MD3372C2 - Способ получения фотоэлементов (варианты) - Google Patents

Abstract

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а именно к способам получения фотоэлементов.Способ, согласно первому варианту, включает процессы химического нанесения или осаждения из паров плёнок примеси на поверхность полупроводниковой пластины, диффузии, окисления и нанесения омических контактов. Новизна состоит в том, что процессы диффузии примесей из разных источников с формированием переходов типа n+ - p, или p+ - n, или n+ - p - p+, окисления, нанесения омических контактов и нанесения антиотражающих плёнок выполняются при быстрой фототермической обработке.Новизна способа, согласно второму варианту, состоит в том, что на одной или на обоих противоположных поверхностях полупроводниковой пластины „p” или „n” типа осаждается источник диффузии в виде стекловидной пленки, легированной одной из донорных или акцепторных примесей, например, фосфоросиликат или боросиликат, методом анодного окисления или химического осаждения в присутствии ультрафиолетовых лучей или без света, с последующей быстрой фототермической обработкой пластины, диффузия примесей с формирование переходов типа n+-p, или p+-n, или n+-p-p+, или p+-n-n+ в вакууме, в воздухе или в присутствии инертного газа, например, аргона, и нанесение антиотражающих плёнок.Новизна способа, согласно третьему варианту, состоит в том, что на одну из поверхностей полупроводниковой пластины „p” или „n” типа осаждается источник диффузии в форме стекловидной пленки, легированной одной донорной примесью, например, фосфоросиликат, а на противоположной поверхности полупроводниковой пластины осаждается другой источник диффузии акцепторного типа в форме металлической пленки, например алюминиевой, методом вакуумного испарения, или анодного окисления, или химическим осаждением в присутствии ультафиолетовых лучей или без света, с последующей быстрой фототермической обработкой пластины, дифузия примесей с формирование переходов типа n+-p или p+-n, или n+-p-p+ или p+-n-n+ типа в вакууме, в воздухе или в присутствии инертного газа, например, аргона, и нанесение антиотражающих плёнок.Новизна способа, согласно четвертому варианту, состоит в том, что он включает процессы диффузии примесей из разных источников с формирование переходов согласно пунктам формулы 1, 2 или 3, затем, после очистки поверхности пластины, происходит нанесение металлических омических контактов, например, Al, или Ni, или Cu, или Ag паста, или прозрачные омические контакты InSnO, с последующей быстрой фототермической обработкой в вакууме, в воздухе или в камере с инертными газами, например, аргоном, и нанесение антиотражающих плёнок.Новизна способа, согласно пятому варианту, состоит в том, что он включает процессы диффузии примесей из разных источников с формирование переходов и нанесение омических контактов согласно пунктам формулы 1, 2, 3, или 4, после чего следует химическое осаждение прозрачной пленки с антиотражающими свойствами из оксида металла, например, ZnO2 или TiO2, с последующей быстрой фототермической обработкой в вакууме, в воздухе, или в камере с газами, например, с кислородом.