MD3257F1 - Procedeu de recuperare a galiului si arsenului din deseul format dupa cresterea epitaxiala astraturilor semiconductoare de tip A3B5 - Google Patents
Procedeu de recuperare a galiului si arsenului din deseul format dupa cresterea epitaxiala astraturilor semiconductoare de tip A3B5Info
- Publication number
- MD3257F1 MD3257F1 MDA20060083A MD20060083A MD3257F1 MD 3257 F1 MD3257 F1 MD 3257F1 MD A20060083 A MDA20060083 A MD A20060083A MD 20060083 A MD20060083 A MD 20060083A MD 3257 F1 MD3257 F1 MD 3257F1
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- gallium
- arsenic
- solution
- arsenate
- semiconductor layers
- Prior art date
Links
Landscapes
- Removal Of Specific Substances (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
Inventia se refera la procedeele de recuperare a galiului si arsenului din deseuri, in special din deseurile formate dupa cresterea epitaxiala a straturilor semiconductoare. Procedeul de recuperare a galiului si arsenului din deseul format dupa cresterea epitaxiala a straturilor semiconductoare detip A3B5 include dizolvarea deseului in solutie de acid azotic 33% in acid clorhidric, modificarea pH-ului solutiei de la 0,5…1,5 pana la 3,0…4,5 prin adaugarea unei solutii de baza cu precipitarea ulterioara a arseniatului de galiu. Precipitatul obtinut se filtreaza, se spala cu apa deionizata si se usuca la temperatura de 90…120°C timp de 60 min, apoi se descompune in oxid de galiu si oxid de arsen. Arsenul este redus cu carbon din oxid la temperatura de 680…780°C, iar galiul este redus intr-un container de grafit la temperatura de 750…860°Cin flux de hidrogen. Precipitatul de arseniat de galiu poate fi obtinut si prin dizolvarea suplimentara, pana la saturatie, a plachetelor din GaAs insolutie acida obtinuta la dizolvarea deseului, iar solutia saturata se stocheaza timp de 22 de zilela temperatura camerei pentru precipitarea spontana a arseniatului, dupa care solutia cu arseniat se incalzeste pana la 60°C, in vid, timp de 2…4 ore.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20060083A MD3257G2 (ro) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | Procedeu de recuperare a galiului şi arsenului din deşeul format după creşterea epitaxială a straturilor semiconductoare de tip A3B5 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20060083A MD3257G2 (ro) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | Procedeu de recuperare a galiului şi arsenului din deşeul format după creşterea epitaxială a straturilor semiconductoare de tip A3B5 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD3257F1 true MD3257F1 (ro) | 2007-02-28 |
| MD3257G2 MD3257G2 (ro) | 2007-09-30 |
Family
ID=37845209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20060083A MD3257G2 (ro) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | Procedeu de recuperare a galiului şi arsenului din deşeul format după creşterea epitaxială a straturilor semiconductoare de tip A3B5 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD3257G2 (ro) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD196Z (ro) * | 2009-04-15 | 2010-11-30 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Coloană de diode de temperatură înaltă |
| MD176Z (ro) * | 2009-04-15 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Procedeu de fabricare a diodei de tensiune înaltă |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5967330A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-17 | Dowa Mining Co Ltd | ガリウム分離法 |
| MD2937C2 (ro) * | 2004-02-05 | 2006-09-30 | Производственно-Коммерческая Фирма "Discret Element" Ооо | Procedeu de curăţire a utilajului tehnologic de deşeuri după creşterea epitaxiala a straturilor semiconductoare de tipul A3B5 |
-
2006
- 2006-03-17 MD MDA20060083A patent/MD3257G2/ro not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD3257G2 (ro) | 2007-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102409165B (zh) | 一种高砷冶金废料梯度脱砷方法 | |
| CN102433440A (zh) | 一种高砷冶金废料中砷的有价回收方法 | |
| US20200140974A1 (en) | Method of removing iron ions from a solution containing neodymium, praseodymium, dysprosium and iron | |
| CN102061386A (zh) | 一种红土镍矿浸出液中氧化除铁的方法 | |
| CN104388711A (zh) | 稀土氧化物熔渣浸出回收稀土方法 | |
| BR112013008972B1 (pt) | método para tratamento de uma solução contendo sulfato de zinco | |
| MD3257F1 (ro) | Procedeu de recuperare a galiului si arsenului din deseul format dupa cresterea epitaxiala astraturilor semiconductoare de tip A3B5 | |
| JP2015086436A (ja) | 有価物の回収方法 | |
| CN103086440B (zh) | 一种处理草酸钴废料的方法 | |
| CN103667706B (zh) | 一种金铂合金废料中金的分离提纯方法 | |
| JP2013209267A (ja) | 硫酸マンガンの製造方法 | |
| JP5447824B2 (ja) | 亜硝酸ロジウム錯イオン溶液の精製方法と、そのアンモニウム塩の製造方法。 | |
| JPH03207825A (ja) | 希土類元素と鉄を含有する原料からの希土類元素の分離回収法 | |
| JP2009097024A (ja) | ロジウムの精製方法 | |
| JP2017179563A (ja) | 脱硝触媒の処理方法 | |
| CN101343064B (zh) | 从水晶石废料中分离提纯二氧化硅和氯化亚铈的方法 | |
| CN110938754A (zh) | 镓的回收方法 | |
| CN114517264B (zh) | 一种基于砷钨杂多酸的提钨和脱砷的协同冶金方法 | |
| CN104003435A (zh) | 一种降低硫化锌中铁离子含量的方法 | |
| CN104962757B (zh) | 一种氯化锂溶液深度除镁的方法 | |
| JP4961603B2 (ja) | ガリウム含有溶液の処理方法 | |
| JP6086801B2 (ja) | ガリウムと亜鉛の分離方法 | |
| CN102453808A (zh) | 从含铜载金炭中回收铜的方法 | |
| CN113512651B (zh) | 一种从igzo靶材中分别回收铟和镓的方法 | |
| JP2014025140A (ja) | 銅ガリウム廃材からガリウムを回収する方法。 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |