RU2009110155A - Фронтальный контакт с тсо с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом устройстве и способ его получения - Google Patents

Фронтальный контакт с тсо с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом устройстве и способ его получения Download PDF

Info

Publication number
RU2009110155A
RU2009110155A RU2009110155/28A RU2009110155A RU2009110155A RU 2009110155 A RU2009110155 A RU 2009110155A RU 2009110155/28 A RU2009110155/28 A RU 2009110155/28A RU 2009110155 A RU2009110155 A RU 2009110155A RU 2009110155 A RU2009110155 A RU 2009110155A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
film
work function
tco
tco film
photovoltaic device
Prior art date
Application number
RU2009110155/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2435250C2 (ru
Inventor
Алексей КРАСНОВ (US)
Алексей КРАСНОВ
Original Assignee
Гардиан Индастриз Корп. (Us)
Гардиан Индастриз Корп.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Гардиан Индастриз Корп. (Us), Гардиан Индастриз Корп. filed Critical Гардиан Индастриз Корп. (Us)
Publication of RU2009110155A publication Critical patent/RU2009110155A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2435250C2 publication Critical patent/RU2435250C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022475—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of indium tin oxide [ITO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

1. Фотоэлектрическое устройство, содержащее: ! переднюю стеклянную подложку; ! активную полупроводниковую пленку; ! электропроводящий и по существу прозрачный фронтальный контакт, расположенный между, по меньшей мере, передней стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой; ! причем фронтальный контакт содержит (a) первую пленку из прозрачного проводящего оксида (TCO), имеющую относительно низкую работу выхода, и (b) вторую TCO-пленку, имеющую относительно высокую работу выхода; и ! причем вторая TCO-пленка, имеющая относительно высокую работу выхода, которая выше, чем работа выхода первой TCO-пленки, находится между первой TCO-пленкой и самой верхней частью полупроводниковой пленки и контактирует с ними. ! 2. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором вторая TCO-пленка, имеющая относительно высокую работу выхода, содержит обогащенный кислородом оксид индия-олова (ITO). ! 3. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором первая TCO-пленка имеет работу выхода не более примерно 4,4 эВ, а вторая TCO-пленка имеет работу выхода, по меньшей мере, 4,5 эВ. ! 4. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором вторая TCO-пленка, имеющая относительно высокую работу выхода, имеет работу выхода от примерно 4,5 до 5,7 эВ. ! 5. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором вторая TCO-пленка, имеющая относительно высокую работу выхода, имеет работу выхода от примерно 4,7 до 5,3 эВ. ! 6. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором первая TCO-пленка, имеющая относительно низкую работу выхода, содержит одно или более из оксида олова и оксида цинка. ! 7. Фотоэлектрическое устройство по п.1, дополнительно содержащее задний электрод, причем предоставляется активная п�

Claims (22)

1. Фотоэлектрическое устройство, содержащее:
переднюю стеклянную подложку;
активную полупроводниковую пленку;
электропроводящий и по существу прозрачный фронтальный контакт, расположенный между, по меньшей мере, передней стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой;
причем фронтальный контакт содержит (a) первую пленку из прозрачного проводящего оксида (TCO), имеющую относительно низкую работу выхода, и (b) вторую TCO-пленку, имеющую относительно высокую работу выхода; и
причем вторая TCO-пленка, имеющая относительно высокую работу выхода, которая выше, чем работа выхода первой TCO-пленки, находится между первой TCO-пленкой и самой верхней частью полупроводниковой пленки и контактирует с ними.
2. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором вторая TCO-пленка, имеющая относительно высокую работу выхода, содержит обогащенный кислородом оксид индия-олова (ITO).
3. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором первая TCO-пленка имеет работу выхода не более примерно 4,4 эВ, а вторая TCO-пленка имеет работу выхода, по меньшей мере, 4,5 эВ.
4. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором вторая TCO-пленка, имеющая относительно высокую работу выхода, имеет работу выхода от примерно 4,5 до 5,7 эВ.
5. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором вторая TCO-пленка, имеющая относительно высокую работу выхода, имеет работу выхода от примерно 4,7 до 5,3 эВ.
6. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором первая TCO-пленка, имеющая относительно низкую работу выхода, содержит одно или более из оксида олова и оксида цинка.
7. Фотоэлектрическое устройство по п.1, дополнительно содержащее задний электрод, причем предоставляется активная полупроводниковая пленка между, по меньшей мере, передним электродом и задним электродом.
8. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором вторая TCO-пленка, имеющая относительно высокую работу выхода, имеет толщину от примерно 10-100 Е.
9. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором вторая TCO-пленка, имеющая относительно высокую работу выхода, изменяется по степени окисления, непрерывно или дискретно, чтобы иметь большее содержание кислорода вблизи полупроводниковой пленки, чем вблизи первой TCO-пленки.
10. Фронтальный контакт, подходящий для использования в фотоэлектрическом устройстве, включающий в себя активную полупроводниковую пленку, причем фронтальный контакт содержит:
переднюю стеклянную подложку;
первую пленку из по существу прозрачного проводящего оксида (TCO);
вторую пленку из по существу прозрачного проводящего оксида (TCO), имеющую высокую работу выхода, причем работа выхода второй TCO-пленки выше, чем у первой TCO-пленки; и
причем первая TCO-пленка находится между стеклянной подложкой и второй TCO-пленкой, так чтобы вторая TCO-пленка, имеющая высокую работу выхода, могла располагаться между первой TCO-пленкой и самым верхним участком полупроводниковой пленки фотоэлектрического устройства и контактировать с ними.
11. Фронтальный контакт по п.10, в котором вторая TCO-пленка содержит обогащенный кислородом оксид индия-олова (ITO).
12. Фронтальный контакт по п.10, в котором первая TCO-пленка имеет работу выхода не более 4,4 эВ, а вторая TCO-пленка имеет работу выхода по меньшей мере 4,5 эВ.
13. Фронтальный контакт по п.10, в котором вторая TCO-пленка имеет работу выхода от примерно 4,5 до 5,7 эВ.
14. Фронтальный контакт по п.10, в котором вторая TCO-пленка имеет работу выхода от примерно 4,7 до 5,3 эВ.
15. Фронтальный контакт по п.10, в котором первая TCO-пленка содержит одно или более из оксида олова и оксида цинка.
16. Фронтальный контакт по п.10, в котором вторая TCO-пленка имеет толщину от примерно 10-100 Е.
17. Фронтальный контакт по п.10, в котором вторая TCO-пленка, имеющая высокую работу выхода, изменяется по степени окисления, непрерывно или дискретно, так чтобы иметь большее содержание кислорода вблизи ее первой стороны, которую можно помещать рядом с полупроводниковой пленкой, чем вблизи первой TCO-пленки.
18. Способ получения фотоэлектрического устройства, причем способ включает:
получение стеклянной подложки;
осаждение первой пленки из по существу прозрачного проводящего оксида (TCO) на стеклянную подложку;
осаждение второй пленки из по существу прозрачного проводящего оксида (TCO), имеющей относительно высокую работу выхода, на стеклянную подложку в контакте с первой TCO-пленкой, причем вторая TCO-пленка имеет более высокую работу выхода, чем первая TCO-пленка; и
формирование фотоэлектрического устройства так, чтобы вторая TCO-пленка, имеющая относительно высокую работу выхода, находилась между каждой первой TCO-пленкой и полупроводниковой пленкой фотоэлектрического устройства и контактировала с ними.
19. Способ по п.18, в котором вторая TCO-пленка содержит обогащенный кислородом оксид индия-олова (ITO).
20. Способ по п.18, в котором первая TCO-пленка имеет работу выхода не более 4,4 эВ, а вторая TCO-пленка имеет работу выхода по меньшей мере 4,5 эВ.
21. Способ по п.18, в котором вторая TCO-пленка имеет работу выхода от примерно 4,5 до 5,7 эВ.
22. Способ по п.18, в котором каждый из указанных этапов осаждения включает напыление.
RU2009110155/28A 2006-08-22 2007-08-09 Фронтальный контакт с тсо с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом устройстве и способ его получения RU2435250C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/507,660 US20080047602A1 (en) 2006-08-22 2006-08-22 Front contact with high-function TCO for use in photovoltaic device and method of making same
US11/507,660 2006-08-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009110155A true RU2009110155A (ru) 2010-09-27
RU2435250C2 RU2435250C2 (ru) 2011-11-27

Family

ID=39107282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009110155/28A RU2435250C2 (ru) 2006-08-22 2007-08-09 Фронтальный контакт с тсо с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом устройстве и способ его получения

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20080047602A1 (ru)
EP (1) EP2054943A2 (ru)
BR (1) BRPI0716044A2 (ru)
CA (1) CA2659855A1 (ru)
RU (1) RU2435250C2 (ru)
WO (1) WO2008024205A2 (ru)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080302414A1 (en) * 2006-11-02 2008-12-11 Den Boer Willem Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105299A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105293A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US7964788B2 (en) * 2006-11-02 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8012317B2 (en) * 2006-11-02 2011-09-06 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US8076571B2 (en) * 2006-11-02 2011-12-13 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8203073B2 (en) * 2006-11-02 2012-06-19 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080178932A1 (en) * 2006-11-02 2008-07-31 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US8334452B2 (en) 2007-01-08 2012-12-18 Guardian Industries Corp. Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like
US20080169021A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Guardian Industries Corp. Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like
US20080223430A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
TWI335085B (en) * 2007-04-19 2010-12-21 Ind Tech Res Inst Bifacial thin film solar cell and method for fabricating the same
US20080308145A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Guardian Industries Corp Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080308146A1 (en) * 2007-06-14 2008-12-18 Guardian Industries Corp. Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
CN101378089A (zh) * 2007-08-28 2009-03-04 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 太阳能电池
US7888594B2 (en) * 2007-11-20 2011-02-15 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
US20090194155A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US20090194157A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
FR2932009B1 (fr) * 2008-06-02 2010-09-17 Saint Gobain Cellule photovoltaique et substrat de cellule photovoltaique
US8022291B2 (en) * 2008-10-15 2011-09-20 Guardian Industries Corp. Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device
CN102282677A (zh) * 2009-01-23 2011-12-14 株式会社爱发科 太阳能电池的制造方法和太阳能电池
US9012766B2 (en) 2009-11-12 2015-04-21 Silevo, Inc. Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells
FR2947954A1 (fr) * 2009-12-11 2011-01-14 Commissariat Energie Atomique Cellule texturee a rendement de conversion eleve comportant une zone texturee recouverte par une bi-couche antireflet
US20110180130A1 (en) * 2010-01-22 2011-07-28 Guardian Industries Corp. Highly-conductive and textured front transparent electrode for a-si thin-film solar cells, and/or method of making the same
TW201133899A (en) * 2010-03-17 2011-10-01 Auria Solar Co Ltd Thin film solar cell and manufacturing method thereof
US20130048078A1 (en) * 2010-05-20 2013-02-28 Korea Institute Of Machinery And Materials Carbon nanotube-invaded metal oxide composite film, manufacturing method thereof, and organic solar cell with improved photoelectric conversion efficiency and improved duration using same
US9214576B2 (en) * 2010-06-09 2015-12-15 Solarcity Corporation Transparent conducting oxide for photovoltaic devices
KR101091361B1 (ko) 2010-07-30 2011-12-07 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
US9773928B2 (en) 2010-09-10 2017-09-26 Tesla, Inc. Solar cell with electroplated metal grid
US9800053B2 (en) 2010-10-08 2017-10-24 Tesla, Inc. Solar panels with integrated cell-level MPPT devices
JP2013042107A (ja) * 2011-02-17 2013-02-28 Rohm Co Ltd 半導体レーザ素子
US9054256B2 (en) 2011-06-02 2015-06-09 Solarcity Corporation Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
JP2013012593A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Kaneka Corp 薄膜光電変換装置
US20130019929A1 (en) * 2011-07-19 2013-01-24 International Business Machines Reduction of light induced degradation by minimizing band offset
TWI443846B (zh) 2011-11-01 2014-07-01 Ind Tech Res Inst 透明導電層結構
CN104081544B (zh) * 2012-01-13 2019-01-22 应用材料公司 用于硅基光电装置的高功函数缓冲层
CN103077976A (zh) * 2012-08-17 2013-05-01 常州天合光能有限公司 一种提高n型衬底hit太阳能电池开路电压的方法
CN103094395A (zh) * 2012-08-17 2013-05-08 常州天合光能有限公司 一种降低p型衬底hit太阳能电池串阻的方法
CN104781936A (zh) 2012-10-04 2015-07-15 喜瑞能源公司 具有电镀的金属格栅的光伏器件
US9865754B2 (en) 2012-10-10 2018-01-09 Tesla, Inc. Hole collectors for silicon photovoltaic cells
US9379259B2 (en) * 2012-11-05 2016-06-28 International Business Machines Corporation Double layered transparent conductive oxide for reduced schottky barrier in photovoltaic devices
US9281436B2 (en) 2012-12-28 2016-03-08 Solarcity Corporation Radio-frequency sputtering system with rotary target for fabricating solar cells
US9219174B2 (en) 2013-01-11 2015-12-22 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US9412884B2 (en) 2013-01-11 2016-08-09 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US10074755B2 (en) 2013-01-11 2018-09-11 Tesla, Inc. High efficiency solar panel
US9624595B2 (en) 2013-05-24 2017-04-18 Solarcity Corporation Electroplating apparatus with improved throughput
GB201309717D0 (en) * 2013-05-31 2013-07-17 Pilkington Group Ltd Interface layer for electronic devices
CN105684159B (zh) * 2013-10-25 2018-10-16 夏普株式会社 光电转换装置
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
US9899546B2 (en) 2014-12-05 2018-02-20 Tesla, Inc. Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste
US9947822B2 (en) 2015-02-02 2018-04-17 Tesla, Inc. Bifacial photovoltaic module using heterojunction solar cells
US9911935B2 (en) * 2015-09-04 2018-03-06 International Business Machines Corporation Transparent conducting oxide as top-electrode in perovskite solar cell by non-sputtering process
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
US9842956B2 (en) 2015-12-21 2017-12-12 Tesla, Inc. System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures
US9496429B1 (en) 2015-12-30 2016-11-15 Solarcity Corporation System and method for tin plating metal electrodes
US10115838B2 (en) 2016-04-19 2018-10-30 Tesla, Inc. Photovoltaic structures with interlocking busbars
US10672919B2 (en) 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
CN108321239A (zh) * 2017-12-21 2018-07-24 君泰创新（北京）科技有限公司 一种太阳能异质结电池及其制备方法
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules
CN109037383A (zh) * 2018-07-24 2018-12-18 君泰创新（北京）科技有限公司 一种hjt太阳能电池及其制作方法和光伏组件
US11476378B2 (en) * 2019-05-03 2022-10-18 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Solar-energy apparatus, methods, and applications
CN112614902B (zh) * 2020-11-27 2024-08-02 北京绿兴能源科技有限公司 一种用于异质结太阳电池的复合结构透明导电薄膜及其制备方法
CN114242809A (zh) * 2021-12-16 2022-03-25 中威新能源(成都)有限公司 一种太阳电池及其制作方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4162505A (en) * 1978-04-24 1979-07-24 Rca Corporation Inverted amorphous silicon solar cell utilizing cermet layers
US4163677A (en) * 1978-04-28 1979-08-07 Rca Corporation Schottky barrier amorphous silicon solar cell with thin doped region adjacent metal Schottky barrier
US4378460A (en) * 1981-08-31 1983-03-29 Rca Corporation Metal electrode for amorphous silicon solar cells
JPS59175166A (ja) * 1983-03-23 1984-10-03 Agency Of Ind Science & Technol アモルファス光電変換素子
JPH02106978A (ja) * 1988-10-15 1990-04-19 Sanyo Electric Co Ltd 集積型太陽電池の製造方法
EP0536431B1 (de) * 1991-10-07 1994-11-30 Siemens Aktiengesellschaft Laserbearbeitungsverfahren für einen Dünnschichtaufbau
US6123824A (en) * 1996-12-13 2000-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing photo-electricity generating device
JPH1146006A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Canon Inc 光起電力素子およびその製造方法
US6281426B1 (en) * 1997-10-01 2001-08-28 Midwest Research Institute Multi-junction, monolithic solar cell using low-band-gap materials lattice matched to GaAs or Ge
EP0966050A3 (de) * 1998-06-18 2004-11-17 Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Organische Leuchtdiode
US6344608B2 (en) * 1998-06-30 2002-02-05 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic element
US6077722A (en) * 1998-07-14 2000-06-20 Bp Solarex Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts
NO314525B1 (no) * 1999-04-22 2003-03-31 Thin Film Electronics Asa Fremgangsmåte ved fremstillingen av organiske halvledende innretninger i tynnfilm
US6784361B2 (en) * 2000-09-20 2004-08-31 Bp Corporation North America Inc. Amorphous silicon photovoltaic devices
US6774300B2 (en) * 2001-04-27 2004-08-10 Adrena, Inc. Apparatus and method for photovoltaic energy production based on internal charge emission in a solid-state heterostructure
US20030118865A1 (en) * 2001-08-27 2003-06-26 Marks Tobin J. High work function transparent conducting oxides as anodes for organic light-emitting diodes
FR2844136B1 (fr) * 2002-09-03 2006-07-28 Corning Inc Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques
JP4241446B2 (ja) * 2003-03-26 2009-03-18 キヤノン株式会社 積層型光起電力素子

Also Published As

Publication number Publication date
EP2054943A2 (en) 2009-05-06
US20080047602A1 (en) 2008-02-28
WO2008024205A2 (en) 2008-02-28
BRPI0716044A2 (pt) 2013-09-17
CA2659855A1 (en) 2008-02-28
WO2008024205A3 (en) 2008-05-02
RU2435250C2 (ru) 2011-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009110155A (ru) Фронтальный контакт с тсо с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом устройстве и способ его получения
EP2341555A3 (en) Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
KR101448448B1 (ko) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
RU2009120692A (ru) Передний электрод со слоем тонкой металлической пленки и буферным слоем с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом приборе и способ получения таковых
RU2009131070A (ru) Способ изготовления переднего ппо электрода для применения в фотоэлектрическом приборе или тому подобном
EP2290705A3 (en) Solar cell and fabricating method thereof
TWI463682B (zh) 異質接面太陽能電池
WO2009006910A3 (en) Photovoltaic cell based on zinc oxide nanorods and method for making the same
EP2472590A3 (en) Electrode, photovoltaic device, and method of making
JPWO2015166780A1 (ja) 結晶シリコン系太陽電池、結晶シリコン系太陽電池モジュール、およびそれらの製造方法
EP2403000A3 (en) Metallic gridlines as front contacts of a cadmium telluride based thin film photovoltaic device
CN110416328A (zh) 一种hjt电池及其制备方法
CN107393974A (zh) 复合电极及其制备方法及异质结太阳能电池及其制备方法
CN106098801A (zh) 一种异质结太阳能电池及其制备方法
CN109273607A (zh) 一种利用飞秒激光制备柔性大面积钙钛矿太阳能电池组件的方法
CN106847941A (zh) 一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法
CN103069578B (zh) 光伏器件及其制造方法
CN103746014A (zh) 一种ito栅线太阳能电池及其制备方法
RU2011144445A (ru) Светоизлучающее полупроводниковое устройство и способ его изготовления
JP2013540358A5 (ru)
KR20090128984A (ko) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
CN101820004A (zh) 一种光电分离的太阳能电池背反射器
CN209708992U (zh) 一种晶硅电池、晶硅电池组件及太阳能系统
CN110212041B (zh) 一种晶硅电池、晶硅电池组件及太阳能系统
WO2012130070A1 (en) Solar battery and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130810