MD353Z - Сверхпроводящий спиновой вентиль - Google Patents

Сверхпроводящий спиновой вентиль Download PDF

Info

Publication number
MD353Z
MD353Z MDS20100034A MDS20100034A MD353Z MD 353 Z MD353 Z MD 353Z MD S20100034 A MDS20100034 A MD S20100034A MD S20100034 A MDS20100034 A MD S20100034A MD 353 Z MD353 Z MD 353Z
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
spin valve
superconductor
microelectronics
ferromagnetic
registers
Prior art date
Application number
MDS20100034A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Inventor
Анатол СИДОРЕНКО
Original Assignee
Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий filed Critical Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий
Priority to MDS20100034A priority Critical patent/MD353Z/ru
Publication of MD353Y publication Critical patent/MD353Y/mo
Publication of MD353Z publication Critical patent/MD353Z/ru

Links

Landscapes

  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)

Abstract

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к быстродействующим переключающим устройствам, ячейкам и регистрам памяти компьютеров.Сверхпроводящий спиновой вентиль состоит из подложки, на которой последовательно нанесены пленка из сверхпроводящего материала, ферромагнитный слой управления и защитный слой.Результат изобретения состоит в уменьшении энергопотребления спинового вентиля.
MDS20100034A 2010-02-24 2010-02-24 Сверхпроводящий спиновой вентиль MD353Z (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20100034A MD353Z (ru) 2010-02-24 2010-02-24 Сверхпроводящий спиновой вентиль

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20100034A MD353Z (ru) 2010-02-24 2010-02-24 Сверхпроводящий спиновой вентиль

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD353Y MD353Y (en) 2011-03-31
MD353Z true MD353Z (ru) 2011-10-31

Family

ID=45815074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDS20100034A MD353Z (ru) 2010-02-24 2010-02-24 Сверхпроводящий спиновой вентиль

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD353Z (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU237660U1 (ru) * 2025-04-02 2025-09-30 Жамшед Хуршидович Пулотов Гетероструктура Pd(1-x)Fe(x)/Pt со спиновым эффектом Холла как переключаемый зарядовым током ферромагнитный слой сверхпроводящего спинового клапана

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1800856A1 (ru) * 1990-05-16 1995-06-19 Научно-исследовательский институт "Пульсар" Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия
SU1788871A1 (ru) * 1990-01-12 1996-01-20 Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Способ эпитаксиального наращивания слоев ga as на подложках si и устройство для его осуществления
SU1589918A1 (ru) * 1989-01-23 1996-11-27 Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия
RU98115536A (ru) * 1994-09-23 2000-06-10 Терастор Инк. Способ и устройство для запоминания данных с использованием спин-поляризованных электронов
RU2181517C2 (ru) * 1999-12-29 2002-04-20 Московский государственный институт электронной техники (технический университет) Сверхпроводниковый переключающий элемент
MD2289G2 (ru) * 2003-03-14 2004-08-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ изготовления планарного оптического прибора с волноводом
MD2804G2 (ru) * 2004-10-19 2006-02-28 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения нанокомпозита
MD3029C2 (ru) * 2004-09-06 2006-11-30 ШИШЯНУ Серджиу Способ получения датчиков (варианты)
MD3088G2 (ru) * 2005-08-10 2007-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения металлических нанотрубок
MD3372C2 (ru) * 2006-03-31 2008-02-29 ШИШЯНУ Серджиу Способ получения фотоэлементов (варианты)
RU2378122C2 (ru) * 2004-09-28 2010-01-10 Хьюлетт-Паккард Дивелопмент Компани, Л.П. Интегральная схема и способ изготовления
MD4010F2 (en) * 2007-12-12 2010-01-29 Universitatea Tehnica A Moldovei Method for obtaining thin films of oxide semiconductors of In2O3
MD3894G2 (ru) * 2008-02-22 2010-01-31 Государственный Университет Молд0 Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников
  • 2010

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1589918A1 (ru) * 1989-01-23 1996-11-27 Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия
SU1788871A1 (ru) * 1990-01-12 1996-01-20 Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Способ эпитаксиального наращивания слоев ga as на подложках si и устройство для его осуществления
SU1800856A1 (ru) * 1990-05-16 1995-06-19 Научно-исследовательский институт "Пульсар" Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия
RU98115536A (ru) * 1994-09-23 2000-06-10 Терастор Инк. Способ и устройство для запоминания данных с использованием спин-поляризованных электронов
RU99127853A (ru) * 1999-12-29 2001-10-10 Московский государственный институт электронной техники Сверхпроводниковый переключающий элемент и способ переключения из сверхпроводящего состояния в нормальное
RU2181517C2 (ru) * 1999-12-29 2002-04-20 Московский государственный институт электронной техники (технический университет) Сверхпроводниковый переключающий элемент
MD2289G2 (ru) * 2003-03-14 2004-08-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ изготовления планарного оптического прибора с волноводом
MD3029C2 (ru) * 2004-09-06 2006-11-30 ШИШЯНУ Серджиу Способ получения датчиков (варианты)
RU2378122C2 (ru) * 2004-09-28 2010-01-10 Хьюлетт-Паккард Дивелопмент Компани, Л.П. Интегральная схема и способ изготовления
MD2804G2 (ru) * 2004-10-19 2006-02-28 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения нанокомпозита
MD3088G2 (ru) * 2005-08-10 2007-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения металлических нанотрубок
MD3372C2 (ru) * 2006-03-31 2008-02-29 ШИШЯНУ Серджиу Способ получения фотоэлементов (варианты)
MD4010F2 (en) * 2007-12-12 2010-01-29 Universitatea Tehnica A Moldovei Method for obtaining thin films of oxide semiconductors of In2O3
MD3894G2 (ru) * 2008-02-22 2010-01-31 Государственный Университет Молд0 Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Dieny B. Magnetografic properties of magnetically soft spin-valve structures. Journal of applied Physics, 1991 № 69 (8), p. 4774-4779 *
Dieny B. Magnetografic properties of magnetically soft spin-valve structures. Journal of applied Physics, 1991, 69 (8), p. 4774-4779 *
Степанов И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Энергия, Москва 1973, с. 454-462 *
Степанов И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Энергия, Москва, 1973, с. 454-462 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU237660U1 (ru) * 2025-04-02 2025-09-30 Жамшед Хуршидович Пулотов Гетероструктура Pd(1-x)Fe(x)/Pt со спиновым эффектом Холла как переключаемый зарядовым током ферромагнитный слой сверхпроводящего спинового клапана

Also Published As

Publication number Publication date
MD353Y (en) 2011-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2014163728A3 (en) Superconducting device with at least one enclosure
WO2013058724A3 (en) Bypass diode for a solar cell
WO2012021197A3 (en) Method of manufacturing electronic devices on both sides of a carrier substrate and electronic devices thereof
WO2014168665A3 (en) Methods for making a superconducting device with at least one enclosure
EP2579276A4 (en) CONDUCTIVE TRANSPARENT FILM AND CONDUCTIVE SUBSTRATE THEREWITH
WO2009097627A3 (en) Thin-film photovoltaic devices and related manufacturing methods
IN2012DN00641A (ru)
WO2011056570A3 (en) Conductive metal oxide films and photovoltaic devices
GB201203159D0 (en) Organic semiconductor compositions
WO2011032187A3 (en) Magnetic tunnel junction device and fabrication
EP2534699A4 (en) Metal substrate with insulation layer and manufacturing method thereof, semiconductor device and manufacturing method thereof, solar cell and manufacturing method thereof, electronic circuit and manufacturing method thereof, and light-emitting element and manufacturing method thereof
MY175032A (en) Photovoltaic cell and laminate metallization
IN2015DN00551A (ru)
JP2010212671A5 (ja) 半導体装置
WO2012177955A3 (en) Capcitive sensor pattern
GB2491748A (en) Organic electroluminescent device
WO2011070316A3 (en) Electronic device
MX2010007723A (es) Dispositivos fotovoltaicos tratados con plasma.
MY163745A (en) Methods of sputtering cadmium sulfide layers for use in cadmium telluride based thin film photovoltaic devices
WO2012082403A3 (en) Write current reduction in spin transfer torque memory devices
WO2014017871A3 (ko) 반도체 발광소자
MY171609A (en) Laser etching a stack of thin layers for a connection of a photovoltaic cell
MX340161B (es) Cristal de control solar que comprende una capa de una aleacion que contene nicu.
PL2416386T3 (pl) Sposób wytwarzania urządzenia półprzewodnikowego z warstwą pasywacji i odpowiednie urządzenie półprzewodnikowe
EP2592632A4 (en) SUPERCONDUCTING THIN LAYER SUBSTRATE, SUPERCONDUCTING THIN LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SUPERCONDUCTING THIN LAYER SUBSTRATE

Legal Events

Date Code Title Description
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)