MD196Z - Высокотемпературный диодный столб - Google Patents

Высокотемпературный диодный столб Download PDF

Info

Publication number
MD196Z
MD196Z MDS20090053A MDS20090053A MD196Z MD 196 Z MD196 Z MD 196Z MD S20090053 A MDS20090053 A MD S20090053A MD S20090053 A MDS20090053 A MD S20090053A MD 196 Z MD196 Z MD 196Z
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
diode
temperature
column
coefficient
thermal expansion
Prior art date
Application number
MDS20090053A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Inventor
Симион БАРАНОВ
Борис ЧИНИК
Original Assignee
Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Симион БАРАНОВ
Борис ЧИНИК
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы, Симион БАРАНОВ, Борис ЧИНИК filed Critical Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority to MDS20090053A priority Critical patent/MD196Z/ru
Publication of MD196Y publication Critical patent/MD196Y/ro
Publication of MD196Z publication Critical patent/MD196Z/ru

Links

Landscapes

  • Rectifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области высокотемпературной электроники и может быть использовано в электротехнике или других областях техники, где требуются малогабаритные преобразователи высокого напряжения, например, в источнике питания генератора рентгенотехнических установок или в источнике питания магнетрона преобразователя микроволновых приборов.Высокотемпературный диодный столб содержит выпрямительные диоды высокого напряжения, состоящие из полупроводника типа A3B5 с энергетической запрещенной зоной больше, чем 1,1 эВ, и пассивирующего и защитного слоя из оксида элемента А, нанесенного на поверхности выхода р-n перехода на поверхности. Столб диодный также содержит металлические диски с коэффициентом термического расширения близким к коэффициенту термического расширения полупроводника диода, расположенные между выпрямительными диодами по оси столба, по меньшей мере, через один диод и соединенные последовательно с ними, собранные и капсулированные в корпус из пластмассы с двумя выходными клеммами, которые гибко соединены с крайними диодами через металлические диски.Результат состоит в повышении рабочей температуры высокотемпературного диодного столба до 200°С и уменьшении времени обратного восстановления ниже 60 нс.
MDS20090053A 2009-04-15 2009-04-15 Высокотемпературный диодный столб MD196Z (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20090053A MD196Z (ru) 2009-04-15 2009-04-15 Высокотемпературный диодный столб

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20090053A MD196Z (ru) 2009-04-15 2009-04-15 Высокотемпературный диодный столб

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD196Y MD196Y (ro) 2010-04-30
MD196Z true MD196Z (ru) 2010-11-30

Family

ID=43569613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDS20090053A MD196Z (ru) 2009-04-15 2009-04-15 Высокотемпературный диодный столб

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD196Z (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4182C1 (ru) * 2011-04-15 2013-04-30 Государственный Университет Молд0 Полупроводниковый прибор с рельефным p-n переходом (варианты)
MD4261B1 (ru) * 2011-05-12 2013-11-30 Государственный Университет Молд0 Способ изготовления полупроводникового прибора с рельефным p-n переходом (варианты)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2003121273A (ru) * 2003-07-09 2005-02-27 Ооо "Атом-Пиф" (Ru) Столб диодный лавинный
MD2937C2 (ru) * 2004-02-05 2006-09-30 Производственно-Коммерческая Фирма "Discret Element" Ооо Способ очистки технологической оснастки от отходов после эпитаксиального вырaщивания слоев типа А3В5
MD3257G2 (ru) * 2006-03-17 2007-09-30 Производственно-Коммерческая Фирма "Discret Element" Ооо Способ рекуперации галлия и мышьяка из отходов образующихся после эпитаксиального выращивания полупроводниковых слоёв типа А3В5
MD176Y (ro) * 2009-04-15 2010-03-31 Institutul De Inginerie Electronica Si Tehnologii Industriale Al Academiei De Stiinte A Moldovei Procedeu de fabricare a diodei de tensiune inalta
  • 2009

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2003121273A (ru) * 2003-07-09 2005-02-27 Ооо "Атом-Пиф" (Ru) Столб диодный лавинный
MD2937C2 (ru) * 2004-02-05 2006-09-30 Производственно-Коммерческая Фирма "Discret Element" Ооо Способ очистки технологической оснастки от отходов после эпитаксиального вырaщивания слоев типа А3В5
MD3257G2 (ru) * 2006-03-17 2007-09-30 Производственно-Коммерческая Фирма "Discret Element" Ооо Способ рекуперации галлия и мышьяка из отходов образующихся после эпитаксиального выращивания полупроводниковых слоёв типа А3В5
MD176Y (ro) * 2009-04-15 2010-03-31 Institutul De Inginerie Electronica Si Tehnologii Industriale Al Academiei De Stiinte A Moldovei Procedeu de fabricare a diodei de tensiune inalta

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4182C1 (ru) * 2011-04-15 2013-04-30 Государственный Университет Молд0 Полупроводниковый прибор с рельефным p-n переходом (варианты)
MD4261B1 (ru) * 2011-05-12 2013-11-30 Государственный Университет Молд0 Способ изготовления полупроводникового прибора с рельефным p-n переходом (варианты)

Also Published As

Publication number Publication date
MD196Y (ro) 2010-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GopiReddy et al. Rainflow algorithm-based lifetime estimation of power semiconductors in utility applications
Powell et al. Hybrid concentrated solar thermal power systems: A review
Sintamarean et al. Real field mission profile oriented design of a SiC-based PV-inverter application
Zhou et al. Dynamic junction temperature estimation via built-in negative thermal coefficient (NTC) thermistor in high power IGBT modules
Sintamarean et al. The impact of gate-driver parameters variation and device degradation in the PV-inverter lifetime
Yoon et al. Power module packaging technology with extended reliability for electric vehicle applications
Weiss et al. Fundamental frequency and mission profile wearout of IGBT in DFIG converters for windpower
Zhang et al. 18 kW three phase inverter system using hermetically sealed SiC phase-leg power modules
MD196Z (ru) Высокотемпературный диодный столб
WO2013000713A3 (de) Solaranlage mit einem sonnenkollektor und einem fotovoltaischen oder thermoelektrischen wandler
Hussein et al. Optimization of thermal management and power density of small-scale wind turbine applications using SiC-MOSFETs
Beltrame et al. Different optimum designs investigation of DC/DC boost converter applied to the photovoltaic system
Solangi et al. DC bus voltage regulation for distributed energy sources through buck-boost converter in a direct current micro grid
CN202034861U (zh) 多相发电机整流器
Reynes et al. Thermal management optimization of a 5 MW power electronic converter
Gajanur et al. Lifetime Prediction of Electrothermally-Stressed Semiconductor Devices in Si/SiC H-ANPC Inverter
Gierschner et al. Potential of RC-IGBTs in three level converters for wind energy application
Guo SiC power electronic devices evaluation and magnetic components design in wind power system
Sahu et al. PV Modules Based Grid Connected System Using Matlab Simulation
Anu et al. Multiple input DC-DC converters for solar cell power supply system and its maximum power point tracker
Chen et al. Reliability prediction of SiC MOSFET based on actual mission profile of SSPC
Zarębski et al. Modeling SiC MPS diodes
CN202434524U (zh) 带有场板和场限环的二极管
Goremichin Study of structural solutions for module integrated inverters embedded in pv systems
Subramaniam et al. A Device to Harness the Power of the Tides and Waves off Every Coast

Legal Events

Date Code Title Description
KA4Y Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)