RU2009131070A - Способ изготовления переднего ппо электрода для применения в фотоэлектрическом приборе или тому подобном - Google Patents

Способ изготовления переднего ппо электрода для применения в фотоэлектрическом приборе или тому подобном Download PDF

Info

Publication number
RU2009131070A
RU2009131070A RU2009131070/28A RU2009131070A RU2009131070A RU 2009131070 A RU2009131070 A RU 2009131070A RU 2009131070/28 A RU2009131070/28 A RU 2009131070/28A RU 2009131070 A RU2009131070 A RU 2009131070A RU 2009131070 A RU2009131070 A RU 2009131070A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electrode
glass substrate
target
atmosphere
semiconductor film
Prior art date
Application number
RU2009131070/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Алексей КРАСНОВ (US)
Алексей КРАСНОВ
Original Assignee
Гардиан Индастриз Корп. (Us)
Гардиан Индастриз Корп.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Гардиан Индастриз Корп. (Us), Гардиан Индастриз Корп. filed Critical Гардиан Индастриз Корп. (Us)
Publication of RU2009131070A publication Critical patent/RU2009131070A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10009—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
    • B32B17/10036—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising two outer glass sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/1055—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
    • B32B17/10761—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer containing vinyl acetal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/1055—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
    • B32B17/10788—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer containing ethylene vinylacetate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022475—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of indium tin oxide [ITO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Abstract

1. Способ изготовления фотоэлектрического прибора, содержащий: ! обеспечение стеклянной подложки; ! распыление по меньшей мере одной керамической мишени в некоторой атмосфере для того, чтобы осадить на стеклянной подложке по существу прозрачный проводящий электрод, содержащий оксид цинка; ! при этом керамическая мишень содержит оксид цинка; ! при этом атмосфера, в которой распыляют мишень, содержит газообразные аргон и кислород и имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,00001 до 0,0025; и ! использование стеклянной подложки с по меньшей мере упомянутым электродом на ней при изготовлении фотоэлектрического прибора, который включает в себя по меньшей мере одну полупроводниковую пленку. ! 2. Способ по п.1, в котором упомянутое использование стеклянной подложки с по меньшей мере упомянутым электродом на ней при изготовлении фотоэлектрического прибора содержит соединение стеклянной подложки с другой стеклянной подложкой с по меньшей мере упомянутыми электродом и полупроводниковой пленкой между ними. ! 3. Способ по п.1, в котором полупроводниковая пленка содержит аморфный кремний или CdTe. ! 4. Способ по п.1, в котором фотоэлектрический прибор дополнительно содержит тыльный электрод и/или отражатель, расположенный между по меньшей мере другой стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой. ! 5. Способ по п.1, в котором электрод дополнительно содержит алюминий, и при этом электрод содержит больше цинка, чем алюминия, и имеет поверхностное сопротивление (Rs) меньшее, чем примерно 50 ом/квадрат. ! 6. Способ по п.1, в котором электрод имеет поверхностное сопротивление (Rs) не большее, чем примерно 15 ом/квадрат. ! 7. �

Claims (30)

1. Способ изготовления фотоэлектрического прибора, содержащий:
обеспечение стеклянной подложки;
распыление по меньшей мере одной керамической мишени в некоторой атмосфере для того, чтобы осадить на стеклянной подложке по существу прозрачный проводящий электрод, содержащий оксид цинка;
при этом керамическая мишень содержит оксид цинка;
при этом атмосфера, в которой распыляют мишень, содержит газообразные аргон и кислород и имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,00001 до 0,0025; и
использование стеклянной подложки с по меньшей мере упомянутым электродом на ней при изготовлении фотоэлектрического прибора, который включает в себя по меньшей мере одну полупроводниковую пленку.
2. Способ по п.1, в котором упомянутое использование стеклянной подложки с по меньшей мере упомянутым электродом на ней при изготовлении фотоэлектрического прибора содержит соединение стеклянной подложки с другой стеклянной подложкой с по меньшей мере упомянутыми электродом и полупроводниковой пленкой между ними.
3. Способ по п.1, в котором полупроводниковая пленка содержит аморфный кремний или CdTe.
4. Способ по п.1, в котором фотоэлектрический прибор дополнительно содержит тыльный электрод и/или отражатель, расположенный между по меньшей мере другой стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой.
5. Способ по п.1, в котором электрод дополнительно содержит алюминий, и при этом электрод содержит больше цинка, чем алюминия, и имеет поверхностное сопротивление (Rs) меньшее, чем примерно 50 ом/квадрат.
6. Способ по п.1, в котором электрод имеет поверхностное сопротивление (Rs) не большее, чем примерно 15 ом/квадрат.
7. Способ по п.1, в котором электрод дополнительно содержит алюминий, и содержание алюминия в электроде и/или мишени составляет от примерно 1-5%.
8. Способ по п.1, в котором электрод непосредственно контактирует со стеклянной подложкой.
9. Способ по п.1, дополнительно содержащий этап формирования противоотражающего покрытия на стеклянной подложке так, что это противоотражающее покрытие размещают между стеклянной подложкой и электродом.
10. Способ по п.1, в котором атмосфера, в которой распыляют мишень, имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,0001 до 0,002.
11. Способ по п.1, в котором атмосфера, в которой распыляют мишень, имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,0001 до 0,0015.
12. Способ изготовления электрода для использования в электронном приборе, содержащий:
обеспечение стеклянной подложки;
распыление по меньшей мере одной керамической мишени в некоторой атмосфере для того, чтобы осадить на стеклянной подложке по существу прозрачный проводящий электрод, содержащий оксид цинка;
при этом керамическая мишень содержит оксид цинка; и
при этом атмосфера, в которой распыляют мишень, содержит газообразные аргон и кислород и имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,00001 до 0,0025.
13. Способ по п.12, дополнительно содержащий обеспечение полупроводниковой пленки, содержащей аморфный кремний или CdTe, прилегающей к электроду.
14. Способ по п.12, в котором электрод дополнительно содержит алюминий, и при этом электрод содержит больше цинка, чем алюминия, и имеет поверхностное сопротивление (Rs) меньшее, чем примерно 50 ом/квадрат.
15. Способ по п.12, в котором электрод дополнительно содержит алюминий, и содержание алюминия в электроде и/или мишени составляет от примерно 1-5%.
16. Способ по п.12, в котором атмосфера, в которой распыляют мишень, имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,0001 до 0,002.
17. Способ по п.12, в котором атмосфера, в которой распыляют мишень, имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,0001 до 0,0015.
18. Способ изготовления фотоэлектрического прибора, содержащий:
обеспечение стеклянной подложки;
распыление по меньшей мере одной керамической мишени в некоторой атмосфере для того, чтобы осадить на стеклянной подложке по существу прозрачный проводящий электрод, содержащий оксид индия-олова;
при этом керамическая мишень содержит оксид индия-олова;
при этом атмосфера, в которой распыляют мишень, содержит газообразные аргон и кислород и имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,003 до 0,017; и
использование стеклянной подложки с по меньшей мере упомянутым электродом на ней при изготовлении фотоэлектрического прибора, который включает в себя по меньшей мере одну полупроводниковую пленку.
19. Способ по п.18, в котором упомянутое использование стеклянной подложки с по меньшей мере упомянутым электродом на ней при изготовлении фотоэлектрического прибора содержит соединение стеклянной подложки с другой стеклянной подложкой с по меньшей мере упомянутыми электродом и полупроводниковой пленкой между ними.
20. Способ по п.18, в котором полупроводниковая пленка содержит аморфный кремний или CdTe.
21. Способ по п.18, в котором электрод имеет поверхностное сопротивление (Rs) меньшее, чем примерно 50 ом/квадрат.
22. Способ по п.18, в котором электрод непосредственно контактирует со стеклянной подложкой.
23. Способ по п.18, дополнительно содержащий формирования противоотражающего покрытия на стеклянной подложке так, что это противоотражающее покрытие размещают между стеклянной подложкой и электродом.
24. Способ по п.18, в котором атмосфера, в которой распыляют мишень, имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,004 до 0,016.
25. Способ по п.18, в котором атмосфера, в которой распыляют мишень, имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,005 до 0,015.
26. Способ изготовления электрода для использования в электронном приборе, содержащий:
обеспечение стеклянной подложки;
распыление по меньшей мере одной керамической мишени в некоторой атмосфере для того, чтобы осадить на стеклянной подложке по существу прозрачный проводящий электрод, содержащий оксид индия-олова;
при этом керамическая мишень содержит оксид индия-олова; и
при этом атмосфера, в которой распыляют мишень, содержит газообразные аргон и кислород и имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,003 до 0,017.
27. Способ по п.26, дополнительно содержащий обеспечение полупроводниковой пленки, содержащей аморфный кремний или CdTe, прилегающей к электроду.
28. Способ по п.26, в котором атмосфера, в которой распыляют мишень, имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,004 до 0,016.
29. Способ по п.26, в котором атмосфера, в которой распыляют мишень, имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,008 до 0,014.
30. Способ по п.26, в котором мишень содержит больше индия, чем олова.
RU2009131070/28A 2007-01-16 2007-12-18 Способ изготовления переднего ппо электрода для применения в фотоэлектрическом приборе или тому подобном RU2009131070A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/653,431 US20080169021A1 (en) 2007-01-16 2007-01-16 Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like
US11/653,431 2007-01-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2009131070A true RU2009131070A (ru) 2011-02-27

Family

ID=39616845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009131070/28A RU2009131070A (ru) 2007-01-16 2007-12-18 Способ изготовления переднего ппо электрода для применения в фотоэлектрическом приборе или тому подобном

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20080169021A1 (ru)
EP (1) EP2102916A2 (ru)
BR (1) BRPI0721027A2 (ru)
RU (1) RU2009131070A (ru)
WO (1) WO2008088543A2 (ru)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008007770A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Transparent conducting layer coated film and its use
US20080105293A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8012317B2 (en) * 2006-11-02 2011-09-06 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US7964788B2 (en) * 2006-11-02 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8076571B2 (en) * 2006-11-02 2011-12-13 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080302414A1 (en) * 2006-11-02 2008-12-11 Den Boer Willem Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105299A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same
US8203073B2 (en) * 2006-11-02 2012-06-19 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080178932A1 (en) * 2006-11-02 2008-07-31 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US8334452B2 (en) 2007-01-08 2012-12-18 Guardian Industries Corp. Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like
US20080223430A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
US20080308145A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Guardian Industries Corp Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080308146A1 (en) * 2007-06-14 2008-12-18 Guardian Industries Corp. Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US7888594B2 (en) * 2007-11-20 2011-02-15 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
US20090194155A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US20090194157A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US8022291B2 (en) * 2008-10-15 2011-09-20 Guardian Industries Corp. Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device
FR2939240B1 (fr) * 2008-12-03 2011-02-18 Saint Gobain Element en couches et dispositif photovoltaique comprenant un tel element
US8445373B2 (en) * 2009-05-28 2013-05-21 Guardian Industries Corp. Method of enhancing the conductive and optical properties of deposited indium tin oxide (ITO) thin films
JP5878465B2 (ja) * 2009-07-13 2016-03-08 ファースト ソーラー インコーポレイテッド 太陽電池フロントコンタクトのドーピング
US10167572B2 (en) 2009-08-07 2019-01-01 Guardian Glass, LLC Large area deposition of graphene via hetero-epitaxial growth, and products including the same
US8236118B2 (en) * 2009-08-07 2012-08-07 Guardian Industries Corp. Debonding and transfer techniques for hetero-epitaxially grown graphene, and products including the same
