CN106537625B - 用于oled的导电载体，包括所述载体的oled及其制造 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于OLED的导电载体(100)，其按以下顺序包括：‑玻璃基材；‑由金属网格(2)形成的电极，金属网格(2)由线带(20)构成；‑在所述金属栅格(20)下方的绝缘光提取层(41)，和‑在其厚度中部分结构化的层(3)，该层(3)具有给定的组成并且具有1.7至2.3的折射指数n3，并且位于光提取层上，该部分结构化层(3)由具有含金属栅格的空腔的结构化区域(31)和从位于所述光提取层上的称为低区域的另一区域(30)形成，在结构化区域(31)的被称为高表面(31')的表面和金属栅格(2)的被称为上表面并因此离基材最远的表面之间的距离H大于100nm。线带(2)沿着它们的长度具有在与高表面(31')齐平的侧方区域(22,22')之间的中心区域(21)。

Description

用于OLED的导电载体，包括所述载体的OLED及其制造
本发明涉及导电载体和包含所述载体的有机电致发光器件及其制造。
有机电致发光二极管(称为“OLED”)通常包括有机电致发光材料或电致发光材料堆叠体，有机电致发光材料或电致发光材料堆叠体通过两个通常呈导电层形式围绕它们的电极供应电力。
通常，上电极是例如由铝制成的反射金属层，下电极是基于氧化铟，通常掺杂锡的氧化铟(更被称为ITO)的透明层，其厚度为约100至150nm。然而，为了在大面积上均匀地发光，需要形成不连续的下电极(这通常通过形成数mm2的电极区)并且需要显著减小在每个电极区域之间的距离(通常为约10微米)。
专利申请WO2009/071822描述了一种替代下电极。更确切地，下电极首先包括由1μm厚的非周期栅格形式的导体，所述非周期栅格由具有约3μm的平均宽度A，彼此间隔约30μm的平均距离B的不规则银基线带形成，其中B/A比为10。
该导电栅格通过在包含孔的自组织化开口网络的掩模上蒸发银来制造。然后移除掩模。
以这种方式，通过明智地选择B/A和厚度，这种栅格的方块电阻(是特别低的)为约0.6欧姆/平方。这种栅格的光透射率TL为约70％，并且所述线带是肉眼不可见的。
在与附图3有关的实施例中，在栅格线带之间添加由熔融玻璃料制成的填充层，其可以具有高折射指数。由栅格的线带和熔融玻璃料形成的表面通过机械抛光(例如通过使用氧化铝或氧化铈的抛光)进行平滑化。为了制造电极，将玻璃料沉积在栅格线带之间和之上直至在线带上形成覆盖层。烘烤后，然后可以使表面整平直至栅格线带的水平面。
覆盖栅格和填充层的导电涂层保持平滑度并允许分布电流。导电涂层是通过溅射沉积的ITO以获得约10-4ohm.cm的电阻率ρ1(其中厚度为从40nm开始)，或是通过湿法沉积的PEDOT/PSS。
即使该电极进一步有助于提高OLED器件的整体性能(发光效率，照明均匀性等)，仍然可以改善这些性能。
为此，本发明提供一种用于OLED的导电载体，其按以下顺序包括：
-具有为1.3至1.6的范围内的折射指数n1的有机或无机玻璃的玻璃基材(透明的，任选地半透明的—特别是如果其具表面进行纹理化)，具有称为第一表面的第一主面；和
-电极，其包括由金属材料(纯金属或合金金属，优选单层或甚最多层)制成的以栅格形式(被称为“金属栅格”)布置的层，该金属材料具有小于20Ω/□，更好小于10Ω/□的方块电阻，所述金属栅格具有至少100nm，优选最多1500nm的厚度e2，所述栅格由其宽度A小于或等于50μm的线带(也称为轨道)形成，并且通过小于或等于5000μm的线带之间的距离B分开，这些线带由折射指数高于1.65的多个电绝缘非导电区分隔，
所述载体在第一表面一侧上包括：
-具有给定厚度e0电绝缘的光提取层，其典型地通过光的主体和/或表面散射来提取光，优选地包括(由以下组成)：
-基材的第一表面，该表面是散射表面(纹理化以散射光)；和/或
-在(平面的或纹理化的)基材的第一表面上的附加散射层(优选直接散射层)，其由含有散射元件的材料，优选(基本上)由无机材料制成，该材料例如为具有为1.7至2.3，优选1.80至2.10，特别地1.85至2.00的折射指数n4和具有散射元件的材料，该散射元件优选具有不同于n4的折射指数ne，优选相差至少0.1，优选至少0.2，特别是至少0.25；和
-在其厚度中进行部分结构化的电绝缘层，该层具有给定的组成并且具有1.70至2.3，优选1.80至2.10，特别是1.85至2.00的折射指数n3，该电绝缘层位于(优选直接地)在光提取层上方，该部分结构化的电绝缘层特别是在栅格下面并且与栅格接触——必要时，n3-n4绝对值差值优选地小于0.1——部分结构化层由以下形成：
-从具有空腔的结构化的区域(最远离光提取层，又称为高区域)，该区域，优选是电绝缘区域，包含非导电区，所述空腔包含金属栅格；和
-位于金属栅格下方(并且直接在结构化区域下方)并在光提取层上方(优选直接地在光提取层上方)的另一区域(非结构化)，优选地是电绝缘的。
栅格在称为高表面的非导电区的表面(最远离基材)下方并齐平(sousaffleure)，并且高表面与金属栅格的表面(称为上表面，最远离基材)之间的间隔H的绝对值大于100nm，更好地大于150nm，优选小于或等于500nm。H是在线带的表面的中间和高表面之间进行测量。此外，线带沿着其长度具有在与高表面齐平的侧方区域(平面的)之间的中心区域。
通过在栅格和玻璃基材之间插入这样的具有光散射功能的光提取层，光学性能得到显著提高。
通过将光提取层设置在栅格下方而不是栅格之间，可以独立地调整栅格的厚度(特别是影响其方块电阻)和光提取层的厚度(影响其光提取性质)。在基材的第一表面和金属栅格(的下表面)之间的总厚度E优选为至少1μm，更好为5-30μm。
此外，线带是细长的-分开的或优选地互连的(至少在发光区域中)，特别是网状的。
在试验期间，申请人已经观察到在栅格的表面和高表面之间充分间隔的重要性。这是因为，在突出栅格或具有较小H值的下凹栅格的情况下，申请人已观察到出现高度H1为约20nm至200nm且半高宽度W1为约20至500nm的突起，沿着侧方区域的内边缘(与跟部分结构化层接触的外边缘相对的边缘，与高表面齐平)。这些突起是连续的或不连续的。这些突起是有害的，因为它们易于增加泄漏电流。根据本发明的间隔H使得可以显著地限制这些突起及其高度或甚至消除它们。
每个侧方区域与高表面齐平的事实是由于制造工艺：使用湿法沉积技术沉积金属，例如基于溶液中金属盐的还原的自催化(英文为“electroless”)沉积，该沉积通过掩模层的孔隙在通过湿法蚀刻进行部分结构化层上进行实施。这种齐平现象与金属厚度无关。
特别地，在通过镀银沉积(英文为“silvering”)的实例中，银通过掩模层的孔隙沉积在空腔中。由于在通过湿法蚀刻形成部分结构化层期间发生的侧方蚀刻，空腔比掩模层中的孔隙更宽。银沉积在侧壁上和沉积在掩模层的“内”表面(位于每个空腔上方)上，所述内表面位于高表面的平面中，因此超过每个空腔的侧壁而突出。
在小间隔H的情况下，在与银接触的这种区域中的掩模层的去除期间产生该突起。据推测，当间隔H很小(几乎是齐平的线带)时，沉积在空腔中的银和沉积在掩模层的侧壁上的银之间的破裂更难以实现，因为掩模层/银的接触区域是更大的。
根据本发明的大多数线带和甚至每根线带可以没有这些突起。根据本发明，当沿着侧方区域的内边缘的这些突起具有小于10nm的高度时，线带，优选银线带的表面被认为没有所述突起。
优选地，金属栅格由银制成并通过镀银获得。为了简单起见，甚至优选地，金属栅格与部分结构化层(在栅格和空腔的底部之间没有层)直接接触。
当使用物理气相沉积(PVD)技术(例如磁控阴极溅射)，通过穿过掩模层(例如(感光)树脂层)的孔隙的阴影效应进行沉积时，导致线带的侧方区域变成杯形，形成其深度等于空腔的高度ec的形态裂纹，其易于在随后制造OLED时产生短路。在这种类型的沉积中，对于在下方平齐(sous affleurante)的栅格，线带没有与高表面齐平的侧方区域。
此外，镀银是简单的，比物理气相沉积(PVD)更简单(无真空装置等)，并且适合于任何尺寸的栅格。此外，通过镀银沉积的银的导电性是足够的(通常比通过PVD产生的银栅格的导电性低30％至40％)。
与高表面齐平的侧方区域是平面的和光滑的，因为它们与掩模(感光树脂)层接触，该掩模层本身具有光滑的平坦内表面。该内表面本身再现了高表面的平滑和平面的特性。湿法蚀刻不在内表面上产生粗糙度，并且空腔的侧壁和底部也是光滑的。侧方区域和中心区域之间的不连续性比通过PVD的沉积的不连续性更不明显的，振幅H的不连续性明显小于ec。
优选地，(平坦的)侧方区域的(表面的)粗糙度参数Rq为最多5nm，甚至最多3nm，甚至最多2nm或甚至1nm。此外，每个(平坦的)侧方区域中的Rmax(最大高度)优选为最多20nm，甚至最多10nm。这些平滑的侧方区域是对于减少漏电的必要条件。
对于通过用如上所述的由感光树脂(photorésines)制成的掩模层进行镀银而沉积的栅格，获得这些粗糙度范围。
优选地，每个侧方区的宽度L1大于空腔的高度ec，其中L1≤2ec，甚至L1≤1.4ec。对于使用诸如自催化沉积(通过镀银等)的湿法的沉积，则在高表面下方的中心区域的表面粗糙度可以高于(平滑)侧方区域的表面粗糙度。在(最粗糙的)中心区域中的粗糙度参数Rq(或rms)可以为至少10nm，甚至至少20nm，优选最多60nm。甚至，在(最粗糙的)中心区域中的粗糙度参数Rmax(最大高度)可以为至少100nm，甚至至少150nm，优选最多500nm。
中心区域的粗糙度随着金属栅格的厚度而增加。
栅格的Rmax和Rq可以根据标准ISO 4287进行定义并且通过原子力显微镜进行测量。
根据本发明，与高表面齐平的侧方区域可以严格地在与高表面相同的平面中，或者与其间隔最多10nm，更好地最多5nm。
有利地，根据本发明的金属栅格可以具有低于或等于10欧姆/平方，优选低于或等于5欧姆/平方，甚至1欧姆/平方的方块电阻。
金属栅格的一种或多种材料选自由银，铜，甚至镍形成的组，特别是纯材料或者可以是基于这些金属的合金。栅格优选基于银。
金属栅格可优选为单层(银)层或多层(优选含有至少80％，甚至90％的银)。
金属栅格可以是多层，特别是多银层，并且以以下顺序包括(甚至由其组成)：
-第一金属层(直接在空腔底部上，或最接近空腔底部的金属层)，优选由第一金属材料制成，其优选基于银，甚至由银构成，构成该栅格的总厚度e2的小于15％，甚至10％，和/或为至少3nm，5nm甚至至少10nm，优选小于100nm或甚至小于50nm；和
-基于第二金属材料的第二金属层(在第一层上，远离基材)，尤其具有与第一层的可分辨的界面，第二金属材料优选选自银，铝或铜，第二金属层构成该栅格的总厚度e2的至少70％、80％，甚至90％，该第二层优选基于银，甚至由银组成，特别是如同第一层。
特别地可以根据第一沉积方法形成基于银的第一金属层，例如通过镀银沉积(优选具有至少20nm，甚至至少30nm的厚度)，或者通过真空沉积(溅射)，以及根据第二沉积方法，优选为电沉积，沉积厚度为至少3nm或甚至5nm的基于银的第二金属层。电沉积的优点是其具有比镀银更高的银使用含量，并且是比溅射更便宜的工艺。
金属栅格可以是具有不同材料制成的层的多层，例如具有防腐蚀(水和/或空气)的最后保护层，例如金属层，该保护层由与下邻的金属层不同的材料制成，尤其不是银，并且具有小于10nm，更好地小于5nm或甚至3nm的厚度。该层对于基于银的栅格特别有用。
此外，金属栅格还可以是具有由不同材料制成的两个层的多层，例如是双层，并由以下组成：
-由前述材料制成的(单)金属层，其优选基于银或甚至由银制成，优选具有至少100nm的厚度，例如通过镀银或真空沉积(溅射)进行沉积；和
-防腐蚀(水和/或空气)的保护顶层，由与金属层不同的材料制成，例如金属层，特别地不是银，并且具有小于10nm，更好地小于5nm或甚至3nm的厚度。
金属栅格可以是金属层，例如银层，并且涂覆有保护顶层，特别临时保护顶层，特别是聚合物保护顶层。
金属栅格可优选直接沉积在部分结构化层上或甚至沉积在电介质下层，尤其是粘结电介质下层(具有促进栅格材料沉积的粘结功能)上。下层直接位于部分结构化层的空腔上(在空腔的底部，优选地空腔的全部或一部分侧壁)，优选不存在于高表面，所述连接层优选是无机的，特别是由一种或多种氧化物，例如透明导电氧化物层。电介质下层的厚度eA小于30nm，甚至小于10nm。该粘结层容易通过磁控阴极溅射进行沉积。
金属栅格的厚度e2小于非导电区之间的空腔的高度ec，优选ec大于200nm，甚至大于250nm或大于500nm。
选择A为小于或等于50μm，以便限制该线带的肉眼可见性，选择e2为至少100nm，以便更容易地获得低R方块的目的。
线带在OLED的活性区(zone active)中互连或(仅)通过其端部连接到电触点。
许多散射元件在单独附加散射层的表面上的存在或第一散射表面的纹理化可以是短路的来源，这是由于引起在直接沉积在它们上的栅格上的过度粗糙度。
因此，优选地，栅格不与光提取层的表面接触，而是将其锚定在部分结构化层中，部分结构化层的高表面优选地局部平面的，至少在对于短路适当的尺度上，即在小于50μm的长度的范围中，例如大于10μm。栅格可以呈彼此平行延伸的直线线带的形式，并且在其端部(彼此)连接到电触点和/或甚至呈闭合图案或网格(互连在一起限定闭合图案的线带)的形式，例如几何性质(矩形，正方形，多边形，蜂窝状等)和不规则形状和/或不规则尺寸的图案。栅格可以包含直线区域(条带状线带或轨道)和包含封闭图案(网状线带缆或轨道)的区域。调节该部分结构化层的结构以达到这种效果。
厚度e2在空腔中不是强制恒定的。它优选地在线带的表面的中心进行定义。宽度A在给定空腔中不是强制恒定的。优选地，其在栅格的上表面的水平面处进行定义。B可以在与栅格的上表面的水平面处被定义为线带之间的最大距离，该距离B特别对应于网格的两个点之间的最大距离或两个分离的相邻槽纹类型线带(直的或非直的)之间的最大距离。
A和B可以对于每个线带进行变化。由于栅格可以是不规则的和/或线带的边缘可以是倾斜的，因此尺寸A和B优选地是线带上的平均尺寸，完全如同e2。厚度e2(在线带表面的中心进行定义)可以小于1500nm，更好地小于1000nm，特别是100nm至1000nm，或小于800nm，特别是200nm到800nm的范围内。
宽度A优选小于30μm。A优选在1至20μm，甚至更优选1.5至20μm或甚至3μm至15μm的范围内。B可以为至少50μm，甚至至少200μm，并且B小于5000μm，更好地小于2000μm，甚至小于1000μm。
根据本发明的金属栅格的另一个特征是其具有优选小于25％，更好地小于10％，甚至小于6％或小于2％的覆盖率T。
特别地，当e2在800至1500nm之间并且A在10至50μm之间时，B可以期望在2000至5000μm之间。这对应于0.4至6.0％之间的覆盖率。
特别地，当e2小于500nm且A在3至20μm或甚至3至10μm之间时，可以希望B在200-1000μm之间。这对应于0.5至22％或0.5至11％的覆盖率。
空腔(以栅格形式形成，限定金属栅格的布置)部分地用栅格金属填充。空腔由底部和侧壁界定，最经常形成杯状。
分离非导电区的空腔可以具有大于200nm，甚至至少250nm或500nm，并优选小于1500nm或1200nm的高度ec和小于或等于30μm的宽度Ac。ec在空腔的中心处测量。Ac优选在空腔的底部测量。
空腔可以形成(一维)槽纹，其任选地规则地间隔开并且特别地分离的(至少在发光区中)，具有任何形状，例如直线状或蛇形槽纹。
空腔可以形成网状结构，即周期性或非周期性的具有规则或不规则网孔尺寸和任何形状：特别是几何形状(正方形，矩形，蜂窝状等)的互连开孔网络(二维)。网孔尺寸可以通过网孔Bc的两个点之间的最大宽度来定义。
定义水平距离L(在高表面端部和最靠近空腔底部的端部之间)使得L大于ec并且L≤2ec，甚至L≤1.4ec。当使用湿法蚀刻来形成部分结构化层时，L通常大于ec。
L1通常基本上等于该水平距离L。更精确地，正是从掩模层突出的内表面的宽度L0基本上等于水平距离L。L1大约为L0+e2。因此，优选地限制空腔的(侧方)展开，以便尽可能最佳地减小线带的宽度。此外，对于给定的R方块，优先选择线带的大厚度而不是大尺寸，以便增加透明度。
部分纹理化层优选直接位于光提取层上，特别优选地能够覆盖或填充玻璃的第一散射表面或附加散射层的粗糙度轮廓。因此，部分结构化层的高表面不再现(或放大)玻璃的第一散射表面或附加散射层的粗糙度。
因此，优选的是，部分结构化层包含很少或没有散射颗粒，并且甚至不具有(显著)散射功能。
为了保存高表面并且使其局部尽可能平滑，(至少)结构化区域，特别是由玻璃质材料和优选由釉质制成的结构化区域，优选在其整个厚度上没有散射颗粒。
还可以优选的是，结构化区域，优选地电绝缘的结构化区域，并且优选地由玻璃质材料制成，甚至更好地由釉质制成，在其表面上甚至在其厚度中不包含或包含很少的孔。
优选地，为了保存空腔底部的表面，低区域，特别是由玻璃质材料，优选釉质制成的低区域，优选在其整个厚度上没有散射颗粒。低区域任选地(仅)包含孔(空气或气泡)，散射性或非散射性，尤其体积浓度小于0.5％，优选小于0.2％，特别地小于0.1％。
关于光的散射，低区域，特别由玻璃质材料并且优选地由釉质制成的低区域可以包含孔，但是其量是如此低的和/或如此小的(非散射性)使得它们不引起部分结构化层是散射性的，特别是相对于单独的基材/光提取层的雾度，不增加基材/光提取层/部分结构化层组件的雾度值。
部分结构化层，特别地由玻璃质材料并且优选地由釉质制成的部分结构化层，可以包含孔，但是其量如此低的和/或如此小的(非散射性)，使得它们不会导致该层是(显著)散射性的并且优选不会干扰高表面。
部分结构化层的高表面，其特别地由玻璃质材料并且优选地由釉质制成，优选地可以具有低于5nm，更好地小于3nm，甚至小于1nm的粗糙度Ra(Ra熟知的参数，其为轮廓的算术平均偏差)。Ra可以根据标准ISO 4287进行定义并且通过原子力显微镜进行测量。
用于形成部分结构化层的层的表面可以具有大尺度的起伏，例如在100至200μm的横向周期W上具有1μm的振幅。这些起伏不会不利地影响该结构，因为空腔宽度Ac远小于W。
部分结构化层可以具有大于3μm，优选小于30μm的厚度e3。
为了获得局部尽可能平坦的高表面，特别是如果光提取层是由高折射指数基体制成的并具有散射颗粒分散在该基体中的附加散射层，则优选地e3大于3μm，甚至5μm或8μm，更好地9μm，优选小于30μm，更好为小于25μm。优选的范围为9-20μm。
为了获得局部尽可能平坦的高表面，特别是如果光提取层包括散射表面(例如玻璃的第一表面)，优选地e3大于5μm，甚至大于8μm甚至更好地大于9μm，e3优选小于30μm，更优选小于或等于25μm。优选的范围为10-20μm。
在一个耐用且易于实施的有利实施方式中，部分结构化的电绝缘层是无机的，优选基于一种或多种氧化物或基本上由一种或多种氧化物，甚至更优选地玻璃质材料，特别是釉质(基于熔融玻璃料)制成。
部分结构化层可以例如由与附加散射层的玻璃质材料(釉质等)或另一种玻璃质材料制成。
当这些玻璃质材料相同时，附加散射层和部分结构化层之间的界面不强制地进行“标记”/可见，即使它们一个接一个地沉积。
釉质部分结构化层可以包含孔，但是数量是如此低的和/或小的，使得所述孔不会使该层是(显著地)散射性的和/或优选不干扰高表面变粗糙。
附加的光提取层可以包括散射表面(与部分结构化层相比具有折射指数反差)和/或分散在优选具有高折射指数的介质(无机，更好地是玻璃质，尤其为釉质等)中散射元件(颗粒；孔等)。散射表面可以由从与部分结构化层相比具有折射指数反差的(无机，特别是紫外线带)介质(特别是釉质等)的突出颗粒形成。
附加散射层可以是单层或多层，其可以包含散射元件的梯度(优选地，散射元件，特别是颗粒和/或气泡的数目在栅格的方向上的减小)，特别地可以是双层具有散射元件的梯度和/或不同的散射元件(性质和/或浓度不同)。
附加散射层，特别地釉质附加散射层，可以具有在1μm至80μm，特别是2μm到30μm，甚至3μm到20μm之间的厚度e4。
散射元件，特别是散射颗粒，可以均匀地分布在玻璃质材料中。它们或者可以不均匀地分布，以便例如产生梯度。附加散射层还可以由多个在散射元件的性质、尺寸或比例方面彼此不同的单元层组成。
优选地，散射元件选自颗粒和孔。附加散射层可以包含颗粒和孔。
颗粒优选选自氧化铝颗粒，氧化锆颗粒，二氧化硅颗粒，二氧化钛颗粒，碳酸钙颗粒和硫酸钡颗粒。散射层可以包括单一类型的颗粒或多种不同类型的颗粒。
散射元件优选地具有允许使可见光散射的特征尺寸。散射元件(特别是颗粒)优选具有在0.05至5μm之间，特别是在0.1至3μm之间的通过动态光散射(DLS)确定的平均直径。
附加散射层中的散射颗粒的重量浓度优选在0.2至10％，特别是0.5至8％，甚至0.8至5％的范围内。
尽管散射颗粒的化学种类没有特别限制，但它们优选选自TiO2颗粒和SiO2颗粒。
呈包含散射颗粒的聚合物材料的形式的散射层(例如在EP1406474中所述)是可以的。
任选的附加散射层优选是无机层，优选基于一种或多种氧化物，更优选基本上由一种或多种氧化物构成，并且部分结构化层优选是无机层，优选基于一种或多种氧化物，特别地与附加散射层相同，并且优选地，玻璃是无机玻璃。
在优选的实施方案中，附加散射层是直接在基材上的无机层，所述层由基于一种或多种氧化物的高折射指数无机材料制成，所述无机材料优选是玻璃质材料，特别是釉质，并且散射元件优选是孔隙和/或无机类型元件(沉淀的晶体，中空或固体颗粒，例如氧化物或非氧化物陶瓷颗粒等)。
有利地，优选“全无机”技术方案，特别是：
-基材优选是无机玻璃基材；光提取层包含具有散射元件的附加散射层和含有玻璃质材料(特别地由其组成)优选釉质的物质，优选釉质的材料(甚至由它们组成)；并且部分结构化层的组成包含玻璃质材料(特别是由其组成)，优选釉质，该组成优选地与附加散射层的材料相同；
-和/或基材的第一(制造)散射表面，其优选由无机玻璃制成，形成光提取层的一部分或甚至构成光提取层，并且部分结构化层的组成包括玻璃质材料(特别是由玻璃质材料组成)优选釉质。
根据本发明的釉质层(部分结构化层和/或附加散射层)优选通过以下方法获得，其中使玻璃料与典型地为有机的介质混合以形成糊料(任选地包含散射颗粒)，所述糊料优选在烘烤前通过丝网印刷沉积在第一无机玻璃表面上。
对于由釉质制成的附加散射层，优选在烘烤期间通过例如从介质中消除有机化合物来形成孔。它们优选地是封闭的并且不连接。
釉质高折射指数散射层和位于散射层上的高折射指数釉质层在现有技术中是已知的，并且例如描述在EP2178343和WO2011/089343中。高折射指数组合物也描述于专利WO2010/084922和WO2010/084925中。
由指数为n3的釉质制成的部分结构化层优选不含有散射颗粒，其可包含高的氧化铋含量，例如至少40重量％，更好为至少55％，并且优选最多85％的氧化铋含量。优选地，将选择其玻璃化转变温度Tg低于520℃，还更优选低于或等于500℃或甚至低于或等于490℃，特别是至少450℃的釉质。通过差示扫描量热法(DLC)测量Tg。用于形成釉质的烘烤温度高于Tg，但不能软化玻璃基材。优选地，烘烤温度低于600℃，甚至低于570℃，特别是当Tg低于或等于500℃时。
附加散射层，优选包含散射颗粒和任选的孔的附加散射层可以(也可以)由(散射性)釉质制成。优选地，选择其玻璃化转变温度Tg低于600℃，还更优选低于或等于550℃或甚至低于或等于500℃的釉质。散射釉质可以具有至少1.7的高折射指数，并且具有高的氧化铋含量，例如至少40重量％，更好至少55重量％，优选最多85重量％的氧化铋含量。通过差示扫描量热法(DLC)测量Tg。用于形成釉质的烘烤温度高于Tg，但不能软化该玻璃基材。优选地，烘烤温度低于600℃，甚至低于570℃，特别是当Tg低于或等于500℃时。
第一表面可以是足够粗糙的以散射光。旨在提取由OLED的有机层发射的光的粗糙界面是已知的，并且例如描述在专利申请WO2010/112786，WO02/37568和WO2011/089343中。基材的第一表面的粗糙度可以通过任何已知的适当手段获得，例如通过酸蚀刻(氢氟酸)，喷砂或磨蚀。(制造的)基材的第一散射表面的纹理优选是非周期性的，特别是随机的，用于白光应用。
基材的粗糙度通过熟知的粗糙度参数Ra进行表征，其是轮廓的算术平均偏差，定量平均幅度。Ra可根据标准ISO4287进行定义并通过原子力显微镜进行测量。通常Ra为微米级，优选小于5μm，甚至小于3μm。
当形容词“散射(性)”用于定性第一散射面和/或附加散射层时，将优选地理解的是，(由玻璃基材和光提取层和任选的部分结构化层的整体)的雾度为至少60％，更好为70，甚至80％或90％。使用雾度计(如由BYK出售的那些)和通过在标准ASTM D1003中定义的方案测量该雾度，其有时被称为“阴影”。
当基材不具有散射功能(通过粗糙的第一散射表面)时，优选其具有低于5％，更好地低于2％，甚至低于1％的雾度。
此外，优选：
-基材和光提取层的组件具有至少40％，甚至50％的透光率TL，优选最多5％，甚至3％的吸收率；和
-甚至对于基材-光提取层(优选由玻璃质材料/釉质制成)-部分结构化层(优选由玻璃质材料制成，更好是釉质并直接位于光提取层上)组件具有至少40％，甚至50％的TL为，并且优选最多5％，甚至3％的吸收率。
根据本发明的部分结构化层可以在大面积，例如大于或等于0.005m2或甚至大于或等于0.5m2或1m2的面积上延伸。根据本发明的栅格可以在大面积，例如大于或等于0.02m2，甚至大于或等于0.5m2或大于或等于1m2的面积上延伸。
典型地可以加入碱金属阻挡层：
-在无机玻璃基材的第一表面(使该表面是散射的或是平面表面，任选地抛光)与附加散射层之间；和/或
-在无机玻璃基材的第一表面(该表面被散射或是常规的平面的抛光表面)和优选电绝缘的部分结构化层之间。
例如通过物理气相沉积(PVD)沉积的层通常具有与基材的表面、与下邻的表面共形的表面，因此其不起平面化作用(或起很小的平面化作用)。
碱金属阻挡层可以基于氮化硅，碳氧化硅，氮氧化硅，碳氮氧化硅，或二氧化硅，氧化铝，氧化钛，氧化锡，氮化铝，氮化钛或Ti(Zr)O，例如具有小于或等于100nm或甚至小于或等于30nm，优选大于或等于3nm或甚至大于或等于5nm的厚度。它可以是多层。
在选择为塑料的基材(具有制成散射性的表面或平面表面)上可以添加水分阻挡层。阻挡层可以基于氮化硅，碳氧化硅，氮氧化硅，碳氮氧化硅，二氧化硅，氧化铝，氧化钛，氧化锡，氮化铝或氮化钛，例如具有小于或等于10nm，优选大于或等于3nm或甚至大于或等于5nm的厚度。它可以是多层。
在本发明中，所有的折射指数在550nm进行定义。
根据本发明的导电载体可以用于底部发射(英文为"bottom emission")的有机电致发光器件或由顶部和底部发射的有机电致发光器件中。
在本发明中，所有电介质层可以是掺杂的。术语“掺杂”通常理解为表示该元素的存在量小于层中金属元素的10重量％。金属氧化物或氮化物可以特别地掺杂到0.5-5％之间。根据本发明的任何金属氧化物层可以是简单氧化物或混合氧化物，任选地被掺杂。
在本发明中，当明确提到层或涂层(包括一个或多个层)被直接沉积在另一沉积物下方或被直接沉积在另一沉积物上方时，即，在这两个沉积物之间不能插入其它层。
导电载体可以包括导电涂层，该导电涂层优选直接覆盖非导电区和金属栅格，尤其该导电涂层具有小于或等于500nm的厚度e5，小于20Ω·cm，甚至小于10Ω·cm或低于1Ω·cm，甚至低于10-1Ω·cm且高于金属栅格的电阻率的ρ5，以及具有为至少1.55，更好至少1.6，甚至更好至少1.7的给定折射指数n5。
电阻率优选根据线带之间的距离进行调节。当B为越大时，它是更小的。
例如，对于B=1000μm和e5=100nm，优选小于0.1Ω·cm的电阻率。对于200μm的B和e5=100nm，优选小于1Ω.cm的电阻率。
根据本发明的导电涂层有助于更好的电流分布。
导电涂层的表面优选用于与OLED的有机层接触：该有机层尤其是空穴注入层(英文为“HIL”)或空穴传输层(英文为“HTL”)或形成HIL或HTL的一部分，或起HTL或HIL的作用。
此外，导电涂层的(外)表面可以还具有非常大尺度的，通常大于0.1mm的起伏。此外，基材可以是弯曲的。
导电涂层优选是单层而不是多层。
涂层的表面，特别是通过气相沉积获得的表面，可以再现栅格的表面粗糙度。涂层在中心区域上方可以从高表面向下移。
该涂层可以具有功函数匹配层，该功函数匹配层例如可以具有从4.5eV开始的或更优选大于或等于5eV的功函数Ws。
因此，导电涂层可以包括具有在1.7-2.3之间的折射指数na的无机层(或优选由其组成)，优选地其是该涂层的最后一层(即离基材最远的层)，尤其是功函数的调节层，优选具有低于150nm的厚度，基于简单或混合的透明导电氧化物：
-特别地基于至少一种以下任选掺杂的金属氧化物：氧化锡，氧化铟，氧化锌，氧化钼MoO3，氧化钨WO3，氧化钒V2O5；
-(优选)ITO，例如基于氧化锡锌SnZnO或基于氧化铟锌(IZO)或基于氧化铟锡锌(ITZO)的(特别是无定形)层。
优选地，基于氧化锌的层掺杂有铝和/或镓(AZO或GZO)。
由ZnO氧化物制成的层优选地掺杂有Al(AZO)和/或Ga(GZO)，其中Zn+Al或Zn+Ga或Zn+Ga+Al或Zn+其它掺杂剂(优选选自B，Sc或Sb或甚至来自Y，F，V，Si，Ge，Ti，Zr，Hf，甚至In)的重量百分比总和为金属总重量的至少90％，更好是至少95％，甚至至少97。
对于根据本发明的AZO层，可优选：铝的重量百分比相对于铝和锌的重量百分比之和，即Al/(Al+Zn)低于10％，和优选低于或等于5％。
为此，可以并优选使用氧化铝和氧化锌的陶瓷靶，使得氧化铝的重量百分比相对于氧化锌和氧化铝的重量百分比之和，典型地Al2O3/(Al2O3+ZnO)，低于14％，优选低于或等于7％。
对于根据本发明的GZO层，优选的是，在锌和镓的重量百分比之和中镓的重量百分比，换句话说Ga/(Ga+Zn)低于10％并且优选小于或等于5％。
为了实现这一点，可以并优选使用锌和镓氧化物的陶瓷靶，使得氧化镓在氧化锌和氧化镓的重量百分比的总和中的重量百分比，典型地Ga2O3/(Ga2O3+ZnO)，低于11％，优选低于或等于5％。
在选择为基于氧化锡锌(SnZnO)的层中，Sn金属总重量百分比优选为20至90％(对于Zn优选为80至10％)，特别是30至80％(对于Zn优选为70至20)，Sn/(Sn+Zn)重量比优选为20至90％，特别是30至80％。
无机层，优选由ITO或基于氧化锌制成的无机层，优选具有小于或等于60nm，50nm甚至40nm或甚至30nm以及甚至小于或等于10nm的厚度，并且具有低于10-1Ω.cm的电阻率。优选地，选择通过物理气相沉积，特别地通过磁控溅射沉积的层，其选自ITO和ZnO(AZO，GZO，AGZO)或甚至MoO3，WO3或V2O5。
术语“氧化铟锡”(或“锡掺杂的氧化铟”或术语“ITO”)将优选地理解为是指由铟(III)氧化物(In2O3)和锡(IV)氧化物(SnO2)获得的混合氧化物或混合物，优选地，对于第一氧化物的重量比为70至95％，对于第二氧化物为5至20％。典型的重量比例为约90重量％的In2O3，对于约10重量％的SnO2。
导电涂层可以由其折射指数na在1.7-2.3之间(这时等于n5)的无机层组成。
导电涂层可以至少包括最远离基材的(涂层的)最后层，由(导电)聚合物制成的有机层(具有亚微米厚度e'5和至少为1.55，更好地1.6的折射指数nb)或由它们组成，这种聚合物层可以起有机电致发光系统的空穴传输层(HTL)或空穴注入层(HIL)的作用。
导电涂层可以由具有在1.7和2.3之间(这时等于n5)的折射指数nb的有机层组成。
例如，它是来自聚噻吩类的一种或多种(导电)聚合物的层，例如PEDOT，即聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)或PEDOT/PSS，即与聚(苯乙烯磺酸盐)混合的聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)。
作为销售的PEDOT或PEDOT:PSS，可以提及由Heraeus销售的以下产品：
-小于10-2ohm.cm的ρ的Clevios™ F ET；或
-具有约10ohm.cm的ρ的Clevios™ HIL 1.1。
(导电)聚合物形成电极的一部分并且还任选地用作空穴注入层(HIL)。
导电涂层可以是多层的并且包括，(优选直接地)在上述无机层(特别是最后层)或上述有机层(特别是最后层)下方，直接在金属栅格(单层或多层栅格)上方的第一层，该第一层由厚度e'5小于200nm且折射指数n'5在1.7-2.3之间的透明导电氧化物制成，n'5-n3的差值绝对值优选小于0.1，该层特别地选自：
-优选基于尤其掺杂有铝和/或镓的氧化锌(AZO或GZO)或任选地ITZO的层；和/或
-例如基于氧化锡锌SnZnO(优选具有小于100nm的厚度)或基于氧化铟锌(表示为IZO)或基于氧化铟锡锌(表示为ITZO)的层(特别是无定形层)。
AZO或GZO层可以例如允许无机层，特别是ITO层的厚度减小到小于50nm。
导电载体还可以包括临时(可移除)保护层，例如无机层，例如由氧化物或氮化物制成，或聚合物层，以便允许载体被运输到导电涂层的沉积地点，该地点与栅格的沉积地点不同。
基材可以是平面的或弯曲的，此外可以是刚性的，柔性的或半柔性的。
其主面可以是矩形，正方形或甚至任何其它形状(圆形，椭圆形，多边形等)。这种基材可以具有大尺寸，例如具有大于0.02m2或甚至0.5m2或1m2的面积，并且下电极基本上占据该面积(不包括结构化区)。
基材可以是基本透明的，由无机材料或塑料材料(例如聚碳酸酯PC，聚甲基丙烯酸甲酯PMMA或甚至PET，聚乙烯醇缩丁醛PVB，聚氨酯PU，聚四氟乙烯PTFE等)制成。
基材优选由无机玻璃制成，特别是通过浮法工艺获得的钠-钙-硅玻璃，浮法工艺在于将熔融玻璃倾倒在熔融锡浴上。基材优选是无色的，并且(单独)具有至少80％，甚至90％的在标准EN410:1998意义上的光透射系数。
基材可以有利地是在OLED辐射波长下具有低于2.5m-1，优选低于0.7m-1的吸收系数的玻璃。例如选择含有小于0.05％的Fe III或Fe2O3的钠钙硅玻璃，特别是来自Saint-Gobain Glass的Diamant玻璃，来自Pilkington的Optiwhite玻璃和来自Schott的B270玻璃。可以选择在文献WO04/025334中描述的任何超透明玻璃组合物。
玻璃基材的厚度可以为至少0.1mm，并且优选在0.1至6mm，特别是0.3至3mm的范围内。
如上所定义的载体还可以包括沉积(优选直接地沉积)在导电涂层上的有机电致发光系统，任选地包括空穴传输层HTL或空穴注入层HIL。
本发明还涉及有机电致发光器件，其包括如上所定义的载体、具有形成“下”电极的金属栅格的电极，即最接近基材的电极，通常为阳极，特别地覆盖有由有机电致发光材料制成的电致发光层，所述电致发光层由上电极(通常阴极)覆盖。
对于上电极，可以使用(反射，半反射等)金属层，例如由Ag、Al、Pd、Cu、Pd、Pt、In、Mo、Au制成。
OLED器件可以产生单色光，特别是蓝色和/或绿色和/或红色光，或者适合于产生白光。
为了产生白光，多种方法是可能的：将化合物(发射红色，绿色，蓝色光)混合在单层中；可以在电极的表面上堆叠三个有机结构(发射红色，绿色，蓝色光)或两个有机结构(黄色和蓝色)，三个相邻有机结构(发射红色，绿色，蓝色光)的系列；发射单一颜色的有机结构在电极的表面上，而合适的发光体层放置在另一个表面上。
OLED器件可以包括多个相邻的有机电致发光系统，每个发射白光或者红、绿和蓝光三者的系列，所述系统例如串联连接。
每行可以例如按照给定的颜色发射。
根据所使用的有机材料，OLED通常分为两个大家族。
如果电致发光层由小分子形成，则该器件被称为小分子有机发光二极管(SM-OLED)。薄层的有机电致发光材料由蒸发的分子组成，例如络合物AlQ3(三(8-羟基喹啉)铝)，DPVBi(4,4'-二苯基亚乙烯基)联苯，DMQA(二甲基喹吖啶酮)或DCM(4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃)。发射层还可以例如是掺杂有fac-三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)的4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)层。
通常，SM-OLED的结构由HIL(空穴注入层)，HTL(空穴传输层)，发射层和ETL(电子传输层)的堆叠体构成。
有机电致发光堆叠体的实例例如描述在文献US6645645中。
如果有机电致发光层是聚合物，则称为PLED(聚合物发光二极管)。
优选地，导电涂层耐受以下OLED制造步骤：
-在200℃稳定1小时；
-耐在13的pH值(清洁溶液)；
-耐在1.5-2的pH值(特别地如果沉积聚合物用于导电涂层时，在沉积OLED系统之前)；和
-抗分层(透明胶带试验)。
光提取装置也可以位于基材的外表面上，即在与担载栅格电极的第一主表面相对的表面上。它可以是微透镜或微锥体阵列，如在Japanese Journal of Applied Physics，Vol.46，No.7A，第4125-4137页(2007)中描述，或甚至轧光整理，例如通过用氢氟酸蚀刻获得的轧光整理。
最后，本发明涉及用于制造如上所定义的导电载体的方法，该方法以下顺序包括以下步骤：
-提供所述基材，包括：
-光提取层，其优选由基材的第一散射表面形成和/或由(优选直接地)位于基材的第一表面上的附加散射层形成；和
-在光提取层上，由具有所述折射指数n3的组合物制成的“高折射指数”层，该层包含所述玻璃质材料(优选不含散射颗粒)，并且该层任选地含有孔类型元件浓度，孔类型元件的体积浓度低于0.5％，优选低于0.2％，特别是低于0.1％，优选地，所述高折射指数层使光提取层平面化；
-在所述高折射指数层中形成称为“空腔”的盲孔，从而形成所述部分结构化层，其包含：
-在高指数层上产生具有给定通孔(线和/或网)排列的不连续掩模层(树脂层，例如感光树脂层，特别是正性或负性感光树脂层)；和
-通过掩模层中的通孔湿法蚀刻高折射指数层，尤其是大开口的通孔(在与基材相反的方向上扩大)，掩模层的侧壁相对于空腔的侧壁突出并因此限定掩模层的朝向空腔的表面部分(称为内表面)，所述孔的宽度W0小于空腔的宽度Wc(在高表面的水平面处)；和
-形成金属栅格(在称为非导电区的高表面和金属栅格的表面之间具有间隔H)，其包括：
-湿法沉积第一金属，其部分地填充空腔的栅格，优选地自催化湿法沉积，该沉积优选地对于金属栅格是唯一沉积，直接沉积在空腔的底部上，甚至沉积在覆盖空腔的全部或一部分的电介质(非金属)下层(下连接层等)上，该第一材料沉积在空腔的底部，空腔的侧壁上并且完全在掩模层的内表面上，从而形成与高表面齐平的线带的侧方区域，并且比线带束的中心区域(其面向孔)更低粗糙的；和
-去除掩模层(优选使用湿法甚至在超声下进行)，优选地去除掩模层在栅格表面上方不产生高度至少10nm的突起。
使用湿法蚀刻方法进行该蚀刻。通过溶液的浓度，溶液类型，蚀刻的时间长度和溶液的温度来控制空腔的深度。掩模层，优选为(感光)树脂这时是耐蚀刻溶液的。
空腔具有沿与基材相反的方向扩张的侧壁(随着远离基材而进一步扩大)。横截面可以是杯形或甚至半球形(类型)。
特别地可以与由玻璃质材料(优选釉质)制成的部分结构化层一起使用酸溶液，并且优选地，掩模层是(感光)树脂，特别是正性感光树脂。
用湿的特别是酸的溶液获得的蚀刻是垂直和侧向的，因为(特别是酸)蚀刻溶液在每个方向上侵蚀(切割)。蚀刻轮廓可以是杯形或半球形。
接下来，在第一金属材料之前沉积任选的粘结层。
有利地，湿法沉积(优选地，对于金属栅格来说是唯一沉积)可以是镀银，并且优选地栅格是单层，甚至第一金属(其基于银)直接沉积在空腔的底部上。
或者，金属栅格的形成包括栅格的第二金属材料在第一金属材料上方或在第一金属材料下方的其它沉积。
如果在湿法沉积(例如镀银)之后进行该其它沉积，它可以是电沉积银。如果在湿法沉积(例如镀银)之前进行该其它沉积，它可以是银的阴极溅射。当使用相同金属(例如优选银)的两种不同沉积方法(阴极溅射和镀银，镀银和电沉积)获得栅格时，银层可以通过它们的性质，特别地通过可辨别的界面进行区分。
用于镀银步骤的溶液可以包含银盐，用于还原银离子的试剂，甚至螯合剂。镀银步骤可以根据在反射镜制造领域中通常使用的并且例如在由Mallory，Glenn O.；Hajdu，JuanB.编辑的著作“Electroless Plating-Fundamentals and Applications”， (1990)William Andrew Publishing/Noyes的第17章中描述的常规操作模式进行实施。
在优选的实施方案中，镀银步骤包括使具有光提取层的基材，部分结构化层和含通孔的掩模层(优选(感光)树脂)与两种水溶液(一种含有金属盐，例如硝酸银，另一种含有金属离子(Ag+离子)的还原剂，例如钠，钾，醛，醇或糖)的混合物接触(通过浸入浴中或通过喷涂溶液)。
最常用的还原剂是罗谢尔盐(酒石酸钾钠KNaC4H4O6·4H2O)，葡萄糖，葡萄糖酸钠和甲醛。
优选地，在进行这种接触之前，镀银步骤包括(空腔表面的)敏化步骤，优选包括用锡盐的处理，和/或(空腔表面的)活化步骤，优选包括用钯盐的处理。这些处理的功能主要是促进随后的金属化(通过银)和增加形成的银金属层(在空腔中)的粘附性。对于这些敏化和活化步骤的详细描述，可以例如参考专利申请US2001/033935。
更确切地，可以通过将具有光提取层，部分结构化层和含通孔的掩模层(优选(感光)树脂)的基材浸入槽中来进行镀银操作，每个槽按以下顺序包含以下三种溶液之一：
-第一SnCl2水溶液(敏化)，优选进行搅拌(优选少于5分钟，例如0.5-3分钟)，随后在(蒸馏)水中漂洗；
-第二PdCl2水溶液(活化)，优选进行搅拌(优选少于5分钟，例如0.5-3分钟)，随后在(蒸馏)水中漂洗；和
-第三溶液，其为银盐(优选硝酸银)的溶液和银还原剂(优选葡萄糖酸钠)的溶液的混合物，优选进行搅拌(优选少于15分钟甚至少于5分钟，例如0.5-3分钟)，随后在(蒸馏)水中漂洗。
然后将涂覆和这样镀银的基材从最后一个浴中取出并在(蒸馏)水中漂洗。
另一个实施方案在于以与上述相同的顺序喷涂三种前述溶液，而不是浸没具有光提取层，部分结构化层和含通孔的掩模层(优选为(感光)树脂)的基材。
优选使用湿法，特别地通过在溶剂(丙酮等)的超声浴中除去掩模层(优选例如树脂层，更好地感光树脂层)。
高折射指数层优选包含釉质(更好地由釉质组成)，所述层特别是由基于玻璃料的第一组合物获得。优选地，任选的附加散射层包括含有散射元件的釉质(更好地由其组成)，散射元件由另一种基于玻璃料的组合物(其特别与第一组合物相同)获得。
包含玻璃质材料的高折射指数层优选是通过以下方法获得的釉质，其中：
-将具有折射指数n3的玻璃料与有机介质混合，以形成“平面化”糊料，优选不添加散射颗粒；
-沉积所述糊料，例如通过丝网印刷；
-优选直接在无机玻璃片材(具有散射表面)上或在无机阻挡层(其在无机玻璃片材(具有散射表面))上或甚至在附加散射层上沉积；和
-烘烤该组件。
包括玻璃质材料的附加散射层优选是通过以下方法获得的釉质，其中：
-将玻璃料与有机介质混合，并优选与散射颗粒混合以形成“散射”糊料；
-沉积所述糊料，优选直接沉积在(平面的、抛光或纹理化、散射性)的无机玻璃片材上，或沉积于在无机玻璃片材上的无机阻挡层上；和
-烘烤该组件。
附加散射层可以通过在沉积“平面化”糊料之前烘烤该散射糊料来形成，或者可以一起烘烤这两种糊料(减少一个烘烤步骤)。
在一种结构中，使用具有相同组成(特别是相同的玻璃料，不同在于存在或不存在散射颗粒)的散射糊料和平面化糊料。
有机介质典型地选自醇，二醇和萜品醇酯。介质的重量比例优选在10至50％的范围内。
(散射和/或平面化)糊料的沉积特别地可以通过丝网印刷，辊涂，浸涂，刮涂，通过喷涂，旋涂，流涂(nappage vertical)或甚至借助于狭缝模的涂布进行实施。
在丝网印刷的情况下，优选使用为织物或金属网眼形式的网屏，流动涂布工具和刮刀，通过选择网屏的网眼及其张力，通过选择在玻璃片材(或附加散射层)和网屏之间距离，通过刮刀的压力和移动速度来控制厚度。沉积物典型地在100至150℃的温度下在红外或紫外辐射下进行干燥，这取决于介质的性质。
通常，使玻璃料(70-80重量％)与20-30重量％的有机介质(乙基纤维素和有机溶剂)混合。
可以使糊料经受在120℃-200℃的范围内的温度的热处理，例如以便固化糊料。接下来，可以使糊料经受350-440℃的热处理以除去有机介质。用于形成釉质的烘烤高于典型地在低于600℃，优选低于570℃的温度的Tg。
高表面和栅格可以在导电涂层沉积之前或导电涂层沉积之后抛光。
该方法还可以包括，在被所述栅格材料覆盖的掩模层(树脂，特别是感光树脂)已经被去除之后，直接在栅格上和(直接)在部分结构化层上沉积导电涂层(单层或多层导电涂层)的步骤：
- 通过物理气相沉积，特别是通过阴极溅射，包括任选的SnZnO或AZO的第一沉积，以及ITO或基于(掺杂的)ZnO或甚至MoO3，WO3或V2O5的第二沉积物或最后沉积，或优选ITO或基于(掺杂的)ZnO或甚至MoO3，WO3或V2O5的唯一沉积；和/或
- 通过湿法，例如(导电)聚合物的沉积，优选地，选择单层导电涂层的唯一沉积。
可以优选地，所有的沉积操作都通过湿法沉积进行实施。
该方法可以包括在沉积导电涂层之前在高于180℃，优选在250℃-450℃之间，特别是在250℃-350℃之间的温度下的加热(电极)步骤，时间长度优选为5分钟至120分钟，特别是15至90分钟。
和/或，该方法可以包括在沉积由无机(优选ITO)层或基于(掺杂的)ZnO的层组成的导电涂层之后的加热步骤，该加热的温度高于180℃，优选在250℃-450℃之间，特别是在250℃-350℃之间，持续时间优选在5分钟-120分钟，特别是在15分钟-90分钟。
该加热使得可以改善栅格的R方块和/或降低ITO类型无机层的吸收。
现在将借助于非限制性实施例和附图更详细地描述本发明。
- 附图1是根据本发明的第一实施方案的用于OLED的导电载体的示意性横截面图；
- 附图1a是图1的详细视图；
- 附图1b示出了用于图1中的载体中的栅格的示意性俯视图，附图1c是该栅格的变型的示意性俯视图；
- 附图1d是根据本发明的实施例1的用于OLED的导电载体(没有导电涂层)的扫描电子显微照片，显示高表面和栅格的线带；
- 附图1e示出了作为HTL厚度的函数的由实施例1和对比OLED制成的OLED的外部量子效率；
- 附图1f是显示在第一比较例中的高表面和栅格线带的用于OLED的导电载体(没有导电涂层)的扫描电子显微照片；
- 附图1g是显示了在由申请人实施的第二比较例中的高表面和栅格线带的用于OLED的导电载体(没有导电涂层)的扫描电子显微照片，；
- 附图1h是通过本申请人生产的第二比较例的线带的部分结构化层的空腔的横截面的示意性详图；
- 附图2是根据本发明的第二种实施方式的用于OLED的导电载体的示意性横截面图；
- 附图3a至3g是用于制造附图1中的导电载体的工艺的示意图；
- 附图4是具有部分结构化层的空腔的横截面的扫描电子显微照片。
应当注意，为了清楚起见，所示对象的各种元件不按比例。
附图1示意性地示出了用于穿过基材发射的有机电致发光器件OLED的散射性导电载体100的横截面。
该载体100包括由具有1.3至1.6的折射指数ns的有机玻璃或优选无机玻璃制成的平面或弯曲的玻璃基材1(其是光滑的或甚至是纹理化的以便为散射性的)，具有称为第一表面的第一主面11，按这种远离该基材的顺序担载有：
- 如果为无机玻璃，则有任选的碱金属阻挡层(未示出)，或者如果为有机玻璃，则有湿气阻挡层，例如氮化硅或Ti(Zr)Ox层；
- 由具有散射元件的附加散射层形成的电绝缘的光提取层41，优选为无机层，该层优选由具有为1.7至2.3，优选1.80至2.10，特别是1.85至2.00的折射指数n4的高折射指数的玻璃质材料制成，玻璃质材料，如含有如散射颗粒4'和孔4"(或作为变体，这两种中仅一种)的散射元件的釉质，该层具有给定的厚度e4且优选微米尺寸，甚至最多30μm的厚度e4；
- 高折射指数的电绝缘的在厚度中部分结构化无机层3，具有为1.7至2.3，优选1.80至2.10，特别是1.85至2.00的折射指数n3，优选为高折射指数玻璃质材料，优选釉质，其厚度e3优选为微米级甚至最多20μm，在高折射指数玻璃质材料中不添加散射颗粒，该层3覆盖该附加散射层的表面，其包含：
-称为低区域30的区域(连续的，非纹理化的)，其在这里直接位于附加散射层上，具有给定(优选微米的)厚度e'3，其覆盖该附加散射层的表面；和
-突起和凹陷状的结构化区域31，所述突起限定平坦的高表面31'，所述空腔或凹陷由底部32'(限定低表面)和侧壁32限定，所述空腔具有在中间取的高度ec，优选为最多1500nm并大于200nm，空腔沿着给定的规则或不规则的布置(不连续的带，网等)延伸，高表面是局部平面的；
-电极2，其包括以栅格20形式布置的层，称为金属栅格，栅格由金属材料，优选银单层制成，栅格在这里是由锚定在空腔中的线带20(又称为“轨道”)形成的单层，所述线带具有小于50μm，更好地小于或等于30μm(并且至少1μm)的宽度A并且间隔有小于或等于5000μm的距离B，所述栅格具有为至少100nm，优选小于1500nm的在线带表面中间定义的厚度e2，所述栅格具有小于20Ω/□，甚至小于10Ω/□或者小于5Ω/□的方块电阻；和
-导电涂层5，优选为单层，具有小于或等于100nm，更优选小于或等于60nm的厚度e5，具有小于20Ω.cm并且高于金属栅格电阻率的电阻率ρ5，并且具有至少1.55的给定折射指数n5，其由在栅格2上和在高表面31'上优选由ITO(或AZO或GZO，AGZO)制成的无机层组成，或作为变型由是高折射指数导电聚合物层(如通过湿法沉积的PEDOT/PSS)组成，其具有例如为约10-1ohm.cm的电阻率ρ1和约100nm或更大的厚度。
为了表征该空腔，如在图1a(图1的详细视图)中所示，在空腔底部定义宽度Ac，Bc被定义为两个空腔相邻底部之间的距离。ec是从空腔底部的中心开始的高度。
由于在形成部分结构化层期间的湿法蚀刻层的工艺，空腔具有倾斜的侧壁，其细节在下面给出。
侧壁是扩张的(它们随着远离基材而进一步扩宽)，定义在X和Y之间的水平距离L使得X是侧壁的最高点，Y是在空腔的底部的端部处的点。获得大于ec的L，L≤2ec并且甚至L≤1.4ec。
高表面31'和空腔中心处的金属栅格2的表面之间的间隔H大于100nm，更好地大于150nm。
线带具有由于镀银沉积而为粗糙的中心区域21和宽度为L1的光滑的侧方区域22,22'。因此，中心区域Ac的宽度等于A-2L1。
ITO涂层5通过磁控阴极溅射进行沉积，其表面与下邻表面(部分结构化层的表面，侧方区域，中心区域)共形。
部分结构化层3是局部平面的，并且不含散射颗粒。部分结构化层不含孔，或至少很少在表面上开口的孔。无论如何，部分结构化层不包含易于散射光的孔和/或产生局部过大的表面粗糙度的孔。
为了制造OLED器件，然后添加简单或多结(串联等)有机电致发光系统和反射(或半反射)上电极，特别是金属的，例如基于银或铝的上电极。
附图1b是用于附图1的载体100中的栅格的示意性俯视图。栅格2由具有在高表面处的水平面的宽度A和在高表面的水平面处的距离B的不连续的线状线带20(因此在形成不连续的线状槽纹的空腔中)。图案间距离B对应于相邻线带之间的最大距离。
附图1c是具有互连的线带20的栅格的变型，线带形成例如蜂窝形状或任何其它几何(正方形等)或非几何形状的封闭网格或图案。图案间距离B对应于网格的两点之间的最大距离。
在关于附图1的实施例1中，选择以下特征。
玻璃1是平面的，具有低于1％的雾度，由透明的钠钙玻璃，例如浮法玻璃制成，具有为约1.5的折射指数，例如为0.7mm的厚度，为至少90％的TL。
具有等于10μm的厚度e4的附加散射层4是由富含铋(例如至少55重量％，优选低于85重量%)的玻璃基质组成的高折射指数釉质(n4=1.95，在λ=550nm)，该玻璃基质具有低于500℃的Tg，并且包含TiO2(平均直径400nm)或作为变型SiO2(平均直径300nm)的散射颗粒，颗粒密度对于TiO2为约5×108颗粒/mm3，对于SiO2颗粒为约2×106颗粒/mm3。
直接沉积在散射层4上的部分结构化层3由不添加散射颗粒的具有为9至12μm(例如10μm)的厚度e3的富含铋的相同基质(在λ=550nm处的n3=1.95)组成。
厚度ec为500nm。如上所述，通过酸蚀刻获得釉质层3的空腔。
部分结构化层3是局部平面的。高表面31'的粗糙度由低于1nm的Ra进行定义。
在沉积基于玻璃料和散射颗粒的糊料(和任选的干燥)之后和在沉积不含散射颗粒的相同的玻璃料的糊料之后，例如进行一次高于Tg的烘烤(甚至用于除去有机介质的烘烤)。
由玻璃1、散射层4和部分结构化层3组成的组件的TL为57％，雾度为85％，吸收率小于2％。
栅格2是通过镀银直接沉积在空腔中的银单层。银部分地填充空腔，其中e2等于约200nm。因此，H等于300nm。为网格的该栅格的图案是六边形。宽度A等于12μm，最大距离B为560μm。覆盖率T为4.5％。
对于为约200nm的厚度e2，根据以下操作模式将银层沉积在部分结构化层3中：
-根据以下方式稀释镀银溶液(由DR. -ING. SCHMITT，GMBH Dieselstr.16，64807Dieburg/GERMANY提供的稀释溶液)：
o 在250cm3烧瓶中的100μl的Miraflex® 1200(SnCl2溶液)(溶液No.1)；
o 在250cm3烧瓶中的200μl的Miraflex® PD(PdCl2溶液)(溶液No.2)；
o 在250cm3烧瓶中的15ml的Miraflex® RV(还原剂葡萄糖酸钠溶液)(溶液No.3)；和
o在250cm3烧瓶中的15ml的Miraflex® S(硝酸银溶液)(溶液No.4)；
-将基材(具有釉质层4,3)放置在一个槽中，将溶液No.1的内容物倒入其中并搅拌1分钟，然后在蒸馏水中漂洗；
-将基材(具有釉质层4,3)置于第二个槽中，将溶液No.2的内容物倒入其中并搅拌1分钟，然后在蒸馏水中漂洗；
-将基材(具有釉质层4,3)放置最后一个槽中，在槽中倒入溶液No.3和4的内容物，搅拌2分钟，然后在蒸馏水中漂洗。
导电涂层5由50nm厚的氧化铟锡ITO层组成，该氧化铟锡ITO层的折射指数为约2，电阻率ρ5低于10-1Ω·cm。
在2×10-3毫巴的压力下，使用由氧化铟(90重量％)和氧化锡(10重量％)制成的陶瓷靶，在氩气和氧气的混合物(O2/(Ar+O2)为1%)下，ITO通过磁控阴极溅射进行沉积。
通过常规的4点探针法测量的在600℃下退火20分钟后的组件的R方块为约2.5欧姆/平方。
附图1d是在沉积导电涂层之前在部分结构化层中的银栅格2的原子力显微照片，示出了部分结构化釉质层3的高表面31和具有平面侧方区域22和更粗糙的中心区21的栅格线带20。还看到空腔的侧壁32。
附图1e示出了在空气中测量的外部量子效率EQE空气作为使用实施例No.1制备的OLED(曲线8)和对比OLED(曲线8')的HTL厚度的函数的依赖性。
比较OLED由申请人使用相同的玻璃和相同的附加散射层进行制造，在附加散射层上覆盖有与部分结构化层相同厚度和相同材料的非结构化层，并且具有作为电极的与涂层5相同的ITO层，该ITO层的厚度等于50nm，R方块为100欧姆/平方，因此远高于实施例No.1的OLED的R方块值。
该电致发光系统包括：
-具有可变厚度(在约200-600nm之间)的HTL层；
-10nm的电子阻挡层(EBL)；
-发射橙色的10nm厚的层；
-发射蓝色的25nm厚的层；
-10nm的空穴阻挡层(HBL)；和
-40nm的电子传输层(ETL)。
阴极是100nm的铝层。
在积分球内测量EQE空气。根据本发明的OLED的EQE空气是令人满意的(在11％-12％之间)，并且几乎等于对比OLED的EQE空气。约5％的差异是由于银栅格的表面遮挡(覆盖率T为4.5％)。相反，由于对比阳极的较低R方块，实施例No.1中制备的OLED具有比对比OLED的发光效率高约20％的发光效率。此外，实施例1中制备的OLED具有比用玻璃(没有光提取层)和基于ITO的电极制造的OLED的EQE空气(其EQE空气为约7.5至8％)更高。
附图1f是扫描电子显微照片，其显示通过镀银获得的栅格2'的线带20'，但是其中心区域21与部分结构化釉质层3的高表面31'相差小于100nm，这是由申请人作为比较实施例进行的实施例。
观察到沿光滑侧表面22的内边缘和粗糙中心表面21的外边缘出现约50nm高度的突起23(在这里是连续的)。这些突起23产生泄漏电流。
图1g是扫描电子显微照片，显示了通过磁控阴极溅射而不是镀银获得的栅格2"的线带20"的顶部，并且示出了层3的高表面31。银通过磁控阴极在氩气下在8×10-3毫巴的压力下用由银制成的靶进行溅射。
由于掩模层的遮蔽作用，线带的侧方区域22a是杯形的。这些杯产生泄漏电流。
因此，附图1h示出了这种类型的银栅格2"的线带20"的轮廓曲线和细节的示意性横截面，该线带材位于部分结构化层3的空腔中。侧方区域22a和22b产生了形态断裂(其产生泄漏电流)。
附图2示意性地示出了在本发明的第二实施例中的用于穿过基材发射(或底部发射)的有机电致发光器件OLED的导电载体2000的横截面。
下面仅详细描述了相对于载体100的修改。
光提取层42由玻璃1的第一表面形成，该表面是粗糙的散射性的。因此，部分结构化层3直接位于玻璃的第一散射表面上。
在关于附图2的实施例No.2中，选择以下特征。
通过例如使用氢氟酸使玻璃粗糙化而获得第一散射表面11的粗糙度42。粗糙基材的实例是由La Veneciana de Saint-Gobain 公司生产的称为Satinavo® Mate的玻璃。粗糙化的基材的突起例如基本上是棱锥形的和随机分布的，各向同性地散射光。
下表给出了粗糙度参数Ra，Rz和雾度(haze)。
对于高折射指数的部分结构化层3，选择如对于实施例1的层所述的釉质，厚度e3为20μm。
或者，可以选择通过如在专利申请WO2014/048927的实施例1至5中所述的研磨获得的散射表面。
图3a至3g是用于通过酸蚀刻制造部分结构化层的方法的示意图(不按比例)，以及关于附图1通过镀银制造银栅格的示意图(未按比例)。
在图3a中所示的第一步骤在于，从涂覆有由在基材上的附加散射层(其由含有散射颗粒的无机材料制成)形成的光提取层4的玻璃1开始：
-在光提取层上形成包括具有所述折射指数n3的玻璃质材料(优选釉质)的高折射指数层3a；和
-在层3a上施加液态掩模材料的层60，在这里为正性光敏树脂，常规AZ1505树脂。
然后在对流烘箱中在100℃下将感光树脂烘烤二十分钟。感光树脂的厚度为800nm。
附图3b所示的第二步骤在于产生感光树脂图案。为此，将含有不连续部分71的光刻掩模70施加到树脂60上，并且在旨在根据不均匀或均匀的排列转变成通孔(不连续(平行)条带形式或互连(对于栅格)形式)的区域中，使用Hg灯穿过不连续部分在20mW/cm2的UV(在365nm)照射树脂60持续10秒。
附图3c中所示的第三步骤在于在感光树脂60中产生通孔。被照射区域通过溶解在基于四甲基氢氧化铵(TMAH)的特定显影溶液中并且在去离子水中漂洗被去除，从而形成穿过感光树脂的通孔。限定通孔的感光树脂的侧壁61是倾斜的并随着远离玻璃而扩张。因此，在感光树脂60的外表面或上表面63的水平面处，每个通孔的宽度大于高表面31'的水平面位置的宽度W0。
或者，可以使用负性感光树脂和反转光刻掩模(去除未照射区域以形成开孔)。
在附图3d中所示的第四步骤在于在连续的高折射指数电介质层3a(如由釉质制成的层)中产生空腔。部分结构化层优选通过湿法蚀刻而不是干法蚀刻形成，例如通过在室温下的酸蚀刻。选择的树脂60因此是耐蚀刻溶液(其为pH 2.1的乙酸)的。然后通过蚀刻的时间长度(这里为35nm.min-1)来控制蚀刻深度。蚀刻形成具有倾斜侧壁32的具有深度ec的空腔，其随着远离玻璃1而扩张并是弯曲的。
蚀刻溶液，在这里是酸性的，在所有方向上侵蚀(蚀刻)：垂直和侧向。
蚀刻轮廓是杯形的。每个空腔具有比宽度W0更大的宽度Wc，留下面向空腔的相对于高表面突出的正性感光树脂的表面部分62, 62'，被称为内表面。内表面62, 62'的宽度L0基本上等于L。空腔的底部32'是平的。
附图4是显示部分结构化釉质层3和具有底部32'和弯曲侧壁32的空腔的局部横截面视图的EMB显微照片。
在附图3e中所示的第五步骤在于使用湿法且更精确地自催化沉积技术并因此优选通过镀银来沉积栅格2的材料。通过在空腔中的感光树脂60(耐酸蚀刻)的孔61进行沉积，以部分地填充空腔。银沉积在空腔的底部，空腔的侧壁上，感光树脂的内表面62, 62'上，感光树脂的侧壁(并且不存在于层3的高表面)上，以及在上表面或称为不连续外表面63的表面上。
更精确地，镀银部分地填充每个空腔并沉积在底部上，侧壁上并且完全地在掩模层的内表面62, 62'上，从而形成线带23, 23'的与高表面齐平的并比线带的中心区域24(面向通孔)更低粗糙性的侧方区域。每个侧方区域22, 23'的宽度L1大致等于L0+e2。
中心区域和平面的侧方区域的粗糙度参数的实例在下表中作为厚度e2的函数进行比较。
线带的面积 e<sub>2</sub>(nm) Rq(nm) Rmax(nm)
侧方区域 200 1.5 8
中心区域 200 20 200
侧方区域 300 2 10
中心区域 300 30 300
侧方区域 450 2 10
中心区域 450 35 450
附图3f所示的第六步骤在于使用利用丙酮溶剂和使用超声的湿法处理来去除感光树脂。
在附图3g中所示的第七步骤在于通过阴极溅射来沉积由ITO或AZO，GZO或AGZO制成的导电涂层5。或者，它涉及这些材料或甚至导电聚合物的湿法沉积。

Claims (30)

1.用于OLED的导电载体(100和200)，其按以下顺序包含：
-具有为1.3至1.6的折射指数n1的玻璃基材(1)，为有机或无机玻璃，具有称为第一表面的第一主面(11)；
-由玻璃基材承载的并在所述第一表面(11)一侧的电极，该电极包括由具有小于20Ω/□的方块电阻的金属材料制成的以栅格形式布置的层，其被称为“金属栅格”，金属栅格具有至少100nm的厚度e2，所述栅格由具有小于或等于50μm的宽度A的线带(20)形成，并且通过小于或等于5000μm的线带之间的距离B分开，这些线带由多个折射指数高于1.65的电绝缘非导电区(31)分隔，
其特征在于，在所述第一表面(11)的一侧上，所述载体包括：
-在所述金属栅格(2)下方的电绝缘光提取层(41至42)；
-在厚度中部分结构化的电绝缘层(3)，该层(3)具有给定的组成，具有1.7至2.3的折射指数n3，并且位于光提取层上，该部分结构化层由以下形成：
-离所述光提取层最远的结构化区域(31)，具有包含所述金属栅格的空腔，所述区域(31)包括所述非导电区域；和
-从在金属栅格下方并在光提取层上方的另一个区域(30)，称为低区域，
并且栅格在非导电区域(31)的被称为高表面(31')的表面的下方并齐平，并且在高表面(31')与金属栅格(2)的表面之间的间隔H大于100nm，H在所述线带的表面的中间和所述高表面之间进行测量，并且所述线带(20)沿着其长度具有在侧方区域(22,22')之间的中心区域(21)，侧方区域(22,22')与高表面(31')齐平。
2.根据前述权利要求所述的导电载体(100至200)，其特征在于，H大于150nm。
3.根据权利要求2所述的导电载体(100至200)，其特征在于，H小于500nm。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述线带(20)的表面沿着所述侧方区域(22,22')的内边缘不含有其高度大于10nm的突起。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述金属栅格(2,20)通过自催化沉积。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述金属栅格(2,20)通过镀银获得。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述中心区域(21)的表面粗糙度高于所述侧方区域(22,22')的表面粗糙度，所述侧方区域(22,22')的粗糙度参数Rq为最多5nm。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述侧方区域(22,22')具有宽度L1，L1大于所述空腔的高度ec，并且L1≤2ec。
9.根据权利要求1-3中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，金属栅格(2,20)具有小于25％的覆盖率T。
10.根据权利要求9所述的导电载体(100至200)，其特征在于，金属栅格(2,20)由银制成。
11.根据权利要求1-3中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述金属栅格(2,20)的厚度e2小于1500nm，宽度A小于30μm。
12.根据权利要求1-3中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述金属栅格(20)的一种或多种材料选自银、铜、镍和基于这些材料的合金。
13.根据权利要求1-3中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，具有大于200nm的高度ec的空腔(32,32')由扩张的侧壁(32)界定，随着离玻璃基材的距离而扩宽，其中水平距离L大于ec并且L≤2ec。
14.根据权利要求1-3中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述结构化区域(31)，不包含任何散射颗粒。
15.根据权利要求1-3中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述部分结构化层(3)由玻璃质材料制成。
16.根据权利要求15所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述部分结构化层(3)由釉质制成。
17.根据权利要求1-3中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述基材(1)由无机玻璃制成，并且所述光提取层包括附加散射层(41)和散射元件(4'，4")，附加散射层的材料包含玻璃质材料，并且部分结构化层(3)的组成包括玻璃质材料，和/或基材的第一散射表面(42)形成光提取层的一部分或者构成该光提取层，并且部分结构化层(3)的组成包含玻璃质材料。
18.根据权利要求1-3中任一项所述的导电载体(100至200)，其特征在于，导电涂层(5)覆盖所述高表面(31')和所述金属栅格(2)，该导电涂层具有小于或等于500nm的厚度e5，小于20Ω.cm的电阻率ρ5并且高于金属栅格的电阻率，并且具有至少1.55的折射指数n5。
19.根据权利要求18所述的导电载体(100至200)，其特征在于，所述导电涂层(5)包括具有1.7-2.3的折射指数na的无机层，该无机层具有小于150nm的厚度并且由透明导电氧化物制成。
20.根据权利要求18所述的导电载体，其特征在于，所述导电涂层包括，至少作为离所述基材最远的最后层，由导电聚合物制成的亚微米厚度的有机层。
21.根据权利要求18所述的导电载体，其特征在于，其包括沉积在所述导电涂层(5)上的有机电致发光系统。
22.有机电致发光装置，其包括根据权利要求1-21中任一项所述的导电载体(100至200)，具有金属栅格的电极形成最接近基材的“下”电极。
23.一种用于制造根据前述导电载体权利要求任一项所述的导电载体(100至200)的方法，其特征在于，其按如下顺序包括以下步骤：
-提供所述基材，该基材包括：
-光提取层(4)；和
-在光提取层上的由具有为1.7-2.3的折射指数n3的组合物制成的“高折射指数”层(3a)；
-在所述高折射指数层(3a)中形成空腔，从而形成所述部分结构化层(3)，所述形成空腔步骤包括：
-在所述高指数层(3a)上产生具有给定的通孔排列和具有侧壁的不连续掩模层；和
-穿过掩模层的通孔湿法蚀刻高折射指数层(3a)，掩模层的侧壁相对于空腔的侧壁伸出并因此定义了所述掩模层的面向所述空腔的表面部分，称为内表面(62,62')；
-形成所述金属栅格(2)，该形成金属栅格步骤包括通过湿法沉积所述栅格的第一金属材料来部分地填充所述空腔，所述第一金属材料沉积在所述空腔的底部中，在所述空腔的侧壁上并且完全地在掩模层(60)的内表面(62,62')上，从而形成线带的侧方区域(22,22')，这些侧方区域与高表面齐平并且比线带的中心区域(21)更低粗糙性的，和
-去除所述掩模层。
24.根据权利要求23所述的用于制造导电载体(100至200)的方法，其特征在于，该形成金属栅格步骤包括通过自催化湿法沉积所述栅格的第一金属材料来部分地填充所述空腔。
25.根据权利要求23所述的用于制造导电载体(100至200)的方法，其特征在于，所述掩模层的去除不在所述金属栅格的表面上产生具有至少10nm的高度的突起。
26.根据权利要求23-25中任一项所述的用于制造导电载体(100至200)的方法，其特征在于，所述湿法沉积为镀银。
27.根据权利要求23-25中任一项所述的用于制造导电载体(100至200)的方法，其特征在于，所述掩模层(60)是感光树脂。
28.根据权利要求23-25中任一项所述的用于制造导电载体(100至200)的方法，其特征在于，其包括：在去除所述掩模层之后，通过阴极溅射沉积基于ITO或掺杂的氧化锌的导电涂层(5)，或通过湿法沉积聚合物导电涂层。
29.根据权利要求23-25任一项所述的用于制造导电载体(100至200)的方法，其特征在于，所述高折射指数层(30)包括釉质以及附加散射层包含从基于玻璃料的第二组合物获得的釉质。
30.根据权利要求23-25任一项所述的用于制造导电载体(100至200)的方法，其特征在于，其包括，在沉积导电涂层之前，在高于180℃的温度下的加热步骤，加热持续时间在5分钟-120分钟之间，和/或其包括沉积由无机层以形成导电涂层，随后在高于180℃的温度下加热，加热持续时间为5分钟至120分钟。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3023979B1 (fr) * 2014-07-17 2016-07-29 Saint Gobain Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication.
US11691909B2 (en) * 2016-11-30 2023-07-04 Corning Incorporated Textured glass for light extraction enhancement of OLED lighting
CN109429428B (zh) * 2017-08-29 2020-12-15 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 电路板及其制作方法
CN110112319B (zh) * 2019-05-27 2022-04-19 京东方科技集团股份有限公司 发光单元及其制造方法、显示装置
DE102019129832A1 (de) * 2019-11-05 2021-05-06 Heliatek Gmbh Optoelektronisches Bauelement, sowie Verfahren zur Kontaktierung eines optoelektronischen Bauelements
CN114868235A (zh) * 2019-11-21 2022-08-05 德克萨斯仪器股份有限公司 具有低电阻背面触点的封装电子器件
US12009315B2 (en) * 2020-09-03 2024-06-11 AT&SAustria Technologie & Systemtechnik AG Component carrier structure connectable by electrically conductive connection medium in recess with cavity having surface profile
CN114171416B (zh) * 2022-02-14 2022-06-03 浙江里阳半导体有限公司 一种tvs芯片及其玻璃钝化方法、制造方法
CN116998253A (zh) * 2022-02-28 2023-11-03 京东方科技集团股份有限公司 导电网格的制备方法、薄膜传感器及其制备方法
CN115074799B (zh) * 2022-07-21 2024-04-26 日铭电脑配件(上海)有限公司 一种阳极氧化阴极板及其制备方法和应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2289289B (en) * 1994-05-12 1998-01-07 Glaverbel Forming a silver coating on a vitreous substrate
EP0888035B1 (en) * 1996-03-12 2005-03-30 Idemitsu Kosan Company Limited Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display
WO2008139934A1 (ja) * 2007-05-03 2008-11-20 International Test And Engineering Services Co., Ltd. 多層基板およびその製造方法
EP2278852A1 (en) * 2008-03-18 2011-01-26 Asahi Glass Company, Limited Substrate for electronic device, layered body for organic led element, method for manufacturing the same, organic led element, and method for manufacturing the same
WO2011089343A1 (fr) * 2010-01-22 2011-07-28 Saint-Gobain Glass France Substrat verrier revetu d'une couche haut indice sous un revetement electrode et dispositif electroluminescent organique comportant un tel substrat
CN103403911A (zh) * 2011-02-08 2013-11-20 Ppg工业俄亥俄公司 用于有机发光二极管的光提取基材

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0266870A (ja) * 1988-08-31 1990-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法
US6645645B1 (en) 2000-05-30 2003-11-11 The Trustees Of Princeton University Phosphorescent organic light emitting devices
AU2001249085A1 (en) 2000-11-02 2002-05-15 3M Innovative Properties Company Brightness and contrast enhancement of direct view emissive displays
FR2844364B1 (fr) 2002-09-11 2004-12-17 Saint Gobain Substrat diffusant
US6965197B2 (en) 2002-10-01 2005-11-15 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency
US20070013293A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-18 Eastman Kodak Company OLED device having spacers
FR2892594B1 (fr) * 2005-10-21 2007-12-07 Saint Gobain Structure lumineuse comportant au moins une diode electroluminescente, sa fabrication et ses applications
US20070170846A1 (en) * 2006-01-23 2007-07-26 Choi Dong-Soo Organic light emitting display and method of fabricating the same
JP5207163B2 (ja) * 2007-03-30 2013-06-12 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 埋込配線の形成方法、表示装置用基板及び当該基板を有する表示装置
KR100889677B1 (ko) * 2007-06-19 2009-03-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
EP2178343B2 (en) * 2007-07-27 2020-04-08 AGC Inc. Translucent substrate, method for manufacturing the translucent substrate and organic led element
FR2924274B1 (fr) 2007-11-22 2012-11-30 Saint Gobain Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et sa fabrication
JP5383219B2 (ja) 2009-01-23 2014-01-08 三菱重工業株式会社 レーザ溶接装置およびレーザ溶接方法
KR20110113177A (ko) 2009-01-26 2011-10-14 아사히 가라스 가부시키가이샤 유기 ｌｅｄ 소자의 산란층용 유리 및 유기 ｌｅｄ 소자
JP5510337B2 (ja) 2009-01-26 2014-06-04 旭硝子株式会社 ガラス組成物、ガラスフリット、および基板上にガラス層を具備する部材
FR2944145B1 (fr) 2009-04-02 2011-08-26 Saint Gobain Procede de fabrication d'une structure a surface texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et structure a surface texturee
TW201123961A (en) * 2009-12-28 2011-07-01 Au Optronics Corp Organic light emitting diode (OLED) display device
KR101818033B1 (ko) * 2011-11-01 2018-01-16 한국전자통신연구원 플렉시블 전극 기판의 제조방법
EP2712851B1 (en) 2012-09-28 2015-09-09 Saint-Gobain Glass France Method of producing a transparent diffusive oled substrate
KR101421024B1 (ko) * 2012-10-11 2014-07-22 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 금속산화물 박막 기판 및 그 제조방법
JP2014096334A (ja) * 2012-11-12 2014-05-22 Panasonic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
FR3003084B1 (fr) * 2013-03-08 2015-02-27 Saint Gobain Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication
FR3023979B1 (fr) * 2014-07-17 2016-07-29 Saint Gobain Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication.

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2289289B (en) * 1994-05-12 1998-01-07 Glaverbel Forming a silver coating on a vitreous substrate
EP0888035B1 (en) * 1996-03-12 2005-03-30 Idemitsu Kosan Company Limited Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display
WO2008139934A1 (ja) * 2007-05-03 2008-11-20 International Test And Engineering Services Co., Ltd. 多層基板およびその製造方法
EP2278852A1 (en) * 2008-03-18 2011-01-26 Asahi Glass Company, Limited Substrate for electronic device, layered body for organic led element, method for manufacturing the same, organic led element, and method for manufacturing the same
WO2011089343A1 (fr) * 2010-01-22 2011-07-28 Saint-Gobain Glass France Substrat verrier revetu d'une couche haut indice sous un revetement electrode et dispositif electroluminescent organique comportant un tel substrat
CN103403911A (zh) * 2011-02-08 2013-11-20 Ppg工业俄亥俄公司 用于有机发光二极管的光提取基材

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