MD151Z - Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе - Google Patents

Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе

Info

Publication number
MD151Z
MD151Z MDS20090001A MDS20090001A MD151Z MD 151 Z MD151 Z MD 151Z MD S20090001 A MDS20090001 A MD S20090001A MD S20090001 A MDS20090001 A MD S20090001A MD 151 Z MD151 Z MD 151Z
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
epitaxial layers
growth
reactor
horizontal reactor
gaas epitaxial
Prior art date
Application number
MDS20090001A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Inventor
Василе БОТНАРЮК
Леонид ГОРЧАК
Симион РАЕВСКИЙ
Юрий ЖИЛЯЕВ
Леонид ФЁДОРОВ
Original Assignee
Государственный Университет Молд0
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственный Университет Молд0 filed Critical Государственный Университет Молд0
Priority to MDS20090001A priority Critical patent/MD151Z/ru
Publication of MD151Y publication Critical patent/MD151Y/xx
Publication of MD151Z publication Critical patent/MD151Z/ru

Links

Abstract

Изобретение относится к способам выращивания эпитаксиальных слоёв, в частности к способу выращивания эпитаксиальных слоёв GaAsв горизонтальном реакторе.Способ, согласно изобретению, включает установку подготовленного субстрата и источника галлия в реактор, герметизацию реактора и его продувку водородом расходом 1000 см3/мин в течении часа, нагрев источника галлия до температуры 800°С, зоны осаждения до 715…740°С при поддержании градиента роста температуры 1,7…2,1°С/см и осаждение эпитаксиальных слоёв при линейной скорости потока водорода с парами Ga-AsCl3 равной 33…35 см/мин.
MDS20090001A 2008-12-30 2008-12-30 Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе MD151Z (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20090001A MD151Z (ru) 2008-12-30 2008-12-30 Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20090001A MD151Z (ru) 2008-12-30 2008-12-30 Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD151Y MD151Y (en) 2010-02-26
MD151Z true MD151Z (ru) 2010-09-30

Family

ID=43568921

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDS20090001A MD151Z (ru) 2008-12-30 2008-12-30 Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD151Z (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4280C1 (ru) * 2013-09-04 2014-10-31 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры pInP-nCdS
MD972Z (ru) * 2015-02-19 2016-06-30 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов
MD4510C1 (ru) * 2016-06-23 2018-03-31 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры n+-p-p+ InP для солнечных батарей

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4554C1 (ru) * 2017-10-18 2018-09-30 Государственный Университет Молд0 Способ повышения эфективности фотоэлектрических элементов на основе p+InP-p-InP-n+CdS

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1118579A (en) * 1967-04-21 1968-07-03 Standard Telephones Cables Ltd A method of and apparatus for growing an epitaxial layer of semiconductive material on a surface of a semiconductive substrate
JPS5635411A (en) * 1979-08-31 1981-04-08 Fujitsu Ltd Epitaxial wafer of gallium arsenide and its manufacture
JPH04354325A (ja) * 1991-05-31 1992-12-08 Nikko Kyodo Co Ltd 化合物半導体のエピタキシャル成長方法
JPH04359509A (ja) * 1991-06-06 1992-12-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 三元系化合物半導体のエピタキシャル成長方法
JPH0684803A (ja) * 1992-09-01 1994-03-25 Toshiba Corp 気相エピタキシャル成長装置
JPH06172084A (ja) * 1992-12-08 1994-06-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体のエピタキシャル成長方法及び装置
MD499G2 (ru) * 1993-12-30 1997-05-31 Государственный Университет Молд0 Способ выращивания эпитаксиальных слоев AIIIBV в хлоридной системе
MD627G2 (ru) * 1994-07-25 1997-06-30 Государственный Университет Молд0 Способ получения эпитаксиальных слоев фосфида индия из газовой фазы
MD673G2 (ru) * 1994-05-24 1997-08-31 Государственный Университет Молд0 Способ получения слоев InP
MD930G2 (ru) * 1997-04-09 1999-01-31 Государственный Университет Молд0 Способ получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы
  • 2008

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1118579A (en) * 1967-04-21 1968-07-03 Standard Telephones Cables Ltd A method of and apparatus for growing an epitaxial layer of semiconductive material on a surface of a semiconductive substrate
JPS5635411A (en) * 1979-08-31 1981-04-08 Fujitsu Ltd Epitaxial wafer of gallium arsenide and its manufacture
JPH04354325A (ja) * 1991-05-31 1992-12-08 Nikko Kyodo Co Ltd 化合物半導体のエピタキシャル成長方法
JPH04359509A (ja) * 1991-06-06 1992-12-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 三元系化合物半導体のエピタキシャル成長方法
JPH0684803A (ja) * 1992-09-01 1994-03-25 Toshiba Corp 気相エピタキシャル成長装置
JPH06172084A (ja) * 1992-12-08 1994-06-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体のエピタキシャル成長方法及び装置
MD499G2 (ru) * 1993-12-30 1997-05-31 Государственный Университет Молд0 Способ выращивания эпитаксиальных слоев AIIIBV в хлоридной системе
MD673G2 (ru) * 1994-05-24 1997-08-31 Государственный Университет Молд0 Способ получения слоев InP
MD627G2 (ru) * 1994-07-25 1997-06-30 Государственный Университет Молд0 Способ получения эпитаксиальных слоев фосфида индия из газовой фазы
MD930G2 (ru) * 1997-04-09 1999-01-31 Государственный Университет Молд0 Способ получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Dilorenzo J. V. Vapor growth of epitaxial GaAs: a summary of parameters which influence the purity and morphology of epitaxial layers. J. Crystal Growth, 1972, vol. 17, p. 189…206. *
Ботнарюк В.М. Исследование арсенидгаллиевых структур для силовых приборов полученных низкотемпературной эпитаксией в системе Ga-AsCl3-H2. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, 1986, Кишинёв, c. 93…94. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4280C1 (ru) * 2013-09-04 2014-10-31 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры pInP-nCdS
MD972Z (ru) * 2015-02-19 2016-06-30 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов
MD4510C1 (ru) * 2016-06-23 2018-03-31 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры n+-p-p+ InP для солнечных батарей

Also Published As

Publication number Publication date
MD151Y (en) 2010-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012002995A3 (en) Thin films and methods of making them using cyclohexasilane
WO2018087704A3 (en) Micro-light emitting diode (led) fabrication by layer transfer
WO2011155858A3 (en) Method of graphene manufacturing
EA201390802A1 (ru) Эпитаксиальное выращивание нанопроволоки на графитовой подложке
EA201890238A1 (ru) Способ выращивания нанопроволок или нанопирамидок на графитовых подложках
SG157279A1 (en) Method for producing an epitaxially coated semiconductor wafer
WO2012069451A3 (en) Thermal gradient chemical vapour deposition apparatus and method
TW200739688A (en) Method for manufacturing epitaxial wafer and epitaxial wafer
WO2007109491A3 (en) Selective deposition
PL401614A1 (pl) Sposób wytwarzania sadzy przy uzyciu wstepnie ogrzanego wsadu oraz sluzaca do tego instalacja
TW200741041A (en) Colorless single-crystal CVD diamond at rapid growth rate
WO2010099544A3 (en) Tiled substrates for deposition and epitaxial lift off processes
WO2009013914A1 (ja) ＳｉＣエピタキシャル基板およびその製造方法
WO2012125771A3 (en) Substrate support assembly for thin film deposition systems
WO2013061047A3 (en) Silicon carbide epitaxy
EP2532013A4 (en) METHOD AND SYSTEM FOR MANUFACTURING CERAMIC WIRE, AND SUPERCONDUCTING WIRE USING THE SAME
ATE514179T1 (de) Verfahren zur herstellung einer nitridbasierten halbleiteroptikvorrichtung
GB2525332A (en) Epitaxial film growth on patterned substrate
GB0509499D0 (en) Use of thermal barrier for low temperature growth of nanostructures using top-down heating approach
MD151Z (ru) Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе
WO2010060630A3 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von reinstsilzium
TW201130017A (en) Epitaxial substrate having nano-rugged surface and fabrication thereof
JP2009269816A5 (ru)
MY159243A (en) Single crystal diamond material
WO2014008453A3 (en) Controlled epitaxial boron nitride growth for graphene based transistors

Legal Events

Date Code Title Description
KA4Y Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)