedestilleerd onder gereduceerde druk teneinde 124 g (opbrengst: 90%) 5-5 norborneen-2-carboxylzuur te verkrijgen.
<SYNTHESE VAN POLYMEREN>
VOORBEELD IX
Synthese van poly[3-hydroxypropyl-5-norborneen-2-10 carboxylaat / tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat / 5-norborneen-2-carboxylzuur / maleïnezuuranhydride]-polymeer (Formule VII)
In tetrahydrofuran, benzeen of tolueen werden 3-15 hydroxypropyl-5-norborneen-2-carboxylaat (0,05-0,8 mol), tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat (0,5-0,95 mol), 5-norborneen-2-carboxylzuur (0,01-0,3 mol) en maleïnezuuranhydride (1 mol) opgelost.
Vervolgens werd daaraan 2,2'-azobisisobutyronitril 20 (AIBN) (0,01-10 g) als polymerisatie-initiator toegevoegd, en werd de reactie uitgevoerd op een temperatuur tussen 60°C en 70°C gedurende 4-24 uur.
Het aldus verkregen ruwe product werd geprecipiteerd uit ethylether of hexaan en het precipitaat werd 25 gefiltreerd onder gereduceerde druk teneinde poly[3- hydroxypropyl-5-norborneen-2-carboxylaat / tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat / 5-norborneen-2-carboxylzuur / maleïnezuuranhydride]-polymeer als weergegeven in Formule VII op te leveren, waarvan de NMR-data zijn weergegeven in 30 Figuur 1 (opbrengst £ 70%) .
p1 0 10 9 3 5 16
VOORBEELD X
Synthese van poly[4-hydroxybutyl-5-norbomeen-2-carboxylaat / tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat / 5-norborneen-2-carboxylzuur / maleïnezuuranhydride]-polymeer (Formule 5 VIII)
In tetrahydrofuran, benzeen of tolueen werden 4-hydroxybutyl-5-norborneen-2-carboxylaat (0,05-0,8 mol), tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat (0,5-0,95 mol), 10 5-norborneen-2-carboxylzuur (0,01-0,3 mol) en maleïnezuur-anhydride (1 mol) opgelost.
Vervolgens werd daaraan 2,2'-azobisisobutyronitril (AIBN) (0,01-10 g) als polymerisatie-initiator toegevoegd, en werd de reactie uitgevoerd op een temperatuur tussen 15 60°C en 70°C gedurende 4-24 uur.
Het aldus verkregen ruwe product wérd geprecipiteerd uit ethylether of hexaan en het precipitaat werd gefiltreerd onder gereduceerde druk teneinde poly [4-=- hydroxybutyl-5-norborneen-2-carboxylaat / tert-butyl-5- 20 norborneen-2-carboxylaat / 5-norborneen-2-carboxylzuur / maleïnezuuranhydride]-polymeer als weergegeven in Formule VIII op te leveren (opbrengst £ 70%).
VOORBEELD XI
25 Synthese van poly[3-hydroxypropyl-5-norborneen-2- j carboxylaat / tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat / monomethyl-cis-5-norborneen-endo-2,3-dicarboxylaat / maleïnezuuranhydride]-polymeer (Formule IX) 30 In tetrahydrofuran, benzeen of tolueen werden 3- hydroxypropyl-5-norborneen-2-carboxylaat (0,05-0,8 mol), tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat (0,5-0,95 mol), mono-methyl - c i s - 5 - norborneen-endo-2,3-dicarboxylaat (0,01-0,3 mol) en maleïnezuuranhydride (1 mol) opgelost.
35 Vervolgens werd 2,21-azobisisobutyronitril (AIBN) — (0,01-10 g) als polymerisatie-initiator daaraan toegevoegd, *1010935 17 en werd de reactie uitgevoerd op een temperatuur tussen 60°C en 70°C gedurende 4-24 uur.
Het aldus verkregen ruwe product werd geprecipiteerd uit ethylether of hexaan en het precipitaat werd 5 gefiltreerd onder gereduceerde druk teneinde poly [3- hydroxypropyl-5-norborneen-2-carboxylaat / tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat / monomethyl-cis-5-norborneen-endo-2,3-dicarboxylaat / maleinezuuranhydride]-polymeer als weergegeven in Formule IX op te leveren (opbrengst: 74%).
10
<BEREIDING VAN FOTOMASKER EN PATROONVORMING> VOORBEELD XII
Poly[3-hydroxypropyl-5-norborneen-2-carboxylaat / 15 tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat / 5-norborneen-2- carboxylzuur / maleinezuuranhydride]-polymeer (Formule VII) (10 g) werd opgelost in 3-methoxymethylpropionaat (40 g, oplosmiddel) en trifenylsulfoniumtriplaat of dibutyl-naftylsulfoniumtriplaat (ongeveer 0,01-1 g) als fotozuur-20 generator werd daaraan toegevoegd. Na roeren werd het mengsel gefiltreerd door een 0,1 μτη filter teneinde het fotomasker op te leveren. Vervolgens werd het fotomasker gecoat op het oppervlak van een wafel. Na warmtebehandeling werd het fotomasker ontwikkeld door een foto-ontwikkelings-25 werkwijze teneinde een patroon te vormen. Op deze wijze werd een halfgeleiderelement met een loodrecht L/S-patroon met een dikte van het polymeer van 0,6 (im en een breedte van 0,13 μτη verkregen.
30 VOORBEELD XIII
Poly[3-hydroxypropyl-5-norborneen-2-carboxylaat / tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat / monomethyl-cis-5-norborneen-2-endo-2,3-dicarboxylaat / maleïnezuuran-35 hydride]-polymeer (Formule IX) (10 g) werd opgelost in 3-methoxymethylpropionaat (40 g, oplosmiddel) en trifenyl- (1 0 109 35 18 sulfoniumtriplaat of dibutylnaftylsulfoniumtriplaat (ongeveer 0,01-1 g) als een fotozuurgenerator werd daaraan toegevoegd. Na roeren werd het mengsel gefiltreerd door een 0,1 μτη filter teneinde het fotomasker op te leveren.
5 Vervolgens werd het fotomasker gecoat op het oppervlak van een wafel. Na warmtebehandeling werd het fotomasker ontwikkeld door een foto-ontwikkelingswerkwijze teneinde een patroon te vormen. Op deze wijze werd een halfgeleiderelement met een loodrecht L/S-patroon met een dikte van het 10 polymeer van 0,6 μτα en een breedte van 0,13 μτη verkregen.
Zoals hierboven beschreven heeft het fotomasker dat gevormd wordt door gebruik te maken van de polymeren voor KrF of ArF volgens de onderhavige uitvinding uitstekende etsweerstand, warmteweerstand en hechtingseigenschappen en 15 is ontwikkelbaar met een 2,38 gew.%-ige waterige TMAH-oplossing, zodat bevredigende resultaten kunnen worden verkregen met betrekking tot de resolutie van een loodrecht L/S-patroon van 0,13 μηι met een laagdikte van 0,6 μπι en de diepte van een focus.
20 Vele aanpassingen en variaties van de onderhavige uitvinding zijn mogelijk in het licht van de bovenstaande uiteenzettingen. Het dient daarom verstaan te worden dat binnen de reikwijdte van de aangehechte conclusies de uitvinding anders kan worden uitgevoerd dan specifiek is 25 beschreven.
i *10109 25
Claims (31)
1 I
1. Monomeer omvattende een nieuw bicycloalkeenderivaat weergegeven door de volgende chemische formule II: [FORMULE II] (CH2)n \ OR’ I I —(f)m—0H //1_ / R" waarin R' en R'1 onafhankelijk van elkaar waterstof, of een 10 lineaire of vertakte Ci-C4-alkyl groep met of zonder substituent(en), m een getal van 1 tot en met 8, en n een getal van 1 tot en met 6 voorstellen en waarin als m=2 en n=l, R' en R" beide geen waterstof zijn.
2. Monomeer volgens conclusie 1, gekozen uit de groep bestaande uit 3-hydroxypropyl-5-norborneen-2-carboxylaat, 4- hydroxybutyl-5-norborneen-2-carboxylaat, 5-hydroxypentyl- 5- norborneen-2-carboxylaat, 6-hydroxyhexyl-5-norborneen-2-carboxylaat, 7-hydroxyheptyl-5-norborneen-2-carboxylaat en 20 8-hydroxyoctyl-5-norborneen-2-carboxylaat.
3. Werkwijze voor het bereiden van het monomeer weergegeven door de volgende formule II welke de volgende stappen omvat: 25 1> het mengen van cyclopentadieen met een tetrahydrofuran- oplosmiddel; 1010935 ·' I 2> het toevoegen van hydroxyalkylacrylaat aan het mengsel van stap 1>; 3> het uitvoeren van de reactie door het mengsel van stap 2> te roeren; 5 4> verwijderen van het oplosmiddel uit het product na de reactie van stap 3>; en 5> het bereiden van het bicycloalkeenderivaat volgens formule II uit het product van stap 4>: [FORMULE II] 10 (CH2)n \ O R' ii i —(f)m—0H // / r" 15 waarin R', R'', m en n zijn gedefinieerd als in conclusie 1.
4. Werkwijze voor het bereiden van een monomeer volgens conclusie 3 waarin het hydroxyalkylacrylaat wordt 20 gekozen uit de groep bestaande uit 3-hydroxypropylacrylaat, 4-hydroxybutylacrylaat, 5-hydroxypentylacrylaat, 6-hydroxy-hexylacrylaat, 7-hydroxyheptylacrylaat en 8-hydroxyoctyl-acrylaat.
5. Werkwijze voor het bereiden van een monomeer volgens conclusie 3 waarin het bicycloalkeenderivaat wordt gekozen uit de groep bestaande uit 3-hydroxypropyl-5-norborneen-2-carboxylaat, 4-hydroxybutyl-5-norborneen-2-carboxylaat, 5-hydroxypentyl-5-norborneen-2-carboxylaat, 30 6-hydroxyhexyl-5-norborneen-2-carboxylaat, 7-hydroxyheptyl- 1010935 : 5-norborneen-2 -carboxylaat en 8-hydroxyoctyl-5-norborneen- 2-carboxylaat.
6. Polymeer omvattende (1) een bicycloalkeenverbinding 5 volgens formules II, (2) een of meer bicycloalkeenverbindingen volgens formule Va - Vc en (3) maleïnezuuranhydride volgens formule VI: [FORMULE II] 10 (CH2)n C' R’ —C-(C)m-OH /// R" [FORMULE Va] 15 1010935 * Ik {FORMULE Vb] (CH2)n \ ° -0-R2 5 [FORMULE Vc] (CH2)n O -o — ch3 II io O [FORMULE VI] is Nr waarin R' en R" onafhankelijk van elkaar waterstof, of een lineaire of vertakte C^-C^-alkylgroep met of zonder 1010935 substituent(en), Rx een zuurgevoelige groep weergeeft omvattende tert-butyl, tetrahydropyranyl tetrahydrofuranyl en ethoxyethyl R2 waterstof, of een lineair of vertakt alkyl, cycloalkyl, alkoxyalkyl of cycloalkoxyalkyl met 1 5 tot en met 10 koolstofatomen met of zonder substituent(en), m een getal van 1 tot en met 8, en n een getal van 1 tot en met 6 voorstellen.
7. Polymeer volgens conclusie 6 waarvan het molecuul-10 gewicht 3.000 - 100.000 bedraagt.
8. Polymeer volgens conclusie 6 waarin het bicyclo-alkeenderivaat volgens formule II wordt gekozen uit de groep bestaande uit 3-hydroxypropyl-5-norborneen-2- 15 carboxylaat, 4-hydroxybutyl-5-norborneen-2-carboxylaat, 5-hydroxypentyl-5-norborneen-2-carboxylaat, 6-hydroxyhexyl- 5 -norborneen-2 -carboxylaat, 7-hydroxyheptyl-5-norborneen-2-carboxylaat en 8-hydroxyoctyl-5-norborneen-2-carboxylaat en 3-hydroxypropyl bicyclo[2.2.2]oct-5-een-2-carboxylaat. 20
9. Polymeer volgens conclusie 6 waarin de bicyclo-alkeen met de formule Va wordt gekozen uit de groep bestaande uit tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat, tert-butyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-een-2-carboxylaat; Vb gekozen is 25 uit de groep bestaande uit 5-norborneen-2-caboxylaat en bicyclo[2.2.2]oct-5-een-2-carbonzuur; en Vc gekozen is uit de groep bestaande uit monomethyl cis-5-norborneen-endo- 2,3-dicarboxylaat en monomethyl cis-bicyclo[2.2.2]oct-5-een-endo-2,3-dicarboxylaat. 1010935
10. Polymeer volgens conclusie 6 dat een polymeer voor een fotomasker is weergegeven door formule III: [FORMULE III] 5 o=( i=o o=' }=0 0=( }=0 *L Ί, *1 I I f R, (R’-c-R-L r2 OH waarin R' en R'' onafhankelijk van elkaar waterstof, of een lineaire of vertakte Cj-C^-alkylgroep met of zonder 10 substituent(en), R2 en R2 onafhankelijk van elkaar waterstof, of een lineair of vertakt alkyl, cycloalkyl, alkoxyalkyl of cycloalkoxyalkyl met 1 tot en met 10 koolstofatomen met of zonder substituent(en), m een getal van 1 tot en met 8, en de molverhouding x : y : z 15 (0,1-99%) : (0,1-99%) : (0,1-99%) is. 1010935 ‘ k
11. Polymeer volgens conclusie 6, dat een polymeer voor een fotomasker is, weergegeven door de volgende formule IV: [FORMULE IV] 5 __ % 4r o ΐ ? 0CH3 r, (R’-c-R")m r2 OH waarin R' en R" onafhankelijk van elkaar waterstof, of een lineaire of vertakte Cx-C4-alkylgroep met of zonder 10 substituent(en), Rx en R2 onafhankelijk van elkaar waterstof, of een lineair of vertakt alkyl, cycloalkyl, alkoxyalkyl of cycloalkoxyalkyl met 1 tot en met 10 koolstof atomen met of zonder substituent(en), m een getal van tot en met 8, en de molverhouding x : y : z 15 (0,005-0,9) : (0,001-0,9) : (0,001-0,9) is. 1010935
12. Polymeer volgens conclusie 6 dat poly[3-hydroxy- propyl -5 -norborneen- 2 -carboxyl aat / tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat / 5-norborneen-2-carboxylzuur / maleinezuuranhydride], weergegeven door formule VII, is: 5 [FORMULE VII] /O /0 0=( 1=0 0=' 1=0 o=' 7=0 Ί Ί t — i *" <j«2 OH 10 1010935 ψ .
13. Polymeer volgens conclusie 6 dat poly[4-hydroxy-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat / tert-butyl-5-norborneen- 2-carboxylaat / 5-norborneen-2-carboxylzuur / maleinezuur-anhydride], weergegeven door formule VIII, is: 5 [FORMULE VIII] _ C=0 C=0 c=0 i- L Ah 1 k |h2 OH 1010935 * ·
14. Polymeer volgens conclusie 6 dat poly[3-hydroxy-propyl-5-norborneen-2-carboxylaat / tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat / monomethyl-cis-5-norborneen-endo-2,3-dicarboxylaat / maleïnezuuranhydride], weergegeven 5 door formule IX, is: FORMULE IX] 0=( 1=0 0=( j=0 0=r 7=0 ^ Tf c=o c=o o=c c=o I Tl i o ohoch3 — U 1 k ch2 OH 10
15. Werkwijze voor het bereiden van het polymeer volgens conclusie 6, omvattende de volgende stappen: 1> oplossen van (1) een bicycloalkeen verbinding 15 weergegeven door formule II, (2) een of meer bicycloalkeen verbindingen volgens formules Va-Vc, en (3) maleïnezuuranhydride volgens formule VI in een polymerisatieoplosmiddel; 2> toevoegen van een polymerisatie-initiator aan het 20 reactiemengsel van stap 1> en uitvoeren van de reactie onder stikstof- of argonatmosfeer; 3> precipiteren van het product van stap 2> uit ethylether of hexaan; en 4> filtreren en drogen van het precipitaat verkregen uit 25 stap 3> teneinde het polymeer volgens conclusie 6 te bereiden. i 1010935 [FORMULE II] (CH2)n N. O R' -(C)m-OH Al / R" 5 [FORMULE Va] (CH2)n O 10 —f [FORMULE Vb] 15 (CH2)n —°—R2 t 0 109 35 [FORMULE Vc] (CH2)n -CH3 II o 5 [FORMULE VI] r\ °=c >=° 10 0 1010935 » waarbij R' en R'1 onafhankelijk van elkaar waterstof, of een lineaire of vertakte C^-C^-alkylgroep met of zonder substituent(en); Rx een zuurgevoelige groep weergeeft omvattende tert-butyl, tetrahydropyranyl, tetrahydrofuranyl 5 en ethoxyethyl; R2 weergeeft waterstof, vertakt of lineair alkyl, cycloalkyl, alkoxyalkyl of cycloalkoxyalkyl met van 1 tot 10 koolstofatomen met of zonder substituent(en); m een getal van 1 tot en met 8, en n een getal van 1 tot en met 6 zijn. 10
16. Werkwijze voor het bereiden van een polymeer volgens conclusie 15, waarin de polymerisatie-initiator wordt gekozen uit de groep bestaande uit benzoylperoxide, 2,2'-azobisisobutyronitril (AIBN), acetylperoxide, 15 laurylperoxide, tert-butylperacetaat en di-tert-butylperoxide.
17. Werkwijze voor het bereiden van een polymeer volgens conclusie 15, waarin een of meer oplosmiddel(en) 20 gekozen uit de groep bestaande uitcyclohexanon, methylethylketon, benzeen, tolueen, dioxaan en dimethylformamide tetrahydrofuran afzonderlijk of als mengsel wordt (worden) gebruikt als polymerisatie-oplosmiddel. 25
18. Werkwijze voor het bereiden van een polymeer volgens conclusie 15, waarin poly[3-hydroxypropyl-5-norborneen-2-carboxylaat / tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat / 5-norborneen-2-carboxylzuur / 30 maleïnezuuranhydride] weergegeven in formule VII wordt bereid door 3-hydroxypropyl-5-norborneen-2-carboxylaat, tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat, 5-norborneen-2-carboxylzuur en maleïnezuur-anhydride in te zetten. 1010935 Γ * [FORMULE VII] _ η *? c=o 0=0 0=0 — i " Otl2 CH, CHj OH 5
19. Werkwijze voor het bereiden van een polymeer volgens conclusie 15, waarin poly[4-hydroxybutyl-5-norborneen-2-carboxylaat / tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat / 5-norborneen-2-carboxylzuur / 10 maleïnezuuranhydride] weergegeven in formule VIII wordt bereid door 4-hydroxybutyl-5-norborneen-2-carboxylaat, tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat, 5-norborneen-2-carboxylzuur en maleinezuur-anhydride in te zetten. 1010935 [FORMULE VIII] % __ ^ ^ c=o co co — i " Vri2 b (j:H2 ch2 OH
20. Werkwijze voor het bereiden van een polymeer volgens conclusie 15, waarin poly[3-hydroxypropyl-5-norborneen-2-carboxylaat / tert-butyl-5-norborneen-2-carboxylaat / monomethyl-cis-5-norborneen-endo-2,3-dicarboxylaat / maleïnezuuranhydride] weergegeven in 10 formule IX wordt bereid door 3-hydroxypropyl-5-norborneen- 2-carboxylaat, tert-butyl-5-norborneen-2 -carboxylaat, monomethyl-cis-5-norborneen-endo-2,3-dicarboxylaat en maleïnezuur-anhydride in te zetten. 1010935 • » * · [FORMULE IX] /O. 0= J=0 0= 1=0 0~\ l=0 ^ ^ Vf c=o c=o o=c c=o I II i 9 OHOCHj — k2 I L·. f, OH 5
21. Fotomaskersamenstelling omvattende (1) een polymeer gedefinieerd door conclusie 6, (2) een organisch oplos middel en (3) een fotozuurgenerator.
22. Fotomasker volgens conclusie 21, waarin het polymeer in een hoeveelheid tussen 10 en 30 gew.% aanwezig is gebaseerd op de hoeveelheid oplosmiddel.
23. Een fotomasker volgens conclusie 21, waarin het 15 organische oplosmiddel wordt gekozen uit de groep bestaande uit cyclohexanon, methyl-3-methoxypropionaat, ethyl-3-ethoxypropionaat, ethyllactaat, propyleenglycolmethyl-etheracetaat en mengsels daarvan.
24. Fotomasker volgens conclusie 21, waarin een oniumzout of een organisch sulfonzuur wordt gebruikt als de fotozuurgenerator.
25. Fotomasker volgens conclusie 21, waarin de 25 fotozuurgenerator aanwezig is in een hoeveelheid tussen 0,01 en 10 gew.% gebaseerd op de hoeveelheid polymeer. 1010935 * % » >
26. Werkwijze voor het bereiden van een fotomasker-samenstelling volgens conclusie 21, omvattende de volgende stappen: 5 1> oplossen van het polymeer gedefinieerd door meer dan een van de verbindingen volgens conclusie 6 in een organisch oplosmiddel; 2> toevoegen van een fotozuurgenerator aan het mengsel van stap 1>; en 10 3> roeren en filtreren van het reactiemengsel van stap 2> teneinde de fotomaskersamenstelling te vormen.
27. Werkwijze voor het bereiden van een fotomaskersamenstelling volgens conclusie 26, waarin het polymeer uit 15 stap 1> gebruikt wordt in een hoeveelheid tussen 10 en 30 gew.% gebaseerd op de hoeveelheid organisch oplosmiddel.
28. Werkwijze voor het bereiden van een fotomaskersamenstelling volgens conclusie 26, waarin het organische 20 oplosmiddel uit stap 1> wordt gekozen uit de groep bestaande uit cyclohexanon, methyl-3-methoxypropionaat, ethyl-3-ethoxypropionaat, ethyllactaat, propyleenglycol-methyletheracetaat en mengsels daarvan.
29. Werkwijze voor het bereiden van een fotomasker samenstelling volgens conclusie 26, waarin een oniumzout of een organisch sulfonzuur wordt gebruikt als de fotozuurgenerator in stap 2>. 1010335 ’ * » .
30. Werkwijze voor het bereiden van een fotomasker-samenstelling volgens conclusie 26, waarin de fotozuur-generator in stap 2> aanwezig is in een hoeveelheid tussen 0,01 en 10 gew.% gebaseerd op de hoeveelheid polymeer. 5
31. Halfgeleiderelement gevormd door gebruik te maken van een fotomaskersamenstelling volgens conclusie 21. 1010935
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970081403A KR100520148B1 (ko) | 1997-12-31 | 1997-12-31 | 신규한바이시클로알켄유도체와이를이용한포토레지스트중합체및이중합체를함유한포토레지스트조성물 |
| KR19970081403 | 1997-12-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL1010935A1 NL1010935A1 (nl) | 1999-07-01 |
| NL1010935C2 true NL1010935C2 (nl) | 1999-10-28 |
Family
ID=19530560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL1010935A NL1010935C2 (nl) | 1997-12-31 | 1998-12-31 | Halfgeleiderinrichting gebruikmakend van een polymeerbevattend fotomasker, en wijze voor de bereiding ervan. |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6312865B1 (nl) |
| JP (1) | JP4183815B2 (nl) |
| KR (1) | KR100520148B1 (nl) |
| CN (1) | CN1129166C (nl) |
| DE (1) | DE19860767A1 (nl) |
| FR (1) | FR2773152B1 (nl) |
| GB (1) | GB2332902B (nl) |
| IT (1) | IT1305110B1 (nl) |
| NL (1) | NL1010935C2 (nl) |
| TW (1) | TW432255B (nl) |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6808859B1 (en) * | 1996-12-31 | 2004-10-26 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | ArF photoresist copolymers |
| KR100520148B1 (ko) | 1997-12-31 | 2006-05-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규한바이시클로알켄유도체와이를이용한포토레지스트중합체및이중합체를함유한포토레지스트조성물 |
| JP3587743B2 (ja) | 1998-08-26 | 2004-11-10 | 株式会社ハイニックスセミコンダクター | フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および、半導体素子。 |
| US6569971B2 (en) * | 1998-08-27 | 2003-05-27 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Polymers for photoresist and photoresist compositions using the same |
| KR100634973B1 (ko) | 1999-04-09 | 2006-10-16 | 센쥬긴소쿠고교가부시키가이샤 | 솔더볼 및 솔더볼의 피복방법 |
| KR100682169B1 (ko) * | 1999-07-30 | 2007-02-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규의 포토레지스트용 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트조성물 |
| KR100647379B1 (ko) * | 1999-07-30 | 2006-11-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물 |
| KR100647380B1 (ko) * | 1999-07-30 | 2006-11-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물 |
| KR100520180B1 (ko) * | 1999-08-31 | 2005-10-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트의 노광후 지연 안정성을 확보하기 위한 첨가제 |
| KR100546105B1 (ko) * | 1999-11-03 | 2006-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규의 포토레지스트용 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 |
| EP1127870B1 (en) * | 2000-02-26 | 2003-11-05 | Shipley Company LLC | Novel monomers, polymers, methods of synthesis thereof and photoresist compositions |
| US6277683B1 (en) * | 2000-02-28 | 2001-08-21 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method of forming a sidewall spacer and a salicide blocking shape, using only one silicon nitride layer |
| JP5218713B2 (ja) | 2000-07-28 | 2013-06-26 | 住友ベークライト株式会社 | 光学導波管を形成するためのポリマー組成物；それらから形成される光学導波管；およびそれを作製するための方法 |
| JP4469080B2 (ja) * | 2000-12-13 | 2010-05-26 | 信越化学工業株式会社 | 脂環構造を有する新規第三級アルコール化合物 |
| KR20030057948A (ko) * | 2001-12-29 | 2003-07-07 | 삼성전자주식회사 | 히드록시 그룹을 구비하는 불소치환 알킬 노르보넨카르복실산 에스테르 모노머를 포함하는 감광성 폴리머 및이를 포함하는 레지스트 조성물 |
| WO2003080688A1 (en) * | 2002-03-19 | 2003-10-02 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | A novel process for producing anhydride-containing polymers for radiation sensitive compositions |
| US6833325B2 (en) * | 2002-10-11 | 2004-12-21 | Lam Research Corporation | Method for plasma etching performance enhancement |
| US7169695B2 (en) * | 2002-10-11 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Method for forming a dual damascene structure |
| US7977390B2 (en) | 2002-10-11 | 2011-07-12 | Lam Research Corporation | Method for plasma etching performance enhancement |
| US7674847B2 (en) * | 2003-02-21 | 2010-03-09 | Promerus Llc | Vinyl addition polycyclic olefin polymers prepared with non-olefinic chain transfer agents and uses thereof |
| KR100947702B1 (ko) * | 2003-02-26 | 2010-03-16 | 삼성전자주식회사 | 경화성 작용기로 표면수식된 탄소나노튜브를 이용한패턴박막 형성방법 및 고분자 복합체의 제조방법 |
| US6916746B1 (en) * | 2003-04-09 | 2005-07-12 | Lam Research Corporation | Method for plasma etching using periodic modulation of gas chemistry |
| US7294580B2 (en) * | 2003-04-09 | 2007-11-13 | Lam Research Corporation | Method for plasma stripping using periodic modulation of gas chemistry and hydrocarbon addition |
| US7081407B2 (en) * | 2003-12-16 | 2006-07-25 | Lam Research Corporation | Method of preventing damage to porous low-k materials during resist stripping |
| US7575789B2 (en) * | 2003-12-17 | 2009-08-18 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Coated pipes for conveying oil |
| US7396769B2 (en) * | 2004-08-02 | 2008-07-08 | Lam Research Corporation | Method for stripping photoresist from etched wafer |
| US6969570B1 (en) | 2004-10-26 | 2005-11-29 | Kodak Polychrome Graphics, Llc | Solvent resistant imageable element |
| BRPI0516902B1 (pt) * | 2004-11-24 | 2018-10-09 | Du Pont | tubulação para o transporte de meios fluidos e processo para a formação de uma superfície não-aderente |
| US7491647B2 (en) * | 2005-03-08 | 2009-02-17 | Lam Research Corporation | Etch with striation control |
| US7241683B2 (en) * | 2005-03-08 | 2007-07-10 | Lam Research Corporation | Stabilized photoresist structure for etching process |
| KR20060107250A (ko) * | 2005-04-08 | 2006-10-13 | 주식회사 코오롱 | 감광성 수지조성물 및 이로부터 얻어진 드라이필름포토레지스트 |
| KR100732301B1 (ko) * | 2005-06-02 | 2007-06-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 중합체, 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한반도체 소자의 제조 방법 |
| US7910489B2 (en) * | 2006-02-17 | 2011-03-22 | Lam Research Corporation | Infinitely selective photoresist mask etch |
| US7716813B2 (en) * | 2006-12-05 | 2010-05-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for fabricating magnetic write pole for a magnetic head using an E-beam resist mask |
| JP5070109B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2012-11-07 | 富士フイルム株式会社 | 環状オレフィン系重合体、それを用いた光学材料、偏光板および液晶表示装置 |
| US8541523B2 (en) * | 2010-04-05 | 2013-09-24 | Promerus, Llc | Norbornene-type polymers, compositions thereof and lithographic process using such compositions |
| US9550846B2 (en) * | 2013-03-13 | 2017-01-24 | The Curators Of The University Of Missouri | Flexible to rigid nanoporous polyurethane-acrylate (PUAC) type materials for structural and thermal insulation applications |
| TWI683852B (zh) | 2017-12-29 | 2020-02-01 | 財團法人工業技術研究院 | 組成物、包含其之絕緣材料及其製法 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3715330A (en) * | 1970-05-20 | 1973-02-06 | Asahi Chemical Ind | Self-thermoset unsaturated polyesters and method for preparation thereof |
| JPS5628257B2 (nl) | 1973-09-27 | 1981-06-30 | ||
| US4106943A (en) | 1973-09-27 | 1978-08-15 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Photosensitive cross-linkable azide containing polymeric composition |
| US4202955A (en) | 1975-12-16 | 1980-05-13 | Borg-Warner Corporation | Copolymers of cyclic conjugated dienes and maleic anhydride |
| US4440850A (en) * | 1981-07-23 | 1984-04-03 | Ciba-Geigy Corporation | Photopolymerisation process with two exposures of a single layer |
| US4491628A (en) | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
| US4571375A (en) * | 1983-10-24 | 1986-02-18 | Benedikt George M | Ring-opened polynorbornene negative photoresist with bisazide |
| US4948856A (en) | 1987-05-22 | 1990-08-14 | B. F. Goodrich Company | Homogeneous addition copolymers of ethylene and cycloolefin monomers and method for producing same |
| DE3721741A1 (de) | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien |
| US5212043A (en) | 1988-02-17 | 1993-05-18 | Tosho Corporation | Photoresist composition comprising a non-aromatic resin having no aromatic structures derived from units of an aliphatic cyclic hydrocarbon and units of maleic anhydride and/or maleimide and a photosensitive agent |
| US5252427A (en) | 1990-04-10 | 1993-10-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Positive photoresist compositions |
| JP3000745B2 (ja) * | 1991-09-19 | 2000-01-17 | 富士通株式会社 | レジスト組成物とレジストパターンの形成方法 |
| JP3208602B2 (ja) * | 1992-06-30 | 2001-09-17 | 富士通株式会社 | α，β−不飽和ニトリルを有する脂環式多環族とメタクリレート誘導体との共重合体 |
| DE69624968T2 (de) | 1995-04-21 | 2003-11-06 | Arch Spec Chem Inc | Vernetzte Polymere |
| US5705503A (en) | 1995-05-25 | 1998-01-06 | Goodall; Brian Leslie | Addition polymers of polycycloolefins containing functional substituents |
| AU725653B2 (en) * | 1996-03-07 | 2000-10-19 | B.F. Goodrich Company, The | Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups |
| US5843624A (en) | 1996-03-08 | 1998-12-01 | Lucent Technologies Inc. | Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
| KR100245410B1 (ko) * | 1997-12-02 | 2000-03-02 | 윤종용 | 감광성 폴리머 및 그것을 이용한 화학증폭형 레지스트 조성물 |
| KR100261022B1 (ko) | 1996-10-11 | 2000-09-01 | 윤종용 | 화학증폭형 레지스트 조성물 |
| KR19980037970A (ko) * | 1996-11-22 | 1998-08-05 | 김광호 | ArF 엑시머 레이저용 베이스 레진 및 레지스트 조성물 |
| KR100265597B1 (ko) * | 1996-12-30 | 2000-09-15 | 김영환 | Arf 감광막 수지 및 그 제조방법 |
| KR100220953B1 (ko) * | 1996-12-31 | 1999-10-01 | 김영환 | 아미드 또는 이미드를 도입한 ArF 감광막 수지 |
| KR100225956B1 (ko) * | 1997-01-10 | 1999-10-15 | 김영환 | 아민을 도입한 에이알에프 감광막 수지 |
| KR100195583B1 (ko) * | 1997-04-08 | 1999-06-15 | 박찬구 | 양성 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물 |
| KR100252217B1 (ko) * | 1997-05-03 | 2000-06-01 | 윤종용 | 반도체장치의 제조를 위한 원자외선 노광용 포토레지스트 조성용 구조제 수지와 그 제조방법 및 그 구조제 수지를 포함하는 원자외선 노광용 포토레지스트 조성물 |
| KR100240024B1 (ko) * | 1997-05-08 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체장치의 제조를 위한 원자외선 노광용 포토레지스트 조성용 구조제 수지와 그 제조방법 및 그 구조제 수지를 포함하는 원자외선 노광용 포토레지스트 조성물 |
| KR100252546B1 (ko) * | 1997-11-01 | 2000-04-15 | 김영환 | 공중합체 수지와 포토레지스트 및 그 제조방법 |
| KR100321080B1 (ko) | 1997-12-29 | 2002-11-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트 |
| KR100520148B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2006-05-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규한바이시클로알켄유도체와이를이용한포토레지스트중합체및이중합체를함유한포토레지스트조성물 |
| KR100301053B1 (ko) * | 1998-09-21 | 2001-09-22 | 윤종용 | 화학증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체 및 이를 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물 |
| US6048664A (en) * | 1999-03-12 | 2000-04-11 | Lucent Technologies, Inc. | Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
-
1997
- 1997-12-31 KR KR1019970081403A patent/KR100520148B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-12-15 TW TW087120805A patent/TW432255B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-12-18 GB GB9828031A patent/GB2332902B/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-24 JP JP36751898A patent/JP4183815B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-29 FR FR9816563A patent/FR2773152B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-30 US US09/223,510 patent/US6312865B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-30 IT IT1998TO001115A patent/IT1305110B1/it active
- 1998-12-30 DE DE19860767A patent/DE19860767A1/de not_active Withdrawn
- 1998-12-31 CN CN98126743A patent/CN1129166C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-31 NL NL1010935A patent/NL1010935C2/nl not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-08-21 US US09/934,369 patent/US6632903B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010053834A1 (en) | 2001-12-20 |
| FR2773152B1 (fr) | 2004-09-10 |
| JPH11286469A (ja) | 1999-10-19 |
| GB9828031D0 (en) | 1999-02-10 |
| NL1010935A1 (nl) | 1999-07-01 |
| DE19860767A1 (de) | 1999-07-15 |
| FR2773152A1 (fr) | 1999-07-02 |
| CN1129166C (zh) | 2003-11-26 |
| IT1305110B1 (it) | 2001-04-10 |
| CN1221969A (zh) | 1999-07-07 |
| GB2332902A (en) | 1999-07-07 |
| KR19990061148A (ko) | 1999-07-26 |
| ITTO981115A0 (it) | 1998-12-30 |
| US6312865B1 (en) | 2001-11-06 |
| JP4183815B2 (ja) | 2008-11-19 |
| TW432255B (en) | 2001-05-01 |
| GB2332902B (en) | 2003-03-26 |
| ITTO981115A1 (it) | 2000-06-30 |
| US6632903B2 (en) | 2003-10-14 |
| KR100520148B1 (ko) | 2006-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL1010935C2 (nl) | Halfgeleiderinrichting gebruikmakend van een polymeerbevattend fotomasker, en wijze voor de bereiding ervan. | |
| US6808859B1 (en) | ArF photoresist copolymers | |
| NL1007939C2 (nl) | Werkwijze en inrichting waarin ArF fotoresist wordt gebruikt. | |
| NL1010914C2 (nl) | Copolymere hars, bereiding daarvan en fotolak die daar gebruik van maakt. | |
| KR101296989B1 (ko) | 산 발생제로서 적합한 수지 및 그를 함유하는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물 | |
| KR101382727B1 (ko) | 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물 | |
| KR101416035B1 (ko) | 산 발생제용으로 적합한 염 및 이를 함유하는 화학 증폭형포지티브 내식막 조성물 | |
| TWI439804B (zh) | 化學增幅型阻劑組成物 | |
| KR101244093B1 (ko) | 화학 증폭 포지티브 레지스트 조성물, (메트)아크릴레이트유도체 및 그의 제조 방법 | |
| TWI437364B (zh) | 化學放大型阻劑組成物 | |
| KR101547568B1 (ko) | 산 발생제에 적합한 염 및 이를 함유한 화학 증폭형포지티브 레지스트 조성물 | |
| JP5478115B2 (ja) | フォトレジスト用重合体及びその組成物 | |
| KR101101664B1 (ko) | 화학 증폭형 포지티브 레지스트 조성물 및 이의 수지 | |
| US6235447B1 (en) | Photoresist monomers, polymers thereof, and photoresist compositions containing the same | |
| US8062829B2 (en) | Chemically amplified resist composition and chemically amplified resist composition for immersion lithography | |
| US6586619B2 (en) | Photoresist monomer having hydroxy group and carboxy group, copolymer thereof and photoresist composition using the same | |
| JP5478106B2 (ja) | フォトレジスト用重合体及びその組成物 | |
| US6165672A (en) | Maleimide or alicyclic olefin-based monomers, copolymer resin of these monomers and photoresist using the resin | |
| US6291131B1 (en) | Monomers for photoresist, polymers thereof, and photoresist compositions using the same | |
| KR100354871B1 (ko) | 공중합체수지와그제조방법및이수지를이용한포토레지스트 | |
| TWI507815B (zh) | 化學放大正型光阻組成物 | |
| KR101455619B1 (ko) | 화학 증폭형 포지티브 레지스트 조성물 | |
| KR100504290B1 (ko) | 포토레지스트용 옥소옥사알카노노르보넨 함유 공중합체 및그를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AD1B | A search report has been drawn up | ||
| PD2B | A search report has been drawn up | ||
| MM | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20160101 |