MD3372C2 - Procedeu de obtinere a celuler fotovoltaice (variante) - Google Patents
Procedeu de obtinere a celuler fotovoltaice (variante) Download PDFInfo
- Publication number
- MD3372C2 MD3372C2 MDA20060106A MD20060106A MD3372C2 MD 3372 C2 MD3372 C2 MD 3372C2 MD A20060106 A MDA20060106 A MD A20060106A MD 20060106 A MD20060106 A MD 20060106A MD 3372 C2 MD3372 C2 MD 3372C2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- deposition
- diffusion
- wafer
- novelty
- variant
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 abstract 3
- -1 for example Substances 0.000 abstract 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 abstract 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la tehnologia dispozitivelor cu semiconductori, în special la procedeele de obţinere a celulelor fotovoltaice.Procedeul, conform primei variante, include procesele de depunere chimică sau din vapori a peliculelor din impurităţi pe suprafaţa plachetei de semiconductor, de difuzie, de oxidare şi depunere a contactelor ohmice. Noutatea constă în aceea că procesele de difuzie a impurităţilor din diferite surse cu formarea joncţiunilor de tipul n+ - p, sau p+ - n, sau n+ - p - p+, oxidare, depunere contactelor ohmice, şi depunere a peliculelor antireflectoare se efectuează cu prelucrarea fototermică rapidă.Noutatea procedeului, conform variantei a doua, constă în aceea că pe una sau ambele suprafeţe opuse ale plachetei de semiconductor de tipul „p” sau „n” se depune o sursă de difuzie în formă de peliculă sticloasă dopată cu una din impurităţi, donor sau acceptor, de exemplu, siliciură de fosfor sau siliciură de bor, prin metoda oxidării anodice sau a depuneriichimice în prezenţa razelor ultraviolete sau în lipsa luminii, după care are loc prelucrarea fototermică rapidă a plachetei, difuzia impurităţilor cu formarea joncţiunilor de tipul n+- p, sau p+ - n, sau n+ - p - p+, sau p+ - n - n+ în vid, în aer sau în prezenţa unui gaz inert, de exemplu,argon, şi depunerea peliculelor antireflectoare.Noutatea procedeului, conform variantei a treia, constă în aceea că pe una din suprafeţele plachetei de semiconductor de tipul „p” sau „n” se depune o sursă de difuzie în formă de peliculă sticloasă dopată cu una din impurităţile donor, de exemplu, siliciură de fosfor, iar pe suprafaţa opusă a plăcii de semiconductor se depune o altă sursă de difuzie de tip acceptor în formă de peliculă metalică, de exemplu, din aluminiu, prin metoda evaporării în vid, sau oxidării anodice, sau prin depunerea chimică în prezenţa razelor ultraviolete sau în lipsa luminii; după care are loc prelucrarea fototermică rapidă a plachetei, difuzia impurităţilor cu formarea joncţiunilor de tipul n+ - p, sau p+ - n, sau n+ - p - p+, sau p+ - n - n în vid, în aer sau în prezenţa unui gaz inert, de exemplu, argon, şi depunerea peliculelor antireflectoare.Noutatea procedeului, conform variantei a patra, constă în aceea că elinclude procesele de difuzie a impurităţilor din diferite surse cu formarea joncţiunilor conform revendicărilor 1, 2 sau 3, apoi, după curăţirea suprafeţei plachetei, are loc depunerea contactelor ohmice de metal, de exemplu, Al sau Ni, sau Cu, sau pastă de Ag, sau contacte ohmice străvezii de InSnO, urmate de prelucrarea fototermică rapidă în vid, în aer sau în camera cu gaze inerte, de exemplu, cu argon, şi depunerea peliculelor antireflectoare.Noutatea procedeului, conform variantei a cincea, constă în aceea că elinclude procesele de difuzie a impurităţilor din diferite surse cu formarea joncţiunilor şi depunerea contactelor ohmice conform revendicărilor 1, 2, 3, sau 4, după care are loc depunerea peliculei străvezii cu proprietăţi de antireflector din oxid de metal, de exemplu, ZnO2 sau TiO2, urmată de prelucrarea fototermică rapidă în vid, în aer sau în camera cu gaze, de exemplu, cu oxigen.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20060106A MD3372C2 (ro) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | Procedeu de obtinere a celuler fotovoltaice (variante) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20060106A MD3372C2 (ro) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | Procedeu de obtinere a celuler fotovoltaice (variante) |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD3372B1 MD3372B1 (ro) | 2007-07-31 |
| MD3372C2 true MD3372C2 (ro) | 2008-02-29 |
Family
ID=38331514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20060106A MD3372C2 (ro) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | Procedeu de obtinere a celuler fotovoltaice (variante) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD3372C2 (ro) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD20080058A (ro) * | 2008-02-25 | 2009-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Dispozitiv de obţinere a peliculelor supraconductoare |
| MD175Z (ro) * | 2008-02-25 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Dispozitiv de obţinere a peliculelor supraconductoare |
| MD353Z (ro) * | 2010-02-24 | 2011-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий | Ventil supraconductor de spin |
| MD4182C1 (ro) * | 2011-04-15 | 2013-04-30 | Государственный Университет Молд0 | Dispozitiv semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante) |
| MD4261B1 (ro) * | 2011-05-12 | 2013-11-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de fabricare a dispozitivului semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD4554C1 (ro) * | 2017-10-18 | 2018-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de majorare a eficienţei celulelor fotovoltaice pe baza p+InP-p-InP-n+CdS |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6569249B1 (en) * | 2000-04-18 | 2003-05-27 | Clemson University | Process for forming layers on substrates |
-
2006
- 2006-03-31 MD MDA20060106A patent/MD3372C2/ro not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6569249B1 (en) * | 2000-04-18 | 2003-05-27 | Clemson University | Process for forming layers on substrates |
Non-Patent Citations (7)
| Title |
|---|
| A. Simaşchevici, L. Gorceac, D. Şerban. Conversia fotovoltaică a energiei solare. Chişinău, 2002, CE USM * |
| G. Andra, J. Bergmann, F. Falk, E. Ose. Multicrystalline silicon thin film Solar Cells on Glass. 19th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. Paris, 2004, p. 872-875 * |
| J. Carabe and J. J. Gandia. Opto-electronic review 12 (1), 1-6, 2004 * |
| P. Panek, M. Lipinski, E. Beltowka-Lehman, K. Drabezyk and R. Ciach. Industrial technology of multicrystalline silicon solar cells. Opto-electronics Review 11(4), 269-275, 2003 * |
| R. Lidermann, B. M. Damiani, A. Rohatgi. Novel processing of solar cells with porous silicon texturing, 2000 * |
| R. Singh, M. Fakhruddin, K. F. Poole. Rapid photothermal processing as semiconductor manufacturing technologz for the 21st century. Applied Surface Science 168, p. 198-203, 2000 * |
| S. T. Şişianu, T. S. Şişianu, S. K. Railean. Shallow p-n Junction Formed in Silicon Using Pulsed Photon Annealing. Semiconductors, vol. 36, No 5, 2002, p. 567-581, Translated from Fizika i Tekhnika Poluprovodnicov, Vol.36, No 5, 2002, p. 611-617 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD20080058A (ro) * | 2008-02-25 | 2009-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Dispozitiv de obţinere a peliculelor supraconductoare |
| MD175Z (ro) * | 2008-02-25 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Dispozitiv de obţinere a peliculelor supraconductoare |
| MD353Z (ro) * | 2010-02-24 | 2011-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий | Ventil supraconductor de spin |
| MD4182C1 (ro) * | 2011-04-15 | 2013-04-30 | Государственный Университет Молд0 | Dispozitiv semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante) |
| MD4261B1 (ro) * | 2011-05-12 | 2013-11-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de fabricare a dispozitivului semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante) |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD3372B1 (ro) | 2007-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Otto et al. | Black silicon photovoltaics | |
| US9153730B2 (en) | Solar cell front contact doping | |
| US20060252235A1 (en) | Fabrication method for crystalline semiconductor films on foreign substrates | |
| JPS61287176A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| CN101868862A (zh) | 紫外线用光电探测器及其制造方法 | |
| PT1433207E (pt) | Processo para a produção em grande escala de células solares em filme fino de cdte/cds | |
| EP2107619A2 (fr) | Procédé de traitement d'un substrat semi-conducteur par activation thermique d'éléments légers | |
| AU2010286811A2 (en) | Doped transparent conductive oxide | |
| US8603253B2 (en) | Photovoltaic back contact | |
| Özkol et al. | Effective passivation of black silicon surfaces via plasma‐enhanced chemical vapor deposition grown conformal hydrogenated amorphous silicon layer | |
| CN101425553B (zh) | MgZnO基光电导型紫外探测器的制作方法 | |
| MD3372C2 (ro) | Procedeu de obtinere a celuler fotovoltaice (variante) | |
| CN118352423A (zh) | 梯度内建电场调控肖特基结日盲紫外探测器及其制备方法 | |
| US20230246118A1 (en) | Method and system for the production of a starting material for a silicon solar cell with passivated contacts | |
| JP6125114B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| Pham et al. | Modification of Cl doping efficiency in transparent ZnO electrode films by tuning deposition temperature | |
| Stannowski et al. | Potential of high-mobility sputtered zinc oxide as front contact for high efficiency thin film silicon solar cells | |
| Weng et al. | Improving the microstructure and electrical properties of aluminum induced polysilicon thin films using silicon nitride capping layer | |
| CN112951948B (zh) | 基于氧化镓能带调控的同质结光电探测器及其制备方法 | |
| KR100957679B1 (ko) | 박막형 태양전지 | |
| JP4219096B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP5827224B2 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| US20090255582A1 (en) | Methods of drying glass for photovoltaic applications | |
| Baek et al. | High-Performance UV Detector Using Al-Doped ZnO Phototransistor Prepared by Initiated-CVD Doping Technique | |
| Chuchvaga et al. | Optimization and Fabrication of Heterojunction Silicon Solar Cells Using an Experimental-Industrial Facility AK-1000 Inline |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |