JP3208602B2 - α,β−不飽和ニトリルを有する脂環式多環族とメタクリレート誘導体との共重合体 - Google Patents
α,β−不飽和ニトリルを有する脂環式多環族とメタクリレート誘導体との共重合体Info
- Publication number
- JP3208602B2 JP3208602B2 JP17312992A JP17312992A JP3208602B2 JP 3208602 B2 JP3208602 B2 JP 3208602B2 JP 17312992 A JP17312992 A JP 17312992A JP 17312992 A JP17312992 A JP 17312992A JP 3208602 B2 JP3208602 B2 JP 3208602B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adamantane
- copolymer
- methacrylate derivative
- methacrylate
- cyanoethenyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、下記構造式(3)で示
される1−(1’−シアノエテニル)アダマンタンとメ
タクリレート誘導体との重合体とこの新規な重合体より
なるフォトレジストとに関するものであり、前記の新規
な重合体は、電子、光学、医薬、農薬等の機能性高分子
材料として有用である。
される1−(1’−シアノエテニル)アダマンタンとメ
タクリレート誘導体との重合体とこの新規な重合体より
なるフォトレジストとに関するものであり、前記の新規
な重合体は、電子、光学、医薬、農薬等の機能性高分子
材料として有用である。
【0002】
【化3】
【0003】
【0004】
【従来の技術】アダマンタン核に重合性の2重結合を有
するある種の化合物は知られている。例えば、1−ビニ
ルアダマンタン等があるが、臭化アルミニウム等のカチ
オン性触媒による単独重合体や〔Miljenko Zuanic et a
l., J. Polym. Sci., Polym. Lett. Ed., 19, 387(198
1) 〕、電子密度がかなり低い2重結合を持つ無水マレ
イン酸や、マレイミドとのラジカル共重合体が知られて
いるのみである。
するある種の化合物は知られている。例えば、1−ビニ
ルアダマンタン等があるが、臭化アルミニウム等のカチ
オン性触媒による単独重合体や〔Miljenko Zuanic et a
l., J. Polym. Sci., Polym. Lett. Ed., 19, 387(198
1) 〕、電子密度がかなり低い2重結合を持つ無水マレ
イン酸や、マレイミドとのラジカル共重合体が知られて
いるのみである。
【0005】
【0006】
【発明が解決しようとする課題】これらの共重合体では
例えば、重合体の硬度が高すぎて薄膜化等の加工をする
ことが難しいという欠点や、遠紫外領域における光の吸
収が強い等、半導体製造におけるフォトレジストにも不
適であった。また、このような化合物ではアクリレート
誘導体やメタクリレート誘導体とのラジカル開始剤、ま
たはアニオン開始剤による共重合体を得ることはその性
質から不可能であり、材料の改質を図ることは困難であ
った。
例えば、重合体の硬度が高すぎて薄膜化等の加工をする
ことが難しいという欠点や、遠紫外領域における光の吸
収が強い等、半導体製造におけるフォトレジストにも不
適であった。また、このような化合物ではアクリレート
誘導体やメタクリレート誘導体とのラジカル開始剤、ま
たはアニオン開始剤による共重合体を得ることはその性
質から不可能であり、材料の改質を図ることは困難であ
った。
【0007】本発明の目的は、これらの欠点を解消する
ことにあり、薄膜化等の加工が容易であり、遠紫外領域
における光の透過度が高く、半導体製造におけるフォト
レジストにも適した共重合体を提供することにある。
ことにあり、薄膜化等の加工が容易であり、遠紫外領域
における光の透過度が高く、半導体製造におけるフォト
レジストにも適した共重合体を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、式(1)
で示される1−(1’−シアノエテニル)アダマンタン
とメタクリレート誘導体との新規な共重合体によって達
成される。
で示される1−(1’−シアノエテニル)アダマンタン
とメタクリレート誘導体との新規な共重合体によって達
成される。
【0009】式(1)で示される共誘導体は、1−
(1’−シアノエテニル)アダマンタンとメタクリレー
ト誘導体を出発原料とし、例えば、ベンゼン、トルエン
等の芳香族系炭化水素を用いて、窒素・アルゴン等の不
活性ガス雰囲気下においてアゾビスイソブチロニトリル
のようなアゾ系ラジカル開始剤を用いてラジカル重合で
きるし、n―ブチルリチウム等のアルキルリチウム類、
フェニルマグネシウムブロマイド等のグリニヤール試薬
を用いてアニオン重合もできる。さらに、テトラヒドロ
フランを用いて窒素・アルゴン等の不活性ガス雰囲気下
においてカリウムt−ブトキサイドのような金属アルコ
キシド試薬を用いてアニオン重合することも容易であ
る。
(1’−シアノエテニル)アダマンタンとメタクリレー
ト誘導体を出発原料とし、例えば、ベンゼン、トルエン
等の芳香族系炭化水素を用いて、窒素・アルゴン等の不
活性ガス雰囲気下においてアゾビスイソブチロニトリル
のようなアゾ系ラジカル開始剤を用いてラジカル重合で
きるし、n―ブチルリチウム等のアルキルリチウム類、
フェニルマグネシウムブロマイド等のグリニヤール試薬
を用いてアニオン重合もできる。さらに、テトラヒドロ
フランを用いて窒素・アルゴン等の不活性ガス雰囲気下
においてカリウムt−ブトキサイドのような金属アルコ
キシド試薬を用いてアニオン重合することも容易であ
る。
【0010】また、1−(1’−シアノエテニル)アダ
マンタンと共重合できる化合物には、上記のメタクリレ
ート誘導体の他に、同程度のQ、e値を持つモノマーで
あれば種類は特に制限されないが、電子材料や、光学材
料として活用する場合の好ましい共重合性モノマーとし
ては、その他に、アクリレート誘導体等が非限定的に例
示される。
マンタンと共重合できる化合物には、上記のメタクリレ
ート誘導体の他に、同程度のQ、e値を持つモノマーで
あれば種類は特に制限されないが、電子材料や、光学材
料として活用する場合の好ましい共重合性モノマーとし
ては、その他に、アクリレート誘導体等が非限定的に例
示される。
【0011】共重合の方法も特に限定はされないが、望
ましくはテトラヒドロフランを用いて、窒素・アルゴン
等の不活性ガス雰囲気下において金属アルコキシド試薬
を用いてアニオン共重合を行うことが推奨される。
ましくはテトラヒドロフランを用いて、窒素・アルゴン
等の不活性ガス雰囲気下において金属アルコキシド試薬
を用いてアニオン共重合を行うことが推奨される。
【0012】
【0013】
【0014】
【0015】
【0016】本発明の1−(1’−シアノエテニル)ア
ダマンタンとメタクリレート誘導体の共重合体は、例え
ば上記のような方法によって製造することができるが、
本発明では製造方法そのものは一切限定されないので、
上記の方法の他、公知の様々な方法を適宜応用して製造
することも勿論可能であり、それらは前記の構造式
(1)を満足するものであるかぎり全て本発明の技術的
範囲に含まれる。このようにして得られる共重合体は全
く新規な化合物であり、従来の材料では得られない特性
が期待できるため、電子材料を始めとし、光学材料・医
薬・農薬等の機能性高分子材料として実用性が高い。更
に、現在までに知られている1−ビニルアダマンタンを
重合成分として含む共重合体には、かなり電子密度の低
い二重結合を持つモノマー、例えば無水マレイン酸やマ
レイミドを共重合相手成分とするものや、二酸化硫黄と
の共重合体については知られているが、これらの共重合
体が持つ硬さ、遠紫外領域における吸収等の欠点を、シ
アノ基を導入したアダマンタン誘導体を用いることによ
り、メタクリレート誘導体との共重合を可能にし、透明
性に優れ、かつ、適度な軟らかさを共重合体に付与する
ことが可能になり、加工性も向上した。これにより、電
子材料を始めとする機能性高分子材料として従来までの
重合体以上に機能性高分子材料としての適用範囲を広げ
ることができる。
ダマンタンとメタクリレート誘導体の共重合体は、例え
ば上記のような方法によって製造することができるが、
本発明では製造方法そのものは一切限定されないので、
上記の方法の他、公知の様々な方法を適宜応用して製造
することも勿論可能であり、それらは前記の構造式
(1)を満足するものであるかぎり全て本発明の技術的
範囲に含まれる。このようにして得られる共重合体は全
く新規な化合物であり、従来の材料では得られない特性
が期待できるため、電子材料を始めとし、光学材料・医
薬・農薬等の機能性高分子材料として実用性が高い。更
に、現在までに知られている1−ビニルアダマンタンを
重合成分として含む共重合体には、かなり電子密度の低
い二重結合を持つモノマー、例えば無水マレイン酸やマ
レイミドを共重合相手成分とするものや、二酸化硫黄と
の共重合体については知られているが、これらの共重合
体が持つ硬さ、遠紫外領域における吸収等の欠点を、シ
アノ基を導入したアダマンタン誘導体を用いることによ
り、メタクリレート誘導体との共重合を可能にし、透明
性に優れ、かつ、適度な軟らかさを共重合体に付与する
ことが可能になり、加工性も向上した。これにより、電
子材料を始めとする機能性高分子材料として従来までの
重合体以上に機能性高分子材料としての適用範囲を広げ
ることができる。
【0017】
【作用】従来使用されているフェノールノボラック系の
フォトレジストは、波長の短い光に対して吸収が強く、
例えば波長193nmのArFエキシマレーザ光に対し
ては不透明であり、波長248nmのKrFエキシマレ
ーザ光でも透明性低いことから、パターン形状が非常に
悪く、感度も低いと云う欠点がある。これに対し、本発
明に係る重合体の光透過度は、波長248nmの光に対
しては90%、波長193nmの光に対しては50%と
高いので、適当な光酸発生剤と組み合わせることによ
り、KrFだけでなく、波長の短いArFエキシマレー
ザによっても露光が可能になる。また、露光領域の光酸
発生剤から発生する酸が連鎖的に化学反応を引き起こす
ので高感度であり、また、その酸によってベースポリマ
ーがアルカリ水溶液に対して可溶となるため、アルカリ
水溶液による現像が可能になり、現像後のレジストパタ
ーンの膨潤がなくなる。この結果、高感度でかつ微細な
レジストパターンの形成が可能になり、しかも、ドライ
エッチング耐性が高いので、新型化学増幅型ポジレジス
トとして極めて有望である。
フォトレジストは、波長の短い光に対して吸収が強く、
例えば波長193nmのArFエキシマレーザ光に対し
ては不透明であり、波長248nmのKrFエキシマレ
ーザ光でも透明性低いことから、パターン形状が非常に
悪く、感度も低いと云う欠点がある。これに対し、本発
明に係る重合体の光透過度は、波長248nmの光に対
しては90%、波長193nmの光に対しては50%と
高いので、適当な光酸発生剤と組み合わせることによ
り、KrFだけでなく、波長の短いArFエキシマレー
ザによっても露光が可能になる。また、露光領域の光酸
発生剤から発生する酸が連鎖的に化学反応を引き起こす
ので高感度であり、また、その酸によってベースポリマ
ーがアルカリ水溶液に対して可溶となるため、アルカリ
水溶液による現像が可能になり、現像後のレジストパタ
ーンの膨潤がなくなる。この結果、高感度でかつ微細な
レジストパターンの形成が可能になり、しかも、ドライ
エッチング耐性が高いので、新型化学増幅型ポジレジス
トとして極めて有望である。
【0018】以下、本発明の三つの実施例に係る重合体
について説明する。
について説明する。
【0019】第1実施例 1−(1’−シアノエテニル)アダマンタンーメタクリ
ル酸メチル共重合体の製造方法について説明する。
ル酸メチル共重合体の製造方法について説明する。
【0020】50mlの3つ口フラスコに、窒素吹き込
み管・塩化カルシウム管・ジムロート冷却器をつけ、テ
フロンコーティングされたスターラーバー、5g(2
6.7mmol)の1−(1′−シアノエテニル)アダ
マンタン、2.67g(26.7mmol)のメタクリ
ル酸メチルを入れ窒素を20分間バブリングさせる。1
75mg(1.06mmol)のアゾビスイソブチロニ
トリルを加え、窒素をゆっくりと通じながら75℃で攪
拌する。12時間後少量のヒドロキノンを含む1lのヘ
キサンに反応溶液を滴下し生じた沈澱をガラスフィルタ
ーで濾過する。濾別した沈澱を50℃・0.5mmHg
で6時間乾燥させ、得られた粉末をテトラヒドロフラン
で溶解させ再び上記のように沈澱、乾燥させる。更にも
う一度溶解、沈澱させ、50℃・0.5mmHgで12
時間乾燥させて下記に示すように共重合体を得た。
み管・塩化カルシウム管・ジムロート冷却器をつけ、テ
フロンコーティングされたスターラーバー、5g(2
6.7mmol)の1−(1′−シアノエテニル)アダ
マンタン、2.67g(26.7mmol)のメタクリ
ル酸メチルを入れ窒素を20分間バブリングさせる。1
75mg(1.06mmol)のアゾビスイソブチロニ
トリルを加え、窒素をゆっくりと通じながら75℃で攪
拌する。12時間後少量のヒドロキノンを含む1lのヘ
キサンに反応溶液を滴下し生じた沈澱をガラスフィルタ
ーで濾過する。濾別した沈澱を50℃・0.5mmHg
で6時間乾燥させ、得られた粉末をテトラヒドロフラン
で溶解させ再び上記のように沈澱、乾燥させる。更にも
う一度溶解、沈澱させ、50℃・0.5mmHgで12
時間乾燥させて下記に示すように共重合体を得た。
【0021】収量:566mg, 収率:7.4% 組成比: アダマンタン:メタクリレート=10:90 重量平均分子量(Mw):3100, 分散:1.22 IR(KRS-5, cm -1): 2993, 2951, 2233(vw), 1733
(s), 1484, 1450,1242, 1193, 1150, 989(m), 751(w) 但し、s:strong, m:medium, w:weak, vw:very
weak
(s), 1484, 1450,1242, 1193, 1150, 989(m), 751(w) 但し、s:strong, m:medium, w:weak, vw:very
weak
【0022】第2実施例 1−(1’−シアノエテニル)アダマンタンーメタクリ
ル酸t−ブチル共重合体の製造方法について説明する。
ル酸t−ブチル共重合体の製造方法について説明する。
【0023】窒素導入管、塩化カルシウム管、ラバーセ
プタムを付け、テフロンコーティングされたスターラー
バーを入れ十分に乾燥させた100mlの3つ口フラス
コに、8.70g(46.4mmol)の1−(1′−
シアノエテニル)アダマンタン、4.4g(30.9m
mol)のメタクリル酸t−ブチル、347mg(3.
1mmol)のカリウムt−ブトキサイド、15.5m
lのテトラヒドロフランを加え、窒素雰囲気下0℃で攪
拌する。18−クラウン−6の1Mテトラヒドロフラン
溶液3.1ml(3.1mmol)をゆっくり加え、2
時間0℃で、その後室温で17時間攪拌する。コマーシ
ャルグレードのテトラヒドロフランを10ml加えて反
応を停止し、反応溶液を1.5lのメタノールに注いで
沈澱させる。生じた沈澱をガラスフィルターで濾別し
て、50℃、0.2mmHgで6時間乾燥させる。得ら
れた粉末をテトラヒドロフランに溶解させ、上記のよう
に沈澱、濾過、乾燥させて粉末を得る。これを再びテト
ラヒドロフランに溶解させ、沈澱、濾過、次いで50
℃、0.2mmHgで12時間乾燥させて下記に示すよ
うに共重合体を得た。
プタムを付け、テフロンコーティングされたスターラー
バーを入れ十分に乾燥させた100mlの3つ口フラス
コに、8.70g(46.4mmol)の1−(1′−
シアノエテニル)アダマンタン、4.4g(30.9m
mol)のメタクリル酸t−ブチル、347mg(3.
1mmol)のカリウムt−ブトキサイド、15.5m
lのテトラヒドロフランを加え、窒素雰囲気下0℃で攪
拌する。18−クラウン−6の1Mテトラヒドロフラン
溶液3.1ml(3.1mmol)をゆっくり加え、2
時間0℃で、その後室温で17時間攪拌する。コマーシ
ャルグレードのテトラヒドロフランを10ml加えて反
応を停止し、反応溶液を1.5lのメタノールに注いで
沈澱させる。生じた沈澱をガラスフィルターで濾別し
て、50℃、0.2mmHgで6時間乾燥させる。得ら
れた粉末をテトラヒドロフランに溶解させ、上記のよう
に沈澱、濾過、乾燥させて粉末を得る。これを再びテト
ラヒドロフランに溶解させ、沈澱、濾過、次いで50
℃、0.2mmHgで12時間乾燥させて下記に示すよ
うに共重合体を得た。
【0024】収量:2.93g, 収率:22.4% IR(KRS-5, cm -1): 2976, 2932, 2909, 2853, 223
1(w), 1723, 1477,1456, 1393, 1368, 1253, 1140, 84
9 重量平均分子量(Mw):17000, 分散 (Mw/Mn):
1.50 組成比: アダマンタン:メタクリレート=20:80
1(w), 1723, 1477,1456, 1393, 1368, 1253, 1140, 84
9 重量平均分子量(Mw):17000, 分散 (Mw/Mn):
1.50 組成比: アダマンタン:メタクリレート=20:80
【0025】第3実施例 1−(1’−シアノエテニル)アダマンタンーメタクリ
ル酸テトラヒドロピラニル共重合体の製造方法について
説明する。
ル酸テトラヒドロピラニル共重合体の製造方法について
説明する。
【0026】窒素導入管、塩化カルシウム管、ラバーセ
プタムを付け、テフロンコーティングされたスターラー
バーを入れ十分に乾燥させた100mlの3つ口フラス
コに、8.00g(42.7mmol)の1−(1′−
シアノエテニル)アダマンタン、4.85g(28.5
mmol)のメタクリル酸テトラヒドロピラニル、3.
6ml(3.6mmol)の1Mカリウムt−ブトキサ
イド/テトラヒドロフラン溶液、14.2mlのテトラ
ヒドロフランを加え、窒素雰囲気下0℃で攪拌する。1
8−クラウン−6の1Mテトラヒドロフラン溶液3.6
ml(3.6mmol)をゆっくり加え、1時間0℃
で、その後室温で17時間攪拌する。コマーシャルグレ
ードのテトラヒドロフランを10ml加えて反応を停止
し、反応溶液を900mlのヘキサンと100mlのジ
エチルエーテルの混合溶液に注いで沈澱させる。生じた
沈澱をガラスフィルターで濾別して、50℃、0.2m
mHgで6時間乾燥させる。得られた粉末をテトラヒド
ロフランに溶解させ、上記のように沈澱、濾過、乾燥さ
せて粉末を得る。これを再びテトラヒドロフランに溶解
させ、沈澱、濾過、次いで50℃、0.2mmHgで1
6時間乾燥させて下記に示すように共重合体を得た。
プタムを付け、テフロンコーティングされたスターラー
バーを入れ十分に乾燥させた100mlの3つ口フラス
コに、8.00g(42.7mmol)の1−(1′−
シアノエテニル)アダマンタン、4.85g(28.5
mmol)のメタクリル酸テトラヒドロピラニル、3.
6ml(3.6mmol)の1Mカリウムt−ブトキサ
イド/テトラヒドロフラン溶液、14.2mlのテトラ
ヒドロフランを加え、窒素雰囲気下0℃で攪拌する。1
8−クラウン−6の1Mテトラヒドロフラン溶液3.6
ml(3.6mmol)をゆっくり加え、1時間0℃
で、その後室温で17時間攪拌する。コマーシャルグレ
ードのテトラヒドロフランを10ml加えて反応を停止
し、反応溶液を900mlのヘキサンと100mlのジ
エチルエーテルの混合溶液に注いで沈澱させる。生じた
沈澱をガラスフィルターで濾別して、50℃、0.2m
mHgで6時間乾燥させる。得られた粉末をテトラヒド
ロフランに溶解させ、上記のように沈澱、濾過、乾燥さ
せて粉末を得る。これを再びテトラヒドロフランに溶解
させ、沈澱、濾過、次いで50℃、0.2mmHgで1
6時間乾燥させて下記に示すように共重合体を得た。
【0027】収量:2.78g, 収率:21.6% IR(KRS-5, cm -1): 2942, 2233(vw), 1730, 1554,
1455, 1388,1358, 1168, 1113, 1037, 943, 901, 870,
598(m) 重量平均分子量(Mw):12000, 分散 (Mw/Mn):
1.25 組成比: アダマンタン:メタクリレート=31:69 (B)2−ノルボルネン−2−カルボニトリルとメタク
リレート誘導体との重合体
1455, 1388,1358, 1168, 1113, 1037, 943, 901, 870,
598(m) 重量平均分子量(Mw):12000, 分散 (Mw/Mn):
1.25 組成比: アダマンタン:メタクリレート=31:69 (B)2−ノルボルネン−2−カルボニトリルとメタク
リレート誘導体との重合体
【0028】
【0029】
【0030】
【0031】
【0032】
【0033】
【0034】
【0035】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係るα,
β−不飽和ニトリルを有する脂環式多環族とメタクリレ
ート誘導体との共重合体においては、波長の短い光に対
しても透過度が高いので、光酸発生剤と組み合わせるこ
とによってArFエキシマレーザ等の波長の短い光によ
る露光・現像が可能であり、また、適度な軟らかさを有
するため薄膜化加工が容易であるので、微細なパターン
形成が要求されるフォトレジストとしては勿論、電子、
光学、医薬、農薬等の分野における機能性高分子材料と
して有用である。
β−不飽和ニトリルを有する脂環式多環族とメタクリレ
ート誘導体との共重合体においては、波長の短い光に対
しても透過度が高いので、光酸発生剤と組み合わせるこ
とによってArFエキシマレーザ等の波長の短い光によ
る露光・現像が可能であり、また、適度な軟らかさを有
するため薄膜化加工が容易であるので、微細なパターン
形成が要求されるフォトレジストとしては勿論、電子、
光学、医薬、農薬等の分野における機能性高分子材料と
して有用である。
Claims (5)
- 【請求項1】 下記式(1) 【化1】 但し、Rはt−ブチル基またはテトラヒドロピラニル基
であり、m・nは正の整数である。 で示される繰り返し単位を有する ことを特徴とする1−(1’−シアノエテニル)アダマ
ンタンとメタクリレート誘導体との重合体。 - 【請求項2】 重量平均分子量が3100である ことを特徴とする請求項1記載の1−(1’−シアノエ
テニル)アダマンタンとメタクリレート誘導体との重合
体。 - 【請求項3】 重量平均分子量が17000である ことを特徴とする請求項1記載の1−(1’−シアノエ
テニル)アダマンタンとメタクリレート誘導体との重合
体。 - 【請求項4】 重量平均分子量が12000である ことを特徴とする請求項1記載の1−(1’−シアノエ
テニル)アダマンタンとメタクリレート誘導体との重合
体。 - 【請求項5】 請求項1、2、3、または、4記載の、
1−(1’−シアノエテニル)アダマンタンとメタクリ
レート誘導体との重合体よりなるフォトレジスト。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17312992A JP3208602B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | α,β−不飽和ニトリルを有する脂環式多環族とメタクリレート誘導体との共重合体 |
DE4319178A DE4319178C2 (de) | 1992-06-10 | 1993-06-09 | Resist-Zusammensetzung enthaltend ein Polymermaterial und einen Säuregenerator |
US08/275,360 US5399647A (en) | 1992-06-10 | 1994-07-15 | Photoresist composition of 1-(1'-cyanoethenyl)adamantane |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17312992A JP3208602B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | α,β−不飽和ニトリルを有する脂環式多環族とメタクリレート誘導体との共重合体 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001078415A Division JP3476783B2 (ja) | 2001-03-19 | 2001-03-19 | α,β―不飽和ニトリルを有する脂環式多環族とメタクリレート誘導体との共重合体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0616730A JPH0616730A (ja) | 1994-01-25 |
JP3208602B2 true JP3208602B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=15954666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17312992A Expired - Lifetime JP3208602B2 (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-30 | α,β−不飽和ニトリルを有する脂環式多環族とメタクリレート誘導体との共重合体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3208602B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1152575A (ja) * | 1997-08-04 | 1999-02-26 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物 |
KR100520148B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2006-05-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규한바이시클로알켄유도체와이를이용한포토레지스트중합체및이중합체를함유한포토레지스트조성물 |
EP1586944A1 (en) * | 2004-03-09 | 2005-10-19 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Cyanoadamantyl compounds and polymers |
JP4611813B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2011-01-12 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP4907994B2 (ja) * | 2006-01-11 | 2012-04-04 | 三菱レイヨン株式会社 | 重合体およびその製造方法 |
JP2009029848A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 重合体及びその製造方法、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法 |
JP5022973B2 (ja) * | 2008-04-02 | 2012-09-12 | 三菱レイヨン株式会社 | 重合体及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-06-30 JP JP17312992A patent/JP3208602B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0616730A (ja) | 1994-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5399647A (en) | Photoresist composition of 1-(1'-cyanoethenyl)adamantane | |
JP3042618B2 (ja) | ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法 | |
JP2845225B2 (ja) | 高分子化合物、それを用いた感光性樹脂組成物およびパターン形成方法 | |
TW388926B (en) | Method and device using arf photoresist | |
JP2856116B2 (ja) | ビニルモノマー、重合体、フォトレジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP3173368B2 (ja) | 高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料 | |
JP5030474B2 (ja) | 半導体リソグラフィー用樹脂組成物 | |
JP2002088124A (ja) | 縮合環の芳香族環を含む保護基を有する感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物 | |
JP4347179B2 (ja) | 新規の重合体及びこれを含有した化学増幅型レジスト | |
JP3643491B2 (ja) | 化合物、共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物とこれを利用したフォトレジストパターン形成方法、および半導体素子 | |
JP4268249B2 (ja) | 共重合体樹脂とその製造方法、フォトレジストとその製造方法、および半導体素子 | |
JP2943759B2 (ja) | (メタ)アクリレート、重合体、フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 | |
JP3642316B2 (ja) | 化学増幅レジスト用単量体、化学増幅レジスト用重合体、化学増幅レジスト組成物、パターン形成方法 | |
JP3208602B2 (ja) | α,β−不飽和ニトリルを有する脂環式多環族とメタクリレート誘導体との共重合体 | |
JP3536015B2 (ja) | フォトレジスト用単量体とその製造方法、フォトレジスト用共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子 | |
KR100557554B1 (ko) | 불소가 치환된 벤질 카르복실레이트 그룹을 포함하는단량체 및 이를 함유한 포토레지스트 중합체 | |
JP3589160B2 (ja) | レジスト用材料、化学増幅型レジスト及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JPH10171122A (ja) | 化学増幅型フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 | |
JPH09197674A (ja) | 化学増幅形レジスト用のベース樹脂およびその製造方法 | |
JP2002251009A (ja) | フォトレジスト用重合性不飽和化合物 | |
KR100249453B1 (ko) | 초고집적 반도체의 고해상도 레지스트 재료용 지환족 유도체 및그의 제조 방법 | |
JPH0680724A (ja) | N−t−ブトキシカルボニルマレイミド系(共)重合体の製造方法及びN−t−ブトキシカルボニルマレイミド系(共)重合体を利用した耐熱性ポジレジスト画像形成方法 | |
JPH03223862A (ja) | レジスト材料 | |
JPH04104251A (ja) | 新規なレジスト材料 | |
JPWO2008081894A1 (ja) | コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010612 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080713 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090713 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100713 Year of fee payment: 9 |