SU1800856A1 - Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия - Google Patents

Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия

Info

Publication number
SU1800856A1
SU1800856A1 SU4837560/26A SU4837560A SU1800856A1 SU 1800856 A1 SU1800856 A1 SU 1800856A1 SU 4837560/26 A SU4837560/26 A SU 4837560/26A SU 4837560 A SU4837560 A SU 4837560A SU 1800856 A1 SU1800856 A1 SU 1800856A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
production
gallium arsenide
arsenide substrate
epitaxial structures
etching
Prior art date
Application number
SU4837560/26A
Other languages
English (en)
Inventor
А.А. Захаров
М.Г. Нестерова
Е.Б. Пащенко
А.Е. Шубин
Original Assignee
Научно-исследовательский институт "Пульсар"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-исследовательский институт "Пульсар" filed Critical Научно-исследовательский институт "Пульсар"
Priority to SU4837560/26A priority Critical patent/SU1800856A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1800856A1 publication Critical patent/SU1800856A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Использование: изготовление полупроводниковых структур для опто- и СВЧ - электронных приборов. Сущность изобретения: подложки арсенида галлия, нагретые до 540 - 640°С при давлении 1 - 5 мм рт. ст., подвергают полирующему травлению в среде водородной плазмы высокочастотного тлеющего разряда с добавкой арсина, затем выращивают слои металлоорганических соединений гидридным методом. Уменьшается селективность травления и упрощается сам процесс травления.
SU4837560/26A 1990-05-16 1990-05-16 Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия SU1800856A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4837560/26A SU1800856A1 (ru) 1990-05-16 1990-05-16 Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4837560/26A SU1800856A1 (ru) 1990-05-16 1990-05-16 Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1800856A1 true SU1800856A1 (ru) 1995-06-19

Family

ID=60536850

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4837560/26A SU1800856A1 (ru) 1990-05-16 1990-05-16 Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1800856A1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD176Z (ru) * 2009-04-15 2010-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ изготовления диода высокого напряжения
MD353Z (ru) * 2010-02-24 2011-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Сверхпроводящий спиновой вентиль
RU2698538C1 (ru) * 2018-10-17 2019-08-28 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) Способ формирования гетероструктуры

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD176Z (ru) * 2009-04-15 2010-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ изготовления диода высокого напряжения
MD353Z (ru) * 2010-02-24 2011-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Сверхпроводящий спиновой вентиль
RU2698538C1 (ru) * 2018-10-17 2019-08-28 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) Способ формирования гетероструктуры

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY141499A (en) Semiconductor member and process for preparing semiconductor member
TW330313B (en) A semiconductor substrate and process for producing same
MY114349A (en) Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of prepa- ring semiconductor member using the etching solution
CA2231625A1 (en) Semiconductor substrate having compound semiconductor layer, process for its production, and electronic device fabricated on semiconductor substrate
IE34306B1 (en) Improvements in method for forming epitaxial crystals or wafers in selected regions of substrates
EP0253611A3 (en) Method of epitaxially growing gallium arsenide on silicon
SU1800856A1 (ru) Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия
DE3371140D1 (en) Fabricating a semiconductor device by means of molecular beam epitaxy
TW267258B (en) Method of producing a compound semiconductor crystal layer with a steep heterointerface
EP0132408A3 (en) Method and apparatus for growing layers or producing coatings on a substrate
TW362244B (en) Method for manufacturing epitaxial wafer
JPS53126866A (en) Production of semiconductor wafers
GB1425102A (en) Methods of etching gallium arsenide substrates and epitaxially depositing gallium arsenide thereon
JPS53126263A (en) Method of epitaxially growing gallium arsenide layer on gallium arsenide body
TW374206B (en) Method of manufacturing compound semiconductor epitaxial wafers
JPS5271171A (en) Production of epitaxial wafer
JPS6437028A (en) Manufacture of semiconductor element
JPS57187936A (en) Manufacture of 3-5 family compound semiconductor element
JPS6459806A (en) Manufacture of transverse superlattice
JPS5589467A (en) Growth of aluminum in gaseous phase
JPS5518024A (en) Vapor phase reactor
RU94040462A (ru) Способ получения слоев inp
JP2000351694A (ja) 混晶膜の気相成長方法およびその装置
TW344869B (en) Etching method, crystal growing method, and process for producing semiconductor device
JPS5748227A (en) Manufacture of semiconductor device