MD972Z - Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов - Google Patents
Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов Download PDFInfo
- Publication number
- MD972Z MD972Z MDS20150020A MDS20150020A MD972Z MD 972 Z MD972 Z MD 972Z MD S20150020 A MDS20150020 A MD S20150020A MD S20150020 A MDS20150020 A MD S20150020A MD 972 Z MD972 Z MD 972Z
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- inp
- temperature
- reactor
- substrate
- cds
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N phosphorus trichloride Chemical compound ClP(Cl)Cl FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано, в частности, в фотоэлектрических преобразователях.Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов состоит в том, что в толуоле и изопропиловом спирте обрабатывают подложку, выполненную в виде платы из p+InP с кристаллографической ориентацией (100), с разориентацией 3…5° в направлении (110) и с концентрацией носителей заряда 1018 см-3, затем ее травят в растворе 5% Br2 в метаноле, моют в изопропиловом спирте, сушат в его парах и помещают в реактор на подставку. Реактор продувается водородом в течение не менее часа, после чего повышают температуру в нем до 670°C и травят подложку. На подложке выращивают и травят слой p-InP, на котором выращивают второй слой p-InP. Полученную заготовку вынимают из реактора и помещают в реактор для роста способом квазизакрытого объема, в котором выращивают слой n+CdS при температуре 710°C. Наносят омический контакт из Ag+Zn на обратную сторону подложки и термически обрабатывают при температуре 500°C, затем наносят омический контакт из In на слой n+CdS и термически обрабатывают при температуре 260°C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20150020A MD972Z (ru) | 2015-02-19 | 2015-02-19 | Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20150020A MD972Z (ru) | 2015-02-19 | 2015-02-19 | Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD972Y MD972Y (ru) | 2015-11-30 |
| MD972Z true MD972Z (ru) | 2016-06-30 |
Family
ID=54753236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20150020A MD972Z (ru) | 2015-02-19 | 2015-02-19 | Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD972Z (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD4510C1 (ru) * | 2016-06-23 | 2018-03-31 | Государственный Университет Молд0 | Способ роста структуры n+-p-p+ InP для солнечных батарей |
| MD4554C1 (ru) * | 2017-10-18 | 2018-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Способ повышения эфективности фотоэлектрических элементов на основе p+InP-p-InP-n+CdS |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD499G2 (ru) * | 1993-12-30 | 1997-05-31 | Государственный Университет Молд0 | Способ выращивания эпитаксиальных слоев AIIIBV в хлоридной системе |
| MD626G2 (ru) * | 1994-01-13 | 1997-06-30 | Государственный Университет Молд0 | Способ изготовления гетероструктур p+ InP-pInP/CdS и p+GaAs-pGaAs/CdS |
| MD151Z (ru) * | 2008-12-30 | 2010-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе |
| MD176Z (ru) * | 2009-04-15 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Способ изготовления диода высокого напряжения |
| MD4261B1 (ru) * | 2011-05-12 | 2013-11-30 | Государственный Университет Молд0 | Способ изготовления полупроводникового прибора с рельефным p-n переходом (варианты) |
| MD4280C1 (ru) * | 2013-09-04 | 2014-10-31 | Государственный Университет Молд0 | Способ роста структуры pInP-nCdS |
-
2015
- 2015-02-19 MD MDS20150020A patent/MD972Z/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD499G2 (ru) * | 1993-12-30 | 1997-05-31 | Государственный Университет Молд0 | Способ выращивания эпитаксиальных слоев AIIIBV в хлоридной системе |
| MD626G2 (ru) * | 1994-01-13 | 1997-06-30 | Государственный Университет Молд0 | Способ изготовления гетероструктур p+ InP-pInP/CdS и p+GaAs-pGaAs/CdS |
| MD151Z (ru) * | 2008-12-30 | 2010-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе |
| MD176Z (ru) * | 2009-04-15 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Способ изготовления диода высокого напряжения |
| MD4261B1 (ru) * | 2011-05-12 | 2013-11-30 | Государственный Университет Молд0 | Способ изготовления полупроводникового прибора с рельефным p-n переходом (варианты) |
| MD4280C1 (ru) * | 2013-09-04 | 2014-10-31 | Государственный Университет Молд0 | Способ роста структуры pInP-nCdS |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Chitoroagă, A.D. Teza de doctorat "Исследование фотоэлектрических свойств гетероструктур InP-CdS", 1992 * |
| Yoshikawa A., Sakai Y. High efficiency n-CdS/p-InP solar cells prepared by the close-spaced technique. Solid-State Electronics, 1977, vol. 20, p. 133-137 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD972Y (ru) | 2015-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Simon et al. | Low-cost III–V solar cells grown by hydride vapor-phase epitaxy | |
| CN103035496B (zh) | 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN109037374A (zh) | 基于NiO/Ga2O3的紫外光电二极管及其制备方法 | |
| Yusof et al. | InGaN based Schottky barrier solar cell: Study of the temperature dependence of electrical characteristics | |
| MD972Z (ru) | Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов | |
| WO2019186136A1 (en) | Devices and methods for generating electricity | |
| MD4280C1 (ru) | Способ роста структуры pInP-nCdS | |
| US9842956B2 (en) | System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures | |
| Ritenour et al. | Towards high-efficiency GaAs thin-film solar cells grown via close space vapor transport from a solid source | |
| CN101608339A (zh) | 4H-SiC选择性同质外延生长方法 | |
| MD4510C1 (ru) | Способ роста структуры n+-p-p+ InP для солнечных батарей | |
| MD4554C1 (ru) | Способ повышения эфективности фотоэлектрических элементов на основе p+InP-p-InP-n+CdS | |
| CN110534599A (zh) | 一种柔性薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
| RU2575972C1 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ GaSb | |
| KR20150064930A (ko) | 유연성을 갖는 czts 박막 제조방법, 이를 이용한 박막 태양전지 제조방법 및 박막 태양전지 | |
| MD4686C1 (ru) | Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов | |
| Danielson et al. | MOCVD Deposition of Group V Doped CdTe in Sublimated CdTe and CdSeTe Devices | |
| KR20160075042A (ko) | Ald 공정을 통한 박막 태양전지 제조방법 및 이로부터 제조된 박막 태양전지 | |
| CN208240696U (zh) | 一种柔性薄膜太阳能电池 | |
| KR101464086B1 (ko) | 다중접합 화합물 태양전지 구조 | |
| US20140069499A1 (en) | MORPHOLOGICAL AND SPATIAL CONTROL OF InP CRYSTAL GROWTH USING CLOSED-SPACED SUBLIMATION | |
| RU2607734C1 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ GaAs | |
| KR20080086114A (ko) | 실리사이드 시드를 이용한 실리콘 박막, 이를 포함하는태양전지 및 그 제조방법 | |
| Yu et al. | Defect-free GeSn alloy strips on Si by Sn self-catalyzed MBE method | |
| Milenkovic et al. | Epitaxial N-type silicon solar cells with 20% efficiency |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG9Y | Short term patent issued | ||
| KA4Y | Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |