MD2937C2 - Способ очистки технологической оснастки от отходов после эпитаксиального вырaщивания слоев типа А3В5 - Google Patents
Способ очистки технологической оснастки от отходов после эпитаксиального вырaщивания слоев типа А3В5 Download PDFInfo
- Publication number
- MD2937C2 MD2937C2 MDA20040033A MD20040033A MD2937C2 MD 2937 C2 MD2937 C2 MD 2937C2 MD A20040033 A MDA20040033 A MD A20040033A MD 20040033 A MD20040033 A MD 20040033A MD 2937 C2 MD2937 C2 MD 2937C2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- waste
- cleaning
- epitaxial growth
- semiconductor layers
- type
- Prior art date
Links
- 238000003754 machining Methods 0.000 title abstract 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 title abstract 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 abstract 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для очистки технологической оснастки от отходов после эпитаксиального выращивания слоев арсенида галлия или фосфида индия.Способ очистки технологической оснастки от отходов после эпитаксиального выращивания слоев типа А3В5 включает химическую обработку путем погружения части технологической оснастки с отходами в емкость, заполненную кислотным раствором, содержащим смесь азотной кислоты HNO3 и хлорной кислоты HCl, последующую ее промывку деионизованной водой и сушку. Химическую обработкупроводят кислотным раствором, который содержит 25 … 52%об. азотной кислоты HNO3. Кислотный раствор предварительно дегазирован в течение 1,5 … 4 часов в деионизованной воде.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20040033A MD2937C2 (ru) | 2004-02-05 | 2004-02-05 | Способ очистки технологической оснастки от отходов после эпитаксиального вырaщивания слоев типа А3В5 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20040033A MD2937C2 (ru) | 2004-02-05 | 2004-02-05 | Способ очистки технологической оснастки от отходов после эпитаксиального вырaщивания слоев типа А3В5 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD2937B1 MD2937B1 (en) | 2005-12-31 |
| MD2937C2 true MD2937C2 (ru) | 2006-09-30 |
Family
ID=35508811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20040033A MD2937C2 (ru) | 2004-02-05 | 2004-02-05 | Способ очистки технологической оснастки от отходов после эпитаксиального вырaщивания слоев типа А3В5 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD2937C2 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD3257G2 (ru) * | 2006-03-17 | 2007-09-30 | Производственно-Коммерческая Фирма "Discret Element" Ооо | Способ рекуперации галлия и мышьяка из отходов образующихся после эпитаксиального выращивания полупроводниковых слоёв типа А3В5 |
| MD176Z (ru) * | 2009-04-15 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Способ изготовления диода высокого напряжения |
| MD196Z (ru) * | 2009-04-15 | 2010-11-30 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Высокотемпературный диодный столб |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4094753A (en) * | 1977-06-01 | 1978-06-13 | Cominco Ltd. | Recovery of gallium from gallium compounds |
| US4353779A (en) * | 1981-08-14 | 1982-10-12 | Westinghouse Electric Corp. | Wet chemical etching of III/V semiconductor material without gas evolution |
| US4759917A (en) * | 1987-02-24 | 1988-07-26 | Monsanto Company | Oxidative dissolution of gallium arsenide and separation of gallium from arsenic |
-
2004
- 2004-02-05 MD MDA20040033A patent/MD2937C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4094753A (en) * | 1977-06-01 | 1978-06-13 | Cominco Ltd. | Recovery of gallium from gallium compounds |
| US4353779A (en) * | 1981-08-14 | 1982-10-12 | Westinghouse Electric Corp. | Wet chemical etching of III/V semiconductor material without gas evolution |
| US4759917A (en) * | 1987-02-24 | 1988-07-26 | Monsanto Company | Oxidative dissolution of gallium arsenide and separation of gallium from arsenic |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Bird et al. The Hydrometallurgy of the rarer metals. Dallas, 1982 * |
| Bird et all. The Hydrometallurgy of the rarer metals. Dallas, 1982 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD3257G2 (ru) * | 2006-03-17 | 2007-09-30 | Производственно-Коммерческая Фирма "Discret Element" Ооо | Способ рекуперации галлия и мышьяка из отходов образующихся после эпитаксиального выращивания полупроводниковых слоёв типа А3В5 |
| MD176Z (ru) * | 2009-04-15 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Способ изготовления диода высокого напряжения |
| MD196Z (ru) * | 2009-04-15 | 2010-11-30 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Высокотемпературный диодный столб |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD2937B1 (en) | 2005-12-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EA201290421A1 (ru) | Способ и устройство для обработки шлама и применение указанных способа и устройства для биоочистки сточных вод | |
| WO2004042472B1 (en) | Supercritical carbon dioxide/chemical formulation for removal of photoresists | |
| TW200628638A (en) | Solutions for cleaning silicon semiconductors or silicon oxides | |
| EP0982765A3 (en) | Cleaning method of semiconductor substrate | |
| WO1996002624A1 (en) | A cleaning kit and a cleaning composition and methods of use | |
| TW200703485A (en) | Method of surface treating substrates and method of manufacturing III-V compound semiconductors | |
| TW200633781A (en) | Method for stabilizing a cation exchange resin prior to use as an acid catalyst and use of said stabilized cation exchange resin in a chemical process | |
| TW200603262A (en) | Post-dry etching cleaning liquid composition and process for fabricating semiconductor device | |
| CA2388771A1 (en) | Surfactant compositions for well cleaning | |
| CN102400164B (zh) | 不锈钢线材清洗剂及其制备方法 | |
| CN107658246A (zh) | 一种太阳能硅片清洗工艺 | |
| US5429764A (en) | Liquid drain opener compositions based on sulfuric acid | |
| CN101445934B (zh) | 一种去除镓铝砷材料表面金层的方法 | |
| CN1947870B (zh) | 一种废硅料清洗方法 | |
| DE502004011953D1 (de) | Verfahren zur hydrophobierung von textilen materialien | |
| TW200507954A (en) | Megasonic cleaning using supersaturated cleaning solution | |
| CN102092850B (zh) | 一种mbbr处理高盐废水的填料脱膜方法 | |
| KR101643307B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐화 방법, 이를 위한 처리액, 및 용도 | |
| CN112745989A (zh) | 一种速效啤酒瓶脱标清洗添加剂 | |
| TW200519974A (en) | Dielectric-forming composition containing particles with perovskite crystal structure, production process and uses of the same, and process for preparing crystal particles having perovskite crystal structure | |
| MD2937B1 (en) | Process for cleaning of machining attachments from waste after epitaxial growth of semiconductor layers of the type A3B5 | |
| TW200704827A (en) | Method of surface treatment | |
| ATE519710T1 (de) | Verfahren zur herstellung von kubischem bornitrid | |
| CN109735858A (zh) | 一种手表清洗方法 | |
| JP4738235B2 (ja) | 揮発性有機塩素化合物で汚染された土壌の浄化方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |