MD4261B1 - Procedeu de fabricare a dispozitivului semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante) - Google Patents

Abstract

Invenţia se referă la domeniul energeticii regenerabile şi electrotehnicii, în special, la dispozitive semiconductoare de conversie a radiaţiei solare în energie electrică, şi poate fi utilizată în fabricarea celulelor fotovoltaice şi dispozitivelor semiconductoare de temperatură înaltă.Procedeul de fabricare a dispozitivului semiconductor cu joncţiune p-n în relief, conform primei variante, include degresarea în solvent organic şi corodarea în soluţie amoniacală a unui substrat semiconductor executat în formă de plachetă din compus A3B5 de tip n sau p dezorientat cristalografic cu 3…5° (100) spre (110), formarea pe acesta a unei microstructuri în relief, de exemplu, prin decaparea chimică în soluţie acidă selectivă HCl-HNO3-H2O, creşterea epitaxială pe suprafaţa substratului a unui prim strat din semiconductor de tip similar substratului, formarea joncţiunii p-n prin creşterea epitaxială pe suprafaţa primului strat a stratului al doilea din semiconductor de tip opus primului strat, înlăturarea straturilor de pe partea posterioară a substratului, de exemplu, prin şlefuire mecanică, depunerea contactelor, de exemplu, prin aplicarea a câte un strat metalic pe suprafaţa stratului al doilea şi pe suprafaţa posterioară a substratului, şi decuparea structurii obţinute în cristale.Procedeul, conform variantei a doua, se deosebeşte prin aceea că include creşterea epitaxială pe suprafaţa substratului a unui prim strat planar din semiconductor de tip similar substratului, depunerea pe suprafaţa primului strat a unui strat din material amorf de hidrat al oxidului de metal A prin cufundarea substratului în soluţie saturată de sare a metalului A cu valoarea pH 3…4,1, formarea pe acesta a unei microstructuri în relief prin introducerea substratului la momentul sau ulterior depunerii stratului din material amorf într-un câmp magnetic alternativ, tratarea termică în vid la temperatura de 230…320°C timp de 2 ore, apoi - în mediul cu prezenţa oxigenului la temperatura de 550…610°C timp de 5 min, şi tratarea chimică în soluţie amoniacală, de asemenea formarea joncţiunii p-n prin creşterea epitaxială pe suprafaţa stratului din material amorf în relief a stratului al doilea din semiconductor de tip opus primului strat.