SU1589918A1 - Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия - Google Patents

Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия

Info

Publication number
SU1589918A1
SU1589918A1 SU4638846/25A SU4638846A SU1589918A1 SU 1589918 A1 SU1589918 A1 SU 1589918A1 SU 4638846/25 A SU4638846/25 A SU 4638846/25A SU 4638846 A SU4638846 A SU 4638846A SU 1589918 A1 SU1589918 A1 SU 1589918A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
manufacture
germanium
silicon
gallium arsenide
melt
Prior art date
Application number
SU4638846/25A
Other languages
English (en)
Inventor
А.В. Абрамов
Н.Г. Дерягин
А.В. Долганов
М.Н. Мизеров
О.В. Селиверстов
Д.Н. Третьяков
Original Assignee
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе filed Critical Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе
Priority to SU4638846/25A priority Critical patent/SU1589918A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1589918A1 publication Critical patent/SU1589918A1/ru

Links

Landscapes

  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при получении приборных структур для микро- и оптоэлектроники методом жидкостной эпитаксии. Целью изобретения является получение слоев арсенида галлия на подложках кремния и повышение их качества за счет улучшения планарности. Эпитаксиальное наращивание ведут из сильно пересыщенного раствора-расплава, что достигается за счет высоких скоростей охлаждения. В этих условиях на поверхности кремниевой подложки образуется большое число зародышей, срастающихся в сплошной планарный слой при толщине не более 1 мкм. Для уменьшения растворимости кремния в раствор-расплав вводят германий, но в таком количестве, чтобы исключить кристаллизацию слоя германия на подложке. Величина этой добавки германия, практически полностью устраняющей подтравливание кремниевой подложки, найдена экспериментальным путем и составила 2-10 ат.% для диапазона температур 500-700C.
SU4638846/25A 1989-01-23 1989-01-23 Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия SU1589918A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4638846/25A SU1589918A1 (ru) 1989-01-23 1989-01-23 Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4638846/25A SU1589918A1 (ru) 1989-01-23 1989-01-23 Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1589918A1 true SU1589918A1 (ru) 1996-11-27

Family

ID=60527778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4638846/25A SU1589918A1 (ru) 1989-01-23 1989-01-23 Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1589918A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD176Z (ru) * 2009-04-15 2010-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ изготовления диода высокого напряжения
MD353Z (ru) * 2010-02-24 2011-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Сверхпроводящий спиновой вентиль

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD176Z (ru) * 2009-04-15 2010-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ изготовления диода высокого напряжения
MD353Z (ru) * 2010-02-24 2011-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Сверхпроводящий спиновой вентиль

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4479846A (en) Method of entraining dislocations and other crystalline defects in heated film contacting patterned region
EP0276257A1 (en) Method of epitaxially growing compound semiconductor materials
US5356510A (en) Method for the growing of heteroepitaxial layers
Cockayne et al. The dislocation-free growth of gadolinium gallium garnet single crystals
US5219632A (en) Compound semiconductor single crystals and the method for making the crystals, and semiconductor devices employing the crystals
KR930009805B1 (ko) 반도체 층 성장으로 부터 결함을 제거하기 위한 버퍼구조를 갖는 반도체장치.
SU1589918A1 (ru) Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия
US3810794A (en) Preparation of gap-si heterojunction by liquid phase epitaxy
DE69227852T2 (de) Eigengetterung für ein epitaxiales Halbleiterplättchen
Ivleva et al. The growth of multicomponent oxide single crystals by stepanov's technique
JP2576131B2 (ja) 化合物半導体結晶の処理方法
US3179541A (en) Vapor growth with smooth surfaces by introducing cadmium into the semiconductor material
Uen et al. Liquid-phase epitaxial lateral overgrowth of GaAs on 0.3°-misoriented epitaxial Si substrates
JPS626338B2 (ru)
Suzuki et al. Gallium arsenide crystal growth from metallic solution under microgravity
Park et al. ZnSe and ZnSe/Ge epi-layers grown on (100) Si by molecular beam epitaxy
Kasano et al. Preparation of GaAs-Ge and InAs-GaAs Heterojunctions in a Closed Tube System Using Iodine Process
JPH03256324A (ja) 半導体結晶基板の製造方法
RU2072584C1 (ru) Способ локальной жидкостной эпитаксии
JPS6020509A (ja) 液相エピタキシヤル成長方法
US4562106A (en) Product made by method of entraining dislocations and other crystalline defects
JPS63190329A (ja) 薄膜結晶成長法
Dorogan et al. Method of GaAs Growth on Single Crystal Si Substrate
JPH04254321A (ja) 液相エピタキシャル成長方法
JPS59123221A (ja) 半導体結晶成長方法