JP4621427B2 - ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池を大規模に生産する方法 - Google Patents

Description

本発明は、太陽電池技術の分野に関するものであり、具体的にはＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池を大規模に生産する方法に関する。

知られているように、ＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池の典型的特徴は、透明導電酸化物（ＴＣＯ）薄膜を保持する透明ガラス基板、ｎ‐導体を示すＣｄＳ薄膜、ｐ‐導体を示すＣｄＴｅ薄膜及び金属バック接触面を含む薄膜を順次形成した多層配置である。この種の層配置と層構造をもつ太陽電池は、例えば、米国特許第５，３０４，４９９号に開示されている。

低価格の工業用のフロートガラスを透明基板として使用できるが、このフロートガラスの欠点を避けるために、具体的にはＴＣＯ薄膜へＮａの拡散を避けるために、しばしば特殊なガラスが好んで使用される。

最も普遍的なＴＣＯは、１０％のＳｎ含有Ｉｎ_２Ｏ_３（ＩＴＯ）である。この材料は、３×１０^−４Ωｃｍのオーダの極めて低い抵抗率と可視スペクトルにおける高い透明性（８５％を超える）を有する。しかし、この材料は、スパッタリングリングにより作成され、数回使用したＩＴＯターゲットはＩｎを過剰に含有する幾つかのヌードルを形成し、スパッタリングリング中にヌードル間で放電が起きることがあって薄膜を傷めることがある。もう一つの通常用いられる材料は、フッ素ドープしたＳｎＯ_２であり、この材料は、１０^−３Ωｃｍに近い高抵抗率を示し、結果として約１０Ω／平方になる面積抵抗のために１μｍの厚い層が必要になる。厚みの大きいＩＴＯは、透明性と太陽電池の光電流を低減する。最近、新規な材料、即ちＣｄ_２ＳｎＯ_４が、米国国立再生可能エネルギー研究所（ＮＲＥＬ）グループ（Ｘ．Ｗｕら、Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ、２８６（１９９６）２７４〜２７６）により開発された。また、この材料は幾つかの欠点をもち、ターゲットがＣｄＯとＳｎＯ_２の混合物から作られ、ＣｄＯが高い吸湿性である故、ターゲットの安定性が不満足になることがある。

このＣｄＳ薄膜は、ＣｄＳ粒状材料からスパッタリング又は近接昇華法（ＣＳＳ）により堆積させられる。最近の技術では、基板と蒸発源が相互に２〜６ｍｍの距離で非常に近接して配置され、堆積が１０^−１〜１００ｍｂａｒの圧力でＡｒ、Ｈｅ又はＮ_２などの不活性ガスの存在下で行われる故、単純減圧蒸発又はスパッタリングの温度より非常に高い基板温度で薄膜の製造が可能である。より高い基板温度は、より良質の結晶品質材料の成長を可能にする。この近接昇華法の重要な特徴は、１０μｍ／分に及ぶ非常に高い成長速度であり、これは大規模生産に適している。

ＣｄＴｅ薄膜は、近接昇華法（ＣＳＳ）により４８０〜５２０℃の基板温度でＣｄＳ薄膜の上に堆積させられる。通常、開放るつぼから蒸発させられたＣｄＴｅ粒状体が、ＣｄＴｅ源として用いられる。

高効率ＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池生産の重要なステップは、ＣｄＣｌ_２によるＣｄＴｅの処理である。多くの研究グループは、単純蒸発又はＣｄＣｌ_２を含有するメタノール溶液中にＣｄＴｅを浸漬して、ＣｄＴｅ上にＣｄＣｌ_２層を堆積させることによりこのステップを実施し、続いてこの材料を４００℃の空気中で１５〜２０分アニールしている。このＣｄＣｌ_２処理は、ＣｄＴｅの小粒子のサイズを増大させ、かつ材料中の幾つかの欠陥を除去することによりＣｄＴｅの結晶品質を向上させると一般的に考えられる。

ＣｄＣｌ_２処理後、ＣｄＴｅはＢｒ‐メタノール溶液又は硝酸とリン酸の混合物中でエッチングされる。通常、このＣｄＴｅ表面に、ＣｄＯ又はＣｄＴｅＯ_３が形成されるので、エッチングが必要である。ＣｄＴｅ上に良好なバック接触面を形成するためには、ＣｄＯ及び／又はＣｄＴｅＯ_３が除去されねばならない。さらに、エッチングがＴｅリッチ表面を作り出すので、ＣｄＴｅ上に金属が堆積させられる場合、オーミック接触の形成が促進されると考えられる。

通常、このＣｄＴｅ薄膜上の電気的バック接触面は、例えばグラファイト接触面のように、アニール時にＣｄＴｅ薄膜に拡散可能な銅などの、ＣｄＴｅ用の高度なｐ型ドーパント金属の薄膜の堆積により得られる。ＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池のバック接触面としてＳｂ_２Ｔｅ_３薄膜の使用が、同一出願人により開示されている（Ｎ．Ｒｏｍｅｏら、Ｓｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＆ Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌｓ、５８（１９９９）、２０９〜２１８）。

また、近年、これまでに達成された高変換効率の観点で、薄膜太陽電池に対する工業上の興味が増している。最近、１６．５％の変換効率の記録が報告されている（Ｘ．Ｗｕら、第１７回Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ、ミュンヘン市、ドイツ、２００１年１０月２２〜２６日、ＩＩ、９９５〜１０００を参照）。それによって、ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池の大規模インライン生産に適した方法を提供するために、幾つかの試みが行われた。

この問題に関する技術的現状報告は、Ｄ．ＢｏｎｎｅｔのＴｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍ ３６１〜３６２（２０００）、５４７〜５５２に見ることができる。しかし、なお、多くの問題、具体的にはＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池の安定性と効率及びそれらのコストに影響を与える幾つかの重大なステップに関する問題が、この結果の達成を妨害している。

既知の方法の主要な課題は、ＣｄＴｅ上に形成されたＣｄＯまたはＣｄＴｅＯ_３の酸化物を除去するために、ＣｄＴｅ表面が曝されねばならないエッチング工程である。エッチングは、処理されたＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜を保持する基板を酸溶液に浸漬、すすぎ及び乾燥を必要とするので、連続作業に適する機械装置が現状では存在しない。ＴＣＯ薄膜の安定性と最終製品のコストに悪影響を及ぼすもう一つの重要な問題は、前に述べたように既知のＴＣＯの使用で現在遭遇する欠点である。これらの欠点に加えて、既知のＴＣＯは、ソーダライムガラスを使用した場合に起こる、薄膜を傷めるであろうＮａ拡散の問題を避けるために、ホウケイ酸塩ガラスなどの特殊なガラスを使用する必要がある。

更なる問題は、近接昇華法によりＣｄＳ薄膜とＣｄＴｅ薄膜が生産される供給源に関係がある。粉塵を含有するこれらの材料の小片を昇華源として使用する場合、異なる熱的接触により、ある種の微小粒子が過熱され、続いて基板上で蒸気とともに分解される。この不都合を回避するために、ある場合には複雑な金属マスクが用いられ、このこれが連続作業を不確かにしている。

本発明の主な目的は、低価格な基板上に安定かつ効率のよいＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池の大規模生産に適した方法を提供することである。

本発明の特別な目的は、ＣｄＣｌ_２によるＣｄＴｅ薄膜の処理が、ＣｄＴｅ薄膜上に形成されるおそれがある酸化物を除去するためのエッチング処理を必要としないように行われる、上記した様式の方法を提供することである。

本発明の更なる目的は、ＴＣＯの堆積が、ターゲット上に如何なる金属ヌードルをも形成することなく、かつ安価な基板を使用して、きわめて低い抵抗率の薄膜を堆積できるように行われる、上記した様式の方法を提供することである。

本発明の更にもう一つの目的は、完全に粉塵が存在しないＣｄＳとＣｄＴｅ薄膜を形成できる、上記した様式の方法を提供することである。

本発明の更なる目的は、安定な、効率のよい、かつ比較的低価格のＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池を提供することである。

上記の目的は、ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池の大規模生産のための方法により達成され、その主要な特徴は特許請求の範囲の請求項１で説明される。

本発明の重要な観点に従えば、ＣｄＣｌ_２によるＣｄＴｅ薄膜の処理は、最初に、基板を常温に保ちながら、ＣｄＴｅ薄膜上に１００〜２００ｎｍの厚みのＣｄＣｌ_２の層を蒸発により形成すること、続いて、減圧室内で不活性ガス雰囲気下、３８０〜４２０℃及び３００〜１０００ｍｂａｒで前記ＣｄＣｌ_２層をアニールすること、及び、最後に、前記室から不活性ガスを除去して減圧条件を作成し、一方で基板を３５０〜４２０℃の温度に保持して、それによりＣｄＴｅ薄膜表面から全ての残留ＣｄＣｌ_２を蒸発させることにより行われる。この方法では、ＣｄＴｅ薄膜のエッチング処理が必要でなく、この方法は連続的方法で行われる。

本発明のもう一つの観点に従えば、ＴＣＯ層は、１〜３容積％の水素と気体状フルオロアルキル化合物、具体的にはＣＨＦ_３を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタリングにより形成される。この方法では、ＴＣＯにフッ素がドープされる。

本発明のもう一つの重要な観点に従えば、スパッタリング又は近接昇華法によりＣｄＳ及びＣｄＴｅ薄膜を形成するための供給源材料として、それぞれ緻密塊の形態のＣｄＳ又はＣｄＴｅ材料が用いられる。

本発明の方法の更なる特徴が、特許請求の範囲の従属項で説明される。

本発明のＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池を大規模に生産する方法に関する更なる特徴と利点が、添付した図面を参照して行われた、以下の好ましい実施形態の説明から明白になるであろう。図１は、本発明の薄膜を順次形成したＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池を示した略図である。図２は、本発明の方法を示した略図である。

図面を参照して、本発明の方法で製造されたＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池は、透明基層又は基板上に順次堆積された５層を含み、かつ３００〜５００ｎｍの厚みの透明導電酸化物（ＴＣＯ）層、ＴＣＯ層表面に堆積された８０〜２００ｎｍの厚みのＣｄＳ層、ＣｄＳ層表面に４〜１２μｍの厚みのＣｄＴｅ層、少なくとも１００ｎｍの厚みのＳｂ_２Ｔｅ_３層によって形成されたバック接触層と１００ｎｍの厚みのＭｏ層からなる。特に、透明基板はソーダガラスから成り、透明導電酸化物はフッ素ドープされている（Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｆ）。

ＴＣＯ層は、Ｉｎ_２Ｏ_３から成り、成長時にフッ素ドープされる。Ｉｎ_２Ｏ_３ターゲットは、ＩＴＯとは異なり、ヌードルを形成しない。ＣＨＦ_３などの気体状フルオロアルキル化合物の形態で少量のフッ素と、Ａｒ＋Ｈ_２混合物などの不活性ガスとの混合物の形態で少量のＨ_２（但し、Ｈ_２はＡｒに対して２０％である）とをスパッタリング室に導入することにより、きわめて低抵抗率が得られる。代表的な例は、２００標準ｃｍ^３／分（ｓｃｃｍ）のＡｒ流速、５標準ｃｍ^３／分のＣＨＦ_３流速、２０標準ｃｍ^３／分のＡｒ＋Ｈ_２流速で、５００℃の基板温度で１０Å／秒より早い堆積速度で堆積された５００ｎｍのＩｎ_２Ｏ_３薄膜である。この方法では、反応性スパッタリングガスは、２．５容積％のＣＨＦ_３を含有するＡｒと１．８容積％のＨ_２から構成される。この薄膜は、５Ω／平方の面積抵抗、２．５×１０^−４Ωｃｍの抵抗率及び４００〜８００ｎｍの波長範囲で８５％より大きい透過性を示す。この薄膜のもう一つの特性は、良好な安定性とソーダガラスからＮａの拡散を阻止する能力である。これは、このタイプのＴＣＯの表面にＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池を形成することにより証明されており、１０サン（ｔｅｎ ｓｕｎｓ）に数時間照射され１８０℃に熱せられても、きわめて安定である。

スパッタリング又は近接昇華法により既知の方法で、ＣｄＳ薄膜とＣｄＴｅ薄膜を堆積させた後、下記の方法でＣｄＴｅ薄膜表面をＣｄＣｌ_２で処理する。

基板を常温に維持した状態で、ＣｄＴｅ薄膜の表面に、蒸発によって、２００ｎｍのＣｄＣｌ_２を堆積させる。５００ｍｂａｒのＡｒを導入した減圧室中、４００℃で１５〜２０分間アニールを行う。アニール後、基板を４００℃に保ちながらこの室を５分間減圧する。ＣｄＣｌ_２は４００℃で高い蒸気圧を有するので、残留ＣｄＣｌ_２はＣｄＴｅ表面から再蒸発する。

Ｏ_２を含有しない不活性雰囲気中でアニールを行うので、ＣｄＯ又はＣｄＴｅＯ_３は形成されない。

本発明に従い、ＣｄＴｅ表面にＳｂ_２Ｔｅ_３又はＡｓ_２Ｔｅ_３などの高導電ｐ型半導体の薄膜を堆積させることによって、接触面を形成すれば、非整流接触を得るためのＴｅリッチな表面は必要でない。少なくとも１００ｎｍの厚みのＳｂ_２Ｔｅ_３又はＡｓ_２Ｔｅ_３層が、それぞれ２５０〜３００℃及び２００〜２５０℃の基板温度でスパッタリングにより堆積させる場合、清浄なＣｄＴｅ表面に良好な非整流接触面が得られる。Ｓｂ_２Ｔｅ_３は１０^−４Ωｃｍの抵抗率をもつｐ型に必然的に成長し、一方Ａｓ_２Ｔｅ_３は１０^−３Ωｃｍの抵抗率をもつｐ型に成長する。この接触面の処理は、業界で通常行われているように、低抵抗率のｐ型半導体を少なくとも１００ｎｍの厚みのＭｏで被覆することにより完了する。バック接触面に低面積抵抗を与えるためには、Ｍｏ薄層が必要である。

スパッタリング又はＣＳＳによりそれぞれの層を形成するために用いるＣｄＳ及びＣｄＴｅ材料の供給源として、この分野で通常行われるように、粒状材料を使用できる。しかし、この方法で操作する時には上記の欠点を考慮して、本発明の特に好ましい観点に従い、新規な昇華源を用いることができ、この昇華源は、材料の融点より高い温度を維持できるオーブン中で、材料を溶融しかつ固化することにより得られる緻密塊から成る。ＣｄＳの緻密塊の製造方法は下記のとおりである。即ち、ＣｄＳ片を、低融点材料（４５０℃）であり、かつ溶融時きわめて低い蒸気圧を示す酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）と共に、望ましい体積の黒鉛容器に入れる。酸化ホウ素は、溶融状態でＣｄＳの密度より低い密度を有するので、冷却時にＣｄＳ上に浮上して、ＣｄＳを完全に覆う。このように、Ｂ_２Ｏ_３に覆われたＣｄＳは、５０気圧より高い圧力の不活性ガスを含むオーブン中に置かれた場合、その融点より高い温度でも蒸発することがない。ＣｄＳは１７５０℃の温度で溶融するので、オーブンは１８００℃以上の温度に加熱され、続いて常温に冷却される。このように、ＣｄＳの独特な緻密塊が得られ、その結果として近接昇華法の昇華源用として特に適したものになる。その結果、この型の供給源で作成したＣｄＳ薄膜は、きわめて平滑で全く粉塵が存在しない。ＣｄＴｅ／ＣｄＳ太陽電池を製造するために用いるＣｄＳ薄膜は、典型的には１００ｎｍの厚みである。基板温度は、ＣｄＳをスパッタリングで製造する時には２００〜３００℃に、それを近接昇華法で製造する時には４８０〜５２０℃に保たれる。このスパッタリングで製造したＣｄＳ層は、ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池が高効率となるように、Ｏ_２含有雰囲気中で、５００℃でアニールする必要がある。ＣｄＳを近接昇華法で製造する場合には、堆積時に昇華室にＯ_２を導入する。Ｏ_２の役割は判っていないが、ＣｄＳ粒の境界を不動態化することが推測される。

本発明の好ましい実施形態において、ＣｄＴｅ源も緻密塊であり、ＣｄＴｅ片を前記したような高圧下のオーブン中で溶融、冷却することにより得られる。ＣｄＴｅは１１２０℃で溶融するので、ＣｄＴｅ片を完全に溶融するためには、オーブンを１２００℃まで加熱する必要がある。４８０〜５２０℃の基板温度で近接昇華法によって、ＣｄＴｅ薄膜がＣｄＳの表面に堆積される。ＣｄＴｅ成長時の堆積速度は、典型的には４μｍ／分である。このようにして、８μｍのＣｄＴｅは２分で堆積する。

上記の処理に従って、基板として１平方インチの低価格ソーダライムガラスを用いて、数個の太陽電池を製造した。

これらの電池の代表的な面積は１ｃｍ^２である。通常、完成した電池は、開放電圧（Ｖ_ＯＣ）条件で、１８０℃の温度で数時間１０〜２０サンに曝される。劣化は認められず、むしろ２０％以上の効率上昇が認められた。

これらの電池の効率は、８００ｍＶより大きい開放電圧（Ｖ_ＯＣ）、２２〜２５ｍＡ／ｃｍ^２の短絡電流（Ｊ_ＳＣ）、及び０．６〜０．６６の曲線因子（ｆｆ）で１２％〜１４％の範囲である。

１４％の効率を示す電池を以下のように作成した。上記のように５００℃の基板温度で堆積させた５００ｎｍのＩｎ_２Ｏ_３：Ｆ（フッ素ドープ）により、ソーダライムガラスを被覆した。３００℃の基板温度でスパッタリングにより１００ｎｍのＣｄＳを堆積させ、かつ２０％のＯ_２を含有する５００ｍｂａｒのＡｒ中、５００℃で１５分間アニールした。５００℃の基板温度でＣＳＳ法によりＣｄＳの表面に８μｍのＣｄＴｅを堆積させた。ＣｄＳ及びＣｄＴｅの両膜とも上記のような緻密塊から形成した。上記のようなＡｒ雰囲気中で１５０ｎｍのＣｄＣｌ_２による処理を行った。最後に、エッチングを用いずに、スパッタリングにより順次１５０ｎｍのＳｂ_２Ｔｅ_３と１５０ｎｍのＭｏを堆積させてバック接触面を形成させた。

開路条件で１８０℃の温度において１０サンで１時間後、このように作成した太陽電池は以下のパラメータを示した。
Ｖ_ＯＣ ８５２ｍＶ
Ｊ_ＳＣ ２５ｍＡ／ｃｍ^３
ｆｆ ０．６６
効率 １４％

スパッタリング及び近接昇華法などの本方法で用いる技術は、双方とも速く、再現性がよく、容易にスケール変更できる。

１×０．５ｍ^２の面積のガラスを被覆できるスパッタリングシステムは、既に工業的であり、一方、近接昇華法は、実験室規模で２０×２０ｃｍ^２の面積のガラスを容易に被覆できるが、１×０．５ｍ^２までのスケールアップにおいても何ら問題がない。大きな面積のガラスが作成されて、異なる供給源、即ちＴＣＯ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、Ｓｂ_２Ｔｅ_３又はＡｓ_２Ｔｅ_３及びＭｏ上をゆっくり移動する場合、インラインプロセスは具合よく作動可能である。単一電池間を直列接続するために、このインラインシステムは、３つのレーザ罫書き工程を含まなければならない。第１の工程はＴＣＯ堆積後、第２の工程はバック接触面堆積の前、第３の工程は本プロセス終了点である。本発明の方法の重要な部分は、酸又は液体を用いないこと、及びその結果として、本方法が連続的ベースで操作可能であって、酸又はＢｒ‐メタノール溶液中でのエッチングに不可欠の操作中断がないことである。

本発明の薄膜を順次形成したＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池を示した略図である。 本発明の方法を示した略図である。

Claims (11)

1. ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池を大規模に生産する方法であって、前記薄膜は透明基板上に順次堆積されるものであって、
   前記基板上に透明導電酸化物（ＴＣＯ）の薄膜を堆積させるステップ、
   前記ＴＣＯ薄膜上にＣｄＳ薄膜を堆積させるステップ、
   前記ＣｄＳ薄膜上にＣｄＴｅ薄膜を堆積させるステップ、
   前記ＣｄＴｅ薄膜をＣｄＣｌ_２で処理するステップ、と
   前記処理したＣｄＴｅ薄膜上にバック接触薄膜を堆積させるステップを含む方法であって、
   ＣｄＣｌ_２によるＣｄＴｅ薄膜の処理が、
   基板を常温に保ちながら、ＣｄＴｅ薄膜上にＣｄＣｌ_２層を蒸発により形成するステップ、
   減圧室内で不活性ガス雰囲気下、３８０〜４２０℃及び３００〜１０００ｍｂａｒで前記ＣｄＣｌ_２層をアニールするステップ、と
   前記室から不活性ガスを除去して減圧条件を作成し、一方で基板を３５０〜４２０℃の温度に保持して、それによってＣｄＴｅ薄膜表面から全ての残留ＣｄＣｌ_２を蒸発させるステップを含むことを特徴とし、
   前記透明導電酸化物がフッ素をドープしたＩｎ_２Ｏ_３であり、
   近接昇華法により前記ＣｄＳと前記ＣｄＴｅ薄膜を形成するための供給源材料として、それぞれ、緻密塊の形態のＣｄＳ又はＣｄＴｅ材料が用いられ、
   前記緻密塊のＣｄＳ（又はＣｄＴｅ）材料は、ＣｄＳ（又はＣｄＴｅ）材料をホウ素酸化物片で被覆し、前記被覆された材料を不活性ガス雰囲気下、５０気圧より高い圧力下で、その融点より高い温度に加熱し、続いて常温に冷却することにより形成され、それにより前記材料が緻密塊の形態に固化される、方法。
2. 前記ＣｄＣｌ_２層が１００〜２００ｎｍの厚さである請求項１に記載の方法。
3. ＣｄＣｌ_２層のアニールが１５〜２０分間行われる請求項１又は２に記載の方法。
4. 不活性ガスがＡｒである請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
5. バック接触薄膜がＭｏ層により被覆されたＳｂ_２Ｔｅ_３層により形成される請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記Ｓｂ_２Ｔｅ_３層が２５０〜３００℃でスパッタにより形成される請求項５に記載の方法。
7. バック接触薄膜がＭｏ層により被覆されたＡｓ_２Ｔｅ_３層により形成される請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
8. 前記Ａｓ_２Ｔｅ_３層が２００〜２５０℃でスパッタにより形成される請求項７に記載の方法。
9. 前記ＴＣＯ層が、水素と気体状のフルオロアルキル化合物を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタにより形成される請求項１に記載の方法。
10. Ａｒと水素の混合物が用いられ、水素が１〜３容積％含まれ、かつフルオロアルキル化合物がＣＨＦ_３である請求項９に記載の方法。
11. 前記透明基板がソーダライムガラスである請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。

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