MD176Z - Способ изготовления диода высокого напряжения - Google Patents
Способ изготовления диода высокого напряжения Download PDFInfo
- Publication number
- MD176Z MD176Z MDS20090054A MDS20090054A MD176Z MD 176 Z MD176 Z MD 176Z MD S20090054 A MDS20090054 A MD S20090054A MD S20090054 A MDS20090054 A MD S20090054A MD 176 Z MD176 Z MD 176Z
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- manufacture
- voltage diode
- deposition
- mixture
- temperature
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 abstract 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 abstract 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 abstract 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых элементов, а именно к изготовлению ультрабыстрых высокотемпературных диодов высокого напряжения.Способ изготовления диода высокого напряжения включает выращивание выпрямительной полупроводниковой структуры типа А3В5 методом хлоридной эпитаксии из газовой фазы, нанесение металлических слоев для создания контактов, отделение кристаллической структуры в виде диска методом ее химического травления в кислом растворе, который содержит смесь 25…52 об. % азотной кислоты в хлористоводородной кислоте, и деионизированную воду, которая составляет до 10 частей на одну часть смеси кислот, очистку поверхности выхода p-n перехода на боковой поверхности кристалла, нанесение слоя пассивации из оксида элемента А на поверхность выхода p-n перехода на поверхности и его термическую обработку в инертной среде при температуре 560…600°С в течение 30…50 мин, сборку и капсуляцию диода высокого напряжения.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20090054A MD176Z (ru) | 2009-04-15 | 2009-04-15 | Способ изготовления диода высокого напряжения |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20090054A MD176Z (ru) | 2009-04-15 | 2009-04-15 | Способ изготовления диода высокого напряжения |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD176Y MD176Y (ro) | 2010-03-31 |
| MD176Z true MD176Z (ru) | 2010-10-31 |
Family
ID=43568948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20090054A MD176Z (ru) | 2009-04-15 | 2009-04-15 | Способ изготовления диода высокого напряжения |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD176Z (ru) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD3815C2 (ru) * | 2007-07-04 | 2009-08-31 | Эдуард ПРОДАН | Система и способ водоснабжения |
| MD4182C1 (ru) * | 2011-04-15 | 2013-04-30 | Государственный Университет Молд0 | Полупроводниковый прибор с рельефным p-n переходом (варианты) |
| MD4261B1 (ru) * | 2011-05-12 | 2013-11-30 | Государственный Университет Молд0 | Способ изготовления полупроводникового прибора с рельефным p-n переходом (варианты) |
| MD972Z (ru) * | 2015-02-19 | 2016-06-30 | Государственный Университет Молд0 | Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD196Z (ru) * | 2009-04-15 | 2010-11-30 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Высокотемпературный диодный столб |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5986215A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | ヒ化ガリウム結晶の気相成長方法 |
| JPH01244612A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Nec Corp | 砒化ガリウムの気相成長方法及び気相成長装置 |
| JPH0296327A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-09 | Nec Corp | 砒化ガリウムの気相成長方法 |
| SU1800856A1 (ru) * | 1990-05-16 | 1995-06-19 | Научно-исследовательский институт "Пульсар" | Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия |
| SU1788871A1 (ru) * | 1990-01-12 | 1996-01-20 | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | Способ эпитаксиального наращивания слоев ga as на подложках si и устройство для его осуществления |
| KR960003850B1 (ko) * | 1992-12-04 | 1996-03-23 | 재단법인 한국전자통신연구소 | 알루미늄 비소(AlAs) 보호막을 이용한 화합물 반도체 소자의 제조방법 |
| JPH0883782A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-26 | Nippondenso Co Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
| SU1589918A1 (ru) * | 1989-01-23 | 1996-11-27 | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия |
| MD930G2 (ru) * | 1997-04-09 | 1999-01-31 | Государственный Университет Молд0 | Способ получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы |
| RU99117920A (ru) * | 1998-08-21 | 2001-07-20 | Асеа Браун Бовери АГ | Способ изготовления полупроводникового элемента и полупроводниковый элемент |
| CN1588612A (zh) * | 2004-07-09 | 2005-03-02 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法 |
| MD2937C2 (ru) * | 2004-02-05 | 2006-09-30 | Производственно-Коммерческая Фирма "Discret Element" Ооо | Способ очистки технологической оснастки от отходов после эпитаксиального вырaщивания слоев типа А3В5 |
| MD3257G2 (ru) * | 2006-03-17 | 2007-09-30 | Производственно-Коммерческая Фирма "Discret Element" Ооо | Способ рекуперации галлия и мышьяка из отходов образующихся после эпитаксиального выращивания полупроводниковых слоёв типа А3В5 |
| RU2007106293A (ru) * | 2007-02-19 | 2008-08-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") (RU) | Способ изготовления полупроводникового диода |
-
2009
- 2009-04-15 MD MDS20090054A patent/MD176Z/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5986215A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | ヒ化ガリウム結晶の気相成長方法 |
| JPH01244612A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Nec Corp | 砒化ガリウムの気相成長方法及び気相成長装置 |
| JPH0296327A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-09 | Nec Corp | 砒化ガリウムの気相成長方法 |
| SU1589918A1 (ru) * | 1989-01-23 | 1996-11-27 | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия |
| SU1788871A1 (ru) * | 1990-01-12 | 1996-01-20 | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | Способ эпитаксиального наращивания слоев ga as на подложках si и устройство для его осуществления |
| SU1800856A1 (ru) * | 1990-05-16 | 1995-06-19 | Научно-исследовательский институт "Пульсар" | Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия |
| KR960003850B1 (ko) * | 1992-12-04 | 1996-03-23 | 재단법인 한국전자통신연구소 | 알루미늄 비소(AlAs) 보호막을 이용한 화합물 반도체 소자의 제조방법 |
| JPH0883782A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-26 | Nippondenso Co Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
| MD930G2 (ru) * | 1997-04-09 | 1999-01-31 | Государственный Университет Молд0 | Способ получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы |
| RU99117920A (ru) * | 1998-08-21 | 2001-07-20 | Асеа Браун Бовери АГ | Способ изготовления полупроводникового элемента и полупроводниковый элемент |
| MD2937C2 (ru) * | 2004-02-05 | 2006-09-30 | Производственно-Коммерческая Фирма "Discret Element" Ооо | Способ очистки технологической оснастки от отходов после эпитаксиального вырaщивания слоев типа А3В5 |
| CN1588612A (zh) * | 2004-07-09 | 2005-03-02 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法 |
| MD3257G2 (ru) * | 2006-03-17 | 2007-09-30 | Производственно-Коммерческая Фирма "Discret Element" Ооо | Способ рекуперации галлия и мышьяка из отходов образующихся после эпитаксиального выращивания полупроводниковых слоёв типа А3В5 |
| RU2007106293A (ru) * | 2007-02-19 | 2008-08-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") (RU) | Способ изготовления полупроводникового диода |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD3815C2 (ru) * | 2007-07-04 | 2009-08-31 | Эдуард ПРОДАН | Система и способ водоснабжения |
| MD4182C1 (ru) * | 2011-04-15 | 2013-04-30 | Государственный Университет Молд0 | Полупроводниковый прибор с рельефным p-n переходом (варианты) |
| MD4261B1 (ru) * | 2011-05-12 | 2013-11-30 | Государственный Университет Молд0 | Способ изготовления полупроводникового прибора с рельефным p-n переходом (варианты) |
| MD972Z (ru) * | 2015-02-19 | 2016-06-30 | Государственный Университет Молд0 | Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD176Y (ro) | 2010-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SaifAddin et al. | Fabrication technology for high light-extraction ultraviolet thin-film flip-chip (UV TFFC) LEDs grown on SiC | |
| US20090020768A1 (en) | Buried contact devices for nitride-based films and manufacture thereof | |
| US8796693B2 (en) | Successive ionic layer adsorption and reaction process for depositing epitaxial ZnO on III-nitride-based light emitting diode and light emitting diode including epitaxial ZnO | |
| MD176Z (ru) | Способ изготовления диода высокого напряжения | |
| CN106030834B (zh) | 用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 | |
| US20140038320A1 (en) | Method of manufacturing a light emitting diode | |
| CN108010996B (zh) | 一种AlGaInP发光二极管及其制作方法 | |
| JP2011222728A5 (ru) | ||
| TW201216503A (en) | Method for fabricating a vertical light-emitting diode with high brightness | |
| JP2014143446A (ja) | 酸化ガリウム基板の製造方法、発光素子、及び発光素子の製造方法 | |
| CN103866380A (zh) | 一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法 | |
| CN101807648B (zh) | 引入式粗化氮极性面氮化镓基发光二极管及其制作方法 | |
| CN102938436B (zh) | GaN基高压LED制造工艺中的隔离填充制作方法 | |
| JP2012070016A5 (ru) | ||
| EP2881982B1 (en) | Method for fabricating cmos compatible contact layers in semiconductor devices | |
| TW201443255A (zh) | 製作氮化鎵之方法 | |
| CN104795472B (zh) | 一种半导体发光器件的制备方法 | |
| CN104060323A (zh) | 通过制备N面锥形结构衬底获得自支撑GaN单晶的方法 | |
| US8268658B2 (en) | Light emitting diode and method for making same | |
| CN102655195A (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| CN102456784B (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| CN103824766B (zh) | 一种硅衬底和将半导体器件与该硅衬底剥离的方法 | |
| MD20110044A2 (en) | Method for manufacturing a semiconductor device with relief p-n junction | |
| CN104851792B (zh) | 钝化的处理方法 | |
| UA54800U (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКИ НА ПОДКЛАДКЕ ИЗ ПОРИСТОГО СЛОЯ InP |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| KA4Y | Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |