MD20110044A2 - Procedeu de fabricare a dispozitivului semiconductor cu jonctiune p-n în relief - Google Patents

Abstract

Inventia se refera la energetica netraditionala si electrotehnica, în special, la dispozitivele semiconductoare de conversie a radiatiei solare în energie electrica si poate fi utilizata în fabricarea celulei fotovoltaice, precum si în fabricarea dispozitivelor semiconductoare de temperatura înalta.Procedeul de fabricare a dispozitivului semiconductor cu jonctiune p-n în relief include degresarea epitaxiei unui substrat, executat ca o placa din compus A3B5 de tip n sau p, dezorientata cristalografic, în solutie organica si corodarea lui, de exemplu, în solutie amoniacala. Dupa aceasta pe substrat se formeaza o microstructura tridimensionala în relief cu dimensiuni de 30…3000 nm, de exemplu, prin corodare chimica în solutia acida selectiva HCl:HNO3:H2O. Pe suprafetele reliefate ale substratului se creste primul strat epitaxial, apoi se formeaza jonctiunea p-n prin cresterea stratului al doilea epitaxial de tip opus primului strat. Procedeul mai include înlaturarea primului si celui de-al doilea straturi epitaxiale de pe una din suprafetele substratului, de exemplu, prin slefuire mecanica, formarea contactelor electrice, de exemplu, prin depunerea unui strat metalic pe suprafata stratului al doilea epitaxial si pe suprafata slefuita a substratului, si decuparea placii cu structura obtinuta în cristale.