SU1800856A1 - Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия - Google Patents
Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлияInfo
- Publication number
- SU1800856A1 SU1800856A1 SU4837560/26A SU4837560A SU1800856A1 SU 1800856 A1 SU1800856 A1 SU 1800856A1 SU 4837560/26 A SU4837560/26 A SU 4837560/26A SU 4837560 A SU4837560 A SU 4837560A SU 1800856 A1 SU1800856 A1 SU 1800856A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- production
- gallium arsenide
- arsenide substrate
- epitaxial structures
- etching
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Использование: изготовление полупроводниковых структур для опто- и СВЧ - электронных приборов. Сущность изобретения: подложки арсенида галлия, нагретые до 540 - 640°С при давлении 1 - 5 мм рт. ст., подвергают полирующему травлению в среде водородной плазмы высокочастотного тлеющего разряда с добавкой арсина, затем выращивают слои металлоорганических соединений гидридным методом. Уменьшается селективность травления и упрощается сам процесс травления.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4837560/26A SU1800856A1 (ru) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4837560/26A SU1800856A1 (ru) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1800856A1 true SU1800856A1 (ru) | 1995-06-19 |
Family
ID=60536850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4837560/26A SU1800856A1 (ru) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1800856A1 (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD176Z (ru) * | 2009-04-15 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Способ изготовления диода высокого напряжения |
MD353Z (ru) * | 2010-02-24 | 2011-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий | Сверхпроводящий спиновой вентиль |
RU2698538C1 (ru) * | 2018-10-17 | 2019-08-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ формирования гетероструктуры |
-
1990
- 1990-05-16 SU SU4837560/26A patent/SU1800856A1/ru active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD176Z (ru) * | 2009-04-15 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Способ изготовления диода высокого напряжения |
MD353Z (ru) * | 2010-02-24 | 2011-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий | Сверхпроводящий спиновой вентиль |
RU2698538C1 (ru) * | 2018-10-17 | 2019-08-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ формирования гетероструктуры |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
MY141499A (en) | Semiconductor member and process for preparing semiconductor member | |
TW330313B (en) | A semiconductor substrate and process for producing same | |
MY114349A (en) | Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of prepa- ring semiconductor member using the etching solution | |
CA2231625A1 (en) | Semiconductor substrate having compound semiconductor layer, process for its production, and electronic device fabricated on semiconductor substrate | |
IE34306B1 (en) | Improvements in method for forming epitaxial crystals or wafers in selected regions of substrates | |
EP0253611A3 (en) | Method of epitaxially growing gallium arsenide on silicon | |
SU1800856A1 (ru) | Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия | |
DE3371140D1 (en) | Fabricating a semiconductor device by means of molecular beam epitaxy | |
TW267258B (en) | Method of producing a compound semiconductor crystal layer with a steep heterointerface | |
EP0132408A3 (en) | Method and apparatus for growing layers or producing coatings on a substrate | |
TW362244B (en) | Method for manufacturing epitaxial wafer | |
JPS53126866A (en) | Production of semiconductor wafers | |
GB1425102A (en) | Methods of etching gallium arsenide substrates and epitaxially depositing gallium arsenide thereon | |
JPS53126263A (en) | Method of epitaxially growing gallium arsenide layer on gallium arsenide body | |
TW374206B (en) | Method of manufacturing compound semiconductor epitaxial wafers | |
JPS5271171A (en) | Production of epitaxial wafer | |
JPS6437028A (en) | Manufacture of semiconductor element | |
JPS57187936A (en) | Manufacture of 3-5 family compound semiconductor element | |
JPS6459806A (en) | Manufacture of transverse superlattice | |
JPS5589467A (en) | Growth of aluminum in gaseous phase | |
JPS5518024A (en) | Vapor phase reactor | |
RU94040462A (ru) | Способ получения слоев inp | |
JP2000351694A (ja) | 混晶膜の気相成長方法およびその装置 | |
TW344869B (en) | Etching method, crystal growing method, and process for producing semiconductor device | |
JPS5748227A (en) | Manufacture of semiconductor device |