NL1005689C2 - Copolymeren die N-vinyllactamderivaten bevatten, methoden ter bereiding daarvan en daarvan gemaakte fotoresistmaterialen. - Google Patents

Copolymeren die N-vinyllactamderivaten bevatten, methoden ter bereiding daarvan en daarvan gemaakte fotoresistmaterialen. Download PDF

Info

Publication number
NL1005689C2
NL1005689C2 NL1005689A NL1005689A NL1005689C2 NL 1005689 C2 NL1005689 C2 NL 1005689C2 NL 1005689 A NL1005689 A NL 1005689A NL 1005689 A NL1005689 A NL 1005689A NL 1005689 C2 NL1005689 C2 NL 1005689C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
carbon atoms
group
aryl group
vinyl
alkyl group
Prior art date
Application number
NL1005689A
Other languages
English (en)
Other versions
NL1005689A1 (nl
Inventor
Min Ho Jung
Jin Baek Kim
Jong Ho Cheong
Original Assignee
Hyundai Electronics Ind
Korea Advanced Inst Sci & Tech
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hyundai Electronics Ind, Korea Advanced Inst Sci & Tech filed Critical Hyundai Electronics Ind
Publication of NL1005689A1 publication Critical patent/NL1005689A1/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL1005689C2 publication Critical patent/NL1005689C2/nl

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F226/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen
    • C08F226/06Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen by a heterocyclic ring containing nitrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F230/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal
    • C08F230/04Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal
    • C08F230/08Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal containing silicon
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Description

Titel: Copolymeren die N-vinyllactamderivaten bevatten, methoden ter bereiding daarvan en daarvan gemaakte fotoresistmaterialen ACHTERGROND VAN DE UITVINDING Gebied van de uitvinding
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op copolymeren die N-vinyllactamderivaten bevatten, voor 5 gebruik in microlithografie, methoden voor het bereiden daarvan, en ervan vervaardigde fotoresistmaterialen. Meer in het bijzonder betreft de onderhavige uitvinding copolymeren die aan de 3-positie beschermde N-vinyllactamderivaten bevatten, methoden ter bereiding van de 10 copolymeren, en fotoresistmaterialen die geschikt zijn voor blootstelling aan diep UV, waarbij voordeel wordt getrokken uit de stralingsgevoeligheid van het copolymeer voor de vorming van een reliëf-beeld van hoge gevoeligheid en resolutie door gebruik van diep UV.
15
Beschrijving van de stand van de techniek
Een fotoresist omvat in het algemeen een in alkali oplosbare fenol- (of cresol-) formaldehyde novolakhars en een gesubstitueerde naftochinondiazineverbinding als foto-20 gevoelig materiaal (fotoactieve ingrediënt), zoals vermeld in US octrooischriften nrs. 3.666.473, 4.115.128, en 4.173.470.
Terwijl de in een dergelijke fotoresist toegepaste novolakhars in een waterige alkali-oplossing wordt opgelost 25 fungeert het naftochinon fotogevoelige materiaal als oplosremmer van de resist. Wanneer echter een met de fotoresist bekleed substraat selectief aan chemische straling wordt onderworpen, leidt dit ertoe dat het fotogevoelige agens een zodanige modificatie van zijn struktuur ondergaat dat 30 de fotoresist-bekleding in sterkere mate door alkali wordt gesolubiliseerd in een blootgesteld gebied dan in een niet-blootgesteld gebied. Dankzij zo'n verschil in oplosbaarheid 1005689 2 kan een reliëfpatroon op de bekleding van het substraat worden gevormd. D.w.z. dat wanneer het substraat in een basische ontwikkel-oplossing wordt ondergedompeld, het blootgestelde gebied van de fotoresistbekleding wordt 5 opgelost terwijl het niet-blootgestelde gebied weinig wordt beïnvloed, zodat een patroon wordt gevormd. De hierboven vermelde novolaktype resistmaterialen bleken echter niet geschikt te zijn voor de later te beschrijven stepper waarbij kortere golflengtes worden gebruikt, omdat ze een 10 hoge optische absorptie vertonen in een bereik van diep ultraviolet licht, 200 tot 300 nm.
Om hoge gevoeligheid in het lithografieproces van de vervaardiging van halfgeleiders te bereiken, is onlangs een chemisch amplificatieresistmateriaal ontwikkeld. Inderdaad 15 staat het chemische amplificatieresistmateriaal in de schijnwerpers sinds gevonden is dat het in staat is de gevoeligheid 100-voudig te verhogen in vergelijking met conventionele positieve novolakresistmaterialen. Een chemisch amplificatieresistmateriaal, dat voordeel trekt 20 uit de foto-zuur generator, wordt in het algemeen bereid door de foto-zuur generator te formuleren in een matrix-polymeer met een struktuur die gevoelig reageert op het zuur. Wat het mechanisme van de fotoreactie betreft, wanneer de foto-zuur generator aan licht wordt blootgesteld 25 of met een hoge energie bundel wordt bestraald, zoals röntgenbundels en elektronenbundels, worden protonen en sterk Brönsted zuur gegenereerd, wat veroorzaakt dat de hoofdketen of de zij keten van het matrixpolymeer reageert in de richting van ontleding, verknoping of een grote 30 wijziging van polariteit. Deze werking van het zuur leidt er in het bestraalde gebied toe, dat de oplosbaarheid daarin in de gegeven ontwikkel-oplossing wordt gewijzigd, d.w.z. dat deze oplosbaarheid wordt vergroot of verkleind. Als gevolg kunnen fijne patronen worden gevormd.
35 Als foto-zuur generators zijn oniumzouten bekend, die op licht en straling kunnen reageren. Typerende onium- i o 0 5 6 8 9 3 zouten zijn ammoniumzouten, oxoniumzouten en sulfonium-zouten. Onlangs is gerapporteerd dat organische sulfon-esters als foto-zuur generator kunnen fungeren.
Beschikbaar voor het matrixpolymeer dat met zuur kan 5 reageren, zijn die welke gesubstitueerd zijn met een zij-keten die door zuur kan worden ontleed tot een carbonzuur, fenol of alkoholische functionele groep. Als geschikte substituenten zijn t-butylester-, t-butylcarbonaat-, t-butoxy- en t-butoxycarbonylgroepen bekend. Van deze groepen 10 is gebleken dat de t-butoxycarbonylgroep in gevoeligheid de beste is.
Zulk een zuur-reactief polymeer in een beschermde toestand of voorafgaande aan reactie met zuur kan worden opgelost in organisch oplosmiddel, maar niet in waterige 15 alkali-oplossing. Indien het zuur-reactieve polymeer echter door reactie met zuur ontschermd wordt, is het oplosbaar in waterige alkali-oplossing doordat zijn polariteit sterk gewijzigd is.
Dit principe benuttend is de ontwikkeling van 20 chemische amplificatieresistmaterialen in recente jaren een controversieel punt van discussie geweest. Van t-butoxy-carbonyl-beschermd polyvinylfenol is gerapporteerd dat het een van de mogelijke harsen is, zoals geïntroduceerd in U.S. octrooischriften nrs. 4.491.628, 4.405.708 en 25 4.311.782.
Een recente trend in submicrolithografie is om diep UV (golflengte 200 tot 300 nm) te gebruiken als lichtbron, bij voorkeur een KrF excimeerlaser van hoog vermogen (golflengte 248 nm), in plaats van conventioneel UV, bijv. 30 g-lijn (golflengte 436 nm) of i-lijn (golflengte 365 nm), om hoge gevoeligheid en resolutie te bereiken. De chemische amplificatieresistmaterialen worden echter gemakkelijk door de in lucht aanwezige base-materialen verontreinigd, wat een probleem creëert van stabiliteit in de vertraging na 35 blootstelling (post-exposure delay, verder aangeduid met 1005689 4 "PED") waarbij T-top wordt gevormd in de loop van de vorming van een fijn patroon.
Er zijn verscheidene methoden gesuggereerd voor het verbeteren van de PED stabiliteit. Van deze methoden werd 5 gevonden dat het gebruik van base-toevoegingen (in hoofdzaak aminen) een verbetering in PED stabiliteit gaf, maar een nadeel was dat daardoor een afname in stralingsgevoeligheid van de fotoresist werd veroorzaakt en de base-toevoegingen werden niet uniform in de film gedistribueerd 10 vanwege hun diffusie naar het filmoppervlak tijdens de verwerking.
SAMENVATTING VAN DE UITVINDING
Door de onderhavige uitvinders uitgevoerd intensief 15 onderzoek, gericht op de ontwikkeling van een fotoresist voor gebruik in submicrolithografie met een sterk verbeterde PED stabiliteit leidde tot de vondst, dat het chemische amplificatieresistmateriaal, gepolymeriseerd met N-vinyllactamderivaten en styreen- of acrylaatderivaten, 20 hoge glasovergangstemperaturen heeft, die nodig zijn voor de verwerkingsprocedure, en gemakkelijk ontschermd wordt met weinig absorptie van diep UV, naast superioriteit in PED stabiliteit.
Een hoofddoel van de onderhavige uitvinding is een 25 copolymeer te verschaffen dat een N-vinyllactamderivaat bevat dat op de 3-positie met een beschermende groep geblokkeerd is.
Een ander doel van de onderhavige uitvinding is een werkwijze te verschaffen voor het bereiden van het 30 copolymeer.
Een verder doel van de onderhavige uitvinding is een fotoresist te verschaffen, die uit het copolymeer is bereid.
1005689 5
GEDETAILLEERDE BESCHRIJVING VAN DE UITVINDING
De onderhavige uitvinding betreft copolymeren die N-vinyllactamderivaten bevatten die op de 3-positie met een beschermende groep zijn gesubstitueerd, volgens chemische 5 formule I van het formuleblad, waarin R1 staat voor waterstof, een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen of een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstofatomen; R2 en R3 onafhankelijk staan voor waterstof, een 10 alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstofatomen, -OR', -S03R’, -C02R' , -P03R' , -SO,R' of P02R' waarin R' staat voor een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, cycloalkyl, een cyclische groep die een heteroatoom zoals 15 N, O, P en S bevat, of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen; R4 en R3 onafhankelijk staan voor -OH, -OR waarin R staat voor een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, of hetzelfde is als R1; 20 R7 en R9 onafhankelijk staan voor waterstof, een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, of een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstofatomen; R6 en R8 onafhankelijk staan voor een arylgroep met 25 6-20 koolstofatomen of een acrylaat -COOR" (waarin R" een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen is); m een geheel getal van 0 tot 10 is; j een molverhouding in het bereik van 0,005 tot 0,7 30 is; en k en 1, die gelijk of verschillend kunnen zijn, elk een molverhouding in het bereik van 0,05 tot 0,9 zijn.
De N-vinyllactamderivaten van de onderhavige uitvinding worden weergegeven met de chemische formule II 35 van het formuleblad, waarin 1005689 6 R1 staat voor waterstof, een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen of een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstofatomen; R2 en R3 onafhankelijk staan voor waterstof, een 5 alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstofatomen, of -0R', -S03R', -C02R', -P03R', -S02R' of P02R' waarin R' staat voor een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, cycloalkyl, een cyclische groep die een heteroatoom 10 zoals N, 0, P en S bevat, of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen; R·* en R5 onafhankelijk staan voor -OH, -OR waarin R staat voor een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, of hetzelfde is als R1; 15 en m een geheel getal van 0 tot 10 is.
Een copolymeer in de onderhavige uitvinding wordt bereid door N-vinyllactamderivaten te polymeriseren met styreen- of acrylaatderivaten.
20 Concrete voorbeelden van de in de onderhavige uitvinding toegepaste N-vinyllactamderivaten omvatten 1-vinyl-2-pyrrolidinon, l-vinyl-4-butyl-2-pyrrolidinon, 1-vinyl-4-propyl-2-pyrrolidinon, 3-(t-butoxycarbonyl)-1-vinyl-2-pyrrolidinon, 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-4-butyl-25 2-pyrrolidinon, 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-4-propyl-2-pyrrolidinon, 3-(tetrahydropyranyloxycarbonyl)-l-vinyl-2-pyrrolidinon, 3-(tetrahydropyranyloxycarbonyl)-l-vinyl-5-ethyl-2-pyrrolidinon, l-vinyl-4-methyl-2-piperidon, 1-vinyl-4-propyl-2-piperidon, 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-4-30 methyl-2-piperidon, 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-4-propyl- 2-piperidon, l-vinyl-2-caprolactam, l-vinyl-4-butyl-2-caprolactam, 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-2-caprolactam, 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-4-butyl-2-caprolactam, 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-6-methyl-2-caprolactam, 3-(tetra-35 hydropyranyloxycarbonyl)-l-vinyl-5-butyl-2-caprolactam, 3-(tetrahydropyranyloxycarbonyl)-l-vinyl-6-propyl-2-capro- 1005689 7 lactam, 3-(tetrahydrofuranyloxycarbonyl)-l-vinyl-2-pyrrolidinon, 3-(tetrahydrofuranyloxycarbonyl)-l-vinyl-4-butyl-2-pyrrolidinon, en 3-(tetrahydropyranyloxycarbonyl) -l-vinyl-6-buty1-2-caprolactam.
5 Voor copolymeren wordt een ander monomeer gebruikt, waarvan voorbeelden zijn 4-(t-butoxycarbonyloxy)-1-vinyl-cyclohexaan, 3,5-(di-t-butoxycarbonyloxy)-1-vinylcyclo-hexaan, 4-(tetrahydropyranyloxy)-1-vinylcyclohexaan, 4-(tetrahydrofuranyloxy)-1-vinylcyclohexaan, 3,5-(ditetra-10 hydropyranyloxy)-1-vinylcyclohexaan, 3,5-(ditetrahydro- furanyloxy)-1-vinylcyclohexaan, t-butoxycarbonyloxystyreen, styreen, tetrahydropyranyloxystyreen, 4-hydroxystyreen, 4-acetoxystyreen, 3-methyl-4-hydroxystyreen, t-butylacrylaat, t-butylmethacrylaat, adamantylacrylaat, en adamantyl-15 methacrylaat.
De copolymeren van de onderhavige uitvinding kunnen worden verkregen in een bulkpolymerisatie of in een oplossingspolymerisatie. Als oplosmiddel voor polymerisatie kunnen cyclohexanon, methylethylketon, benzeen, tolueen, 20 dioxaan, dimethylformamide, alleen of een combinatie ervan, worden gekozen. Gewoonlijk wordt de polymerisatie uitgevoerd in aanwezigheid van een polymerisatie-initiator, zoals benzoylperoxide, 2,2'-azobisisobutyronitrile (AIBN), acetylperoxide, laurylperoxide, of t-butylperacetaat.
25 Een copolymeer van hydroxystyreen, t-butylacrylaat en 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-2-caprolactam (hierin verder aangeduid als "BCVC"), een van de copolymeren van de onderhavige uitvinding, poly(4-hydroxystyreen-co-t-butyl-acrylaat-co-BCVC (hierin verder aangeduid als "poly(HOST-30 co-TBA-co-BCVC)") bleek hoogtransparant te zijn, zoals aangetoond in het experiment waarin een film met een dikte van 1 micrometer een optische absorptie van 0,12 of lager in het diep UV bereik (200 tot 300 nm) vertoonde.
Thermische graviteitsanalyse (TGA) liet zien dat poly(HOST-35 co-TBA-co-BCVC) tot 180°C stabiel was. Boven 180°C vindt snelle ontscherming van de t-butoxycarbonylgroep plaats, 100 5 68 9 8 waarbij 2-methylpropeen en C02 worden gevormd. Bij aanwezigheid van zuur werd de t-butoxycarbonylgroep zelfs bij 135°C snel ontschermd in 2-methylpropeen en C02. Dit feit betekent dat poly(HOST-co-TBA-co-BCVC) ver superieur 5 is in thermische eigenschappen dankzij zijn hoge thermische ontledingstemperatuur en gemakkelijk ontschermd wordt bij lage temperaturen in aanwezigheid van zuur. Differentiële scanning calorimetrie (DSC) laat zien dat de glasovergangs-temperatuur van poly(HOST-co-TBA-co-BCVC) ongeveer 165°C 10 is.
Naast de transparantie voor diep UV en het gemak van ontscherming wordt van een nieuwe fotoresist die het copolymeer van de onderhavige uitvinding bevat een grote verbetering in PED stabiliteit verwacht, dankzij geschikte 15 fotogevoeligheid en de introductie van de base-eenheid (BCVC). Alle polymeren van N-vinyllactamderivaten die op de 3-positie beschermd zijn, hebben een hoge gevoeligheid en contrast. In het bijzonder vertoont poly(HOST-co-TBA-co-BCVC) , wanneer BCVC aanwezig is in een hoeveelheid van 1 20 mol%, een geschikte gevoeligheid van ongeveer 10 mJ/cm2 en een hoog contrast. Naarmate het mol% van BCVC toeneemt, neemt de gevoeligheid af. Bijvoorbeeld, wanneer BCVC aanwezig is in een hoeveelheid van 2,6 mol%, vertoont het resulterende copolymeer een gevoeligheid van 21 mJ/cm2.
25 Deze afname in gevoeligheid is echter veel minder ernstig dan die, welke men verkrijgt bij toevoeging van conventionele amine-base additieven.
Gewone experimenten voor de vorming van een fijn patroon bevestigden dat de uit de N-vinyllactamderivaten en 30 styreen- of acrylaatderivaten bereide copolymeren volgens de onderhavige uitvinding gebruikt konden worden voor chemische amplificatieresistmaterialen met hoge gevoeligheid.
De analyse van het thermische ontledingsgedrag van 35 de polymeren werd uitgevoerd in een stikstofatmosfeer met een temperatuurverhoging van 10°C/minuut met behulp van 1005689 9 DSC, in de handel verkrijgbaar bij Perkin Elmer onder de identificatie MODEL 7, en TGA. De inherente viscositeiten van de polymeren werden bepaald in de toestand van een dimethylformamide-oplossing van 0,5 g/dl bij 25°C met 5 behulp van een capillair buisje van glas.
Een beter begrip van de onderhavige uitvinding kan worden verkregen aan de hand van de volgende voorbeelden, die ter illustratie dienen, en niet ter beperking, van de onderhavige uitvinding.
10
VOORBEELD I
Synthese van 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-2-pyrrolidinon monomeer
Aan een oplossing van diisopropylamine 14 ml 15 (100 mmol) in watervrij tetrahydrofuran 40 ml werd 40 ml (100 mmol) van 2,5 M n-butyllithium toegevoegd, en de resulterende oplossing werd 30 min bij -78°C geroerd en de gelegenheid gegeven te reageren, totdat de temperatuur tot kamertemperatuur was gestegen. Na vriezen tot -78°C werd 20 aan de oplossing 11,1 g (100 mmol) van N-vinylpyrrolidinon toegevoegd en werd 30 min bij dezelfde temperatuur gereageerd. Daarna werd druppelsgewijze 24 g (110 mmol) van di-t-butyldecarbonaat toegevoegd, gevolgd door een reactie gedurende 2 uur bij -78°C. Deze oplossing werd verdund met 25 diethylether en vele malen met zuiver water gewassen. Het organische oplosmiddel van de organische fase werd verdampt en het residu werd aan silicagelkolomchromatografie onderworpen, waarbij 15 g van zuiver 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-2-pyrrolidinon (hierna verder aangeduid als "BCVP") 30 werd verkregen. Zijn chemische struktuur werd met IR spectra en NMR vastgesteld.
1005689 10
VOORBEELD II
Synthese van 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-2-caprolactam monoraeer
Aan een oplossing van diisopropylamine 14 ml 5 (100 mmol) in watervrij tetrahydrofuran 40 ml werd 40 ml (100 mmol) van 2,5 M n-butyllithium toegevoegd, en de resulterende oplossing werd 30 min bij -78°C geroerd en de gelegenheid gegeven te reageren, totdat de temperatuur tot kamertemperatuur was gestegen. Na vriezen tot -78°C werd 10 aan de oplossing 13,9 g (100 mmol) van N-vinylcaprolactam toegevoegd en werd 30 min bij dezelfde temperatuur gereageerd. Daarna werd druppelsgewijze 24 g (110 mmol) van di-t-butyldecarbonaat toegevoegd, gevolgd door een reactie gedurende 2 uur bij -78°C. Deze oplossing werd verdund met 15 diethylether en vele malen met zuiver water gewassen. Het organische oplosmiddel van de organische fase werd verdampt en het residu werd aan silicagelkolomchromatografie onderworpen, waarbij 17,2 g van zuiver 3-(t-butoxy-carbonyl)-l-vinyl-2-caprolactam (hierna verder aangeduid 20 als "BCVC") werd verkregen.
IR spectra en NMR analyse werden gemaakt om de chemische struktuur van het gesynthetiseerde BCVC vast te stellen.
25 VOORBEELD III
Synthese van 3- (tetrahydropyranyloxycarbonyl)-l-vinyl-2-pyrrolidinon monomeer
Van het in Voorbeeld I gesynthetiseerde BCVP werd 10,6 g (0,05 mol) opgelost in 50 ml watervrij tetrahydro-30 furan. Aan deze oplossing werden 4,3 g (0,05 mol) tetrahydropyran en 0,3 g p-tolueensulfonzuur toegevoegd, en gedurende 4 uur de gelegenheid gegeven te reageren bij 0°C. De oplossing werd verdund met diethylether en vele malen met zuiver water gewassen. Het organische oplosmiddel van 35 de organische fase werd verdampt en het residu werd aan silicagelkolomchromatografie onderworpen, waarbij 9,8 g van 1 00 5 68 9 11 zuiver 3-(tetrahydropyranyloxycarbonyl)-l-vinyl-2-pyrroli-dinon (hierna verder aangeduid als "TPVP") werd verkregen. Zijn chemische struktuur werd met IR spectra en NMR vastgesteld.
5
VOORBEELD IV
Synthese van 3-(tetrahydrofuranyloxycarbonyl)-l-vinyl-2-pyrrolidinon monomeer
Van 3- (t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-2-pyrrolidinon 10 (BCVP) werd 8,9 g opgelost in 50 ml watervrij tetrahydro-furan. Aan deze oplossing werden 1,0 g natriumhydride en 4,4 g 2-chloortetrahydrofuran toegevoegd en gedurende 1 uur de gelegenheid gegeven te reageren bij kamertemperatuur. Deze oplossing werd met diethylether verdund en vele malen 15 met zuiver water gewassen. Het organische oplosmiddel van de organische fase werd verdampt en het residu werd aan silicagelkolomchromatografie onderworpen, waarbij 9,3 g van zuiver 3-(tetrahydrofuranyloxycarbonyl)-l-vinyl-2-pyrroli-dinon (hierna verder aangeduid als "TFVP") werd verkregen. 20 Zijn chemische struktuur werd met IR spectra en NMR vastgesteld.
VOORBEELD V
Synthese van 3- (tetrahydropyranyloxycarbonyl)-l-vinyl-2-25 caprolactam monomeer
Van zuiver 3-(tetrahydropyranyloxycarbonyl)-1-vinyl- 2-caprolactam (hierna verder aangeduid als "TPVC") werd 10,7 g gesynthetiseerd op dezelfde wijze als in Voorbeeld III, behalve dat 6,7 g N-vinylcaprolactam werd gebruikt in 30 plaats van BCVP.
IR spectra en NMR analyse werden uitgevoerd om de chemische struktuur van het gesynthetiseerde TPVC vast te stellen.
1005689 12
VOORBEELD VI
Synthese van 3-(tetrahydrofuranyloxycarbonyl)-l-vinyl-2-caprolactam monomeer
De procedure van Voorbeeld IV werd herhaald met 5 10,3 g van 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-2-caprolactam (BCVC), waarbij 10,8 g van zuiver 3-(tetrahydrofuranyloxy-carbonyl)-l-vinyl-2-caprolactam (hierna verder aangeduid als "TFVC") werd verkregen.
IR spectra en NMR analyse werden uitgevoerd om de 10 chemische struktuur van het gesynthetiseerde TFVC vast te stellen.
VOORBEELD VII
Synthese van poly(HOST-co-TBA-co-BCVC) copolymeer 15 Er werden 2,65 g van het in Voorbeeld II
gesynthetiseerde BCVC monomeer, 6,0 g acetoxystyreen en 3,31 g t-butylacrylaat in tolueen opgelost en in een glazen polymerisatie-ampul gebracht. De reactanten werden 22 uur bij 65°C onder verlaagde druk in aanwezigheid van 0,2 mol 20 AIBN, een polymerisatie-initiator, gepolymeriseerd. Het polymeer werd in petroleumether geprecipiteerd en de precipitaten werden gedroogd, waarbij 8,4 g van poly(ACOST-co-TBA-co-BCVC) copolymeer werd verkregen in een opbrengst van 71%. Dit werd aan een methanol-oplossing die 12 ml 25 28%'s ammoniak-in-water bevatte toegevoegd en 10 uur onder roeren bij kamertemperatuur aan basische hydrolyse onderworpen. Neutralisatie met azijnzuur, precipitatie in gedestilleerd water, en drogen werden achtereenvolgens uitgevoerd, waarbij poly(HOST-co-TBA-co-BCVC) werd 30 verkregen. Zijn inherente viscositeit werd bepaald in de toestand van dimethylformamide-oplossing bij 25°C, met behulp van een ubbelohe type viscometer. De resultaten worden hieronder in Tabel 1 getoond.
Andere copolymeren werden bereid onder gebruik van 35 de hieronder in Tabel 1 gesuggereerde combinaties. De molverhoudingen van de eenheden in de copolymeren werden 1005689 13 met NMR analyse en thermoanalyse gemeten en worden, samen met hun viscositeiten, in Tabel 1 gegeven.
TABEL 1 5 Molverhouding Inherente Molverhoudingen van van monomeren Opbrengst Viscositeit eenheden in polymeer
Polymeer ACOST: TBA: BCVC (%) (dL/g) ACOST: TBA : BCVC
A 10 7 0 82 0,53 62 38 0 10 B 10 6 0, 5 80 0,51 64,3 35,0 0,7 C 10 6 1 78 0,49 63,6 35,0 1,4 D 10 7 3 71 0, 46 58, 1 39, 3 2,6
15 VOORBEELDEN VIII T/M XIV
Onder toepassing van N-vinylpyrrolidinon (NVP), N-vinylcaprolactam (NVC), BCVP (Voorbeeld I), TPVP (Voorbeeld III), TFVP (Voorbeeld IV), TPVC (Voorbeeld V) en TFVC (Voorbeeld VI), werd de procedure van Voorbeeld VII 20 herhaald ter verkrijging van respectieve copolymeren. De resultaten worden hieronder in Tabel 2 getoond.
TABEL 2 aMolverhouding Inherente Molverhoudingen van 25 van monomeren Opbrengst Viscositeit eenheden in polymeer
Polymeer ACOST: TBA: # (%) (dL/g) ACOST: TBA : BCVC
8 10 6 3(A) 84 0, 43 60,2 37,0 2,8 9 10 6 3(B) 82 0,51 59,3 38,0 2,7 30 10 10 6 3(C) 78 0,45 64, 1 34,0 1,9 11 10 6 3(D) 75 0, 47 60,9 36,7 2,4 12 10 6 3(E) 80 0,50 59,3 39,0 1,7 13 10 6 3(F) 78 0,48 63, 1 35,0 1,9 14 10 6 3(G) 77 0,48 59,7 38,7 1,6 35 ----------------------------------------------------------------------
*A:NVP; B:NVC; C:BCVP; D:TPVP; E:TFVP; F:TPVC; G:TFVC
1005689 14
VOORBEELD XV
Bereiding van resist-oplossinq en vorming van positief fijn patroon
Er werd 10-30 gew% van het in Voorbeeld VII 5 gesynthetiseerde poly(HOST-co-TBA-co-BCVC) opgelost in propyleenglycolmethyletheracetaat. In deze oplossing werd een oniumzout of organisch sulfonzuur, fungerend als foto-zuur generator, toegevoegd in een hoeveelheid van 5,0 tot 30,0 gew%, gebaseerd op het gewicht van het resistpolymeer. 10 Filtratie met een ultrafijn filter gaf een chemische amplificatieresist-oplossing. Deze werd daarna door spin-coating op een siliciumwafel aangebracht, waarbij een dunne film met een dikte van ongeveer 1,0 μπι werd gevormd. Deze wafel werd 1-5 minuten bij 120°C voorgebakken in een oven 15 of op een hete plaat, blootgesteld aan het licht afkomstig van een diep UV contactprinter of KrF excimeerlaserstepper, onderworpen aan een bakbehandeling na blootstelling (PEB) van 1-5 minuten bij 130 tot 150°C in een oven of op een hete plaat, en voor ontwikkeling gedurende 90 seconden in 20 basisch water ondergedompeld. Als resultaat werd een positief resistpatroon van 0,2 μΐη 1/s verkregen.
Voorafgaande aan PEB liet men de belichte resistfilm aan de lucht staan voor een test van de PED stabiliteit. Zelfs na 4 uur werd een fijn patroon zonder vorming van een 25 T-top verkregen.
Zoals hierboven beschreven en aangetoond, worden de nieuwe copolymeren, die bruikbaar zijn als chemische amplificatieresistmaterialen met geschiktheid voor diep UV, met succes volgens de uitvinding gesynthetiseerd. Bovendien 30 heeft de uit de polymeren volgens de onderhavige uitvinding gemaakte fotoresist een hoge gevoeligheid zodat patronen met hoge resolutie kunnen worden gevormd. Voorts leidt de introductie van N-vinyllactamderivaat tot een grote toename van de PED stabiliteit. De stralingsgevoelige polymeren 35 kunnen daardoor worden toegepast voor lithografie van hooggeïntegreerde halfgeleiderinrichtingen en elektronische 1005689 15 inrichtingen. Bijgevolg kunnen ultrafijne schakelingen worden gevormd en kan een exceptionele verbetering van de patroonvorming worden bereikt bij gebruik van de volgens de onderhavige uitvinding bereide fotoresist.
5 De onderhavige uitvinding is op illustratieve wijze beschreven en men moet begrijpen dat de gebruikte terminologie toelichtend is bedoeld en niet beperkend.
Vele modificaties en variaties van de onderhavige uitvinding zijn mogelijk in het licht van de bovengegeven 10 uiteenzettingen. Men moet derhalve begrijpen dat de uitvinding binnen de omvang van de bijbehorende conclusies op andere wijzen in praktijk kan worden gebracht dan de specifiek beschreven uitvoeringswijzen.
1005689

Claims (3)

1. Copolymeer dat N-vinyllactamderivaten bevat volgens algemene formule I van het formuleblad, waarin R1 staat voor waterstof, een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen of 5 een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstofatomen; R2 en R3 onafhankelijk staan voor waterstof, een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstof-atomen, -0R’, -S03R’, -C02R’, -P03R', -S02R' of PO,R' waarin 10 R' staat voor een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, cycloalkyl, een cyclische groep die een heteroatoom zoals N, O, P en S bevat, of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen ; R4 en R3 onafhankelijk staan voor -OH, -OR waarin R 15 staat voor een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, of hetzelfde is als R1; R7 en R9 onafhankelijk staan voor waterstof, een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, of een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstof-20 atomen; R6 en R8 onafhankelijk staan voor een arylgroep met 6-20 koolstofatomen of een acrylaat -COOR" (waarin R" een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen is); 25. een geheel getal van 0 tot 10 is; j een molverhouding in het bereik van 0,005 tot 0,7 is; en k en 1, die gelijk of verschillend kunnen zijn, elk een molverhouding in het bereik van 0,05 tot 0,9 zijn.
2. Werkwijze voor het bereiden van een copolymeer met de algemene formule I van het formuleblad, waarin 1005689 R1 staat voor waterstof, een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen of een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstofatomen; R2 en R3 onafhankelijk staan voor waterstof, een 5 alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstofatomen, -0R', -S03R', -C02R' , -P03R', -S02R' of P02R’ waarin R' staat voor een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, cycloalkyl, een cyclische groep die een heteroatoom zoals 10 N, 0, P en S bevat, of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen ; R4 en R5 onafhankelijk staan voor -OH, -OR waarin R staat voor een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, of hetzelfde is als R1;
15 R7 en R9 onafhankelijk staan voor waterstof, een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, of een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstofatomen; R6 en R8 onafhankelijk staan voor een arylgroep met 20 6-20 koolstofatomen of een acrylaat -COOR" (waarin R" een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen is); m een geheel getal van 0 tot 10 is; j een molverhouding in het bereik van 0,005 tot 0,7 25 is; en k en 1, die gelijk of verschillend kunnen zijn, elk een molverhouding in het bereik van 0,05 tot 0,9 zijn, omvattende polymerisatie van styreen- of acrylaatderivaten met N-vinyllactamderivaten met de algemene formule II van 30 het formuleblad, waarin R1, R2, R3, R4, R5 en m elk zijn zoals hierboven gedefinieerd.
3. Chemische amplificatiefotoresist, omvattende de polymeren volgens conclusie 1. 1005689
NL1005689A 1996-12-20 1997-04-01 Copolymeren die N-vinyllactamderivaten bevatten, methoden ter bereiding daarvan en daarvan gemaakte fotoresistmaterialen. NL1005689C2 (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960068910A KR100197673B1 (en) 1996-12-20 1996-12-20 Copolymers containing n-vinyllactam derivatives, preparation methods thereof and photoresists therefrom
KR19960068910 1996-12-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL1005689A1 NL1005689A1 (nl) 1998-06-23
NL1005689C2 true NL1005689C2 (nl) 1999-04-09

Family

ID=19489702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1005689A NL1005689C2 (nl) 1996-12-20 1997-04-01 Copolymeren die N-vinyllactamderivaten bevatten, methoden ter bereiding daarvan en daarvan gemaakte fotoresistmaterialen.

Country Status (9)

Country Link
US (2) US6051678A (nl)
JP (1) JP3269789B2 (nl)
KR (1) KR100197673B1 (nl)
CN (1) CN1120185C (nl)
DE (1) DE19721694B4 (nl)
FR (1) FR2757526B1 (nl)
GB (1) GB2320500B (nl)
NL (1) NL1005689C2 (nl)
TW (1) TW367430B (nl)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4366766B2 (ja) 1999-04-30 2009-11-18 住友化学株式会社 O−置換ビニルフェノール単位を有する重合体及びそれのレジストへの使用
US7138218B2 (en) * 2001-12-18 2006-11-21 Hynix Semiconductor Inc. Process for forming an ultra fine pattern using a bottom anti-reflective coating film containing an acid generator
US8119392B2 (en) * 2003-05-02 2012-02-21 The University Of North Carolina At Charlotte Biocompatible resists
US7338742B2 (en) * 2003-10-08 2008-03-04 Hynix Semiconductor Inc. Photoresist polymer and photoresist composition containing the same
US7270937B2 (en) * 2003-10-17 2007-09-18 Hynix Semiconductor Inc. Over-coating composition for photoresist and process for forming photoresist pattern using the same
KR100680405B1 (ko) * 2003-11-19 2007-02-08 주식회사 하이닉스반도체 Euv용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법
US7745339B2 (en) * 2006-02-24 2010-06-29 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming fine pattern of semiconductor device
KR100694412B1 (ko) * 2006-02-24 2007-03-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 미세패턴 형성방법
KR100849800B1 (ko) * 2006-07-20 2008-07-31 주식회사 하이닉스반도체 노광 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US8313876B2 (en) * 2006-07-20 2012-11-20 Hynix Semiconductor Inc. Exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same
US7959818B2 (en) * 2006-09-12 2011-06-14 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming a fine pattern of a semiconductor device
US7790357B2 (en) * 2006-09-12 2010-09-07 Hynix Semiconductor Inc. Method of forming fine pattern of semiconductor device
KR100861173B1 (ko) 2006-12-01 2008-09-30 주식회사 하이닉스반도체 액침 노광 공정을 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법
KR20080057562A (ko) * 2006-12-20 2008-06-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
US7923200B2 (en) * 2007-04-09 2011-04-12 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for coating over a photoresist pattern comprising a lactam
JP5069494B2 (ja) * 2007-05-01 2012-11-07 AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 微細化パターン形成用水溶性樹脂組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法
KR100919564B1 (ko) * 2007-06-29 2009-10-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR100876816B1 (ko) * 2007-06-29 2009-01-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
WO2009152276A2 (en) 2008-06-10 2009-12-17 University Of North Carolina At Charlotte Photoacid generators and lithographic resists comprising the same
US7745077B2 (en) * 2008-06-18 2010-06-29 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for coating over a photoresist pattern
KR101037528B1 (ko) * 2008-10-16 2011-05-26 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 패턴 형성 방법
JP5898521B2 (ja) * 2011-02-25 2016-04-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6182864B2 (ja) * 2012-01-17 2017-08-23 住友化学株式会社 レジストパターンの製造方法
KR200474218Y1 (ko) * 2012-05-10 2014-08-28 (주)신성이지텍 벽면 장식재 고정 프레임 조립체
JP6283477B2 (ja) * 2012-06-25 2018-02-21 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC アミド成分を含むフォトレジスト
CN113835296A (zh) * 2021-09-28 2021-12-24 之江实验室 一种飞秒激光直写光刻胶组合物

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
EP0528203A1 (de) * 1991-08-09 1993-02-24 Hoechst Aktiengesellschaft Strahlungsempfindliches Gemisch mit einem polymeren Bindemittel mit Einheiten aus alpha,beta-ungesättigten Carbonsäureamiden

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2456807C3 (de) * 1974-11-30 1981-04-09 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Verfahren zur Herstellung von Polymerisaten des Vinylpyrrolidons
JPS5280022A (en) 1975-12-26 1977-07-05 Fuji Photo Film Co Ltd Light solubilizable composition
GB2012285B (en) * 1978-01-10 1982-09-15 Goodyear Tire & Rubber Water reducible coating compostions contaoning copolymers of vinyl pyrrolidone and unsaturated carboxylic acid and containing a solvent and a volatile amine
US4164614A (en) * 1978-06-21 1979-08-14 Eastman Kodak Company Terpolymer compositions useful as pressure-sensitive adhesives
DE3366523D1 (en) * 1982-04-06 1986-11-06 Nitto Kasei Co Ltd Anti-fouling agent
US4456741A (en) * 1983-01-17 1984-06-26 Eastman Kodak Company Terpolymer compositions useful as pressure-sensitive adhesives
JPS63175085A (ja) * 1987-01-14 1988-07-19 Mitsubishi Rayon Co Ltd 歯科用接着剤組成物
DE3842183A1 (de) * 1988-12-15 1990-06-21 Basf Ag Copolymerisate auf basis von tert.-butylacrylat und/oder tert.-butylmethacrylat
JPH063822A (ja) * 1992-06-23 1994-01-14 Sekisui Chem Co Ltd 立体画像表示盤の製造方法
JP3251644B2 (ja) * 1992-07-09 2002-01-28 三菱製紙株式会社 減感インキ
KR0178475B1 (ko) * 1995-09-14 1999-03-20 윤덕용 신규한 n-비닐락탐 유도체 및 그의 중합체

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
EP0528203A1 (de) * 1991-08-09 1993-02-24 Hoechst Aktiengesellschaft Strahlungsempfindliches Gemisch mit einem polymeren Bindemittel mit Einheiten aus alpha,beta-ungesättigten Carbonsäureamiden

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10182754A (ja) 1998-07-07
KR19980050132A (ko) 1998-09-15
FR2757526B1 (fr) 2000-01-14
GB9708958D0 (en) 1997-06-25
KR100197673B1 (en) 1999-06-15
JP3269789B2 (ja) 2002-04-02
FR2757526A1 (fr) 1998-06-26
TW367430B (en) 1999-08-21
DE19721694B4 (de) 2006-03-09
CN1185449A (zh) 1998-06-24
GB2320500A (en) 1998-06-24
NL1005689A1 (nl) 1998-06-23
US6262222B1 (en) 2001-07-17
GB2320500B (en) 2001-07-25
CN1120185C (zh) 2003-09-03
DE19721694A1 (de) 1998-06-25
US6051678A (en) 2000-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL1005689C2 (nl) Copolymeren die N-vinyllactamderivaten bevatten, methoden ter bereiding daarvan en daarvan gemaakte fotoresistmaterialen.
US5955606A (en) N-vinyllactam derivatives and polymer thereof
US8158327B2 (en) Onium salt compound, polymer compound comprising the salt compound, chemically amplified resist composition comprising the polymer compound, and method for patterning using the composition
JP2845225B2 (ja) 高分子化合物、それを用いた感光性樹脂組成物およびパターン形成方法
TW507116B (en) Chemically amplified positive resist composition
US8431325B2 (en) Compound, resin, resist composition and method for producing resist pattern
KR101662099B1 (ko) 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 그 조성물을 사용한 레지스트 필름 및 패턴 형성 방법
US6235447B1 (en) Photoresist monomers, polymers thereof, and photoresist compositions containing the same
CA2049772A1 (en) Olefinically unsaturated onium salts
JPH08259626A (ja) ビニルモノマー、重合体、フォトレジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法
KR100243712B1 (ko) 파장 248 나노미터 미만의 노출광에 대한 투명도와 감도가 높은화학증폭 레지스트 및 마스크 형성 방법
JP7079647B2 (ja) 組成物及びそれを用いたデバイスの製造方法
US5656412A (en) Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
US20120100481A1 (en) Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition and pattern forming method using the same
JP2018203996A (ja) 含フッ素単量体、含フッ素重合体およびそれを用いたパターン形成用組成物、並びにそのパターン形成方法
JPH11279227A (ja) 化合物、共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物とこれを利用したフォトレジストパタ―ン形成方法、および半導体素子
Zhang et al. Relief and functional photoimaging with chemically amplified resists based on di-tert-butyl butenedioate-co-styrene
JP5601809B2 (ja) フォトレジスト用重合体及び組成物
KR100281902B1 (ko) 백본이 환상 구조를 가지는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
US6426171B1 (en) Photoresist monomer, polymer thereof and photoresist composition containing it
US6448352B1 (en) Photoresist monomer, polymer thereof and photoresist composition containing it
WO2018225549A1 (ja) 含フッ素単量体、含フッ素重合体およびそれを用いたパターン形成用組成物、並びにそのパターン形成方法
US6921622B2 (en) Photoresist monomers, polymers thereof and photoresist compositions containing the same
KR100520167B1 (ko) 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유한포토레지스트 조성물
JPH09325473A (ja) 感放射線性樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
AD1A A request for search or an international type search has been filed
RD2N Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report)

Effective date: 19990208

PD2B A search report has been drawn up
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20101101