MD4554C1 - Procedeu de majorare a eficienţei celulelor fotovoltaice pe baza p+InP-p-InP-n+CdS - Google Patents
Procedeu de majorare a eficienţei celulelor fotovoltaice pe baza p+InP-p-InP-n+CdSInfo
- Publication number
- MD4554C1 MD4554C1 MDA20170092A MD20170092A MD4554C1 MD 4554 C1 MD4554 C1 MD 4554C1 MD A20170092 A MDA20170092 A MD A20170092A MD 20170092 A MD20170092 A MD 20170092A MD 4554 C1 MD4554 C1 MD 4554C1
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- inp
- cds
- deposition
- board
- increasing
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 4
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la tehnologia semiconductorilor şi poate fi utilizată, în special, în convertoarele fotovoltaice.Procedeul de majorare a eficienţei celulelor fotovoltaice pe baza p+InP-p-InP-n+CdS include creşterea stratului p-InP pe un substrat, executat în formă de plachetă din p+InP cu orientarea cristalografică (100), dezorientarea de 3…5° în direcţia (110) şi concentraţia purtătorilor de sarcină de 1018 cm-3, depunerea, pe partea frontală a plachetei, prin metoda volumului cuaziînchis a stratului n+CdS, depunerea pe partea posterioară a unui contact ohmic din Ag+Zn, tratarea termică a lui la temperatura de 450°C, depunerea unui contact ohmic din In pe stratul din n+CdS, tratarea termică a lui la temperatura de 250°C şi depunerea prin metoda pulverizării, la temperatuta de 300°C, a unui strat antireflector de ZnO.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20170092A MD4554C1 (ro) | 2017-10-18 | 2017-10-18 | Procedeu de majorare a eficienţei celulelor fotovoltaice pe baza p+InP-p-InP-n+CdS |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20170092A MD4554C1 (ro) | 2017-10-18 | 2017-10-18 | Procedeu de majorare a eficienţei celulelor fotovoltaice pe baza p+InP-p-InP-n+CdS |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD4554B1 MD4554B1 (ro) | 2018-02-28 |
| MD4554C1 true MD4554C1 (ro) | 2018-09-30 |
Family
ID=61282887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20170092A MD4554C1 (ro) | 2017-10-18 | 2017-10-18 | Procedeu de majorare a eficienţei celulelor fotovoltaice pe baza p+InP-p-InP-n+CdS |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD4554C1 (ro) |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE620887A (ro) * | 1959-06-18 | |||
| KR20000068834A (ko) * | 1997-08-27 | 2000-11-25 | 모리시타 요이찌 | 탄화규소기판 및 그 제조방법, 및 탄화규소기판을 사용한 반도체소자 |
| JP3920103B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2007-05-30 | 大阪府 | 絶縁層埋め込み型半導体炭化シリコン基板の製造方法及びその製造装置 |
| KR101386268B1 (ko) * | 2005-08-26 | 2014-04-17 | 스몰텍 에이비 | 나노구조체에 기반한 인터커넥트 및 방열기 |
| MD3372C2 (ro) * | 2006-03-31 | 2008-02-29 | ШИШЯНУ Серджиу | Procedeu de obtinere a celuler fotovoltaice (variante) |
| JP5448304B2 (ja) * | 2007-04-19 | 2014-03-19 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
| MD151Z (ro) * | 2008-12-30 | 2010-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale GaAs într-un reactor orizontal |
| US11417788B2 (en) * | 2010-11-19 | 2022-08-16 | The Boeing Company | Type-II high bandgap tunnel junctions of InP lattice constant for multijunction solar cells |
| MD4261B1 (ro) * | 2011-05-12 | 2013-11-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de fabricare a dispozitivului semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante) |
| MD4280C1 (ro) * | 2013-09-04 | 2014-10-31 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a structurii pInP-nCdS |
| MD972Z (ro) * | 2015-02-19 | 2016-06-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a structurii p+InP-p-InP-n+CdS pentru celule fotovoltaice |
| MD4510C1 (ro) * | 2016-06-23 | 2018-03-31 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a structurii n+-p-p+ InP pentru celule solare |
-
2017
- 2017-10-18 MD MDA20170092A patent/MD4554C1/ro not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD4554B1 (ro) | 2018-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY167874A (en) | Solar cells | |
| Bonnet | The CdTe thin film solar cell-an overview | |
| WO2011090728A3 (en) | Low cost solar cells formed using a chalcogenization rate modifier | |
| Hwang et al. | Wet pretreatment-induced modification of Cu (In, Ga) Se2/Cd-free ZnTiO buffer interface | |
| MY172480A (en) | Solar cell, manufacturing method thereof, solar-cell module, and manufacturing method thereof | |
| KR101154786B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| EP2833413A3 (en) | Compound photovoltaic cell | |
| US20140026958A1 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| Saha | A Status Review on Cu2ZnSn (S, Se) 4‐Based Thin‐Film Solar Cells | |
| WO2019066648A8 (en) | Title: solar cells with transparent contacts based on poly-silicon-oxide | |
| Bagheri et al. | Efficient heterojunction thin film CdSe solar cells deposited using thermal evaporation | |
| KR101428146B1 (ko) | 태양전지 모듈 및 이의 제조방법 | |
| WO2011153549A3 (en) | Copper indium gallium diselenide solar cell | |
| MD4554C1 (ro) | Procedeu de majorare a eficienţei celulelor fotovoltaice pe baza p+InP-p-InP-n+CdS | |
| MD972Z (ro) | Procedeu de creştere a structurii p+InP-p-InP-n+CdS pentru celule fotovoltaice | |
| WO2015046876A3 (ko) | 3차원 p-n접합구조 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| MD4686C1 (ro) | Procedeu de creştere a structurii p+InP-p-InP-n+CdS pentru celule fotovoltaice | |
| Routray et al. | Effect of metal-fingers/doped-ZnO transparent electrode on performance of GaN/InGaN solar cell | |
| RU2015107377A (ru) | Фотоэлектрический преобразователь | |
| MD4510B1 (ro) | Procedeu de creştere a structurii n+-p-p+ InP pentru celule solare | |
| KR101173429B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| CN204516782U (zh) | 一种czts薄膜电池 | |
| Ramakrishna Reddy et al. | Thin films of tin sulphide for application in photovoltaic solar cells | |
| MD20110044A2 (ro) | Procedeu de fabricare a dispozitivului semiconductor cu jonctiune p-n în relief | |
| KR101540939B1 (ko) | Ｃｉｇｓ 태양 전지 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |