FR2773152A1 - Dispositif semi-conducteur utilisant un photoresist contenant un polymere, et procede de fabrication de celui-ci - Google Patents
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Abstract
L'invention se rapporte à un dispositif semi-conducteur utilisant un photorésist contenant un polymère, et à un procédé pour fabriquer celui-ci.Le monomère de l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend un nouveau dérivé bicycloalcène représenté par la formule chimique II où R' et R" représentent indépendamment l'hydrogène, ou un groupe alkyle linéaire ou ramifié en C1 à C4 avec ou sans substituant (s), m représente un nombre de 1 à 8, et n représente un nombre de 1 à 6.Le monomère de l'invention trouve application dans la fabrication d'un polymère et d'un photorésist pour fabriquer un dispositif semi-conducteur.
Description
La présente invention se rapporte à un dispositif semi-conducteur
utilisant un photorésist et à un procédé pour fabriquer celui-ci. Plus spécifiquement, elle se rapporte à un polymère utilisable pour un procédé de lithographie utilisant une source de lumière à longueur d'onde ultra courte, telle que KrF (248 nm), ArF (193 nm), des rayons X, un faisceau d'ions et un faisceau E qui y est attendu être appliqué dans un DRAM 1G ou 4G ou d'autres circuits hautement intégrés, dans lequel un nouveau monomère norbornène est introduit dans la chaine de squelette d'un polymère; à un procédé pour fabriquer
celui-ci; et à un photorésist contenant ce polymère.
Divers types de photorésists ont été utilisés ou proposés. Ces résists doivent avoir une variété de caractéristiques ou propriétés souhaitables. En général tous ou pratiquement tous ces résists doivent avoir une résistance à la gravure, une adhésivité avec une faible absorption de lumière à une longueur d'onde de 193 nm pour ArF. Additionnellement, les résists doivent être
développables en utilisant une solution de tétraméthyl-
ammonium hydroxyde (TMAH) aqueuse à 2,38% en poids. Il est, cependant, difficile de synthétiser un polymère
satisfaisant une ou toutes ces propriétés.
De nombreuses recherches ont été focalisées sur des études sur une résine du type norbolaque en tant que résine pour augmenter la transparence à une longueur
d'onde de 193 nm et augmenter la résistance à la gravure.
En tant que purement un exemple, les laboratoires "Bell Labs" ont essayé d'introduire une unité alicyclique dans la chaîne de squelette d'un copolymère de façon à augmenter sa résistance à la gravure. Une résine de copolymère dans laquelle la chaîne de squelette a un substituant norbornène, acrylate et anhydride maléique, comme représenté par la formule chimique I a été suggérée:
[FORMULE I]
A OH
O C=O c=o Dans la résine de polymère de formule I, la portion anhydride maléique (portion A) a été utilisée pour
polymériser le groupe oléfine alicyclique.
La portion anhydride maléique est soluble dans une solution de TMAH aqueuse à 2,38% même si elle n'est pas
exposée, et ainsi la portion y ayant un substituant tert-
butyle doit être fortement augmentée de façon à prévenir la dissolution. Mais, l'augmentation de la portion y provoque une diminution relative de la portion z, qui augmente la sensibilité et l'adhésivité avec le substrat, pour provoquer un désavantage en ce que le photorésist est enlevé de la tranche lors de la mise en motif pratique. Ainsi, un motif efficace ne peut pas être formé sans utiliser séparément un agent de contrôle de la solubilité, et même si un motif est formé en utilisant un agent de contrôle de la solubilité, l'adhésivité est trop
faible pour être appliquée à une mise en motif pratique.
Dans de telles circonstances, les laboratoires Bell Labs ont tenté de résoudre les problèmes ci-dessus mentionnés en utilisant un agent de contrôle de solubilité du type cholestérol et en employant un résist
à deux composants comprenant un polymère d'une cyclo-
oléfine et d'anhydride maléique.
Cependant, dans ce cas, une très grande quantité (environ 30% en poids sur la base du polymère) de l'agent de contrôle de solubilité doit être utilisée, et ainsi le polymère de la structure moléculaire ci- dessus a basiquement une reproductibilité trop faible et un coût trop élevé pour être utilisé en tant que polymère pour un photorésist. A partir de ce qui précède, on voit qu'une résine de photorésist améliorée qui soit efficace en coût, facile à fabriquer, et qui a d'autres propriétés
désirables est clairement désirée.
Les présents inventeurs ont effectué des études intensives pour surmonter les limitations ci-dessus rencontrées dans les résines conventionnelles, et comme résultat, ils ont pu synthétiser de nouveaux dérivés de norbornène ayant un (des) groupe (s) hydrophile (s). Dans un mode de réalisation spécifique, la présente invention fournit une méthode utilisant une étape d'introduction du monomère dans la chaine de squelette du polymère pour développer un polymère ayant une excellente résolution en raison de l'augmentation importante de la résistance
adhésive par l'introduction d'un groupe hydrophile (-OH).
La présente méthode donne un photorésist ayant d'excellentes résistance à la gravure et résistance thermique qui sont les caractéristiques des oléfines alicycliques. De nombreux bénéfices ou avantages sont atteints au moyen de la présente invention par rapport aux techniques conventionnelles. Dans un mode de réalisation spécifique, la présente invention fournit un monomère comprenant un nouveau dérivé de norbornène représenté par la formule II suivante:
[FORMULE II]
R' (CH2)n C 0
C-0- O(C)-, OH
1 "
R"1 o, R' et R" représentent indépendamment un hydrogène, un groupe alkyle en C1 à C4 linéaire ou ramifié avec ou sans substituant, m représente un nombre de 1 à 8 et n représente un nombre de 1 à 6, et un procédé pour préparer celui-ci. Dans un autre mode de réalisation, la présente invention fournit un polymère pour un photorésist comprenant des composés bicycloalcènes représentés par les formules chimiques II et V, et de l'anhydride maléique de formule chimique VI, et un procédé pour
préparer celui-ci.
Dans un mode de réalisation supplémentaire, la présente invention fournit un polymère pour un photorésist représenté par la formule III ou IV, qui comprend un (des) composé(s) bicycloalcène(s) et de
l'anhydride maléique, et un procédé pour préparer celui-
ci.
[FORMULE III]
0 000 0 0
C=O CO ==O
Ré (R'-4R") R2
OH
[FORMULE IV]
W W W0
C=O C=O C= O=
I 0= I
O O O OCH3
R1 (R L--R R) R2
R1
OH
Dans la formule, R' et R" représentent indépendamment un hydrogène, ou un groupe alkyle en Ci à C4 linéaire ou ramifié avec ou sans substituant, Ri et R2 représentent indépendamment un hydrogène, un alkyle linéaire ou ramifié, un cycloalkyle, un alcoxyalkyle ou un cycloalcoxyalkyle ayant 1 à 10 atomes de carbone avec ou sans substituant(s) m représente un nombre de 1 à 8, et le rapport x:y:z est (0 - 99%): (0 - 99%): (O - 99%) [à condition que x soit 0, 005 à 0,9 partie par mole, et y et z soient 0,001 - 0,9 partie par mole, respectivement,
dans le cas de la formule IV].
Dans encore un mode de réalisation supplémentaire, la présente invention fournit un polymère pour un photorésist qui comprend des composés bicycloalcènes représentés par les formules II et v, et de l'anhydride maléique représenté par la formule VI, et un photorésist formé en utilisant un polymère représenté par la formule III, IV, VII ou IX, et un procédé pour fabriquer le
photorésist.
[FORMULE V]
(CH2)n -R
C-0O R
[FORMULE VI]
A lO Toujours de plus, la présente invention fournit un polymère pour un photorésist. Le polymère inclut une variété d'éléments tels que des composés bicycloalcènes représentés par les formules II et V, et de l'anhydride maléique représenté par la formule VI, et un procédé pour former un motif de photorésist par l'utilisation du photorésist formé avec le polymère représenté par la
formule III, IV, VII, VIII ou IX.
De plus, la présente invention fournit un polymère pour un photorésist. Le présente polymère inclut une variété d'éléments tels que des composés bicycloalcènes représentés par les formules II et V, et de l'anhydride maléique représenté par la formule VI, et un dispositif semi-conducteur utilisant le photorésist formé par le polymère représenté par la formule III, IV, VII, VIII ou IX.
[FORMULE VII]
C=O C=O C=O
i I
+ I OH
CH2 ClH2 CH2 OH
[FORMULE VII I]
C=O C=O
O 5 OH
0
CH2 CH2 CH2 CiH2
OH
[FORMULE IX]
0 - 0
00 _0
C=O1=0 o=c C=o O lOH OCH3 CH2 clCl H2 CH2 CH2
OH
La présente invention sera décrite plus en détail ci-après en référence à la figure 1 qui illustre les
données RMN du polymère préparé à l'exemple 9.
Parmi les composés bicycloalcènes représentés par la formule II, les composés préférables sont le 3- hydroxypropyl 5-norbornène-2- carboxylate, le 4-hydroxy
butyl 5-norbornène-2-carboxylate, le 5-hydroxypentyl 5-
norbornène-2-carboxylate, le 6-hydroxyhexyl 5-norbornène-
2-carboxylate, le 7-hydroxyheptyl 5-norbornène-2-carbo-
xylate, le 8-hydroxyoctyl 5-norbornène-2-carboxylate ou analogues. Les dérivés bicycloalcènes (formule II) selon la présente invention peuvent être préparés par réaction d'hydroxyalkyl acrylate avec du cyclopentadiène en
présence de tétrahydrofurane.
L'hydroxyalkyl acrylate est de préférence
sélectionné dans le groupe consistant en le 3-hydroxy-
propyl acrylate, le 4-hydroxybutyl acrylate, le 5-
hydroxypentyl acrylate, le 6-hydroxyhexyl acrylate, le 7-
hydroxyheptyl acrylate et le 8-hydroxyoctyl acrylate.
Le polymère selon la présente invention (formule III ou IV) peut être préparé par polymérisation des composés bicycloalcènes représentés par les formules chimiques II et V et de l'anhydride maléique représenté par la formule VI en présence d'un initiateur de polymérisation. Les bicycloalcènes préférables à utiliser pour les polymères pour photorésist selon la présente invention peuvent être un ou plus composés sélectionnés dans le groupe consistant en des bicycloalcènes représentés par la formule V dans laquelle R est un hydrogène ou un groupe tert-butyle, et les bicycloalcènes représentés par la formule II dans laquelle m vaut 3 et R' et R" sont un hydrogène. Plus préférablement, les bicycloalcènes pour les polymères selon la présente invention sont sélectionnés
dans le groupe consistant en le 3-hydroxypropyl 5-
norbornène-2-carboxylate, le tert-butyl 5-norbornène-2-
carboxylate, l'acide 5-norbornène-2-carboxylique, le 3-
hydroxypropyl bicyclo [2,2,2]oct-5-ène-3-carboxylate, le tertbutylbicyclo[2,2,2-oct-2-ène-carboxylate et l'acide bicyclo[2,2, 2]oct-5-ène-2-carboxylique. Parmi les polymères selon la présente invention, les polymères préparés à partir du bicycloalcène représenté par la formule V dans laquelle R est un hydrogène ou un tert-butyle et n vaut 1, le bicycloalcène représenté par la formule II dans laquelle R' et R"' sont un hydrogène et m vaut 3 [c'est-à-dire, un ou plus bicycloalcènes sélectionnés dans le groupe
consistant en le 3-hydroxypropyl 5-norbornène-2-
carboxylate, le tert-butyl 5-norbornène-2-carboxylate et l'acide 5norbornène-2-carboxylique], et l'anhydride maléique représenté par la formule VI sont
particulièrement préférables.
Les polymères selon la présente invention peuvent être préparés par un procédé de polymérisation conventionnel tel qu'une polymérisation en masse ou une polymérisation en solution. Les initiateurs de polymérisation utilisables dans la présente invention
incluent le benzoyl peroxyde, le 2,2'-azobisisobuty-
ronitrile (AIBN), l'acétyl peroxyde, le lauryl peroxyde, le tert-butyl peracétate, le di-tert-butyl peroxyde, ou analogues. En tant que solvant, la cyclohexanone, la méthyl éthyl cétone, le benzène, le toluène, le dioxane, le diméthylformamide et/ou le tétrahydrofurane peuvent être
utilisés individuellement, ou en mélange.
Dans le procédé pour préparer les polymères selon la présente invention, la condition de polymérisation générale incluant la température et la pression de la polymérisation radicalaire peut être contrôlée selon la propriété des réactants, mais il est préférable de mettre en oeuvre la réaction de polymérisation à une température
entre 60 et 200 C pendant 4 à 24 heures.
Les polymères représentés par la formule III ou IV selon la présente invention ont un poids moléculaire de 3000 à 100 000, et peuvent être utilisés dans un procédé de lithographie en utilisant une lumière de longueur d'onde ultracourte telle qu'une source de lumière KrF ou ArF, des rayons X, un faisceau d'ion ou un faisceau E,
qui est attendu être appliqué à un DRAM 1G ou 4G.
Les polymères selon la présente invention peuvent être utilisés dans la formation d'une micro-image positive en préparant une solution de photorésist dans laquelle le polymère est mélangé avec un solvant organique et un générateur d'acide inorganique conventionnel selon un procédé conventionnel pour
préparer une composition de photorésist.
Dans le procédé pour former le motif de photorésist de l'élément semiconducteur, la quantité de polymère selon la présente invention dépend du solvant organique ou du générateur d'acide inorganique utilisé, et de la condition de la lithographie, mais conventionnellement elle est d'environ 10 à 30% en poids sur la base du solvant organique utilisé dans la préparation du photorésist. Le procédé pour former un motif de photorésist d'un élément semi-conducteur en utilisant le polymère selon la présente invention est décrit en détail ci-après: Le polymère selon la présente invention est dissous dans de la cyclohexanone, du méthyl 3-méthoxypropionate, de l'éthyl 3- éthoxypropionate, de l'éthyl lactate ou de propylène glycol méthyl éther acétate à une concentration de 10 à 30% en poids. Un sel onium ou un acide sulfonique organique en tant que générateur d'acide inorganique (0,01 à 10% en poids sur la base du polymère) est incorporé à la solution, et le mélange est ensuite filtré à travers un filtre ultra-micronique pour préparer une
solution de photorésist.
En tant que générateur d'acide inorganique, du triphénylsulfonium triplate, du dibutylnaphthylsulfonium l1 triplate, du 2,6diméthylphénylsulfonate, du bis(arylsulfonyl)-diazométhane, de l'oxime sulfonate et du 1,2-diazonaphthoquinon-4-sulfonate peut être mentionné. Ensuite, la solution de photorésist est revêtue par centrifugation sur une tranche de silicium pour former un film fin, qui est ensuite précuit dans une étuve à 80 à C ou sur une plaque chaude pendant 1 à 5 minutes, exposée à une lumière en utilisant un appareil d'exposition à un ultraviolet lointain ou un appareil d'exposition à un laser excimer, et post-cuit dans une étuve à une température entre 100 C et 200 C ou sur une
plaque chaude pendant 1 seconde à 5 minutes.
La tranche exposée est imprégnée dans une solution de TMAH aqueuse à 2, 38% pendant 30 secondes à 1,5 minutes
pour obtenir un motif de photorésist positif ultra-
micronique. Les synthèses des nouveaux dérivés de norbornène selon la présente invention, les synthèses des polymères utilisant les dérivés, la fabrication du photorésist comprenant les polymères, et le procédé pour former des micro-motifs dans un dispositif semi- conducteur sont
décrits en détail en se référant à des exemples.
Une meilleure compréhension de la présente invention peut être obtenue à la lumière des exemples suivants, qui sont donnés pour illustrer, mais ne sont
pas à considérer comme limitant, la présente invention.
(SYNTHESE DES DERIVES DE NORBONENE)
Exemple 1:
Synthèse du 3-hydroxypropyl 5-norbornène-2-
carboxylate Dans un réacteur, du cyclopendatiène (66 g) et un solvant tétrahydrofurane (500 g) ont été chargés, et le mélange a été agité de façon homogène. Au mélange réactionnel, du 3-hydroxypropyl acrylate (130 g) a été ajouté, le mélange résultant a été agité à une température entre -30 C et 60 C pendant environ 10 heures
pour mettre en oeuvre la réaction.
Lorsque la réaction était complète, le solvant a été éliminé en utilisant un évaporateur rotatif, et le résidu a été distillé sous pression réduite pour obtenir
168 g (rendement: 86%) de 3-hydroxypropyl 5-norbornène-
2-carboxylate.
EXEMPLE II
Synthèse du 4-hydroxybutyl 5-norbornène-2-
carboxylate La même procédure que celle décrite à l'Exemple I a été répétée sauf que du 4-hydroxybutyl acrylate (144 g) a été utilisé à la place du 3-hydroxypropyl acrylate pour
donner 178 g (rendement: 85%) de 4-hydroxybutyl 5-
norbornène-2-carboxylate.
EXEMPLE III
Synthèse du 5-hydroxypentyl 5-norbornène-2-
carboxylate La même procédure que celle décrite à l'Exemple I a été répétée sauf que du 5-hydroxypentyl acrylate (158 g) a été utilisé à la place du 3-hydroxypropyl acrylate pour
donner 190 g (rendement: 85%) de 5-hydroxypentyl 5-
norbornène-2-carboxylate.
EXEMPLE IV
Synthèse du 6-hydroxyfexyl 5-norbornène-2-
carboxylate La même procédure que celle décrite à l'Exemple I a été répétée sauf que du 6-hydroxyhexyl acrylate (172 g) a été utilisé à la place du 3-hydroxypropyl acrylate pour
donner 205 g (rendement: 86%) de 6-hydroxyhexyl 5-
norbornène-2-carboxylate.
EXEMPLE V
Synthèse du 7-hydroxyheptyl 5-norbornène-2- carboxylate La même procédure que celle décrite à l'Exemple I a été répétée sauf que du 7- hydroxyheptyl acrylate (186 g) a été utilisé à la place du 3- hydroxypropyl acrylate pour
donner 204 g (rendement: 81%) de 7-hydroxyheptyl 5-
norbornène-2-carboxylate.
EXEMPLE VI
Synthèse du 8-hydroxyoctyl 5-norbornène-2-
carboxylate La même procédure que celle décrite à l'Exemple 1 a été répétée sauf que du 8-hydroxyoctyl acrylate (200 g) a été utilisé à la place du 3-hydroxypropyl acrylate pour
donner 207 g (rendement: 78%) de 8-hydroxyoctyl 5-
norbornène-2-carboxylate.
(SYNTHESE DES COMPOSES BICYCLOALCENES)
EXEMPLE VII
Synthèse du tert-butyl 5-norbornène-2-carboxylate Dans un réacteur, du cyclopentadiène (66 g) et un solvant tétrahydrofurane (500 g) ont été chargés, et le mélange a été agité de façon homogène. Au mélange réactionnel du tert-butyl acrylate (128 g) a été ajouté et le mélange résultant a été agité à une température entre -30 C et 60 C pendant environ 10 heures pour mettre
en oeuvre la réaction.
Lorsque la réaction était complète, le solvant a été éliminé en utilisant un évaporateur rotatif, et le résidu a été distillé sous pression réduite pour obtenir
g (rendement: 90%) de tert-butyl 5-norbornène-2-
carboxylate.
EXEMPLE VIII
Synthèse de l'acide 5-norbornène-2-carboxylique Dans un réacteur, du cyclopentadiène (66 g) et un solvant tétrahydrofurane (500 g) ont été chargés et le
mélange a été agité de façon homogène.
Au mélange réactionnel, de l'acide acrylique (72 g) a été ajouté, et le mélange résultant a été agité à une température entre -30 C et 60 C pendant environ 10 heures
pour mettre en oeuvre la réaction.
Lorsque la réaction était complète, le solvant a été éliminé en utilisant un évaporateur rotatif, et le résidu a été distillé sous pression réduite pour obtenir
124 g (rendement: 90%) d'acide 5-norbornène-2-
carboxylique.
(SYNTHESE DES POLYMERES)
EXEMPLE IX
Synthèse du polymère poly [3-hydroxypropyl 5-
norbornène-2-carboxylate/tert-butyl 5-norbornène-2-
carboxylate/acide 5-norbornène-2-carboxylique/ anhydride maléique] (Formule VII) Dans du tétrahydrofurane, du benzène ou du toluène,
ont été dissous du 3-hydroxypropyl 5-norbornène-2-
carboxylate (0,05 - 0,8 mole), du tert-butyl 5-
norbornène-2-carboxylate (0,05 - 0,95 mole), de l'acide -norbornène-2carboxylique (0,01 - 0,3 mole) et de
l'anhydride maléique (1 mole).
Ensuite, du 2,2'-azobisisobutyronitrile (AIBN) (0,01 - 10 g), en tant qu'initiateur de polymérisation, a été ajouté à cela, et la réaction a été effectuée à une
température entre 60 C et 70 C pendant 4 à 24 heures.
Le produit brut ainsi obtenu a été précipité à partir d'éthyl éther ou d'hexane et le précipité a été filtré et séché sous pression réduite pour donner le
polymère poly[3-hydroxypropyl 5-norbornène-2-carboxy-
late/tert-butyl 5-norbornène-2-carboxylate/acide 5-
norbornène-2- carboxylique/anhydride maléique] représenté par la formule VII, dont les données RMN sont montrées en
figure 1 (rendement: >70%).
EXEMPLE X
Synthèse du polymère poly[4-hydroxybutyl 5-
norbornène-2-carboxylate/tert-butyl 5-norbornène-2-
carboxylate/acide 5-norbornène-2-carboxy-
lique/anhydride maléique] (Formule VIII) Dans du tétrahydrofurane, du benzène ou du toluène,
ont été dissous du 4-hydroxybutyl 5-norbornène-2-
carboxylate (0,05 - 0,8 mole), du tert-butyl 5-
norborr.ène-2-carboxylate (0,5 - 0,95 mole), de l'acide 5-
norbornène-2-carboxylique (0,01 - 0,3 mole) et de
l'anhydride maléique (1 mole).
Ensuite du 2,2'-azobisisobutyronitrile (AIBN) (0,01 - 10 g), en tant qu'initiateur de polymérisation, a été ajouté à cela, et la réaction a été effectuée à une
température entre 60 C et 70 C pendant 4 à 24 heures.
Le produit brut ainsi obtenu a été précipité à partir d'éthyl éther ou d'hexane et le précipité a été filtré et séché sous pression réduite pour donner le
polymère poly[4-hydroxybutyl 5-norbornène-2-carboxy-
late/tert-butyl 5-norbornène-2-carboxylate/acide 5-norbo-
nène-2-carboxylique/anhydride maléique] représenté par la
formule VIII (rendement: >70%).
EXEMPLE XI
Synthèse du polymère poly[3-hydroxypropyl 5-
norbornène-2-carboxylate/tert-butyl 5-norbornène-2-
carboxylate/ mono-méthyl cis-5-norbornène-endo-2,3-
dicarboxylate/anhydride maléique (Formule IX) Dans du tétrahydrofurane, du benzène ou du toluène
ont été dissous du 3-hydroxypropyl 5-norbornène-2-
carboxylate (0,05 - 0,8 mole), du tert-butyl 5-
norbornène-2-carboxylate (0,5 - 0,95 mole), du mono-
méthyl cis-5-norbornène-endo-2,3-dicarboxylate (0,01 -
0,3 mole) et de l'anhydride maléique (1 mole).
Ensuite, du 2,2'-azobisisobutyronitrile (AIBN) (0,01 - 10 g) en tant qu'initiateur de polymérisation, a été ajouté à cela, et la réaction a été effectuée à une
température entre 60 C et 70 C pendant 4 à 24 heures.
Le produit brut ainsi obtenu a été précipité à partir d'éthyl éther ou d'hexane, le précipité a été filtré et séché sous pression réduite pour donner le
polymère poly[3-hydroxypropyl 5-norbornène-2-carboxy-
late/tert-butyl 5-norbornène-2-carboxylate/mono-méthyl cis-5norbornène-endo-2,3-dicarboxylate/anhydride
maléique] représenté par la formule IX (rendement: 74%).
(PREPARATION DES PHOTORESISTS ET FORMATION DU
MOTIF)
EXEMPLE XII
Le polymère poly[3-hydroxypropyl 5-norbornène-2-
carboxylate/tert-butyl 5-norbornène-2-carboxylate/ acide norbornène-2carboxylique/anhydride maléique] (formule VII) (10 g) a été dissous dans du 3-méthoxyméthyl propionate (40 g, solvant), et du triphénylsulfonium triplate ou du dibutyl-naphthylsulfonium triplate (environ 0,01 à 1 g) en tant que générateur d'acide inorganique, ont été ajoutés à cela. Après agitation, le mélange a été filtré à travers un filtre de 0,1 imn pour donner un photorésist. Ensuite, le photorésist a été revêtu sur la surface d'une tranche. Après un traitement thermique, le photorésist a été développé par un procédé de photo-développement pour former un motif. Ainsi, un élément semi- conducteur ayant un motif perpendiculaire L/S avec une épaisseur du polymère de 0,6 im et une
largeur de 0,13 gm a été obtenu.
EXEMPLE XIII
Le polymère poly[3-hydroxypropyl 5-norbornène-2-
carboxylate/tert-butyl 5-norbornène-2-carboxylate/mono-
méthyl cis-5-norbornène-2-endo-2,3-
dicarboxylate/anhydride maléique] (formule IX) (10 g) a été dissous dans du 3-méthoxyméthyl propionate (40g, solvant) et du triphénylsulfonium triplate ou du dibutylnaphthyl-sulfonium triplate (environ 0,01 - 1 g) en tant que générateur d'acide inorganique, a été ajouté à cela. Après agitation, le mélange a été filtré à
travers un filtre de 0,1 im pour donner un photorésist.
Ensuite, le photorésist a été revêtu sur la surface d'une tranche. Après un traitement thermique, le photorésist a été développé par un procédé de photo-développement pour former un motif. Ainsi, un élément semiconducteur ayant un motif perpendiculaire L/S avec une épaisseur du polymère de 0,6 im et une largeur de 0,13 mn a été obtenu. Comme décrit ci-dessus, le photorésist formé en utilisant les polymères pour KrF ou ArF selon la présente invention a une excellente résistance à la gravure, résistance thermique et adhésivité, et est développable avec une solution de TMAH aqueuse à 2,38% en poids, de sorte que des résultats satisfaisants peuvent être obtenus au vu de la résolution du motif perpendiculaire L/S de 0,13 pm avec une épaisseur de résist de 0,6 pm, et
la profondeur d'une focalisation.
De nombreuses modifications et variations de la présente invention sont possibles à la lumière des enseignements ci-dessus. Donc, on doit comprendre que
dans l'étendue des revendications annexées, l'invention peut être mise en pratique autrement que spécifiquement décrit.5
Claims (18)
1.Monomère caractérisé en ce qu'il comprend un nouveau dérivé bicycloalcène représenté par la formule chimique II suivante:
[FORMULE II]
R' (CH2)n R" o, R' et R" représentent indépendamment un hydrogène, ou un groupe alkyle en C1 à C4 linéaire ou ramifié avec ou sans substituant (s), m représente un nombre de 1 à 8, et
n représente un nombre de 1 à 6.
2. Monomère selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est sélectionné dans le groupe consistant en
le 3-hydroxy-propyl 5-norbornène-2-carboxylate, le 4-
hydroxybutyl 5-norbornène 2-carboxylate, le 5-
hydroxypentyl 5-norbornène-2-carboxylate, le 6-
hydroxyhéxyl 5-norbornène-2-carboxylate, le 7-
hydroxyheptyl 5-norbornène-2-carboxylate et le 8-
hydroxyoctyl 5-norbornène 2-carboxylate.
3. Procédé pour préparer le monomère représenté par la formule II suivante, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: 1)mélange du cyclopentadiène avec un solvant tétrahydrofurane; 2)ajout de l'hydroxyalkyl acrylate au mélange de l'étape 1); 3)exécution de la réaction par agitation du mélange de l'étape 2); 4)élimination du solvant du produit après la réaction de l'étape 3); et )préparation du dérivé bicycloalcène de formule II à partir du produit de l'étape 4):
[FORMULE II]
<CH2)n j' R' S C O0(C)m OH R" o R', R", m et n sont définis comme en
revendication 1.
4. Procédé pour préparer le monomère selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'hydroxyalkyl acrylate est sélectionné dans le groupe consistant en le 3-hydroxypropyl acrylate, le 4-hydroxybutyl acrylate, le -hydroxypentyl acrylate, le 6-hydroxyhéxyl acrylate, le
7-hydroxyheptyl acrylate et le 8-hydroxyoctyl acrylate.
5. Procédé pour préparer le monomère selon la revendication 3, caractérisé en ce que le dérivé bicycloalcène est sélectionné dans le groupe consistant
en le 3-hydroxy-propyl 5-norbornène-2-carboxylate, le 4-
hydroxybutyl 5-norbornène-2-carboxylate, le 5-hydroxy-
pentyl 5-norbornène-2-carboxylate, le 6-hydroxyhexyl 5-
norbornène-2-carboxylate, le 7-hydroxyheptyl 5-
norbornène-2-carboxylate et le 8-hydroxyoctyl 5-
norbornène-2-carboxylate. 6. Polymère caractérisé en ce qu'il comprend 1) un un ou plus d'un composé bicycloalcène choisi parmi les formules II à V, et 2) de l'anhydride maléique de formule VI:
[FORMULE II)
0 RI
<CHt R'2) KIT
O<C) 0 OH
[FORMULE VI
(CH2)n
C-0 C-R
[FORMULE VI]
0 0 o, R' et R" représentent indépendamment un hydrogène, ou un groupe alkyle en Ci à C4 linéaire ou ramifié avec ou sans substituant(s), R représente l'hydrcgène ou un alkyle linéaire ou ramifié, cycloalkyle, alcoxyalkyle ou cycloalcoxyalkyle ayant 1 à atcmies de carbone avec ou sans substituant(s), m représente un nombre de 1 à 8, et n représente un nombre
de 1 à 6.
Polymère selon la revendication 6, caractérisé
en ce qu'il a un poids moléculaire de 3 000 à 100 000.
8. Polymère selon la revendication 6, caractérisé en ce que le dérivé bicycloalcène est sélectionné dans le
groupe consistant en le 3-hydroxypropyl 5-norbornène-2-
carboxylate, le 4-hydroxybutyl 5-norbornène-2-
carboxylate, le 5-hydroxy-pentyl 5-norbornène-2-
carboxylate, le 6-hydroxyhexyl 5-norbornène-2-
carboxylate, le 7-hydroxyheptyl 5-norbornène-2-
carboxylate et le 8-hydroxyoctyl 5-norbornène-2-
carboxylate. 9. Polymère selon la revendication 6, caractérisé en ce que le bicycloalcène est sélectionné dans le groupe
consistant en le 3-hydroxypropyl 5-norbornène 2-
carboxylate, le tert-butyl 5-norbornène-2-carboxylate,
l'acide 5-norbornène-2-carboxylique, le 3-hydroxy-
propylbicyclo[2,2,2]oct-5-ène-3-carboxylate, le tert-
butyl bicyclo[2,2,2]-oct-5-ène-2-carboxylate et l'acide bicyclo[2, 2,2]oct-5-ène-2-carboxylique. 10. Polymère selon la revendication 6, caractérisé
en ce qu'il est le poly[3-hydroxypropyl 5-norbornène 2-
carboxylate/tert-butyl 5-norbornène 2-carboxylate/ acide 5norbornène-2-carboxylique/anhydride maléique] représenté par la formule VII suivante:
[FORMULE VII]
O0 O1%
0 0 0 O
C= O C=O C=O
+
oIl CH2 CH2 OH 11. Polymère selon la revendication 6, caractérisé
en ce qu'il est le poly[4-hydroxybutyl 5-norbornène-
2-carboxylate/tert-butyl 5-norbornène-2-carboxylate/ acide 5norbornène-2-carboxy-lique/anhydride maléique] représenté par la formule VIII:
[FORMULE VIII]
C1O C:O C=O
I 1 0i OH CH2 CH2
CH2
OH 12.Polymère selon la revendication 6, caractérisé
en ce qu'il est le poly[3-hydroxypropyl 5-norbornène-2-
carboxylate/tert-butyl 5-norbornène-2 -carboxylate/mono-
méthyl cis-5-norbornène-endo-2,3-dicarboxylate/anhydride maléique représenté par la formule IX suivante:
[FORMULE IX]
C:O C=O O=C C==O
o c I I to OH OCH3
CH2
CH2 CH2 OH 13. Polymère selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il est un polymère pour photorésist, représenté par la formule III:
[FORMULE III]
0o =0Os 0 C= O C=O c =0
O O O
0 0 0 J
R1 (R'---RR' R2
OH
o R' et R" représentent indépendamment un hydrogène, ou un groupe alkyle en C. à C4 ramifié ou linéaire avec ou sans substituant, R. et R2 représentent indépendamment l'hydrogène, ou un alkyle linéaire ou ramifié, cycloalkyle, alcoxyalkyle ou cycloalcoxyalkyle ayant 1 à 10 atomes de carbone avec ou sans substituant(s), m représente un nombre de 1 à 8, et le rapport x:y:z en % mole vaut (0,1 - 99%): (0,1 - 99%):
(0,1 - 99%).
14. Polymère selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il est un polymère pour photorésist représenté par la formule IV suivante:
[FORMULE IV]
9 A il0 CC=O OOc C=O
I I I
O O o OC:3
R1 (R--C-R") R2
OH o R' et R" représentent indépendamment un hydrogène ou un groupe alkyle en C. à C4 ramifié ou linéaire avec ou sans substituant, Ri et R2 représentent indépendamment un hydrogène, ou un alkyle linéaire ou ramifié, alcoxyalkyle, cycloalkyle ou un cycloalcoxyakyle ayant 1 à 10 atomes de carbone avec ou sans substituant(s), m représente un nombre de 1 à 8, et le rapport molaire x:y:Z est (0,005 - 0,9): (0,001 - 0,9):
(0,001 - 0,9).
15. Procédé pour préparer le polymère selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: 1) dissolution de un ou plus dérivés bicycloalcènes représentés par les formules II et/ou V o R est un hydrogène ou un tert-butyle et n vaut 1, et un anhydride maléique de formule VI dans un solvant de polymérisation; 2) ajout d'un initiateur de polymérisation au mélange réactionnel de l'étape 1) et mise en oeuvre de la réaction sous atmosphère d'azote ou d'argon; 3) précipitation du produit de l'étape 2) à partir d'éthyl éther ou d'hexane; et 4) filtration et séchage du procédé obtenu à partir de l'étape 3) pour préparer le polymère de la revendication 6,
[FORMULE II)
R' (cH2)n C O (C)-m-OH R"
[FORMULE V]
(CH2)n
-C 0 R
[FORMULE VI]
0
o, dans les formules, R' et R" représentent indépendamment un hydrogène ou un groupe alkyle en C1 à C4 linéaire ou ramifié avec ou sans substituant(s), m représente un nombre de 1 à 8, n représente un nombre de
1 à 6.
16. Procédé pour préparer le polymère selon la revendication 15, caractérisé en ce que l'initiateur de polymérisation est sélectionné dans le groupe consistant en le benzoyl peroxyde, le 2,2'azobisisobutyronitrile
(AIBN), l'acétyl peroxyde, le lauryle peroxyde, le tert-
butyl peracétate et le di-tert-butyl peroxyde.
17. Procédé pour préparer le polymère selon la revendication 16, caractérisé en ce que un ou plus solvants sélectionnés dans le groupe consistant en la cyclohexanone, la méthyl éthyl cétone, le benzène, le toluène, le dioxane et le diméthylformamide sont utilisés
en tant que solvant de polymérisation.
18. Procédé pour préparer le polymère selon la
revendication 15, caractérisé en ce que le poly[3-
hydroxypropyl 5-norbornène-2-carboxylate/tert-butyl -norbornène-2carboxylate/acide 5-norbornène-2-carboxy- lique/anhydride maléique] représenté par la formule VII
est préparé en employant du 3-hydroxypropyl 5-norbornène-
2-carboxylate, du tert-butyl 5-norbornène-2-carboxylate, de l'acide 5norbornène-2-carboxylique et de l'anhydride maléique,
[FORMULE VII]
C=O C=O C=O
oI I
O I OH
+ 1O
CH2 CH2 CH2 OH 19. Procédé pour préparer le polymère selon la
revendication 15, caractérisé en ce que le poly[4-
hydroxybutyl 5-norbornène-2-carboxylate/tert-butyl 5-
norbornène-2-carboxylate / acide 5-norbornène-2-
carboxylique/anhydride maléique] représenté par la formule VIII est préparé en employant du 4-hydroxybutyl -norbornène-2-carboxylate, du tert-butyl 5-norbornène-2- carboxylate, de l'acide 5-norbornène-2carboxylique et de l'anhydride maléique,
[FORMULE VIII]
0 0
C=O C=O C=O
OI OH
+ I
CH2
CH2
CH2 CH2 OH 20. Procédé pour préparer le polymère selon la
revendication 15, caractérisé en ce que le poly[3-
hydroxypropyl 5-norbornène-2-carboxylate/tert-butyl 5-
norbornène-2-carboxylate/mono-méthyl cis-5-norbornène-
endo-2,3-dicarboxylate/anhydride maléique] représenté par la formule IX est préparé en employant du 3-hydroxypropyl -norbornène-2-carboxylate, du tert-butyl 5-norbornène-2-
carboxylate, du mono-méthyl cis-5-norbornène-endo-2,3-
dicarboxylate et de l'anhydride maléique,
[FORMULE IX]
O /0 0 00_
0 7
cô= I C=O CO=C C=O o II + 0
+ I OH OCH3
CH2 CH2
CH2
OH 21. Composition de photorésist caractérisée en ce qu'elle comprend: 1) un polymère défini en revendication 6, 2) un solvant organique et 3) un générateur de
photoacide.
22. Photorésist selon la revendication 21, caractérisé en ce que le polymère est présent en une
quantité entre 10 et 30% en poids sur la base du solvant.
23. Photorésist selon la revendication 22, caractérisé en ce que le solvant organique est sélectionné dans le groupe consistant en la
cyclohexanone, le méthyl 3-méthoxypropionate, l'éthyl 3-
éthoxypropionate, l'éthyl lactate, le propylène glycol
méthyl éther acétate et leurs mélanges.
24. Photorésist selon la revendication 21, caractérisé en ce qu'un sel onium ou un acide sulfonique organique est utilisé en tant que générateur de photoacide. 25. Photorésist selon la revendication 21, caractérisé en ce que le générateur de photoacide est présent en une quantité entre 0,01 et 10% en poids sur la
base du polymère.
26. Procédé pour fabriquer une composition de photorésist selon la revendication 21, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: 1) dissolution du polymère défini par plus d'un des composés de la revendication 6, dans un solvant organique 2) ajout d'un générateur de photoacide au mélange de l'étape 1); et 3) agitation et filtration du mélange réactionnel
de l'étape 2) pour former la composition de photorésist.
27. Procédé pour fabriquer une composition de photoresist selon la revendication 26, caractérisé en ce que le polymère de l'étape 1) est utilisé en une quantité entre 10 et 30% en poids sur la base du solvant organique. 28. Procédé pour fabriquer une composition de photorésist selon la revendication 26, caractérisé en ce que le solvant organique de l'étape 1) est sélectionné dans le groupe consistant en la cyclohexanone, le méthyl 3-méthoxypropionate, l'éthyl 3- éthoxypropionate, l'éthyl lactate, le propylène glycol méthyl éther acétate et
leurs mélanges.
29. Procédé pour fabriquer une composition de photorésist selon la revendication 26, caractérisé en ce qu'un sel onium ou un acide sulfonique organique est utilisé en tant que générateur de photoacide de l'étape 2). 30. Procédé pour fabriquer une composition de photorésist selon la revendication 26, caractérisé en ce
que le générateur de photoacide de l'étape 2) est présent en une quantité entre 0,01 et 10% en poids sur la base du5 polymère.
31. Dispositif semi-conducteur formé en utilisant la composition de photorésist selon la revendication 21.
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Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6808859B1 (en) * | 1996-12-31 | 2004-10-26 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | ArF photoresist copolymers |
| KR100520148B1 (ko) | 1997-12-31 | 2006-05-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규한바이시클로알켄유도체와이를이용한포토레지스트중합체및이중합체를함유한포토레지스트조성물 |
| JP3587743B2 (ja) | 1998-08-26 | 2004-11-10 | 株式会社ハイニックスセミコンダクター | フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および、半導体素子。 |
| US6569971B2 (en) * | 1998-08-27 | 2003-05-27 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Polymers for photoresist and photoresist compositions using the same |
| KR100634973B1 (ko) | 1999-04-09 | 2006-10-16 | 센쥬긴소쿠고교가부시키가이샤 | 솔더볼 및 솔더볼의 피복방법 |
| KR100682169B1 (ko) * | 1999-07-30 | 2007-02-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규의 포토레지스트용 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트조성물 |
| KR100647379B1 (ko) * | 1999-07-30 | 2006-11-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물 |
| KR100647380B1 (ko) * | 1999-07-30 | 2006-11-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물 |
| KR100520180B1 (ko) * | 1999-08-31 | 2005-10-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트의 노광후 지연 안정성을 확보하기 위한 첨가제 |
| KR100546105B1 (ko) * | 1999-11-03 | 2006-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규의 포토레지스트용 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 |
| EP1127870B1 (fr) * | 2000-02-26 | 2003-11-05 | Shipley Company LLC | Monomères,polymères,leurs méthodes de synthèse et compositions de photoréserves |
| US6277683B1 (en) * | 2000-02-28 | 2001-08-21 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method of forming a sidewall spacer and a salicide blocking shape, using only one silicon nitride layer |
| JP5218713B2 (ja) | 2000-07-28 | 2013-06-26 | 住友ベークライト株式会社 | 光学導波管を形成するためのポリマー組成物；それらから形成される光学導波管；およびそれを作製するための方法 |
| JP4469080B2 (ja) * | 2000-12-13 | 2010-05-26 | 信越化学工業株式会社 | 脂環構造を有する新規第三級アルコール化合物 |
| KR20030057948A (ko) * | 2001-12-29 | 2003-07-07 | 삼성전자주식회사 | 히드록시 그룹을 구비하는 불소치환 알킬 노르보넨카르복실산 에스테르 모노머를 포함하는 감광성 폴리머 및이를 포함하는 레지스트 조성물 |
| WO2003080688A1 (fr) * | 2002-03-19 | 2003-10-02 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Nouveau procede de production de polymeres contenant un anhydride pour compositions sensibles au rayonnement |
| US6833325B2 (en) * | 2002-10-11 | 2004-12-21 | Lam Research Corporation | Method for plasma etching performance enhancement |
| US7169695B2 (en) * | 2002-10-11 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Method for forming a dual damascene structure |
| US7977390B2 (en) | 2002-10-11 | 2011-07-12 | Lam Research Corporation | Method for plasma etching performance enhancement |
| US7674847B2 (en) * | 2003-02-21 | 2010-03-09 | Promerus Llc | Vinyl addition polycyclic olefin polymers prepared with non-olefinic chain transfer agents and uses thereof |
| KR100947702B1 (ko) * | 2003-02-26 | 2010-03-16 | 삼성전자주식회사 | 경화성 작용기로 표면수식된 탄소나노튜브를 이용한패턴박막 형성방법 및 고분자 복합체의 제조방법 |
| US6916746B1 (en) * | 2003-04-09 | 2005-07-12 | Lam Research Corporation | Method for plasma etching using periodic modulation of gas chemistry |
| US7294580B2 (en) * | 2003-04-09 | 2007-11-13 | Lam Research Corporation | Method for plasma stripping using periodic modulation of gas chemistry and hydrocarbon addition |
| US7081407B2 (en) * | 2003-12-16 | 2006-07-25 | Lam Research Corporation | Method of preventing damage to porous low-k materials during resist stripping |
| US7575789B2 (en) * | 2003-12-17 | 2009-08-18 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Coated pipes for conveying oil |
| US7396769B2 (en) * | 2004-08-02 | 2008-07-08 | Lam Research Corporation | Method for stripping photoresist from etched wafer |
| US6969570B1 (en) | 2004-10-26 | 2005-11-29 | Kodak Polychrome Graphics, Llc | Solvent resistant imageable element |
| BRPI0516902B1 (pt) * | 2004-11-24 | 2018-10-09 | Du Pont | tubulação para o transporte de meios fluidos e processo para a formação de uma superfície não-aderente |
| US7491647B2 (en) * | 2005-03-08 | 2009-02-17 | Lam Research Corporation | Etch with striation control |
| US7241683B2 (en) * | 2005-03-08 | 2007-07-10 | Lam Research Corporation | Stabilized photoresist structure for etching process |
| KR20060107250A (ko) * | 2005-04-08 | 2006-10-13 | 주식회사 코오롱 | 감광성 수지조성물 및 이로부터 얻어진 드라이필름포토레지스트 |
| KR100732301B1 (ko) * | 2005-06-02 | 2007-06-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 중합체, 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한반도체 소자의 제조 방법 |
| US7910489B2 (en) * | 2006-02-17 | 2011-03-22 | Lam Research Corporation | Infinitely selective photoresist mask etch |
| US7716813B2 (en) * | 2006-12-05 | 2010-05-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for fabricating magnetic write pole for a magnetic head using an E-beam resist mask |
| JP5070109B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2012-11-07 | 富士フイルム株式会社 | 環状オレフィン系重合体、それを用いた光学材料、偏光板および液晶表示装置 |
| US8541523B2 (en) * | 2010-04-05 | 2013-09-24 | Promerus, Llc | Norbornene-type polymers, compositions thereof and lithographic process using such compositions |
| US9550846B2 (en) * | 2013-03-13 | 2017-01-24 | The Curators Of The University Of Missouri | Flexible to rigid nanoporous polyurethane-acrylate (PUAC) type materials for structural and thermal insulation applications |
| TWI683852B (zh) | 2017-12-29 | 2020-02-01 | 財團法人工業技術研究院 | 組成物、包含其之絕緣材料及其製法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2090165A1 (fr) * | 1970-05-20 | 1972-01-14 | Asahi Chemical Ind | |
| US4440850A (en) * | 1981-07-23 | 1984-04-03 | Ciba-Geigy Corporation | Photopolymerisation process with two exposures of a single layer |
| FR2757867A1 (fr) * | 1996-12-31 | 1998-07-03 | Hyundai Electronics Ind | Nouveau copolymere a amide ou imide introduit, sa preparation et resine photosensible le comprenant |
| FR2757868A1 (fr) * | 1996-12-31 | 1998-07-03 | Hyundai Electronics Ind | Methode et dispositif utilisant un photoresist d'arf |
| FR2758333A1 (fr) * | 1997-01-10 | 1998-07-17 | Hyundai Electronics Ind | Methode et dispositif utilisant un photoresist d'arf |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5628257B2 (fr) | 1973-09-27 | 1981-06-30 | ||
| US4106943A (en) | 1973-09-27 | 1978-08-15 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Photosensitive cross-linkable azide containing polymeric composition |
| US4202955A (en) | 1975-12-16 | 1980-05-13 | Borg-Warner Corporation | Copolymers of cyclic conjugated dienes and maleic anhydride |
| US4491628A (en) | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
| US4571375A (en) * | 1983-10-24 | 1986-02-18 | Benedikt George M | Ring-opened polynorbornene negative photoresist with bisazide |
| US4948856A (en) | 1987-05-22 | 1990-08-14 | B. F. Goodrich Company | Homogeneous addition copolymers of ethylene and cycloolefin monomers and method for producing same |
| DE3721741A1 (de) | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien |
| US5212043A (en) | 1988-02-17 | 1993-05-18 | Tosho Corporation | Photoresist composition comprising a non-aromatic resin having no aromatic structures derived from units of an aliphatic cyclic hydrocarbon and units of maleic anhydride and/or maleimide and a photosensitive agent |
| US5252427A (en) | 1990-04-10 | 1993-10-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Positive photoresist compositions |
| JP3000745B2 (ja) * | 1991-09-19 | 2000-01-17 | 富士通株式会社 | レジスト組成物とレジストパターンの形成方法 |
| JP3208602B2 (ja) * | 1992-06-30 | 2001-09-17 | 富士通株式会社 | α，β−不飽和ニトリルを有する脂環式多環族とメタクリレート誘導体との共重合体 |
| DE69624968T2 (de) | 1995-04-21 | 2003-11-06 | Arch Spec Chem Inc | Vernetzte Polymere |
| US5705503A (en) | 1995-05-25 | 1998-01-06 | Goodall; Brian Leslie | Addition polymers of polycycloolefins containing functional substituents |
| AU725653B2 (en) * | 1996-03-07 | 2000-10-19 | B.F. Goodrich Company, The | Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups |
| US5843624A (en) | 1996-03-08 | 1998-12-01 | Lucent Technologies Inc. | Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
| KR100245410B1 (ko) * | 1997-12-02 | 2000-03-02 | 윤종용 | 감광성 폴리머 및 그것을 이용한 화학증폭형 레지스트 조성물 |
| KR100261022B1 (ko) | 1996-10-11 | 2000-09-01 | 윤종용 | 화학증폭형 레지스트 조성물 |
| KR19980037970A (ko) * | 1996-11-22 | 1998-08-05 | 김광호 | ArF 엑시머 레이저용 베이스 레진 및 레지스트 조성물 |
| KR100195583B1 (ko) * | 1997-04-08 | 1999-06-15 | 박찬구 | 양성 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물 |
| KR100252217B1 (ko) * | 1997-05-03 | 2000-06-01 | 윤종용 | 반도체장치의 제조를 위한 원자외선 노광용 포토레지스트 조성용 구조제 수지와 그 제조방법 및 그 구조제 수지를 포함하는 원자외선 노광용 포토레지스트 조성물 |
| KR100240024B1 (ko) * | 1997-05-08 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체장치의 제조를 위한 원자외선 노광용 포토레지스트 조성용 구조제 수지와 그 제조방법 및 그 구조제 수지를 포함하는 원자외선 노광용 포토레지스트 조성물 |
| KR100252546B1 (ko) * | 1997-11-01 | 2000-04-15 | 김영환 | 공중합체 수지와 포토레지스트 및 그 제조방법 |
| KR100321080B1 (ko) | 1997-12-29 | 2002-11-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트 |
| KR100520148B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2006-05-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규한바이시클로알켄유도체와이를이용한포토레지스트중합체및이중합체를함유한포토레지스트조성물 |
| KR100301053B1 (ko) * | 1998-09-21 | 2001-09-22 | 윤종용 | 화학증폭형 포토레지스트용 감광성 중합체 및 이를 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물 |
| US6048664A (en) * | 1999-03-12 | 2000-04-11 | Lucent Technologies, Inc. | Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
-
1997
- 1997-12-31 KR KR1019970081403A patent/KR100520148B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
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- 1998-12-31 NL NL1010935A patent/NL1010935C2/nl not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-08-21 US US09/934,369 patent/US6632903B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2090165A1 (fr) * | 1970-05-20 | 1972-01-14 | Asahi Chemical Ind | |
| US4440850A (en) * | 1981-07-23 | 1984-04-03 | Ciba-Geigy Corporation | Photopolymerisation process with two exposures of a single layer |
| FR2757867A1 (fr) * | 1996-12-31 | 1998-07-03 | Hyundai Electronics Ind | Nouveau copolymere a amide ou imide introduit, sa preparation et resine photosensible le comprenant |
| FR2757868A1 (fr) * | 1996-12-31 | 1998-07-03 | Hyundai Electronics Ind | Methode et dispositif utilisant un photoresist d'arf |
| FR2758333A1 (fr) * | 1997-01-10 | 1998-07-17 | Hyundai Electronics Ind | Methode et dispositif utilisant un photoresist d'arf |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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