MD196Z - Coloană de diode de temperatură înaltă - Google Patents
Coloană de diode de temperatură înaltă Download PDFInfo
- Publication number
- MD196Z MD196Z MDS20090053A MDS20090053A MD196Z MD 196 Z MD196 Z MD 196Z MD S20090053 A MDS20090053 A MD S20090053A MD S20090053 A MDS20090053 A MD S20090053A MD 196 Z MD196 Z MD 196Z
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- diode
- temperature
- column
- coefficient
- thermal expansion
- Prior art date
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract 1
Landscapes
- Rectifiers (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la domeniul electronicii temperaturilor înalte şi poate fi utilizată în electrotehnică sau alte domenii ale tehnicii, unde sunt solicitate convertizoare de tensiune înaltă de dimensiuni mici, de exemplu, în sursa de alimentare a generatorului instalaţiilor roentgenotehnice sau în sursa de alimentare a magnetronului convertizorului dispozitivelor cu microunde.Coloana de diode de temperatură înaltă conţine diode de redresare de tensiune înaltă, formate dintr-un semiconductor de tip A3B5 cu banda energetică interzisă mai mare decât 1,1 eV, şi un strat de pasivizare şi protecţie din oxidul elementului A, depus pe suprafaţa de ieşire a joncţiunii p-n la suprafaţă. Coloana de diode mai conţine discuri metalice cu coeficientul de dilatare termică aproape de coeficientul de dilatare termică a semiconductorului diodei, amplasate între diodele de redresare pe axa coloanei peste cel puţin o diodă şi conectate consecutiv cu acestea, asamblate şi capsulate într-un corp din masă plastică cu două borne de ieşire, care sunt unite flexibil cu diodele extreme prin discuri metalice.Rezultatul constă în majorarea temperaturii de lucru a coloanei de diode de temperatură înaltă până la 200°C şi micşorarea timpului de revenire inversă mai jos de 60 ns.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20090053A MD196Z (ro) | 2009-04-15 | 2009-04-15 | Coloană de diode de temperatură înaltă |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20090053A MD196Z (ro) | 2009-04-15 | 2009-04-15 | Coloană de diode de temperatură înaltă |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD196Y MD196Y (ro) | 2010-04-30 |
| MD196Z true MD196Z (ro) | 2010-11-30 |
Family
ID=43569613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20090053A MD196Z (ro) | 2009-04-15 | 2009-04-15 | Coloană de diode de temperatură înaltă |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD196Z (ro) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD4182C1 (ro) * | 2011-04-15 | 2013-04-30 | Государственный Университет Молд0 | Dispozitiv semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante) |
| MD4261B1 (ro) * | 2011-05-12 | 2013-11-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de fabricare a dispozitivului semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2003121273A (ru) * | 2003-07-09 | 2005-02-27 | Ооо "Атом-Пиф" (Ru) | Столб диодный лавинный |
| MD2937C2 (ro) * | 2004-02-05 | 2006-09-30 | Производственно-Коммерческая Фирма "Discret Element" Ооо | Procedeu de curăţire a utilajului tehnologic de deşeuri după creşterea epitaxiala a straturilor semiconductoare de tipul A3B5 |
| MD3257G2 (ro) * | 2006-03-17 | 2007-09-30 | Производственно-Коммерческая Фирма "Discret Element" Ооо | Procedeu de recuperare a galiului şi arsenului din deşeul format după creşterea epitaxială a straturilor semiconductoare de tip A3B5 |
| MD176Y (ro) * | 2009-04-15 | 2010-03-31 | Institutul De Inginerie Electronica Si Tehnologii Industriale Al Academiei De Stiinte A Moldovei | Procedeu de fabricare a diodei de tensiune inalta |
-
2009
- 2009-04-15 MD MDS20090053A patent/MD196Z/ro not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2003121273A (ru) * | 2003-07-09 | 2005-02-27 | Ооо "Атом-Пиф" (Ru) | Столб диодный лавинный |
| MD2937C2 (ro) * | 2004-02-05 | 2006-09-30 | Производственно-Коммерческая Фирма "Discret Element" Ооо | Procedeu de curăţire a utilajului tehnologic de deşeuri după creşterea epitaxiala a straturilor semiconductoare de tipul A3B5 |
| MD3257G2 (ro) * | 2006-03-17 | 2007-09-30 | Производственно-Коммерческая Фирма "Discret Element" Ооо | Procedeu de recuperare a galiului şi arsenului din deşeul format după creşterea epitaxială a straturilor semiconductoare de tip A3B5 |
| MD176Y (ro) * | 2009-04-15 | 2010-03-31 | Institutul De Inginerie Electronica Si Tehnologii Industriale Al Academiei De Stiinte A Moldovei | Procedeu de fabricare a diodei de tensiune inalta |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD4182C1 (ro) * | 2011-04-15 | 2013-04-30 | Государственный Университет Молд0 | Dispozitiv semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante) |
| MD4261B1 (ro) * | 2011-05-12 | 2013-11-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de fabricare a dispozitivului semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante) |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD196Y (ro) | 2010-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GopiReddy et al. | Rainflow algorithm-based lifetime estimation of power semiconductors in utility applications | |
| Powell et al. | Hybrid concentrated solar thermal power systems: A review | |
| Sintamarean et al. | Real field mission profile oriented design of a SiC-based PV-inverter application | |
| Zhou et al. | Dynamic junction temperature estimation via built-in negative thermal coefficient (NTC) thermistor in high power IGBT modules | |
| Sintamarean et al. | The impact of gate-driver parameters variation and device degradation in the PV-inverter lifetime | |
| Weiss et al. | Fundamental frequency and mission profile wearout of IGBT in DFIG converters for windpower | |
| Zhang et al. | 18 kW three phase inverter system using hermetically sealed SiC phase-leg power modules | |
| MD196Z (ro) | Coloană de diode de temperatură înaltă | |
| Pandey et al. | Multi diode modelling of PV cell | |
| WO2013000713A3 (de) | Solaranlage mit einem sonnenkollektor und einem fotovoltaischen oder thermoelektrischen wandler | |
| Dbeiss et al. | A method for accelerated aging tests of power modules for photovoltaic inverters considering the inverter mission profiles | |
| Hussein et al. | Optimization of thermal management and power density of small-scale wind turbine applications using SiC-MOSFETs | |
| Beltrame et al. | Different optimum designs investigation of DC/DC boost converter applied to the photovoltaic system | |
| Solangi et al. | DC bus voltage regulation for distributed energy sources through buck-boost converter in a direct current micro grid | |
| CN202034861U (zh) | 多相发电机整流器 | |
| Reynes et al. | Thermal management optimization of a 5 MW power electronic converter | |
| Gajanur et al. | Lifetime Prediction of Electrothermally-Stressed Semiconductor Devices in Si/SiC H-ANPC Inverter | |
| Matsukawa et al. | Basic study on conductive characteristics of SiC power device for its application to AC/DC converter | |
| Gierschner et al. | Potential of RC-IGBTs in three level converters for wind energy application | |
| Guo | SiC power electronic devices evaluation and magnetic components design in wind power system | |
| Sahu et al. | PV Modules Based Grid Connected System Using Matlab Simulation | |
| Anu et al. | Multiple input DC-DC converters for solar cell power supply system and its maximum power point tracker | |
| Chen et al. | Reliability prediction of SiC MOSFET based on actual mission profile of SSPC | |
| Zarębski et al. | Modeling SiC MPS diodes | |
| Goremichin | Study of structural solutions for module integrated inverters embedded in pv systems |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| KA4Y | Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |