MD151Z - Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе - Google Patents

Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе Download PDF

Info

Publication number
MD151Z
MD151Z MDS20090001A MDS20090001A MD151Z MD 151 Z MD151 Z MD 151Z MD S20090001 A MDS20090001 A MD S20090001A MD S20090001 A MDS20090001 A MD S20090001A MD 151 Z MD151 Z MD 151Z
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
epitaxial layers
growth
reactor
horizontal reactor
gaas epitaxial
Prior art date
Application number
MDS20090001A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Inventor
Василе БОТНАРЮК
Леонид ГОРЧАК
Симион РАЕВСКИЙ
Юрий ЖИЛЯЕВ
Леонид ФЁДОРОВ
Original Assignee
Государственный Университет Молд0
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственный Университет Молд0 filed Critical Государственный Университет Молд0
Priority to MDS20090001A priority Critical patent/MD151Z/ru
Publication of MD151Y publication Critical patent/MD151Y/ro
Publication of MD151Z publication Critical patent/MD151Z/ru

Links

Abstract

Изобретение относится к способам выращивания эпитаксиальных слоёв, в частности к способу выращивания эпитаксиальных слоёв GaAsв горизонтальном реакторе.Способ, согласно изобретению, включает установку подготовленного субстрата и источника галлия в реактор, герметизацию реактора и его продувку водородом расходом 1000 см3/мин в течении часа, нагрев источника галлия до температуры 800°С, зоны осаждения до 715…740°С при поддержании градиента роста температуры 1,7…2,1°С/см и осаждение эпитаксиальных слоёв при линейной скорости потока водорода с парами Ga-AsCl3 равной 33…35 см/мин.
MDS20090001A 2008-12-30 2008-12-30 Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе MD151Z (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20090001A MD151Z (ru) 2008-12-30 2008-12-30 Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20090001A MD151Z (ru) 2008-12-30 2008-12-30 Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD151Y MD151Y (ro) 2010-02-26
MD151Z true MD151Z (ru) 2010-09-30

Family

ID=43568921

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDS20090001A MD151Z (ru) 2008-12-30 2008-12-30 Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD151Z (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4280C1 (ru) * 2013-09-04 2014-10-31 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры pInP-nCdS
MD972Z (ru) * 2015-02-19 2016-06-30 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов
MD4510C1 (ru) * 2016-06-23 2018-03-31 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры n+-p-p+ InP для солнечных батарей

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4554C1 (ru) * 2017-10-18 2018-09-30 Государственный Университет Молд0 Способ повышения эфективности фотоэлектрических элементов на основе p+InP-p-InP-n+CdS

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1118579A (en) * 1967-04-21 1968-07-03 Standard Telephones Cables Ltd A method of and apparatus for growing an epitaxial layer of semiconductive material on a surface of a semiconductive substrate
JPS5635411A (en) * 1979-08-31 1981-04-08 Fujitsu Ltd Epitaxial wafer of gallium arsenide and its manufacture
JPH04354325A (ja) * 1991-05-31 1992-12-08 Nikko Kyodo Co Ltd 化合物半導体のエピタキシャル成長方法
JPH04359509A (ja) * 1991-06-06 1992-12-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 三元系化合物半導体のエピタキシャル成長方法
JPH0684803A (ja) * 1992-09-01 1994-03-25 Toshiba Corp 気相エピタキシャル成長装置
JPH06172084A (ja) * 1992-12-08 1994-06-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体のエピタキシャル成長方法及び装置
MD499G2 (ru) * 1993-12-30 1997-05-31 Государственный Университет Молд0 Способ выращивания эпитаксиальных слоев AIIIBV в хлоридной системе
MD627G2 (ru) * 1994-07-25 1997-06-30 Государственный Университет Молд0 Способ получения эпитаксиальных слоев фосфида индия из газовой фазы
MD673G2 (ru) * 1994-05-24 1997-08-31 Государственный Университет Молд0 Способ получения слоев InP
MD930G2 (ru) * 1997-04-09 1999-01-31 Государственный Университет Молд0 Способ получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы
  • 2008

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1118579A (en) * 1967-04-21 1968-07-03 Standard Telephones Cables Ltd A method of and apparatus for growing an epitaxial layer of semiconductive material on a surface of a semiconductive substrate
JPS5635411A (en) * 1979-08-31 1981-04-08 Fujitsu Ltd Epitaxial wafer of gallium arsenide and its manufacture
JPH04354325A (ja) * 1991-05-31 1992-12-08 Nikko Kyodo Co Ltd 化合物半導体のエピタキシャル成長方法
JPH04359509A (ja) * 1991-06-06 1992-12-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 三元系化合物半導体のエピタキシャル成長方法
JPH0684803A (ja) * 1992-09-01 1994-03-25 Toshiba Corp 気相エピタキシャル成長装置
JPH06172084A (ja) * 1992-12-08 1994-06-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体のエピタキシャル成長方法及び装置
MD499G2 (ru) * 1993-12-30 1997-05-31 Государственный Университет Молд0 Способ выращивания эпитаксиальных слоев AIIIBV в хлоридной системе
MD673G2 (ru) * 1994-05-24 1997-08-31 Государственный Университет Молд0 Способ получения слоев InP
MD627G2 (ru) * 1994-07-25 1997-06-30 Государственный Университет Молд0 Способ получения эпитаксиальных слоев фосфида индия из газовой фазы
MD930G2 (ru) * 1997-04-09 1999-01-31 Государственный Университет Молд0 Способ получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Dilorenzo J. V. Vapor growth of epitaxial GaAs: a summary of parameters which influence the purity and morphology of epitaxial layers. J. Crystal Growth, 1972, vol. 17, p. 189…206. *
Ботнарюк В.М. Исследование арсенидгаллиевых структур для силовых приборов полученных низкотемпературной эпитаксией в системе Ga-AsCl3-H2. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, 1986, Кишинёв, c. 93…94. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4280C1 (ru) * 2013-09-04 2014-10-31 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры pInP-nCdS
MD972Z (ru) * 2015-02-19 2016-06-30 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов
MD4510C1 (ru) * 2016-06-23 2018-03-31 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры n+-p-p+ InP для солнечных батарей

Also Published As

Publication number Publication date
MD151Y (ro) 2010-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2013036376A3 (en) Methods for the epitaxial growth of silicon carbide
SG157279A1 (en) Method for producing an epitaxially coated semiconductor wafer
EA201390802A1 (ru) Эпитаксиальное выращивание нанопроволоки на графитовой подложке
TW200802547A (en) Selective deposition
WO2012069451A3 (en) Thermal gradient chemical vapour deposition apparatus and method
WO2012118947A3 (en) Apparatus and process for atomic layer deposition
WO2012139006A3 (en) Metal-organic vapor phase epitaxy system and process
EA201890238A1 (ru) Способ выращивания нанопроволок или нанопирамидок на графитовых подложках
TW200741041A (en) Colorless single-crystal CVD diamond at rapid growth rate
WO2010099544A3 (en) Tiled substrates for deposition and epitaxial lift off processes
ATE514179T1 (de) Verfahren zur herstellung einer nitridbasierten halbleiteroptikvorrichtung
WO2012125771A3 (en) Substrate support assembly for thin film deposition systems
WO2013061047A3 (en) Silicon carbide epitaxy
CN104593861B (zh) 一种利用温度调制提高氮化铝薄膜晶体质量的生长方法
GB2525332A (en) Epitaxial film growth on patterned substrate
JP2009269816A5 (ru)
EP2532013A4 (en) METHOD FOR PRODUCING A CERAMIC WIRE, SYSTEM FOR ITS MANUFACTURE AND SUPERCONDITIONING THE WIRE THEREWITH
WO2019140445A3 (en) Hydride enhanced growth rates in hydride vapor phase epitaxy
SG155840A1 (en) A semiconductor wafer with a heteroepitaxial layer and a method for producing the wafer
MD151Z (ru) Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе
TW201130017A (en) Epitaxial substrate having nano-rugged surface and fabrication thereof
MY159550A (en) Process and apparatuses for preparing ultrapure silicon
WO2014008453A3 (en) Controlled epitaxial boron nitride growth for graphene based transistors
ATE546563T1 (de) Chemisches dampfabscheide-verfahren unter atmosphärendruck zur herstellung einer n- halbleitenden metallsulfid-dünnschicht
SG170676A1 (en) Epitaxial wafer and production method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
KA4Y Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)