RU2008135965A - Способ изготовления термообработанного покрытого изделия с прозрачным покрытием из проводящего оксида (ппо) для использования в полупроводниковом устройстве - Google Patents

Способ изготовления термообработанного покрытого изделия с прозрачным покрытием из проводящего оксида (ппо) для использования в полупроводниковом устройстве Download PDF

Info

Publication number
RU2008135965A
RU2008135965A RU2008135965/03A RU2008135965A RU2008135965A RU 2008135965 A RU2008135965 A RU 2008135965A RU 2008135965/03 A RU2008135965/03 A RU 2008135965/03A RU 2008135965 A RU2008135965 A RU 2008135965A RU 2008135965 A RU2008135965 A RU 2008135965A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
film
glass substrate
metal oxide
substantially amorphous
znalo
Prior art date
Application number
RU2008135965/03A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2436743C2 (ru
Inventor
Алексей КРАСНОВ (US)
Алексей КРАСНОВ
Original Assignee
Гардиан Индастриз Корп. (Us)
Гардиан Индастриз Корп.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Гардиан Индастриз Корп. (Us), Гардиан Индастриз Корп. filed Critical Гардиан Индастриз Корп. (Us)
Publication of RU2008135965A publication Critical patent/RU2008135965A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2436743C2 publication Critical patent/RU2436743C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23—Oxides
    • C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3429—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3429—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
    • C03C17/3464—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a chalcogenide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5806—Thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C03C2217/211—SnO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C03C2217/216—ZnO
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C03C2217/24—Doped oxides
    • C03C2217/244—Doped oxides with Sb
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/25—Metals
    • C03C2217/251—Al, Cu, Mg or noble metals
    • C03C2217/254—Noble metals
    • C03C2217/256—Ag
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

1. Способ изготовления термообрабатываемого устройства, включающего полупроводниковую пленку и прозрачную пленку из проводящего оксида металла (ППО), нанесенную на стеклянную подложку, причем способ включает ! получение стеклянной подложки; ! осаждение путем напыления пленки на основе, по существу, аморфного оксида металла, содержащей Sn и Sb, на стеклянную подложку приблизительно при комнатной температуре; ! формирование полупроводниковой пленки на стеклянной подложке поверх пленки на основе, по существу, аморфного оксида металла; ! термообработку стеклянной подложки с пленкой на основе, по существу, аморфного оксида металла, содержащей Sn и Sb, и нанесенной на нее полупроводниковой пленкой; ! причем тепло, используемое в упомянутой термообработке, вызывает преобразование, по существу, аморфной пленки в, по существу, кристаллическую пленку, содержащую Sn и Sb, и при этом, по существу, кристаллическая пленка является электропроводной и прозрачной для видимого света. ! 2. Способ по п.1, в котором тепло, используемое при упомянутой термообработке, вызывает понижение поверхностного электросопротивления слоя, по существу, аморфной пленки, по меньшей мере, примерно на 20 Ом/100 кв.фут. ! 3. Способ по п.1, в котором тепло, используемое при упомянутой термообработке, вызывает понижение поверхностного электросопротивления слоя, по существу, аморфной пленки, по меньшей мере, примерно на 50 Ом/100 кв.фут. ! 4. Способ по п.1, в котором термообработка включает термообработку стеклянной подложки с пленкой на основе, по существу, аморфного оксида металла, содержащей Sn и Sb, и нанесенной на нее полупроводниковой пленкой, при температуре примерно 2

Claims (18)

1. Способ изготовления термообрабатываемого устройства, включающего полупроводниковую пленку и прозрачную пленку из проводящего оксида металла (ППО), нанесенную на стеклянную подложку, причем способ включает
получение стеклянной подложки;
осаждение путем напыления пленки на основе, по существу, аморфного оксида металла, содержащей Sn и Sb, на стеклянную подложку приблизительно при комнатной температуре;
формирование полупроводниковой пленки на стеклянной подложке поверх пленки на основе, по существу, аморфного оксида металла;
термообработку стеклянной подложки с пленкой на основе, по существу, аморфного оксида металла, содержащей Sn и Sb, и нанесенной на нее полупроводниковой пленкой;
причем тепло, используемое в упомянутой термообработке, вызывает преобразование, по существу, аморфной пленки в, по существу, кристаллическую пленку, содержащую Sn и Sb, и при этом, по существу, кристаллическая пленка является электропроводной и прозрачной для видимого света.
2. Способ по п.1, в котором тепло, используемое при упомянутой термообработке, вызывает понижение поверхностного электросопротивления слоя, по существу, аморфной пленки, по меньшей мере, примерно на 20 Ом/100 кв.фут.
3. Способ по п.1, в котором тепло, используемое при упомянутой термообработке, вызывает понижение поверхностного электросопротивления слоя, по существу, аморфной пленки, по меньшей мере, примерно на 50 Ом/100 кв.фут.
4. Способ по п.1, в котором термообработка включает термообработку стеклянной подложки с пленкой на основе, по существу, аморфного оксида металла, содержащей Sn и Sb, и нанесенной на нее полупроводниковой пленкой, при температуре примерно 200°C.
5. Способ по п.1, в котором термообработка включает термообработку стеклянной подложки с пленкой на основе, по существу, аморфного оксида металла, содержащей Sn и Sb, и нанесенной на нее полупроводниковой пленкой, при температуре примерно 400-630°C.
6. Способ по п.1, в котором, по существу, кристаллическая пленка обладает поверхностным сопротивлением слоя не более примерно 100 Ом/100 кв.фут.
7. Способ по п.1, в котором, по существу, кристаллическая пленка содержит оксид Sn, и в котором содержание Sb в кристаллической пленке составляет примерно 0,001-30%.
8. Способ по п.1, в котором, по существу, кристаллическая пленка содержит оксид Sn, и в котором содержание Sb в кристаллической пленке составляет примерно 1-15%.
9. Способ по п.1, в котором на стеклянной подложке находится другой слой, расположенный между стеклянной подложкой и кристаллической пленкой.
10. Способ по п.1, в котором кристаллическая пленка содержит SnOx:Sb и пропускает, по меньшей мере, примерно 70% видимого света.
11. Способ по п.1, в котором упомянутая термообработка является частью этапа хлорирования при изготовлении фотогальванического прибора.
12. Способ по п.1, в котором упомянутое осаждение напылением включает напыление, по меньшей мере, одной керамической мишени ионного распыления, содержащей оксид Sn:Sb.
13. Способ по п.1, в котором устройство представляет собой фотогальванический прибор, в котором, по существу, кристаллическая пленка, содержащая Sn и Sb, используется в качестве фронтального электрода или контакта фотоэлектронного прибора, и в котором фотоэлектронный прибор представляет собой полупроводниковую пленку.
14. Способ изготовления фотоэлектронного прибора, включающего способ по п.1.
15. Способ изготовления термообрабатываемого устройства, включающего полупроводниковую пленку и прозрачную пленку из проводящего оксида металла (ППО) на стеклянной подложке, причем способ включает
получение стеклянной подложки;
осаждение путем напыления пленки на основе, по существу, аморфного оксида металла, содержащей ZnAlOx:Ag и/или ZnAlOx, на стеклянной подложке приблизительно при комнатной температуре;
формирование полупроводниковой пленки на стеклянной подложке поверх пленки, по существу, аморфного оксида металла;
термообработку стеклянной подложки с пленкой на основе, по существу, аморфного оксида металла, содержащей ZnAlOx:Ag и/или ZnAlOx, и нанесенную на нее полупроводниковую пленку;
причем тепло, используемое в упомянутой термообработке, вызывает преобразование, по существу, аморфной пленки в, по существу, кристаллическую пленку, содержащую ZnAlOx:Ag и/или ZnAlOx, и при этом, по существу, кристаллическая пленка является электропроводной и прозрачной для видимого света.
16. Способ по п.15, в котором тепло, используемое в упомянутой термообработке, вызывает понижение поверхностного сопротивления слоя, по существу, аморфной пленки, по меньшей мере, примерно на 20 Ом/100 кв.фут.
17. Способ изготовления термообрабатываемого устройства, включающего полупроводниковую пленку и прозрачную пленку из проводящего оксида металла (ППО) на стеклянной подложке, причем способ включает
получение стеклянной подложки;
осаждение путем напыления пленки на основе оксида металла, содержащей ZnAlOx:Ag и/или ZnAlOx, на стеклянной подложке, приблизительно при комнатной температуре;
формирование полупроводниковой пленки на стеклянной подложке поверх пленки на основе оксида металла;
термообработку стеклянной подложки с пленкой на основе оксида металла, содержащей ZnAlOx:Ag и/или ZnAlOx, и нанесенной на нее полупроводниковой пленкой, вследствие чего после упомянутой термообработки пленка, содержащая ZnAlOx:Ag и/или ZnAlOx, является электропроводной и, по существу, прозрачной, по меньшей мере, для видимого света.
18. Способ по п.17, в котором устройство представляет собой фотоэлектронный прибор, в котором пленку, содержащую ZnAlOx:Ag и/или ZnAlOx, используют в качестве фронтального электрода или контакта фотоэлектронного прибора, причем полупроводниковая пленка представляет собой фотоэлектрическую пленку.
RU2008135965/03A 2006-02-08 2007-01-12 Способ изготовления термообработанного покрытого изделия с прозрачным покрытием из проводящего оксида (ппо) для использования в полупроводниковом устройстве RU2436743C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/349,346 2006-02-08
US11/349,346 US20070184573A1 (en) 2006-02-08 2006-02-08 Method of making a thermally treated coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating for use in a semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008135965A true RU2008135965A (ru) 2010-03-20
RU2436743C2 RU2436743C2 (ru) 2011-12-20

Family

ID=38038520

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008135965/03A RU2436743C2 (ru) 2006-02-08 2007-01-12 Способ изготовления термообработанного покрытого изделия с прозрачным покрытием из проводящего оксида (ппо) для использования в полупроводниковом устройстве

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20070184573A1 (ru)
EP (1) EP1981821A1 (ru)
BR (1) BRPI0707539A2 (ru)
CA (1) CA2633717A1 (ru)
RU (1) RU2436743C2 (ru)
WO (1) WO2007092120A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113354297A (zh) * 2021-06-02 2021-09-07 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 抗菌化合物材料、抗菌玻璃及制备方法与应用

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1388597B1 (en) * 2001-04-04 2013-02-13 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. METHOD FOR MANUFACTURING n-type ZnTe COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL ON A ZNTE SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
US7597964B2 (en) * 2005-08-02 2009-10-06 Guardian Industries Corp. Thermally tempered coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating
US8298380B2 (en) 2006-05-23 2012-10-30 Guardian Industries Corp. Method of making thermally tempered coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating in color compression configuration, and product made using same
US20080178932A1 (en) * 2006-11-02 2008-07-31 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US7964788B2 (en) * 2006-11-02 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080302414A1 (en) * 2006-11-02 2008-12-11 Den Boer Willem Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105298A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8076571B2 (en) * 2006-11-02 2011-12-13 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8012317B2 (en) * 2006-11-02 2011-09-06 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US8203073B2 (en) * 2006-11-02 2012-06-19 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105299A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105293A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8334452B2 (en) * 2007-01-08 2012-12-18 Guardian Industries Corp. Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like
US20080169021A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Guardian Industries Corp. Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like
US20080223430A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
DE102007024986A1 (de) * 2007-05-28 2008-12-04 Forschungszentrum Jülich GmbH Temperaturstabile TCO-Schicht, Verfahren zur Herstellung und Anwendung
US20080308145A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Guardian Industries Corp Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080308146A1 (en) * 2007-06-14 2008-12-18 Guardian Industries Corp. Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US7888594B2 (en) * 2007-11-20 2011-02-15 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
US20090162970A1 (en) * 2007-12-20 2009-06-25 Yang Michael X Material modification in solar cell fabrication with ion doping
US20090194157A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US20090194155A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
FR2932611B1 (fr) * 2008-06-11 2010-11-12 Saint Gobain Cellule photovoltaique et substrat de cellule photovoltaique
FR2932610B1 (fr) * 2008-06-11 2010-11-12 Saint Gobain Cellule photovoltaique et substrat de cellule photovoltaique
US8022291B2 (en) * 2008-10-15 2011-09-20 Guardian Industries Corp. Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device
US8354586B2 (en) 2010-10-01 2013-01-15 Guardian Industries Corp. Transparent conductor film stack with cadmium stannate, corresponding photovoltaic device, and method of making same
US20130019934A1 (en) * 2011-07-22 2013-01-24 Primestar Solar, Inc. Oxygen getter layer for photovoltaic devices and methods of their manufacture
RU2671236C1 (ru) * 2017-12-27 2018-10-30 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) Прозрачный проводящий оксид

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4456630A (en) * 1983-08-18 1984-06-26 Monosolar, Inc. Method of forming ohmic contacts
US4650921A (en) * 1985-10-24 1987-03-17 Atlantic Richfield Company Thin film cadmium telluride solar cell
US4734381A (en) * 1985-10-24 1988-03-29 Atlantic Richfield Company Method of making a thin film cadmium telluride solar cell
US4873198A (en) * 1986-10-21 1989-10-10 Ametek, Inc. Method of making photovoltaic cell with chloride dip
US4968354A (en) * 1987-11-09 1990-11-06 Fuji Electric Co., Ltd. Thin film solar cell array
DE4132882C2 (de) * 1991-10-03 1996-05-09 Antec Angewandte Neue Technolo Verfahren zur Herstellung von pn CdTe/CdS-Dünnschichtsolarzellen
CA2150724A1 (en) * 1992-12-15 1994-06-23 Akira Kaijou Transparent electrically conductive layer, electrically conductive transparent substrate and electrically conductive material
US6221495B1 (en) * 1996-11-07 2001-04-24 Midwest Research Institute Thin transparent conducting films of cadmium stannate
US6169246B1 (en) * 1998-09-08 2001-01-02 Midwest Research Institute Photovoltaic devices comprising zinc stannate buffer layer and method for making
US5922142A (en) * 1996-11-07 1999-07-13 Midwest Research Institute Photovoltaic devices comprising cadmium stannate transparent conducting films and method for making
US6042752A (en) * 1997-02-21 2000-03-28 Asahi Glass Company Ltd. Transparent conductive film, sputtering target and transparent conductive film-bonded substrate
US20020084455A1 (en) * 1999-03-30 2002-07-04 Jeffery T. Cheung Transparent and conductive zinc oxide film with low growth temperature
US6602606B1 (en) * 1999-05-18 2003-08-05 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Glass sheet with conductive film, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion device using the same
JP2001210156A (ja) * 1999-11-17 2001-08-03 Toyo Gosei Kogyo Kk 透明導電性酸化スズ膜形成用塗布溶液及び透明導電性酸化スズ膜の製造方法並びに透明導電性酸化スズ膜
KR100849258B1 (ko) * 1999-11-25 2008-07-29 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 스퍼터링 타겟 및 투명한 도전성 산화물
US6251701B1 (en) * 2000-03-01 2001-06-26 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy All-vapor processing of p-type tellurium-containing II-VI semiconductor and ohmic contacts thereof
ES2391842T3 (es) * 2000-07-03 2012-11-30 Bridgestone Corporation Material de revestimiento de la cara posterior de un módulo de célula solar y su uso
US7462397B2 (en) * 2000-07-10 2008-12-09 Guardian Industries Corp. Coated article with silicon nitride inclusive layer adjacent glass
EP1187224B1 (de) * 2000-09-11 2006-03-22 ANTEC Solar Energy AG Recycling-Verfahren für CdTe/CdS-Dünnschichtsolarzellenmodule
US6548751B2 (en) * 2000-12-12 2003-04-15 Solarflex Technologies, Inc. Thin film flexible solar cell
US6509204B2 (en) * 2001-01-29 2003-01-21 Xoptix, Inc. Transparent solar cell and method of fabrication
JP2002359386A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Canon Inc 太陽電池ストリング、太陽電池アレイ及び太陽光発電システム
JP4110752B2 (ja) * 2001-06-28 2008-07-02 富士ゼロックス株式会社 基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。
JP4621427B2 (ja) * 2001-10-05 2011-01-26 ソーラー システムズ アンド エクイップメンツ エス．アール．エル． ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池を大規模に生産する方法
JP3785109B2 (ja) * 2002-04-08 2006-06-14 日東電工株式会社 透明導電積層体の製造方法
WO2004032189A2 (en) * 2002-09-30 2004-04-15 Miasolé Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells
US7122398B1 (en) * 2004-03-25 2006-10-17 Nanosolar, Inc. Manufacturing of optoelectronic devices
US20070029186A1 (en) * 2005-08-02 2007-02-08 Alexey Krasnov Method of thermally tempering coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating using inorganic protective layer during tempering and product made using same
US7597964B2 (en) * 2005-08-02 2009-10-06 Guardian Industries Corp. Thermally tempered coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating
US7744955B2 (en) * 2005-08-02 2010-06-29 Guardian Industries Corp. Method of thermally tempering coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating using flame(s) in tempering furnace adjacent TCO to burn off oxygen and product made using same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113354297A (zh) * 2021-06-02 2021-09-07 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 抗菌化合物材料、抗菌玻璃及制备方法与应用

Also Published As

Publication number Publication date
US20070184573A1 (en) 2007-08-09
WO2007092120A1 (en) 2007-08-16
RU2436743C2 (ru) 2011-12-20
BRPI0707539A2 (pt) 2011-05-03
CA2633717A1 (en) 2007-08-16
EP1981821A1 (en) 2008-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008135965A (ru) Способ изготовления термообработанного покрытого изделия с прозрачным покрытием из проводящего оксида (ппо) для использования в полупроводниковом устройстве
RU2008137782A (ru) Передний контакт на основе оксида индия-цинка для фотоэлектрического прибора и способ его изготовления
JP5330400B2 (ja) 改良された抵抗率を有する層で被覆したガラス基板
US20110139237A1 (en) Photovoltaic cell, and substrate for same
US20080223430A1 (en) Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
CN106537625B (zh) 用于oled的导电载体，包括所述载体的oled及其制造
Sahu et al. Design of ZnO/Ag/ZnO multilayer transparent conductive films
CA2593028A1 (en) Method of making low-e coating using ceramic zinc inclusive target, and target used in same
US20110277812A1 (en) Photovoltaic device conducting layer
KR20110061564A (ko) 투명 전극막의 개질 방법
JP2015510220A (ja) Ｏｌｅｄのための透明アノード
WO2017054265A1 (zh) 一种低电阻透明导电薄膜及其制备方法
RU2011144649A (ru) Низкоэмиссионное стекло и способ его получения
TWI558830B (zh) 製造透明導電氧化物層之方法
JP2011508946A (ja) 色素増感太陽電池用導電性ガラスおよびその製造方法
WO2012102845A2 (en) Textured coating with various feature sizes made by using multiple-agent etchant for thin-film solar cells and/or methods of making the same
CN102741189A (zh) 生产结构化的tco保护层的方法
CN104733547B (zh) 基于石墨烯的柔性碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法
US20130319523A1 (en) Conductive transparent glass substrate for photovoltaic cell
TW201214737A (en) Photovoltaic device with transparent, conductive barrier layer
Peng et al. Excellent properties of Ga‐doped ZnO film as an alternative transparent electrode for thin‐film solar cells
CN102057494A (zh) 光伏电池和光伏电池基板
CN107134321A (zh) 一种基于石墨烯的复合柔性透明导电薄膜及其制备方法
WO2012105229A1 (ja) 耐湿熱膜とその製造方法、デバイス、及び太陽電池
US10176982B2 (en) Method for forming a gradient thin film by spray pyrolysis

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140113