MD4686C1 - Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов - Google Patents

Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов Download PDF

Info

Publication number
MD4686C1
MD4686C1 MDA20180109A MD20180109A MD4686C1 MD 4686 C1 MD4686 C1 MD 4686C1 MD A20180109 A MDA20180109 A MD A20180109A MD 20180109 A MD20180109 A MD 20180109A MD 4686 C1 MD4686 C1 MD 4686C1
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
inp
deposited
cds
layer
temperature
Prior art date
Application number
MDA20180109A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD4686B1 (ru
Inventor
Василе БОТНАРЮК
Леонид ГОРЧАК
Борис ЧИНИК
Андрей КОВАЛ
Симион РАЕВСКИЙ
Сергей МОЛДОВАНУ
Original Assignee
Государственный Университет Молд0
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственный Университет Молд0 filed Critical Государственный Университет Молд0
Priority to MDA20180109A priority Critical patent/MD4686C1/ru
Publication of MD4686B1 publication Critical patent/MD4686B1/ru
Publication of MD4686C1 publication Critical patent/MD4686C1/ru

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано, в частности, в устройствах для преобразования солнечного излучения в электрическую энергию.Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов состоит в том, что выращивают слой p-InP на подложке, выполненной в виде пластины из p+InP с кристаллографической ориентацией (100), разориентацией 3…5° в направлении (110) и с концентрацией носителей заряда 1018 см-3, осаждают, на фронтальную часть пластины, методом квазизамкнутого объема, слой n+CdS, осаждают на обратную сторону пластины омический контакт из Ag+5%Zn, термически обрабатывают при температуре 450°C, осаждают омический контакт из In на слой n+CdS, термически обрабатывают при температуре 250°C, и осаждают методом испарения электронным пучком, при температуре 300°C, антиотражающий слой SiO2.
MDA20180109A 2018-12-15 2018-12-15 Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов MD4686C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20180109A MD4686C1 (ru) 2018-12-15 2018-12-15 Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20180109A MD4686C1 (ru) 2018-12-15 2018-12-15 Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD4686B1 MD4686B1 (ru) 2020-03-31
MD4686C1 true MD4686C1 (ru) 2020-12-31

Family

ID=70056179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20180109A MD4686C1 (ru) 2018-12-15 2018-12-15 Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD4686C1 (ru)

Also Published As

Publication number Publication date
MD4686B1 (ru) 2020-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Lindahl et al. Inline Cu (In, Ga) Se $ _ {2} $ Co-evaporation for high-efficiency solar cells and modules
JP2637922B2 (ja) 薄膜光電池デバイスの製造方法
CN103035496B (zh) 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用
CN109037374A (zh) 基于NiO/Ga2O3的紫外光电二极管及其制备方法
US10256362B2 (en) Flexible silicon infrared emitter
Dhere Recent developments in thin film solar cells
Hashimoto et al. High efficiency CIGS solar cell on flexible stainless steel
MD4686C1 (ru) Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов
Petti et al. 10-thin films in photovoltaics
KR20110075992A (ko) 실리콘 기판의 결함 제거 방법
MD972Z (ru) Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов
Teplin et al. Pyramidal light trapping and hydrogen passivation for high-efficiency heteroepitaxial (100) crystal silicon solar cells
US8258003B2 (en) Manufacturing method of compound semiconductor solar cell
MD4554C1 (ru) Способ повышения эфективности фотоэлектрических элементов на основе p+InP-p-InP-n+CdS
CN110534599A (zh) 一种柔性薄膜太阳能电池及其制备方法
MD4510C1 (ru) Способ роста структуры n+-p-p+ InP для солнечных батарей
KR101379221B1 (ko) 태양전지용 ＳｉＣｘ 패시베이션 박막 형성방법 및 이에 의해 제조되는 패시베이션 박막을 구비한 태양전지
Carabe et al. Influence of interface treatments on the performance of silicon heterojunction solar cells
Jahelka et al. Non-epitxaial GaAs/organic heterojunction solar cells with 830mv Voc
JP2012109563A (ja) 太陽電池の製造方法
KR101221394B1 (ko) Ｃｉｇｓ태양전지 제조 방법
Hebling et al. The crystalline silicon thin-film solar cell—The high temperature approach
Lee Investigation of thin-film CdTe/Ge tandem solar cells
Smith et al. Reverse current‐voltage characteristics of indium tin oxide/silicon solar cells under illumination
NASIKKAR FILMS FOR USE IN PHOTOVOLTAIC SOLAR CELLS

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees