MD4554C1 - Способ повышения эфективности фотоэлектрических элементов на основе p+InP-p-InP-n+CdS - Google Patents

Способ повышения эфективности фотоэлектрических элементов на основе p+InP-p-InP-n+CdS

Info

Publication number
MD4554C1
MD4554C1 MDA20170092A MD20170092A MD4554C1 MD 4554 C1 MD4554 C1 MD 4554C1 MD A20170092 A MDA20170092 A MD A20170092A MD 20170092 A MD20170092 A MD 20170092A MD 4554 C1 MD4554 C1 MD 4554C1
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
inp
cds
deposition
board
increasing
Prior art date
Application number
MDA20170092A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD4554B1 (ru
Inventor
Василе БОТНАРЮК
Леонид ГОРЧАК
Андрей КОВАЛ
Симион РАЕВСКИЙ
Original Assignee
Государственный Университет Молд0
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственный Университет Молд0 filed Critical Государственный Университет Молд0
Priority to MDA20170092A priority Critical patent/MD4554C1/ru
Publication of MD4554B1 publication Critical patent/MD4554B1/ru
Publication of MD4554C1 publication Critical patent/MD4554C1/ru

Links

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано, в частности, в фотоэлектрических преобразователях.Способ повышения эфективности фотоэлектрических элементов на основе p+InP-p-InP-n+CdS включает рост слоя p-InP на подложке, выполненной в виде платы из p+InP с кристаллографической ориентацией (100), разориентацией 3…5° в направлении (110) и с концентрацией носителей заряда 1018 см-3, нанесение, на фронтальную часть платы, методом квазизакрытого объема слоя n+CdS, нанесение на обратную сторону платы омического контакта из Ag+Zn, его термическую обработку при температуре 450°C, нанесение омического контакта из In на слой n+CdS, его термическую обработку при температуре 250°C и нанесение методом пульверизации, при температуре 300°C, антиотражающего слоя ZnO.
MDA20170092A 2017-10-18 2017-10-18 Способ повышения эфективности фотоэлектрических элементов на основе p+InP-p-InP-n+CdS MD4554C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20170092A MD4554C1 (ru) 2017-10-18 2017-10-18 Способ повышения эфективности фотоэлектрических элементов на основе p+InP-p-InP-n+CdS

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20170092A MD4554C1 (ru) 2017-10-18 2017-10-18 Способ повышения эфективности фотоэлектрических элементов на основе p+InP-p-InP-n+CdS

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD4554B1 MD4554B1 (ru) 2018-02-28
MD4554C1 true MD4554C1 (ru) 2018-09-30

Family

ID=61282887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20170092A MD4554C1 (ru) 2017-10-18 2017-10-18 Способ повышения эфективности фотоэлектрических элементов на основе p+InP-p-InP-n+CdS

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD4554C1 (ru)

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE620887A (ru) * 1959-06-18
KR20000068834A (ko) * 1997-08-27 2000-11-25 모리시타 요이찌 탄화규소기판 및 그 제조방법, 및 탄화규소기판을 사용한 반도체소자
JP3920103B2 (ja) * 2002-01-31 2007-05-30 大阪府 絶縁層埋め込み型半導体炭化シリコン基板の製造方法及びその製造装置
KR101386268B1 (ko) * 2005-08-26 2014-04-17 스몰텍 에이비 나노구조체에 기반한 인터커넥트 및 방열기
MD3372C2 (ru) * 2006-03-31 2008-02-29 ШИШЯНУ Серджиу Способ получения фотоэлементов (варианты)
JP5448304B2 (ja) * 2007-04-19 2014-03-19 パナソニック株式会社 半導体装置
MD151Z (ru) * 2008-12-30 2010-09-30 Государственный Университет Молд0 Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе
US11417788B2 (en) * 2010-11-19 2022-08-16 The Boeing Company Type-II high bandgap tunnel junctions of InP lattice constant for multijunction solar cells
MD4261B1 (ru) * 2011-05-12 2013-11-30 Государственный Университет Молд0 Способ изготовления полупроводникового прибора с рельефным p-n переходом (варианты)
MD4280C1 (ru) * 2013-09-04 2014-10-31 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры pInP-nCdS
MD972Z (ru) * 2015-02-19 2016-06-30 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов
MD4510C1 (ru) * 2016-06-23 2018-03-31 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры n+-p-p+ InP для солнечных батарей

Also Published As

Publication number Publication date
MD4554B1 (ru) 2018-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY167874A (en) Solar cells
Bonnet The CdTe thin film solar cell-an overview
WO2011090728A3 (en) Low cost solar cells formed using a chalcogenization rate modifier
Hwang et al. Wet pretreatment-induced modification of Cu (In, Ga) Se2/Cd-free ZnTiO buffer interface
MY172480A (en) Solar cell, manufacturing method thereof, solar-cell module, and manufacturing method thereof
KR101154786B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
EP2833413A3 (en) Compound photovoltaic cell
US20140026958A1 (en) Solar cell and manufacturing method thereof
Saha A Status Review on Cu2ZnSn (S, Se) 4‐Based Thin‐Film Solar Cells
WO2019066648A8 (en) Title: solar cells with transparent contacts based on poly-silicon-oxide
Bagheri et al. Efficient heterojunction thin film CdSe solar cells deposited using thermal evaporation
KR101428146B1 (ko) 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
WO2011153549A3 (en) Copper indium gallium diselenide solar cell
MD4554C1 (ru) Способ повышения эфективности фотоэлектрических элементов на основе p+InP-p-InP-n+CdS
MD972Z (ru) Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов
WO2015046876A3 (ko) 3차원 p-n접합구조 태양전지 및 이의 제조방법
MD4686C1 (ru) Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов
Routray et al. Effect of metal-fingers/doped-ZnO transparent electrode on performance of GaN/InGaN solar cell
RU2015107377A (ru) Фотоэлектрический преобразователь
MD4510B1 (ru) Способ роста структуры n+-p-p+ InP для солнечных батарей
KR101173429B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
CN204516782U (zh) 一种czts薄膜电池
Ramakrishna Reddy et al. Thin films of tin sulphide for application in photovoltaic solar cells
MD20110044A2 (en) Method for manufacturing a semiconductor device with relief p-n junction
KR101540939B1 (ko) Ｃｉｇｓ 태양 전지 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees