MD3372B1 - Procedeu de obtinere a fotoelementelor (variante) - Google Patents

Abstract

Inventia se refera la tehnologia dispozitivelor cu semiconductori, in special la procedeele de obtinere a celulelor fotovoltaice. Procedeul, conform primei variante, include procesele de depunere chimica sau din vapori a peliculelor din impuritati pe suprafata plachetei de semiconductor, de difuzie, de oxidare si depunere a contactelor ohmice. Noutatea consta in aceea ca procesele de difuzie a impuritatilor din diferite surse cu formarea jonctiunilor de tipul n+ - p, sau p+ - n, sau n+ - p – p+, oxidare, depunere contactelor ohmice, si depunere a peliculelor antireflectoare se efectueaza cu prelucrarea fototermica rapida. Noutatea procedeului, conform variantei a doua, consta in aceea ca peuna sau ambele suprafete opuse ale plachetei de semiconductor de tipul „p” sau „n” se depune o sursa de difuzie in forma de pelicula sticloasa dopatacu una din impuritati, donor sau acceptor, de exemplu, siliciura de fosfor sau siliciura de bor, prin metoda oxidarii anodice sau a depunerii chimicein prezenta razelor ultraviolete sau in lipsa luminii, dupa care are loc prelucrarea fototermica rapida a plachetei, difuzia impuritatilor cu formarea jonctiunilor de tipul n+- p, sau p+ - n, sau n+ - p – p+, sau p+ - n – n+ in vid, in aer sau in prezenta unui gaz inert, de exemplu, argon, si depunerea peliculelor antireflectoare. Noutatea procedeului, conform variantei a treia, consta in aceea ca pe una din suprafetele plachetei de semiconductor de tipul „p” sau „n” se depune o sursa de difuzie in forma de pelicula sticloasa dopata cu una din impuritatile donor, de exemplu, siliciura de fosfor, iar pe suprafata opusa a placii de semiconductor se depune o alta sursa de difuzie de tip acceptor in forma de pelicula metalica, de exemplu, dinaluminiu, prin metoda evaporarii in vid, sau oxidarii anodice, sau prin depunerea chimica in prezenta razelor ultraviolete sau in lipsa luminii; dupacare are loc prelucrarea fototermica rapida a plachetei, difuzia impuritatilor cu formarea jonctiunilor de tipul n+ - p, sau p+ - n, sau n+ - p – p+,sau p+ - n – n in vid, in aer sau in prezenta unui gaz inert, de exemplu, argon, si depunerea peliculelor antireflectoare. Noutatea procedeului, conform variantei a patra, consta in aceea ca el include procesele de difuzie a impuritatilor din diferite surse cu formarea jonctiunilor conform revendicarilor 1, 2 sau 3, apoi, dupa curatirea suprafeteiplachetei, are loc depunerea contactelor ohmice de metal, de exemplu, Al sau Ni, sau Cu, sau pasta de Ag, sau contacte ohmice stravezii de InSnO, urmate de prelucrarea fototermica rapida in vid, in aer sau in camera cu gaze inerte, de exemplu, cu argon, si depunerea peliculelor antireflectoare. Noutatea procedeului, conform variantei a cincea, consta in aceea ca el include procesele de difuzie a impuritatilor din diferite surse cu formarea jonctiunilor si depunerea contactelor ohmice conform revendicarilor 1, 2, 3, sau 4, dupa care are loc depunerea peliculei stravezii cu proprietati de antireflector