NL1005689C2 - Copolymeren die N-vinyllactamderivaten bevatten, methoden ter bereiding daarvan en daarvan gemaakte fotoresistmaterialen. - Google Patents
Copolymeren die N-vinyllactamderivaten bevatten, methoden ter bereiding daarvan en daarvan gemaakte fotoresistmaterialen. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1005689C2 NL1005689C2 NL1005689A NL1005689A NL1005689C2 NL 1005689 C2 NL1005689 C2 NL 1005689C2 NL 1005689 A NL1005689 A NL 1005689A NL 1005689 A NL1005689 A NL 1005689A NL 1005689 C2 NL1005689 C2 NL 1005689C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- carbon atoms
- group
- aryl group
- vinyl
- alkyl group
- Prior art date
Links
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 title claims description 26
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 16
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 title claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 title description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 57
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 25
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 19
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 11
- 125000004665 trialkylsilyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 10
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 10
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims 1
- -1 naphthoquinone diazine compound Chemical class 0.000 description 23
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 14
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 9
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical class O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N diisopropylamine Chemical compound CC(C)NC(C)C UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 6
- JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylazepan-2-one Chemical compound C=CN1CCCCCC1=O JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 4
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 4
- ZWLPHMHEARANAO-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 1-ethenyl-2-oxopyrrolidine-3-carboxylate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C1CCN(C=C)C1=O ZWLPHMHEARANAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- JFNFAASMVVUXFV-UHFFFAOYSA-N oxan-2-yl 1-ethenyl-2-oxopyrrolidine-3-carboxylate Chemical compound O=C1N(C=C)CCC1C(=O)OC1OCCCC1 JFNFAASMVVUXFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KUVPDZGLZMSZJL-UHFFFAOYSA-N oxolan-2-yl 1-ethenyl-2-oxopyrrolidine-3-carboxylate Chemical compound O=C1N(C=C)CCC1C(=O)OC1OCCC1 KUVPDZGLZMSZJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004810 2-methylpropylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[*:2])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 2
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010511 deprotection reaction Methods 0.000 description 2
- ZQMIGQNCOMNODD-UHFFFAOYSA-N diacetyl peroxide Chemical compound CC(=O)OOC(C)=O ZQMIGQNCOMNODD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 2
- 229940043279 diisopropylamine Drugs 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 2
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 2
- 229920013730 reactive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JAMNSIXSLVPNLC-UHFFFAOYSA-N (4-ethenylphenyl) acetate Chemical compound CC(=O)OC1=CC=C(C=C)C=C1 JAMNSIXSLVPNLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHPRWKJDGHSJMI-UHFFFAOYSA-N 1-adamantyl prop-2-enoate Chemical compound C1C(C2)CC3CC2CC1(OC(=O)C=C)C3 PHPRWKJDGHSJMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGJCFVYMIJLQJO-UHFFFAOYSA-N 1-dodecylperoxydodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCOOCCCCCCCCCCCC LGJCFVYMIJLQJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBKFPCSZNWLZAS-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-methylpiperidin-2-one Chemical compound CC1CCN(C=C)C(=O)C1 JBKFPCSZNWLZAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGAUXTMDBTWAKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-propylpiperidin-2-one Chemical compound CCCC1CCN(C=C)C(=O)C1 IGAUXTMDBTWAKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFBGFFRWZFQSRM-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-propylpyrrolidin-2-one Chemical compound CCCC1CN(C=C)C(=O)C1 UFBGFFRWZFQSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGYVTHJIUNGKFZ-UHFFFAOYSA-N 1-methylpiperidin-2-one Chemical compound CN1CCCCC1=O GGYVTHJIUNGKFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYDRLDYTXOBYIW-UHFFFAOYSA-N 2-(4-ethenylcyclohexyl)oxyoxane Chemical compound C1CC(C=C)CCC1OC1OCCCC1 OYDRLDYTXOBYIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFWHLIHBXAHMDE-UHFFFAOYSA-N 2-(4-ethenylcyclohexyl)oxyoxolane Chemical compound C1CC(C=C)CCC1OC1OCCC1 KFWHLIHBXAHMDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVAKZVDJIUFFFP-UHFFFAOYSA-N 2-chlorooxolane Chemical compound ClC1CCCO1 ZVAKZVDJIUFFFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenol Chemical compound OC=CC1=CC=CC=C1 XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMFHUEMLVAIBFI-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=CC1=CC=CC=C1 FMFHUEMLVAIBFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPHPCKTNVMODD-UHFFFAOYSA-N 4-butyl-1-ethenylpyrrolidin-2-one Chemical compound CCCCC1CN(C=C)C(=O)C1 LIPHPCKTNVMODD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKJHNPXSYSFZMJ-UHFFFAOYSA-N 4-ethenyl-2-methylphenol Chemical compound CC1=CC(C=C)=CC=C1O QKJHNPXSYSFZMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000012662 bulk polymerization Methods 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N epsilon-caprolactam Chemical group O=C1CCCCCN1 JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N mono-hydroxyphenyl-ethylene Natural products OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- BDLZFLASTNLOTB-UHFFFAOYSA-N oxan-2-yl 1-ethenyl-5-ethyl-2-oxopyrrolidine-3-carboxylate Chemical compound O=C1N(C=C)C(CC)CC1C(=O)OC1OCCCC1 BDLZFLASTNLOTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEMMZSXVHMZEOZ-UHFFFAOYSA-N oxolan-2-yl 4-butyl-1-ethenyl-2-oxopyrrolidine-3-carboxylate Chemical compound CCCCC1CN(C=C)C(=O)C1C(=O)OC1OCCC1 AEMMZSXVHMZEOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000012312 sodium hydride Substances 0.000 description 1
- 229910000104 sodium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- DYHSDKLCOJIUFX-UHFFFAOYSA-N tert-butoxycarbonyl anhydride Chemical group CC(C)(C)OC(=O)OC(=O)OC(C)(C)C DYHSDKLCOJIUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGXVIZZLPGMPQG-UHFFFAOYSA-N tert-butyl (4-ethenylcyclohexyl) carbonate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)OC1CCC(C=C)CC1 FGXVIZZLPGMPQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRURGBXPCZECPH-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 1-ethenyl-2-oxo-4-propylpiperidine-3-carboxylate Chemical compound CCCC1CCN(C=C)C(=O)C1C(=O)OC(C)(C)C RRURGBXPCZECPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXYVWUZGHRMNOP-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 1-ethenyl-2-oxo-4-propylpyrrolidine-3-carboxylate Chemical compound CCCC1CN(C=C)C(=O)C1C(=O)OC(C)(C)C IXYVWUZGHRMNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJMYWORNLPSJQO-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(C)(C)C SJMYWORNLPSJQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXNWQHMMMPKKO-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-phenylethenyl carbonate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)OC=CC1=CC=CC=C1 XTXNWQHMMMPKKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKXIQBVKMABYQJ-UHFFFAOYSA-M tert-butyl carbonate Chemical compound CC(C)(C)OC([O-])=O XKXIQBVKMABYQJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SWAXTRYEYUTSAP-UHFFFAOYSA-N tert-butyl ethaneperoxoate Chemical compound CC(=O)OOC(C)(C)C SWAXTRYEYUTSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F226/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen
- C08F226/06—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen by a heterocyclic ring containing nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F230/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal
- C08F230/04—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal
- C08F230/08—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal containing silicon
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
Titel: Copolymeren die N-vinyllactamderivaten bevatten, methoden ter bereiding daarvan en daarvan gemaakte fotoresistmaterialen ACHTERGROND VAN DE UITVINDING Gebied van de uitvinding
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op copolymeren die N-vinyllactamderivaten bevatten, voor 5 gebruik in microlithografie, methoden voor het bereiden daarvan, en ervan vervaardigde fotoresistmaterialen. Meer in het bijzonder betreft de onderhavige uitvinding copolymeren die aan de 3-positie beschermde N-vinyllactamderivaten bevatten, methoden ter bereiding van de 10 copolymeren, en fotoresistmaterialen die geschikt zijn voor blootstelling aan diep UV, waarbij voordeel wordt getrokken uit de stralingsgevoeligheid van het copolymeer voor de vorming van een reliëf-beeld van hoge gevoeligheid en resolutie door gebruik van diep UV.
15
Beschrijving van de stand van de techniek
Een fotoresist omvat in het algemeen een in alkali oplosbare fenol- (of cresol-) formaldehyde novolakhars en een gesubstitueerde naftochinondiazineverbinding als foto-20 gevoelig materiaal (fotoactieve ingrediënt), zoals vermeld in US octrooischriften nrs. 3.666.473, 4.115.128, en 4.173.470.
Terwijl de in een dergelijke fotoresist toegepaste novolakhars in een waterige alkali-oplossing wordt opgelost 25 fungeert het naftochinon fotogevoelige materiaal als oplosremmer van de resist. Wanneer echter een met de fotoresist bekleed substraat selectief aan chemische straling wordt onderworpen, leidt dit ertoe dat het fotogevoelige agens een zodanige modificatie van zijn struktuur ondergaat dat 30 de fotoresist-bekleding in sterkere mate door alkali wordt gesolubiliseerd in een blootgesteld gebied dan in een niet-blootgesteld gebied. Dankzij zo'n verschil in oplosbaarheid 1005689 2 kan een reliëfpatroon op de bekleding van het substraat worden gevormd. D.w.z. dat wanneer het substraat in een basische ontwikkel-oplossing wordt ondergedompeld, het blootgestelde gebied van de fotoresistbekleding wordt 5 opgelost terwijl het niet-blootgestelde gebied weinig wordt beïnvloed, zodat een patroon wordt gevormd. De hierboven vermelde novolaktype resistmaterialen bleken echter niet geschikt te zijn voor de later te beschrijven stepper waarbij kortere golflengtes worden gebruikt, omdat ze een 10 hoge optische absorptie vertonen in een bereik van diep ultraviolet licht, 200 tot 300 nm.
Om hoge gevoeligheid in het lithografieproces van de vervaardiging van halfgeleiders te bereiken, is onlangs een chemisch amplificatieresistmateriaal ontwikkeld. Inderdaad 15 staat het chemische amplificatieresistmateriaal in de schijnwerpers sinds gevonden is dat het in staat is de gevoeligheid 100-voudig te verhogen in vergelijking met conventionele positieve novolakresistmaterialen. Een chemisch amplificatieresistmateriaal, dat voordeel trekt 20 uit de foto-zuur generator, wordt in het algemeen bereid door de foto-zuur generator te formuleren in een matrix-polymeer met een struktuur die gevoelig reageert op het zuur. Wat het mechanisme van de fotoreactie betreft, wanneer de foto-zuur generator aan licht wordt blootgesteld 25 of met een hoge energie bundel wordt bestraald, zoals röntgenbundels en elektronenbundels, worden protonen en sterk Brönsted zuur gegenereerd, wat veroorzaakt dat de hoofdketen of de zij keten van het matrixpolymeer reageert in de richting van ontleding, verknoping of een grote 30 wijziging van polariteit. Deze werking van het zuur leidt er in het bestraalde gebied toe, dat de oplosbaarheid daarin in de gegeven ontwikkel-oplossing wordt gewijzigd, d.w.z. dat deze oplosbaarheid wordt vergroot of verkleind. Als gevolg kunnen fijne patronen worden gevormd.
35 Als foto-zuur generators zijn oniumzouten bekend, die op licht en straling kunnen reageren. Typerende onium- i o 0 5 6 8 9 3 zouten zijn ammoniumzouten, oxoniumzouten en sulfonium-zouten. Onlangs is gerapporteerd dat organische sulfon-esters als foto-zuur generator kunnen fungeren.
Beschikbaar voor het matrixpolymeer dat met zuur kan 5 reageren, zijn die welke gesubstitueerd zijn met een zij-keten die door zuur kan worden ontleed tot een carbonzuur, fenol of alkoholische functionele groep. Als geschikte substituenten zijn t-butylester-, t-butylcarbonaat-, t-butoxy- en t-butoxycarbonylgroepen bekend. Van deze groepen 10 is gebleken dat de t-butoxycarbonylgroep in gevoeligheid de beste is.
Zulk een zuur-reactief polymeer in een beschermde toestand of voorafgaande aan reactie met zuur kan worden opgelost in organisch oplosmiddel, maar niet in waterige 15 alkali-oplossing. Indien het zuur-reactieve polymeer echter door reactie met zuur ontschermd wordt, is het oplosbaar in waterige alkali-oplossing doordat zijn polariteit sterk gewijzigd is.
Dit principe benuttend is de ontwikkeling van 20 chemische amplificatieresistmaterialen in recente jaren een controversieel punt van discussie geweest. Van t-butoxy-carbonyl-beschermd polyvinylfenol is gerapporteerd dat het een van de mogelijke harsen is, zoals geïntroduceerd in U.S. octrooischriften nrs. 4.491.628, 4.405.708 en 25 4.311.782.
Een recente trend in submicrolithografie is om diep UV (golflengte 200 tot 300 nm) te gebruiken als lichtbron, bij voorkeur een KrF excimeerlaser van hoog vermogen (golflengte 248 nm), in plaats van conventioneel UV, bijv. 30 g-lijn (golflengte 436 nm) of i-lijn (golflengte 365 nm), om hoge gevoeligheid en resolutie te bereiken. De chemische amplificatieresistmaterialen worden echter gemakkelijk door de in lucht aanwezige base-materialen verontreinigd, wat een probleem creëert van stabiliteit in de vertraging na 35 blootstelling (post-exposure delay, verder aangeduid met 1005689 4 "PED") waarbij T-top wordt gevormd in de loop van de vorming van een fijn patroon.
Er zijn verscheidene methoden gesuggereerd voor het verbeteren van de PED stabiliteit. Van deze methoden werd 5 gevonden dat het gebruik van base-toevoegingen (in hoofdzaak aminen) een verbetering in PED stabiliteit gaf, maar een nadeel was dat daardoor een afname in stralingsgevoeligheid van de fotoresist werd veroorzaakt en de base-toevoegingen werden niet uniform in de film gedistribueerd 10 vanwege hun diffusie naar het filmoppervlak tijdens de verwerking.
SAMENVATTING VAN DE UITVINDING
Door de onderhavige uitvinders uitgevoerd intensief 15 onderzoek, gericht op de ontwikkeling van een fotoresist voor gebruik in submicrolithografie met een sterk verbeterde PED stabiliteit leidde tot de vondst, dat het chemische amplificatieresistmateriaal, gepolymeriseerd met N-vinyllactamderivaten en styreen- of acrylaatderivaten, 20 hoge glasovergangstemperaturen heeft, die nodig zijn voor de verwerkingsprocedure, en gemakkelijk ontschermd wordt met weinig absorptie van diep UV, naast superioriteit in PED stabiliteit.
Een hoofddoel van de onderhavige uitvinding is een 25 copolymeer te verschaffen dat een N-vinyllactamderivaat bevat dat op de 3-positie met een beschermende groep geblokkeerd is.
Een ander doel van de onderhavige uitvinding is een werkwijze te verschaffen voor het bereiden van het 30 copolymeer.
Een verder doel van de onderhavige uitvinding is een fotoresist te verschaffen, die uit het copolymeer is bereid.
1005689 5
GEDETAILLEERDE BESCHRIJVING VAN DE UITVINDING
De onderhavige uitvinding betreft copolymeren die N-vinyllactamderivaten bevatten die op de 3-positie met een beschermende groep zijn gesubstitueerd, volgens chemische 5 formule I van het formuleblad, waarin R1 staat voor waterstof, een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen of een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstofatomen; R2 en R3 onafhankelijk staan voor waterstof, een 10 alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstofatomen, -OR', -S03R’, -C02R' , -P03R' , -SO,R' of P02R' waarin R' staat voor een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, cycloalkyl, een cyclische groep die een heteroatoom zoals 15 N, O, P en S bevat, of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen; R4 en R3 onafhankelijk staan voor -OH, -OR waarin R staat voor een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, of hetzelfde is als R1; 20 R7 en R9 onafhankelijk staan voor waterstof, een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, of een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstofatomen; R6 en R8 onafhankelijk staan voor een arylgroep met 25 6-20 koolstofatomen of een acrylaat -COOR" (waarin R" een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen is); m een geheel getal van 0 tot 10 is; j een molverhouding in het bereik van 0,005 tot 0,7 30 is; en k en 1, die gelijk of verschillend kunnen zijn, elk een molverhouding in het bereik van 0,05 tot 0,9 zijn.
De N-vinyllactamderivaten van de onderhavige uitvinding worden weergegeven met de chemische formule II 35 van het formuleblad, waarin 1005689 6 R1 staat voor waterstof, een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen of een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstofatomen; R2 en R3 onafhankelijk staan voor waterstof, een 5 alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstofatomen, of -0R', -S03R', -C02R', -P03R', -S02R' of P02R' waarin R' staat voor een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, cycloalkyl, een cyclische groep die een heteroatoom 10 zoals N, 0, P en S bevat, of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen; R·* en R5 onafhankelijk staan voor -OH, -OR waarin R staat voor een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, of hetzelfde is als R1; 15 en m een geheel getal van 0 tot 10 is.
Een copolymeer in de onderhavige uitvinding wordt bereid door N-vinyllactamderivaten te polymeriseren met styreen- of acrylaatderivaten.
20 Concrete voorbeelden van de in de onderhavige uitvinding toegepaste N-vinyllactamderivaten omvatten 1-vinyl-2-pyrrolidinon, l-vinyl-4-butyl-2-pyrrolidinon, 1-vinyl-4-propyl-2-pyrrolidinon, 3-(t-butoxycarbonyl)-1-vinyl-2-pyrrolidinon, 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-4-butyl-25 2-pyrrolidinon, 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-4-propyl-2-pyrrolidinon, 3-(tetrahydropyranyloxycarbonyl)-l-vinyl-2-pyrrolidinon, 3-(tetrahydropyranyloxycarbonyl)-l-vinyl-5-ethyl-2-pyrrolidinon, l-vinyl-4-methyl-2-piperidon, 1-vinyl-4-propyl-2-piperidon, 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-4-30 methyl-2-piperidon, 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-4-propyl- 2-piperidon, l-vinyl-2-caprolactam, l-vinyl-4-butyl-2-caprolactam, 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-2-caprolactam, 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-4-butyl-2-caprolactam, 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-6-methyl-2-caprolactam, 3-(tetra-35 hydropyranyloxycarbonyl)-l-vinyl-5-butyl-2-caprolactam, 3-(tetrahydropyranyloxycarbonyl)-l-vinyl-6-propyl-2-capro- 1005689 7 lactam, 3-(tetrahydrofuranyloxycarbonyl)-l-vinyl-2-pyrrolidinon, 3-(tetrahydrofuranyloxycarbonyl)-l-vinyl-4-butyl-2-pyrrolidinon, en 3-(tetrahydropyranyloxycarbonyl) -l-vinyl-6-buty1-2-caprolactam.
5 Voor copolymeren wordt een ander monomeer gebruikt, waarvan voorbeelden zijn 4-(t-butoxycarbonyloxy)-1-vinyl-cyclohexaan, 3,5-(di-t-butoxycarbonyloxy)-1-vinylcyclo-hexaan, 4-(tetrahydropyranyloxy)-1-vinylcyclohexaan, 4-(tetrahydrofuranyloxy)-1-vinylcyclohexaan, 3,5-(ditetra-10 hydropyranyloxy)-1-vinylcyclohexaan, 3,5-(ditetrahydro- furanyloxy)-1-vinylcyclohexaan, t-butoxycarbonyloxystyreen, styreen, tetrahydropyranyloxystyreen, 4-hydroxystyreen, 4-acetoxystyreen, 3-methyl-4-hydroxystyreen, t-butylacrylaat, t-butylmethacrylaat, adamantylacrylaat, en adamantyl-15 methacrylaat.
De copolymeren van de onderhavige uitvinding kunnen worden verkregen in een bulkpolymerisatie of in een oplossingspolymerisatie. Als oplosmiddel voor polymerisatie kunnen cyclohexanon, methylethylketon, benzeen, tolueen, 20 dioxaan, dimethylformamide, alleen of een combinatie ervan, worden gekozen. Gewoonlijk wordt de polymerisatie uitgevoerd in aanwezigheid van een polymerisatie-initiator, zoals benzoylperoxide, 2,2'-azobisisobutyronitrile (AIBN), acetylperoxide, laurylperoxide, of t-butylperacetaat.
25 Een copolymeer van hydroxystyreen, t-butylacrylaat en 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-2-caprolactam (hierin verder aangeduid als "BCVC"), een van de copolymeren van de onderhavige uitvinding, poly(4-hydroxystyreen-co-t-butyl-acrylaat-co-BCVC (hierin verder aangeduid als "poly(HOST-30 co-TBA-co-BCVC)") bleek hoogtransparant te zijn, zoals aangetoond in het experiment waarin een film met een dikte van 1 micrometer een optische absorptie van 0,12 of lager in het diep UV bereik (200 tot 300 nm) vertoonde.
Thermische graviteitsanalyse (TGA) liet zien dat poly(HOST-35 co-TBA-co-BCVC) tot 180°C stabiel was. Boven 180°C vindt snelle ontscherming van de t-butoxycarbonylgroep plaats, 100 5 68 9 8 waarbij 2-methylpropeen en C02 worden gevormd. Bij aanwezigheid van zuur werd de t-butoxycarbonylgroep zelfs bij 135°C snel ontschermd in 2-methylpropeen en C02. Dit feit betekent dat poly(HOST-co-TBA-co-BCVC) ver superieur 5 is in thermische eigenschappen dankzij zijn hoge thermische ontledingstemperatuur en gemakkelijk ontschermd wordt bij lage temperaturen in aanwezigheid van zuur. Differentiële scanning calorimetrie (DSC) laat zien dat de glasovergangs-temperatuur van poly(HOST-co-TBA-co-BCVC) ongeveer 165°C 10 is.
Naast de transparantie voor diep UV en het gemak van ontscherming wordt van een nieuwe fotoresist die het copolymeer van de onderhavige uitvinding bevat een grote verbetering in PED stabiliteit verwacht, dankzij geschikte 15 fotogevoeligheid en de introductie van de base-eenheid (BCVC). Alle polymeren van N-vinyllactamderivaten die op de 3-positie beschermd zijn, hebben een hoge gevoeligheid en contrast. In het bijzonder vertoont poly(HOST-co-TBA-co-BCVC) , wanneer BCVC aanwezig is in een hoeveelheid van 1 20 mol%, een geschikte gevoeligheid van ongeveer 10 mJ/cm2 en een hoog contrast. Naarmate het mol% van BCVC toeneemt, neemt de gevoeligheid af. Bijvoorbeeld, wanneer BCVC aanwezig is in een hoeveelheid van 2,6 mol%, vertoont het resulterende copolymeer een gevoeligheid van 21 mJ/cm2.
25 Deze afname in gevoeligheid is echter veel minder ernstig dan die, welke men verkrijgt bij toevoeging van conventionele amine-base additieven.
Gewone experimenten voor de vorming van een fijn patroon bevestigden dat de uit de N-vinyllactamderivaten en 30 styreen- of acrylaatderivaten bereide copolymeren volgens de onderhavige uitvinding gebruikt konden worden voor chemische amplificatieresistmaterialen met hoge gevoeligheid.
De analyse van het thermische ontledingsgedrag van 35 de polymeren werd uitgevoerd in een stikstofatmosfeer met een temperatuurverhoging van 10°C/minuut met behulp van 1005689 9 DSC, in de handel verkrijgbaar bij Perkin Elmer onder de identificatie MODEL 7, en TGA. De inherente viscositeiten van de polymeren werden bepaald in de toestand van een dimethylformamide-oplossing van 0,5 g/dl bij 25°C met 5 behulp van een capillair buisje van glas.
Een beter begrip van de onderhavige uitvinding kan worden verkregen aan de hand van de volgende voorbeelden, die ter illustratie dienen, en niet ter beperking, van de onderhavige uitvinding.
10
VOORBEELD I
Synthese van 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-2-pyrrolidinon monomeer
Aan een oplossing van diisopropylamine 14 ml 15 (100 mmol) in watervrij tetrahydrofuran 40 ml werd 40 ml (100 mmol) van 2,5 M n-butyllithium toegevoegd, en de resulterende oplossing werd 30 min bij -78°C geroerd en de gelegenheid gegeven te reageren, totdat de temperatuur tot kamertemperatuur was gestegen. Na vriezen tot -78°C werd 20 aan de oplossing 11,1 g (100 mmol) van N-vinylpyrrolidinon toegevoegd en werd 30 min bij dezelfde temperatuur gereageerd. Daarna werd druppelsgewijze 24 g (110 mmol) van di-t-butyldecarbonaat toegevoegd, gevolgd door een reactie gedurende 2 uur bij -78°C. Deze oplossing werd verdund met 25 diethylether en vele malen met zuiver water gewassen. Het organische oplosmiddel van de organische fase werd verdampt en het residu werd aan silicagelkolomchromatografie onderworpen, waarbij 15 g van zuiver 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-2-pyrrolidinon (hierna verder aangeduid als "BCVP") 30 werd verkregen. Zijn chemische struktuur werd met IR spectra en NMR vastgesteld.
1005689 10
VOORBEELD II
Synthese van 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-2-caprolactam monoraeer
Aan een oplossing van diisopropylamine 14 ml 5 (100 mmol) in watervrij tetrahydrofuran 40 ml werd 40 ml (100 mmol) van 2,5 M n-butyllithium toegevoegd, en de resulterende oplossing werd 30 min bij -78°C geroerd en de gelegenheid gegeven te reageren, totdat de temperatuur tot kamertemperatuur was gestegen. Na vriezen tot -78°C werd 10 aan de oplossing 13,9 g (100 mmol) van N-vinylcaprolactam toegevoegd en werd 30 min bij dezelfde temperatuur gereageerd. Daarna werd druppelsgewijze 24 g (110 mmol) van di-t-butyldecarbonaat toegevoegd, gevolgd door een reactie gedurende 2 uur bij -78°C. Deze oplossing werd verdund met 15 diethylether en vele malen met zuiver water gewassen. Het organische oplosmiddel van de organische fase werd verdampt en het residu werd aan silicagelkolomchromatografie onderworpen, waarbij 17,2 g van zuiver 3-(t-butoxy-carbonyl)-l-vinyl-2-caprolactam (hierna verder aangeduid 20 als "BCVC") werd verkregen.
IR spectra en NMR analyse werden gemaakt om de chemische struktuur van het gesynthetiseerde BCVC vast te stellen.
25 VOORBEELD III
Synthese van 3- (tetrahydropyranyloxycarbonyl)-l-vinyl-2-pyrrolidinon monomeer
Van het in Voorbeeld I gesynthetiseerde BCVP werd 10,6 g (0,05 mol) opgelost in 50 ml watervrij tetrahydro-30 furan. Aan deze oplossing werden 4,3 g (0,05 mol) tetrahydropyran en 0,3 g p-tolueensulfonzuur toegevoegd, en gedurende 4 uur de gelegenheid gegeven te reageren bij 0°C. De oplossing werd verdund met diethylether en vele malen met zuiver water gewassen. Het organische oplosmiddel van 35 de organische fase werd verdampt en het residu werd aan silicagelkolomchromatografie onderworpen, waarbij 9,8 g van 1 00 5 68 9 11 zuiver 3-(tetrahydropyranyloxycarbonyl)-l-vinyl-2-pyrroli-dinon (hierna verder aangeduid als "TPVP") werd verkregen. Zijn chemische struktuur werd met IR spectra en NMR vastgesteld.
5
VOORBEELD IV
Synthese van 3-(tetrahydrofuranyloxycarbonyl)-l-vinyl-2-pyrrolidinon monomeer
Van 3- (t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-2-pyrrolidinon 10 (BCVP) werd 8,9 g opgelost in 50 ml watervrij tetrahydro-furan. Aan deze oplossing werden 1,0 g natriumhydride en 4,4 g 2-chloortetrahydrofuran toegevoegd en gedurende 1 uur de gelegenheid gegeven te reageren bij kamertemperatuur. Deze oplossing werd met diethylether verdund en vele malen 15 met zuiver water gewassen. Het organische oplosmiddel van de organische fase werd verdampt en het residu werd aan silicagelkolomchromatografie onderworpen, waarbij 9,3 g van zuiver 3-(tetrahydrofuranyloxycarbonyl)-l-vinyl-2-pyrroli-dinon (hierna verder aangeduid als "TFVP") werd verkregen. 20 Zijn chemische struktuur werd met IR spectra en NMR vastgesteld.
VOORBEELD V
Synthese van 3- (tetrahydropyranyloxycarbonyl)-l-vinyl-2-25 caprolactam monomeer
Van zuiver 3-(tetrahydropyranyloxycarbonyl)-1-vinyl- 2-caprolactam (hierna verder aangeduid als "TPVC") werd 10,7 g gesynthetiseerd op dezelfde wijze als in Voorbeeld III, behalve dat 6,7 g N-vinylcaprolactam werd gebruikt in 30 plaats van BCVP.
IR spectra en NMR analyse werden uitgevoerd om de chemische struktuur van het gesynthetiseerde TPVC vast te stellen.
1005689 12
VOORBEELD VI
Synthese van 3-(tetrahydrofuranyloxycarbonyl)-l-vinyl-2-caprolactam monomeer
De procedure van Voorbeeld IV werd herhaald met 5 10,3 g van 3-(t-butoxycarbonyl)-l-vinyl-2-caprolactam (BCVC), waarbij 10,8 g van zuiver 3-(tetrahydrofuranyloxy-carbonyl)-l-vinyl-2-caprolactam (hierna verder aangeduid als "TFVC") werd verkregen.
IR spectra en NMR analyse werden uitgevoerd om de 10 chemische struktuur van het gesynthetiseerde TFVC vast te stellen.
VOORBEELD VII
Synthese van poly(HOST-co-TBA-co-BCVC) copolymeer 15 Er werden 2,65 g van het in Voorbeeld II
gesynthetiseerde BCVC monomeer, 6,0 g acetoxystyreen en 3,31 g t-butylacrylaat in tolueen opgelost en in een glazen polymerisatie-ampul gebracht. De reactanten werden 22 uur bij 65°C onder verlaagde druk in aanwezigheid van 0,2 mol 20 AIBN, een polymerisatie-initiator, gepolymeriseerd. Het polymeer werd in petroleumether geprecipiteerd en de precipitaten werden gedroogd, waarbij 8,4 g van poly(ACOST-co-TBA-co-BCVC) copolymeer werd verkregen in een opbrengst van 71%. Dit werd aan een methanol-oplossing die 12 ml 25 28%'s ammoniak-in-water bevatte toegevoegd en 10 uur onder roeren bij kamertemperatuur aan basische hydrolyse onderworpen. Neutralisatie met azijnzuur, precipitatie in gedestilleerd water, en drogen werden achtereenvolgens uitgevoerd, waarbij poly(HOST-co-TBA-co-BCVC) werd 30 verkregen. Zijn inherente viscositeit werd bepaald in de toestand van dimethylformamide-oplossing bij 25°C, met behulp van een ubbelohe type viscometer. De resultaten worden hieronder in Tabel 1 getoond.
Andere copolymeren werden bereid onder gebruik van 35 de hieronder in Tabel 1 gesuggereerde combinaties. De molverhoudingen van de eenheden in de copolymeren werden 1005689 13 met NMR analyse en thermoanalyse gemeten en worden, samen met hun viscositeiten, in Tabel 1 gegeven.
TABEL 1 5 Molverhouding Inherente Molverhoudingen van van monomeren Opbrengst Viscositeit eenheden in polymeer
Polymeer ACOST: TBA: BCVC (%) (dL/g) ACOST: TBA : BCVC
A 10 7 0 82 0,53 62 38 0 10 B 10 6 0, 5 80 0,51 64,3 35,0 0,7 C 10 6 1 78 0,49 63,6 35,0 1,4 D 10 7 3 71 0, 46 58, 1 39, 3 2,6
15 VOORBEELDEN VIII T/M XIV
Onder toepassing van N-vinylpyrrolidinon (NVP), N-vinylcaprolactam (NVC), BCVP (Voorbeeld I), TPVP (Voorbeeld III), TFVP (Voorbeeld IV), TPVC (Voorbeeld V) en TFVC (Voorbeeld VI), werd de procedure van Voorbeeld VII 20 herhaald ter verkrijging van respectieve copolymeren. De resultaten worden hieronder in Tabel 2 getoond.
TABEL 2 aMolverhouding Inherente Molverhoudingen van 25 van monomeren Opbrengst Viscositeit eenheden in polymeer
Polymeer ACOST: TBA: # (%) (dL/g) ACOST: TBA : BCVC
8 10 6 3(A) 84 0, 43 60,2 37,0 2,8 9 10 6 3(B) 82 0,51 59,3 38,0 2,7 30 10 10 6 3(C) 78 0,45 64, 1 34,0 1,9 11 10 6 3(D) 75 0, 47 60,9 36,7 2,4 12 10 6 3(E) 80 0,50 59,3 39,0 1,7 13 10 6 3(F) 78 0,48 63, 1 35,0 1,9 14 10 6 3(G) 77 0,48 59,7 38,7 1,6 35 ----------------------------------------------------------------------
*A:NVP; B:NVC; C:BCVP; D:TPVP; E:TFVP; F:TPVC; G:TFVC
1005689 14
VOORBEELD XV
Bereiding van resist-oplossinq en vorming van positief fijn patroon
Er werd 10-30 gew% van het in Voorbeeld VII 5 gesynthetiseerde poly(HOST-co-TBA-co-BCVC) opgelost in propyleenglycolmethyletheracetaat. In deze oplossing werd een oniumzout of organisch sulfonzuur, fungerend als foto-zuur generator, toegevoegd in een hoeveelheid van 5,0 tot 30,0 gew%, gebaseerd op het gewicht van het resistpolymeer. 10 Filtratie met een ultrafijn filter gaf een chemische amplificatieresist-oplossing. Deze werd daarna door spin-coating op een siliciumwafel aangebracht, waarbij een dunne film met een dikte van ongeveer 1,0 μπι werd gevormd. Deze wafel werd 1-5 minuten bij 120°C voorgebakken in een oven 15 of op een hete plaat, blootgesteld aan het licht afkomstig van een diep UV contactprinter of KrF excimeerlaserstepper, onderworpen aan een bakbehandeling na blootstelling (PEB) van 1-5 minuten bij 130 tot 150°C in een oven of op een hete plaat, en voor ontwikkeling gedurende 90 seconden in 20 basisch water ondergedompeld. Als resultaat werd een positief resistpatroon van 0,2 μΐη 1/s verkregen.
Voorafgaande aan PEB liet men de belichte resistfilm aan de lucht staan voor een test van de PED stabiliteit. Zelfs na 4 uur werd een fijn patroon zonder vorming van een 25 T-top verkregen.
Zoals hierboven beschreven en aangetoond, worden de nieuwe copolymeren, die bruikbaar zijn als chemische amplificatieresistmaterialen met geschiktheid voor diep UV, met succes volgens de uitvinding gesynthetiseerd. Bovendien 30 heeft de uit de polymeren volgens de onderhavige uitvinding gemaakte fotoresist een hoge gevoeligheid zodat patronen met hoge resolutie kunnen worden gevormd. Voorts leidt de introductie van N-vinyllactamderivaat tot een grote toename van de PED stabiliteit. De stralingsgevoelige polymeren 35 kunnen daardoor worden toegepast voor lithografie van hooggeïntegreerde halfgeleiderinrichtingen en elektronische 1005689 15 inrichtingen. Bijgevolg kunnen ultrafijne schakelingen worden gevormd en kan een exceptionele verbetering van de patroonvorming worden bereikt bij gebruik van de volgens de onderhavige uitvinding bereide fotoresist.
5 De onderhavige uitvinding is op illustratieve wijze beschreven en men moet begrijpen dat de gebruikte terminologie toelichtend is bedoeld en niet beperkend.
Vele modificaties en variaties van de onderhavige uitvinding zijn mogelijk in het licht van de bovengegeven 10 uiteenzettingen. Men moet derhalve begrijpen dat de uitvinding binnen de omvang van de bijbehorende conclusies op andere wijzen in praktijk kan worden gebracht dan de specifiek beschreven uitvoeringswijzen.
1005689
Claims (3)
1. Copolymeer dat N-vinyllactamderivaten bevat volgens algemene formule I van het formuleblad, waarin R1 staat voor waterstof, een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen of 5 een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstofatomen; R2 en R3 onafhankelijk staan voor waterstof, een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstof-atomen, -0R’, -S03R’, -C02R’, -P03R', -S02R' of PO,R' waarin 10 R' staat voor een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, cycloalkyl, een cyclische groep die een heteroatoom zoals N, O, P en S bevat, of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen ; R4 en R3 onafhankelijk staan voor -OH, -OR waarin R 15 staat voor een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, of hetzelfde is als R1; R7 en R9 onafhankelijk staan voor waterstof, een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, of een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstof-20 atomen; R6 en R8 onafhankelijk staan voor een arylgroep met 6-20 koolstofatomen of een acrylaat -COOR" (waarin R" een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen is); 25. een geheel getal van 0 tot 10 is; j een molverhouding in het bereik van 0,005 tot 0,7 is; en k en 1, die gelijk of verschillend kunnen zijn, elk een molverhouding in het bereik van 0,05 tot 0,9 zijn.
2. Werkwijze voor het bereiden van een copolymeer met de algemene formule I van het formuleblad, waarin 1005689 R1 staat voor waterstof, een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen of een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstofatomen; R2 en R3 onafhankelijk staan voor waterstof, een 5 alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstofatomen, -0R', -S03R', -C02R' , -P03R', -S02R' of P02R’ waarin R' staat voor een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, cycloalkyl, een cyclische groep die een heteroatoom zoals 10 N, 0, P en S bevat, of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen ; R4 en R5 onafhankelijk staan voor -OH, -OR waarin R staat voor een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, of hetzelfde is als R1;
15 R7 en R9 onafhankelijk staan voor waterstof, een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen, een arylgroep met 6-12 koolstofatomen, of een trialkylsilylgroep met 3-9 koolstofatomen; R6 en R8 onafhankelijk staan voor een arylgroep met 20 6-20 koolstofatomen of een acrylaat -COOR" (waarin R" een alkylgroep met 1-10 koolstofatomen of een arylgroep met 6-12 koolstofatomen is); m een geheel getal van 0 tot 10 is; j een molverhouding in het bereik van 0,005 tot 0,7 25 is; en k en 1, die gelijk of verschillend kunnen zijn, elk een molverhouding in het bereik van 0,05 tot 0,9 zijn, omvattende polymerisatie van styreen- of acrylaatderivaten met N-vinyllactamderivaten met de algemene formule II van 30 het formuleblad, waarin R1, R2, R3, R4, R5 en m elk zijn zoals hierboven gedefinieerd.
3. Chemische amplificatiefotoresist, omvattende de polymeren volgens conclusie 1. 1005689
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960068910A KR100197673B1 (en) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | Copolymers containing n-vinyllactam derivatives, preparation methods thereof and photoresists therefrom |
KR19960068910 | 1996-12-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL1005689A1 NL1005689A1 (nl) | 1998-06-23 |
NL1005689C2 true NL1005689C2 (nl) | 1999-04-09 |
Family
ID=19489702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL1005689A NL1005689C2 (nl) | 1996-12-20 | 1997-04-01 | Copolymeren die N-vinyllactamderivaten bevatten, methoden ter bereiding daarvan en daarvan gemaakte fotoresistmaterialen. |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6051678A (nl) |
JP (1) | JP3269789B2 (nl) |
KR (1) | KR100197673B1 (nl) |
CN (1) | CN1120185C (nl) |
DE (1) | DE19721694B4 (nl) |
FR (1) | FR2757526B1 (nl) |
GB (1) | GB2320500B (nl) |
NL (1) | NL1005689C2 (nl) |
TW (1) | TW367430B (nl) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4366766B2 (ja) | 1999-04-30 | 2009-11-18 | 住友化学株式会社 | O−置換ビニルフェノール単位を有する重合体及びそれのレジストへの使用 |
US7138218B2 (en) * | 2001-12-18 | 2006-11-21 | Hynix Semiconductor Inc. | Process for forming an ultra fine pattern using a bottom anti-reflective coating film containing an acid generator |
US8119392B2 (en) * | 2003-05-02 | 2012-02-21 | The University Of North Carolina At Charlotte | Biocompatible resists |
US7338742B2 (en) * | 2003-10-08 | 2008-03-04 | Hynix Semiconductor Inc. | Photoresist polymer and photoresist composition containing the same |
US7270937B2 (en) * | 2003-10-17 | 2007-09-18 | Hynix Semiconductor Inc. | Over-coating composition for photoresist and process for forming photoresist pattern using the same |
KR100680405B1 (ko) * | 2003-11-19 | 2007-02-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | Euv용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법 |
US7745339B2 (en) * | 2006-02-24 | 2010-06-29 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for forming fine pattern of semiconductor device |
KR100694412B1 (ko) * | 2006-02-24 | 2007-03-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
KR100849800B1 (ko) * | 2006-07-20 | 2008-07-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 노광 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
US8313876B2 (en) * | 2006-07-20 | 2012-11-20 | Hynix Semiconductor Inc. | Exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same |
US7959818B2 (en) * | 2006-09-12 | 2011-06-14 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for forming a fine pattern of a semiconductor device |
US7790357B2 (en) * | 2006-09-12 | 2010-09-07 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of forming fine pattern of semiconductor device |
KR100861173B1 (ko) | 2006-12-01 | 2008-09-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 액침 노광 공정을 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
KR20080057562A (ko) * | 2006-12-20 | 2008-06-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
US7923200B2 (en) * | 2007-04-09 | 2011-04-12 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern comprising a lactam |
JP5069494B2 (ja) * | 2007-05-01 | 2012-11-07 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | 微細化パターン形成用水溶性樹脂組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法 |
KR100919564B1 (ko) * | 2007-06-29 | 2009-10-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
KR100876816B1 (ko) * | 2007-06-29 | 2009-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
WO2009152276A2 (en) | 2008-06-10 | 2009-12-17 | University Of North Carolina At Charlotte | Photoacid generators and lithographic resists comprising the same |
US7745077B2 (en) * | 2008-06-18 | 2010-06-29 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern |
KR101037528B1 (ko) * | 2008-10-16 | 2011-05-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
JP5898521B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2016-04-06 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6182864B2 (ja) * | 2012-01-17 | 2017-08-23 | 住友化学株式会社 | レジストパターンの製造方法 |
KR200474218Y1 (ko) * | 2012-05-10 | 2014-08-28 | (주)신성이지텍 | 벽면 장식재 고정 프레임 조립체 |
JP6283477B2 (ja) * | 2012-06-25 | 2018-02-21 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | アミド成分を含むフォトレジスト |
CN113835296A (zh) * | 2021-09-28 | 2021-12-24 | 之江实验室 | 一种飞秒激光直写光刻胶组合物 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4491628A (en) * | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
EP0528203A1 (de) * | 1991-08-09 | 1993-02-24 | Hoechst Aktiengesellschaft | Strahlungsempfindliches Gemisch mit einem polymeren Bindemittel mit Einheiten aus alpha,beta-ungesättigten Carbonsäureamiden |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2456807C3 (de) * | 1974-11-30 | 1981-04-09 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Verfahren zur Herstellung von Polymerisaten des Vinylpyrrolidons |
JPS5280022A (en) | 1975-12-26 | 1977-07-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | Light solubilizable composition |
GB2012285B (en) * | 1978-01-10 | 1982-09-15 | Goodyear Tire & Rubber | Water reducible coating compostions contaoning copolymers of vinyl pyrrolidone and unsaturated carboxylic acid and containing a solvent and a volatile amine |
US4164614A (en) * | 1978-06-21 | 1979-08-14 | Eastman Kodak Company | Terpolymer compositions useful as pressure-sensitive adhesives |
DE3366523D1 (en) * | 1982-04-06 | 1986-11-06 | Nitto Kasei Co Ltd | Anti-fouling agent |
US4456741A (en) * | 1983-01-17 | 1984-06-26 | Eastman Kodak Company | Terpolymer compositions useful as pressure-sensitive adhesives |
JPS63175085A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-19 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 歯科用接着剤組成物 |
DE3842183A1 (de) * | 1988-12-15 | 1990-06-21 | Basf Ag | Copolymerisate auf basis von tert.-butylacrylat und/oder tert.-butylmethacrylat |
JPH063822A (ja) * | 1992-06-23 | 1994-01-14 | Sekisui Chem Co Ltd | 立体画像表示盤の製造方法 |
JP3251644B2 (ja) * | 1992-07-09 | 2002-01-28 | 三菱製紙株式会社 | 減感インキ |
KR0178475B1 (ko) * | 1995-09-14 | 1999-03-20 | 윤덕용 | 신규한 n-비닐락탐 유도체 및 그의 중합체 |
-
1996
- 1996-12-20 KR KR1019960068910A patent/KR100197673B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-03-13 US US08/816,305 patent/US6051678A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-26 TW TW086103829A patent/TW367430B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-03-28 FR FR9703888A patent/FR2757526B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-01 NL NL1005689A patent/NL1005689C2/nl not_active IP Right Cessation
- 1997-05-01 GB GB9708958A patent/GB2320500B/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-23 DE DE19721694A patent/DE19721694B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-03 JP JP14530797A patent/JP3269789B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-08 CN CN97116326A patent/CN1120185C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-10-08 US US09/168,067 patent/US6262222B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4491628A (en) * | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
EP0528203A1 (de) * | 1991-08-09 | 1993-02-24 | Hoechst Aktiengesellschaft | Strahlungsempfindliches Gemisch mit einem polymeren Bindemittel mit Einheiten aus alpha,beta-ungesättigten Carbonsäureamiden |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10182754A (ja) | 1998-07-07 |
KR19980050132A (ko) | 1998-09-15 |
FR2757526B1 (fr) | 2000-01-14 |
GB9708958D0 (en) | 1997-06-25 |
KR100197673B1 (en) | 1999-06-15 |
JP3269789B2 (ja) | 2002-04-02 |
FR2757526A1 (fr) | 1998-06-26 |
TW367430B (en) | 1999-08-21 |
DE19721694B4 (de) | 2006-03-09 |
CN1185449A (zh) | 1998-06-24 |
GB2320500A (en) | 1998-06-24 |
NL1005689A1 (nl) | 1998-06-23 |
US6262222B1 (en) | 2001-07-17 |
GB2320500B (en) | 2001-07-25 |
CN1120185C (zh) | 2003-09-03 |
DE19721694A1 (de) | 1998-06-25 |
US6051678A (en) | 2000-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL1005689C2 (nl) | Copolymeren die N-vinyllactamderivaten bevatten, methoden ter bereiding daarvan en daarvan gemaakte fotoresistmaterialen. | |
US5955606A (en) | N-vinyllactam derivatives and polymer thereof | |
US8158327B2 (en) | Onium salt compound, polymer compound comprising the salt compound, chemically amplified resist composition comprising the polymer compound, and method for patterning using the composition | |
JP2845225B2 (ja) | 高分子化合物、それを用いた感光性樹脂組成物およびパターン形成方法 | |
TW507116B (en) | Chemically amplified positive resist composition | |
US8431325B2 (en) | Compound, resin, resist composition and method for producing resist pattern | |
KR101662099B1 (ko) | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 그 조성물을 사용한 레지스트 필름 및 패턴 형성 방법 | |
US6235447B1 (en) | Photoresist monomers, polymers thereof, and photoresist compositions containing the same | |
CA2049772A1 (en) | Olefinically unsaturated onium salts | |
JPH08259626A (ja) | ビニルモノマー、重合体、フォトレジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 | |
KR100243712B1 (ko) | 파장 248 나노미터 미만의 노출광에 대한 투명도와 감도가 높은화학증폭 레지스트 및 마스크 형성 방법 | |
JP7079647B2 (ja) | 組成物及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
US5656412A (en) | Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material | |
US20120100481A1 (en) | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition and pattern forming method using the same | |
JP2018203996A (ja) | 含フッ素単量体、含フッ素重合体およびそれを用いたパターン形成用組成物、並びにそのパターン形成方法 | |
JPH11279227A (ja) | 化合物、共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物とこれを利用したフォトレジストパタ―ン形成方法、および半導体素子 | |
Zhang et al. | Relief and functional photoimaging with chemically amplified resists based on di-tert-butyl butenedioate-co-styrene | |
JP5601809B2 (ja) | フォトレジスト用重合体及び組成物 | |
KR100281902B1 (ko) | 백본이 환상 구조를 가지는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 | |
US6426171B1 (en) | Photoresist monomer, polymer thereof and photoresist composition containing it | |
US6448352B1 (en) | Photoresist monomer, polymer thereof and photoresist composition containing it | |
WO2018225549A1 (ja) | 含フッ素単量体、含フッ素重合体およびそれを用いたパターン形成用組成物、並びにそのパターン形成方法 | |
US6921622B2 (en) | Photoresist monomers, polymers thereof and photoresist compositions containing the same | |
KR100520167B1 (ko) | 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유한포토레지스트 조성물 | |
JPH09325473A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AD1A | A request for search or an international type search has been filed | ||
RD2N | Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report) |
Effective date: 19990208 |
|
PD2B | A search report has been drawn up | ||
V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20101101 |