US10164135B2 (en) * 2009-08-07 2018-12-25 Guardian Glass, LLC Electronic device including graphene-based layer(s), and/or method or making the same
US8507797B2 (en) * 2009-08-07 2013-08-13 Guardian Industries Corp. Large area deposition and doping of graphene, and products including the same
US20110100446A1 (en) * 2009-11-05 2011-05-05 Guardian Industries Corp. High haze transparent contact including ion-beam treated layer for solar cells, and/or method of making the same
US20110168252A1 (en) * 2009-11-05 2011-07-14 Guardian Industries Corp. Textured coating with etching-blocking layer for thin-film solar cells and/or methods of making the same
US20110186120A1 (en) * 2009-11-05 2011-08-04 Guardian Industries Corp. Textured coating with various feature sizes made by using multiple-agent etchant for thin-film solar cells and/or methods of making the same
US20110132450A1 (en) * 2009-11-08 2011-06-09 First Solar, Inc. Back Contact Deposition Using Water-Doped Gas Mixtures
US8617641B2 (en) * 2009-11-12 2013-12-31 Guardian Industries Corp. Coated article comprising colloidal silica inclusive anti-reflective coating, and method of making the same
US8808810B2 (en) 2009-12-15 2014-08-19 Guardian Industries Corp. Large area deposition of graphene on substrates, and products including the same
US8518472B2 (en) 2010-03-04 2013-08-27 Guardian Industries Corp. Large-area transparent conductive coatings including doped carbon nanotubes and nanowire composites, and methods of making the same
US8604332B2 (en) 2010-03-04 2013-12-10 Guardian Industries Corp. Electronic devices including transparent conductive coatings including carbon nanotubes and nanowire composites, and methods of making the same
US8460747B2 (en) 2010-03-04 2013-06-11 Guardian Industries Corp. Large-area transparent conductive coatings including alloyed carbon nanotubes and nanowire composites, and methods of making the same
US9276142B2 (en) 2010-12-17 2016-03-01 First Solar, Inc. Methods for forming a transparent oxide layer for a photovoltaic device
US8476105B2 (en) 2010-12-22 2013-07-02 General Electric Company Method of making a transparent conductive oxide layer and a photovoltaic device
US20120024362A1 (en) * 2011-05-31 2012-02-02 Primestar Solar, Inc. Refractive index matching of thin film layers for photovoltaic devices and methods of their manufacture
PT106301A (pt) * 2012-05-09 2013-11-11 Yd Ynvisible S A Método de deposição de tco em papel usando pulverização catódica por rádio-frequência e corrente contínua, e sua aplicação em dispositivos electrocrómicos
US10431354B2 (en) 2013-03-15 2019-10-01 Guardian Glass, LLC Methods for direct production of graphene on dielectric substrates, and associated articles/devices
US9593019B2 (en) 2013-03-15 2017-03-14 Guardian Industries Corp. Methods for low-temperature graphene precipitation onto glass, and associated articles/devices
US10145005B2 (en) 2015-08-19 2018-12-04 Guardian Glass, LLC Techniques for low temperature direct graphene growth on glass
CN106082699B (zh) * 2016-06-20 2018-07-27 东莞市银建玻璃工程有限公司 一种蓝灰低辐射low-e玻璃

Family Cites Families (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL127148C (ru) * 1963-12-23
US4155781A (en) * 1976-09-03 1979-05-22 Siemens Aktiengesellschaft Method of manufacturing solar cells, utilizing single-crystal whisker growth
US4162505A (en) * 1978-04-24 1979-07-24 Rca Corporation Inverted amorphous silicon solar cell utilizing cermet layers
US4163677A (en) * 1978-04-28 1979-08-07 Rca Corporation Schottky barrier amorphous silicon solar cell with thin doped region adjacent metal Schottky barrier
US4213798A (en) * 1979-04-27 1980-07-22 Rca Corporation Tellurium schottky barrier contact for amorphous silicon solar cells
US4378460A (en) * 1981-08-31 1983-03-29 Rca Corporation Metal electrode for amorphous silicon solar cells
US4554727A (en) * 1982-08-04 1985-11-26 Exxon Research & Engineering Company Method for making optically enhanced thin film photovoltaic device using lithography defined random surfaces
JPS59175166A (ja) * 1983-03-23 1984-10-03 Agency Of Ind Science & Technol アモルファス光電変換素子
US4598306A (en) * 1983-07-28 1986-07-01 Energy Conversion Devices, Inc. Barrier layer for photovoltaic devices
US4598396A (en) * 1984-04-03 1986-07-01 Itt Corporation Duplex transmission mechanism for digital telephones
US4689438A (en) * 1984-10-17 1987-08-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
US4663495A (en) * 1985-06-04 1987-05-05 Atlantic Richfield Company Transparent photovoltaic module
AU616736B2 (en) * 1988-03-03 1991-11-07 Asahi Glass Company Limited Amorphous oxide film and article having such film thereon
US4909863A (en) * 1988-07-13 1990-03-20 University Of Delaware Process for levelling film surfaces and products thereof
US5091764A (en) * 1988-09-30 1992-02-25 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Semiconductor device having a transparent electrode and amorphous semiconductor layers
US4940495A (en) * 1988-12-07 1990-07-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photovoltaic device having light transmitting electrically conductive stacked films
JP3117446B2 (ja) * 1989-06-15 2000-12-11 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物導電膜の成膜加工方法
AU8872891A (en) * 1990-10-15 1992-05-20 United Solar Systems Corporation Monolithic solar cell array and method for its manufacture
DE4126738A1 (de) * 1990-12-11 1992-06-17 Claussen Nils Zr0(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-haltiger keramikformkoerper
US5256858A (en) * 1991-08-29 1993-10-26 Tomb Richard H Modular insulation electrically heated building panel with evacuated chambers
US5667880A (en) * 1992-07-20 1997-09-16 Fuji Photo Optical Co., Ltd. Electroconductive antireflection film
JP2771414B2 (ja) * 1992-12-28 1998-07-02 キヤノン株式会社 太陽電池の製造方法
JP3530595B2 (ja) * 1993-09-30 2004-05-24 キヤノン株式会社 太陽電池モジュール
JP3029178B2 (ja) * 1994-04-27 2000-04-04 キヤノン株式会社 薄膜半導体太陽電池の製造方法
GB9500330D0 (en) * 1995-01-09 1995-03-01 Pilkington Plc Coatings on glass
FR2730990B1 (fr) * 1995-02-23 1997-04-04 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent a revetement anti-reflets
US5667853A (en) * 1995-03-22 1997-09-16 Toppan Printing Co., Ltd. Multilayered conductive film, and transparent electrode substrate and liquid crystal device using the same
JP3431776B2 (ja) * 1995-11-13 2003-07-28 シャープ株式会社 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池用基板加工装置
US5756192A (en) * 1996-01-16 1998-05-26 Ford Motor Company Multilayer coating for defrosting glass
US6433913B1 (en) * 1996-03-15 2002-08-13 Gentex Corporation Electro-optic device incorporating a discrete photovoltaic device and method and apparatus for making same
GB9619134D0 (en) * 1996-09-13 1996-10-23 Pilkington Plc Improvements in or related to coated glass
US6406639B2 (en) * 1996-11-26 2002-06-18 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Method of partially forming oxide layer on glass substrate
US6123824A (en) * 1996-12-13 2000-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing photo-electricity generating device
JP3805889B2 (ja) * 1997-06-20 2006-08-09 株式会社カネカ 太陽電池モジュールおよびその製造方法
JPH1146006A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Canon Inc 光起電力素子およびその製造方法
US6222117B1 (en) * 1998-01-05 2001-04-24 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device, manufacturing method of photovoltaic device, photovoltaic device integrated with building material and power-generating apparatus
DE69909987T2 (de) * 1998-03-05 2004-05-27 Asahi Glass Co., Ltd. Sputtertarget, transparenter leitender film und verfahren zu dessen herstellung
US6344608B2 (en) * 1998-06-30 2002-02-05 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic element
FR2781062B1 (fr) * 1998-07-09 2002-07-12 Saint Gobain Vitrage Vitrage a proprietes optiques et/ou energetiques electrocommandables
US6077722A (en) * 1998-07-14 2000-06-20 Bp Solarex Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts
FR2791147B1 (fr) * 1999-03-19 2002-08-30 Saint Gobain Vitrage Dispositif electrochimique du type dispositif electrocommandable a proprietes optiques et/ou energetiques variables
TW463528B (en) * 1999-04-05 2001-11-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence element and their preparation
NO314525B1 (no) * 1999-04-22 2003-03-31 Thin Film Electronics Asa Fremgangsmåte ved fremstillingen av organiske halvledende innretninger i tynnfilm
US6187824B1 (en) * 1999-08-25 2001-02-13 Nyacol Nano Technologies, Inc. Zinc oxide sol and method of making
DE19958878B4 (de) * 1999-12-07 2012-01-19 Saint-Gobain Glass Deutschland Gmbh Dünnschicht-Solarzelle
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
US6576349B2 (en) * 2000-07-10 2003-06-10 Guardian Industries Corp. Heat treatable low-E coated articles and methods of making same
US7267879B2 (en) * 2001-02-28 2007-09-11 Guardian Industries Corp. Coated article with silicon oxynitride adjacent glass
US6784361B2 (en) * 2000-09-20 2004-08-31 Bp Corporation North America Inc. Amorphous silicon photovoltaic devices
JP2002260448A (ja) * 2000-11-21 2002-09-13 Nippon Sheet Glass Co Ltd 導電膜、その製造方法、それを備えた基板および光電変換装置
JP4171179B2 (ja) * 2001-01-22 2008-10-22 三洋電機株式会社 光電変換素子
KR100768176B1 (ko) * 2001-02-07 2007-10-17 삼성에스디아이 주식회사 광학적 전기적 특성을 지닌 기능성 박막
US6774300B2 (en) * 2001-04-27 2004-08-10 Adrena, Inc. Apparatus and method for photovoltaic energy production based on internal charge emission in a solid-state heterostructure
AU2002259152A1 (en) * 2001-05-08 2002-11-18 Bp Corporation North America Inc. Improved photovoltaic device
US6589657B2 (en) * 2001-08-31 2003-07-08 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Anti-reflection coatings and associated methods
US6936347B2 (en) * 2001-10-17 2005-08-30 Guardian Industries Corp. Coated article with high visible transmission and low emissivity
FR2832706B1 (fr) * 2001-11-28 2004-07-23 Saint Gobain Substrat transparent muni d'une electrode
US6830817B2 (en) * 2001-12-21 2004-12-14 Guardian Industries Corp. Low-e coating with high visible transmission
US7169722B2 (en) * 2002-01-28 2007-01-30 Guardian Industries Corp. Clear glass composition with high visible transmittance
US7037869B2 (en) * 2002-01-28 2006-05-02 Guardian Industries Corp. Clear glass composition
US6919133B2 (en) * 2002-03-01 2005-07-19 Cardinal Cg Company Thin film coating having transparent base layer
KR100505536B1 (ko) * 2002-03-27 2005-08-04 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 투명한 도전성 박막, 그것의 제조방법, 그것의 제조를위한 소결 타겟, 디스플레이 패널용의 투명한 전기전도성기재, 및 유기 전기루미네선스 디바이스
EP1536508B1 (en) * 2002-08-13 2014-06-25 Bridgestone Corporation Improvement of dye-sensitized solar cell
FR2844136B1 (fr) * 2002-09-03 2006-07-28 Corning Inc Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques
FR2844364B1 (fr) * 2002-09-11 2004-12-17 Saint Gobain Substrat diffusant
TW583466B (en) * 2002-12-09 2004-04-11 Hannstar Display Corp Structure of liquid crystal display
TWI232066B (en) * 2002-12-25 2005-05-01 Au Optronics Corp Manufacturing method of organic light emitting diode for reducing reflection of external light
JP4241446B2 (ja) * 2003-03-26 2009-03-18 キヤノン株式会社 積層型光起電力素子
WO2004102677A1 (ja) * 2003-05-13 2004-11-25 Asahi Glass Company, Limited 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法
US7087309B2 (en) * 2003-08-22 2006-08-08 Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A. (C.R.V.C.) Coated article with tin oxide, silicon nitride and/or zinc oxide under IR reflecting layer and corresponding method
JP4761706B2 (ja) * 2003-12-25 2011-08-31 京セラ株式会社 光電変換装置の製造方法
US8524051B2 (en) * 2004-05-18 2013-09-03 Centre Luxembourg de Recherches pour le Verre et al Ceramique S. A. (C.R.V.C.) Coated article with oxidation graded layer proximate IR reflecting layer(s) and corresponding method
US20050257824A1 (en) * 2004-05-24 2005-11-24 Maltby Michael G Photovoltaic cell including capping layer
US7700869B2 (en) * 2005-02-03 2010-04-20 Guardian Industries Corp. Solar cell low iron patterned glass and method of making same
US7531239B2 (en) * 2005-04-06 2009-05-12 Eclipse Energy Systems Inc Transparent electrode
US7597964B2 (en) * 2005-08-02 2009-10-06 Guardian Industries Corp. Thermally tempered coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating
JP2007067194A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Fujifilm Corp 有機光電変換素子、および積層型光電変換素子
US20070184573A1 (en) * 2006-02-08 2007-08-09 Guardian Industries Corp., Method of making a thermally treated coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating for use in a semiconductor device
US20070193624A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Guardian Industries Corp. Indium zinc oxide based front contact for photovoltaic device and method of making same
US8648252B2 (en) * 2006-03-13 2014-02-11 Guardian Industries Corp. Solar cell using low iron high transmission glass and corresponding method
US7557053B2 (en) * 2006-03-13 2009-07-07 Guardian Industries Corp. Low iron high transmission float glass for solar cell applications and method of making same
US20080047602A1 (en) * 2006-08-22 2008-02-28 Guardian Industries Corp. Front contact with high-function TCO for use in photovoltaic device and method of making same
US20080047603A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Guardian Industries Corp. Front contact with intermediate layer(s) adjacent thereto for use in photovoltaic device and method of making same
US8076571B2 (en) * 2006-11-02 2011-12-13 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105293A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105298A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105299A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same
US8203073B2 (en) * 2006-11-02 2012-06-19 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8012317B2 (en) * 2006-11-02 2011-09-06 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080178932A1 (en) * 2006-11-02 2008-07-31 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US8334452B2 (en) * 2007-01-08 2012-12-18 Guardian Industries Corp. Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like
US20080223430A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
US20080223436A1 (en) * 2007-03-15 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Back reflector for use in photovoltaic device
US7888594B2 (en) * 2007-11-20 2011-02-15 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
US20090194155A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US20090194157A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same

Also Published As

Publication number Publication date
BRPI0721027A2 (pt) 2014-07-29
WO2008088543A3 (en) 2008-12-24
US20080169021A1 (en) 2008-07-17
EP2102916A2 (en) 2009-09-23
WO2008088543A2 (en) 2008-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009131070A (ru) Способ изготовления переднего ппо электрода для применения в фотоэлектрическом приборе или тому подобном
RU2009137906A (ru) Буферный слой для структуры переднего электрода в фотоэлектрическом приборе или ему подобном
Park et al. Highly flexible InSnO electrodes on thin colourless polyimide substrate for high-performance flexible CH3NH3PbI3 perovskite solar cells
ES2347494T3 (es) Electrodo frontal a base de oxido de cinc dopado con itrio para su uso en dispositivo fotovoltaico similares.
EP2690683B1 (en) Transparent conductive oxide thin film substrate, method of fabricating the same, and organic light-emitting device and photovoltaic cell having the same
EP2341555A3 (en) Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20130040516A1 (en) Transparent electrode based on combination of transparent conductive oxides, metals and oxides
MY160173A (en) Light transmittance optimizing coated glass article for solar cell and method for making
KR101448448B1 (ko) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
US10153386B2 (en) Photovaltaic device conducting layer
RU2009120669A (ru) Передний электрод для использования в фотоэлектрическом приборе и способ его изготовления
BR0214368A (pt) Substrato vìtreo, utilização do substrato e célula solar
EP2290705A3 (en) Solar cell and fabricating method thereof
WO2010003066A3 (en) Transparent conducting electrode
AU2010286811A2 (en) Doped transparent conductive oxide
WO2016043231A1 (ja) 発光素子、表示装置および照明装置
US20170110257A1 (en) Flexible ti-in-zn-o transparent electrode for dye-sensitized solar cell, and metal-inserted three-layer transparent electrode with high conductivity using same and manufacturing method therefor
AU2011202979B2 (en) Apparatus and methods of forming a conductive transparent oxide film layer for use in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device
JP2011009302A (ja) 薄膜太陽電池用裏面電極の形成方法
CN207009459U (zh) 一种正反两面均可发电的硅基异质结太阳能电池
CN103427033A (zh) 导电薄膜、其制备方法及应用
US20120060923A1 (en) Photovoltaic device barrier layer
US20110240117A1 (en) Photovoltaic device with transparent conducting layer
MY159658A (en) Coated substrates and semiconductor devices including the substrates
JP2011091063A (ja) Ｏｌｅｄデバイスの性能を向上させるための改善された透明電極材料