MD3257G2 - Procedeu de recuperare a galiului şi arsenului din deşeul format după creşterea epitaxială a straturilor semiconductoare de tip A3B5 - Google Patents

Abstract

Invenţia se referă la procedeele de recuperare a galiului şi arsenului din deşeuri, în special din deşeurile formate după creşterea epitaxială a straturilor semiconductoare.Procedeul de recuperare a galiului şi arsenului din deşeul format după creşterea epitaxială a straturilor semiconductoare de tip A3B5 include dizolvarea deşeului în soluţie de acid azotic 33% în acid clorhidric, modificarea pH-ului soluţiei de la 0,5…1,5 până la 3,0…4,5 prin adăugarea unei soluţii de bază cu precipitarea ulterioară a arseniatului de galiu. Precipitatul obţinut se filtrează, se spală cu apă deionizată şi se usucă la temperatura de 90…120°C timp de 60 min, apoi se descompune în oxid de galiu şi oxid de arsen. Arsenul este redus cu carbon din oxid la temperatura de 680…780°C, iar galiul este redus într-un container de grafit la temperatura de 750…860°C în flux de hidrogen.Precipitatul de arseniat de galiu poate fi obţinut şi prin dizolvarea suplimentară, până la saturaţie, a plachetelor din GaAs în soluţie acidă obţinută la dizolvarea deşeului, iar soluţia saturată se stochează timp de 22 de zile la temperatura camerei pentru precipitarea spontană a arseniatului, după care soluţia cu arseniat se încălzeşte până la 60°C, în vid, timp de 2…4 ore.