RU2017105085A - Электропроводная основа для органического светоизлучающего диода (oled), oled, включающий в себя указанную основу, и его изготовление - Google Patents
Электропроводная основа для органического светоизлучающего диода (oled), oled, включающий в себя указанную основу, и его изготовление Download PDFInfo
- Publication number
- RU2017105085A RU2017105085A RU2017105085A RU2017105085A RU2017105085A RU 2017105085 A RU2017105085 A RU 2017105085A RU 2017105085 A RU2017105085 A RU 2017105085A RU 2017105085 A RU2017105085 A RU 2017105085A RU 2017105085 A RU2017105085 A RU 2017105085A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- electrically conductive
- substrate
- metal mesh
- cavities
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 8
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 7
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 claims 6
- 239000012799 electrically-conductive coating Substances 0.000 claims 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 5
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 5
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 claims 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- -1 preferably ITO Substances 0.000 claims 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Claims (41)
1. Электропроводная основа (100 и 200) для OLED, содержащая в этом порядке:
стеклянную подложку (1) из органического или минерального стекла с показателем n1 преломления от 1,3 до 1,6, имеющую первую основную сторону (11), называемую первой поверхностью; и
электрод, поддерживаемый стеклянной подложкой на той же стороне, что и первая поверхность (11), каковой электрод содержит слой, размещенный в виде сетки (2, 20), называемой металлической сеткой, каковая сетка выполнена из металла(-ов), имеющего(-их) поверхностное сопротивление менее 20 Ом/квадрат, и имеет толщину е2 по меньшей мере 100 нм, причем сетка сформирована из нитей (20), причем нити имеют ширину А, меньшую или равную 50 мкм, и разделены межнитевым расстоянием В, меньшим или равным 5000 мкм, причем нити разделены множеством электрически изолирующих неэлектропроводных зон (31) с показателем преломления выше 1,65,
отличающаяся тем, что на той же стороне, что и первая поверхность (11), основа содержит:
электрически изолирующий световыводящий слой (41-42) под металлической сеткой (2); и
электрически изолирующий слой (3), частично структурированный по его толщине, причем этот слой (3) имеет заданный состав и показатель n3 преломления от 1,70 до 2,3 и размещен на световыводящем слое, каковой частично структурированный слой сформирован:
областью (31), размещенной наиболее отдаленно от световыводящего слоя, структурированной полостями, содержащими металлическую сетку, причем эта область (31) содержит неэлектропроводные зоны; и
еще одной (30) областью, называемой нижней областью, размещенной под металлической сеткой и на световыводящем слое,
и тем, что сетка утоплена вглубь от поверхности, называемой верхней поверхностью (31ʹ) неэлектропроводных зон (31), и промежуток Н между верхней поверхностью (31ʹ) и поверхностью металлической сетки (2) составляет более 100 нм, причем Н измеряется между серединой поверхности нитей и верхней поверхностью, и тем, что нити (20) вдоль их длины имеют центральную зону (21) между боковыми зонами (22, 22ʹ), которые расположены заподлицо с верхней поверхностью (31ʹ).
2. Электропроводная основа (100 и 200) по предшествующему пункту, отличающаяся тем, что Н составляет более 150 нм, и предпочтительно менее 500 нм.
3. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что поверхность нитей (20) лишена выступов с высотой свыше 10 нм вдоль внутренних кромок боковых зон (22, 22ʹ).
4. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что металлическая сетка (2, 20) получена химическим осаждением, и предпочтительно серебрением.
5. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что шероховатость поверхности центральной зоны (21) является более высокой, чем шероховатость поверхности боковых зон (22, 22ʹ), и параметр Rq шероховатости боковых зон (22, 22ʹ) составляет не более 5 нм.
6. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что боковые зоны (22, 22ʹ) имеют ширину L1, причем L1 является большей, чем высота ес полостей, и L1≤2ec.
7. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что металлическая сетка (2, 20), которая предпочтительно выполнена из серебра, имеет степень Т покрытия менее 25%, или менее, чем 10%, и даже чем 6%.
8. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что толщина е2 металлической сетки (2, 20) является меньшей, чем 1500 нм, предпочтительно в диапазоне от 100 нм до 1000 нм, и, в частности, в диапазоне от 200 нм до 800 нм, и ширина А является меньшей, чем 30 мкм, и предпочтительно в диапазоне от 1,5 мкм до 20 мкм.
9. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что один или более материалы металлической сетки (20) выбраны из группы, образованной серебром, медью, никелем и сплавами на основе этих металлов, и предпочтительно на основе серебра.
10. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что полости (32, 32ʹ) с высотой ес более 200 нм ограничены расширяющимися боковыми поверхностями (32), которые расширяются по мере удаления от стеклянной подложки, с горизонтальным расстоянием L больше, чем ес, и с L≤2ec.
11. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что структурированная область (31), и предпочтительно нижняя область (30), не содержат никаких рассеивающих частиц.
12. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что частично структурированный слой (3) выполнен из стекловидного материала, предпочтительно эмали.
13. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что подложка (1) предпочтительно выполнена из минерального стекла, и световыводящий слой содержит дополнительный рассеивающий слой (41), компоненты которого содержат стекловидный материал, предпочтительно эмаль, и рассеивающие элементы (4ʹ, 4ʺ), и состав частично структурированного слоя (3) содержит стекловидный материал, предпочтительно эмаль, состав которого в особенности идентичен составу материала дополнительного рассеивающего слоя, и/или что рассеивающая первая поверхность (42) подложки, которая предпочтительно изготовлена из минерального стекла, образует часть или даже представляет собой световыводящий слой, и состав частично структурированного слоя (3) содержит стекловидный материал, предпочтительно эмаль.
14. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что электропроводное покрытие (5) покрывает, предпочтительно непосредственно, верхнюю поверхность (31ʹ) и металлическую сетку (2), которая предпочтительно выполнена из серебра, причем это электропроводное покрытие в особенности имеет толщину е5, меньшую или равную 500 нм, удельное электрическое сопротивление ρ5 менее 20 Ом·см и более высокое, чем удельное электрическое сопротивление металлической сетки, и показатель n5 преломления по меньшей мере 1,55.
15. Электропроводная основа (100 и 200) по предшествующему пункту, отличающаяся тем, что электропроводное покрытие (5) содержит минеральный слой с показателем nа преломления, заключенным между 1,7 и 2,3, каковой слой предпочтительно менее 150 нм по толщине и выполнен из прозрачного электропроводного оксида, предпочтительно на основе оксида индия-олова или оксида цинка.
16. Электропроводная основа по пп. 14 и 15, отличающаяся тем, что электропроводное покрытие содержит, по меньшей мере в качестве последнего слоя, наиболее отдаленного от подложки, органический слой с толщиной субмикронной величины, выполненный из электропроводного (-ых) полимера(-ов), такого(-их) как PEDOT или PEDOT:PSS с показателем nb преломления по меньшей мере 1,55.
17. Электропроводная основа по любому из пп. 14 и 15, отличающаяся тем, что она содержит органическую светоизлучающую систему, осажденную на электропроводное покрытие (5), необязательно включающее в себя дырочно-транспортный слой HTL или дырочно-инжекционный слой HIL.
18. Органическое светоизлучающее устройство, включающее в себя электропроводную основу (100 и 200) по любому из предшествующих пунктов, причем электрод с металлической сеткой образует электрод, называемый нижним электродом, ближайший к подложке.
19. Способ изготовления электропроводной основы (100 и 200) по любому из предшествующих пунктов касательно электропроводной основы, отличающийся тем, что он включает в себя следующие этапы в этом порядке:
предоставление подложки, содержащей:
световыводящий слой (4), предпочтительно сформированный рассеивающей первой поверхностью подложки, и/или сформированный дополнительным рассеивающим слоем на первой поверхности подложки; и
на световыводящем слое слой, который называется слоем (3а) с высоким показателем, выполненным из композиции с показателем n3 преломления, каковой слой (3а) предпочтительно не содержит рассеивающие частицы, причем указанный слой с высоким показателем предпочтительно выравнивает световыводящий слой;
формирование полостей в слое (3а) с высоким показателем, формируя тем самым частично структурированный слой (3), причем этот этап формирования полостей включает в себя:
создание на слое (3а) с высоким показателем прерывистого маскирующего слоя, содержащего заданную конфигурацию сквозных отверстий, имеющих боковые поверхности; и
влажное травление слоя (3а) с высоким показателем через сквозные отверстия в маскирующем слое, причем боковые поверхности маскирующего слоя выступают относительно боковых поверхностей полостей и тем самым определяют участки поверхности, называемые внутренними поверхностями (62, 62ʹ), маскирующего слоя, обращенными к полостям,
формирование металлической сетки (2), причем этот этап формирования металлической сетки включает в себя частичное заполнение полостей предпочтительно мокрым химическим осаждением первого металла сетки, причем этот первый металл осаждают на дно полостей, на боковые поверхности полостей и полностью на внутренние поверхности (62, 62ʹ) маскирующего слоя (60), тем самым образуя боковые зоны нитей (22, 22ʹ), причем эти зоны расположены заподлицо с верней поверхностью и являются менее шероховатыми, чем центральные зоны нитей (21); и
удаление маскирующего слоя.
20. Способ изготовления электропроводной основы (100 и 200) по предшествующему пункту, отличающийся тем, что удаление маскирующего слоя не создает выступов с высотой по меньшей мере 10 нм на поверхности металлической сетки.
21. Способ изготовления электропроводной основы (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов на способ, отличающийся тем, что мокрое осаждение представляет собой серебрение, и сетка (2) предпочтительно представляет собой монослой.
22. Способ изготовления электропроводной основы (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов на способ, отличающийся тем, что маскирующий слой (60) представляет собой фоторезист.
23. Способ изготовления электропроводной основы (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов на способ, отличающийся тем, что после того, как был удален маскирующий слой, он включает в себя осаждение катодным распылением электропроводного покрытия (5) на основе ITO или легированного оксида цинка, или мокрое осаждение полимерного электропроводного покрытия.
24. Способ изготовления электропроводной основы (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов на способ, отличающийся тем, что слой (30) с высоким показателем содержит эмаль, в особенности полученную из первой композиции на основе стеклянной фритты, и предпочтительно дополнительный рассеивающий слой содержит эмаль, полученную из второй композиции на основе стеклянной фритты, которая предпочтительно идентична первой композиции, за исключением того, что она содержит рассеивающие частицы.
25. Способ изготовления электропроводной основы (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов на способ, отличающийся тем, что перед осаждением электропроводного покрытия он включает в себя этап нагревания до температуры выше 180°С, предпочтительно заключенной между 250°С и 450°С, в частности между 250°С и 350°С, в течение времени, предпочтительно заключенного между 5 минутами и 120 минутами, в частности между 15 и 90 минутами, и/или тем, что он включает в себя осаждение минерального, предпочтительно ITO, слоя для образования электропроводного покрытия, и последующее нагревание до температуры выше 180°С, предпочтительно заключенной между 250°С и 450°С, в частности между 250°С и 350°С, в течение времени, предпочтительно заключенного между 5 минутами и 120 минутами, в частности между 15 и 90 минутами.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1456880 | 2014-07-17 | ||
| FR1456880A FR3023979B1 (fr) | 2014-07-17 | 2014-07-17 | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication. |
| PCT/FR2015/051895 WO2016009132A1 (fr) | 2014-07-17 | 2015-07-09 | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2017105085A true RU2017105085A (ru) | 2018-08-17 |
| RU2017105085A3 RU2017105085A3 (ru) | 2018-12-14 |
| RU2690730C2 RU2690730C2 (ru) | 2019-06-05 |
Family
ID=51485776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017105085A RU2690730C2 (ru) | 2014-07-17 | 2015-07-09 | Электропроводная основа для органического светоизлучающего диода (oled), oled, включающий в себя указанную основу, и его изготовление |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9786849B2 (ru) |
| EP (1) | EP3170214B1 (ru) |
| JP (1) | JP2017521836A (ru) |
| KR (1) | KR20170045210A (ru) |
| CN (1) | CN106537625B (ru) |
| ES (1) | ES2702713T3 (ru) |
| FR (1) | FR3023979B1 (ru) |
| MY (1) | MY179583A (ru) |
| RU (1) | RU2690730C2 (ru) |
| TW (1) | TW201614891A (ru) |
| WO (1) | WO2016009132A1 (ru) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3023979B1 (fr) * | 2014-07-17 | 2016-07-29 | Saint Gobain | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication. |
| US11691909B2 (en) * | 2016-11-30 | 2023-07-04 | Corning Incorporated | Textured glass for light extraction enhancement of OLED lighting |
| CN109429428B (zh) * | 2017-08-29 | 2020-12-15 | 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 | 电路板及其制作方法 |
| CN110112319B (zh) * | 2019-05-27 | 2022-04-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光单元及其制造方法、显示装置 |
| DE102019129832A1 (de) * | 2019-11-05 | 2021-05-06 | Heliatek Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, sowie Verfahren zur Kontaktierung eines optoelektronischen Bauelements |
| WO2021097756A1 (en) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | Texas Instruments Incorporated | Packaged electronic device with low resistance backside contact |
| DE102021121491A1 (de) * | 2020-09-03 | 2022-03-03 | At&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Komponententrägerstruktur, verbindbar durch elektrisch leitendes verbindungsmedium in aussparung mit hohlraum mit oberflächenprofil |
| CN114171416B (zh) * | 2022-02-14 | 2022-06-03 | 浙江里阳半导体有限公司 | 一种tvs芯片及其玻璃钝化方法、制造方法 |
| CN116998253A (zh) * | 2022-02-28 | 2023-11-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 导电网格的制备方法、薄膜传感器及其制备方法 |
| CN115074799B (zh) * | 2022-07-21 | 2024-04-26 | 日铭电脑配件(上海)有限公司 | 一种阳极氧化阴极板及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0266870A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法 |
| GB9409538D0 (en) * | 1994-05-12 | 1994-06-29 | Glaverbel | Forming a silver coating on a vitreous substrate |
| TW364275B (en) * | 1996-03-12 | 1999-07-11 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device |
| US6645645B1 (en) | 2000-05-30 | 2003-11-11 | The Trustees Of Princeton University | Phosphorescent organic light emitting devices |
| WO2002037568A1 (en) | 2000-11-02 | 2002-05-10 | 3M Innovative Properties Company | Brightness and contrast enhancement of direct view emissive displays |
| FR2844364B1 (fr) | 2002-09-11 | 2004-12-17 | Saint Gobain | Substrat diffusant |
| US6965197B2 (en) | 2002-10-01 | 2005-11-15 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency |
| US20070013293A1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Eastman Kodak Company | OLED device having spacers |
| FR2892594B1 (fr) * | 2005-10-21 | 2007-12-07 | Saint Gobain | Structure lumineuse comportant au moins une diode electroluminescente, sa fabrication et ses applications |
| US20070170846A1 (en) * | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Choi Dong-Soo | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
| JP5207163B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2013-06-12 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 埋込配線の形成方法、表示装置用基板及び当該基板を有する表示装置 |
| JP5577012B2 (ja) * | 2007-05-03 | 2014-08-20 | 株式会社カネカ | 多層基板およびその製造方法 |
| KR100889677B1 (ko) * | 2007-06-19 | 2009-03-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| CN101766052B (zh) | 2007-07-27 | 2012-07-18 | 旭硝子株式会社 | 透光性基板、其制造方法、有机led元件及其制造方法 |
| FR2924274B1 (fr) * | 2007-11-22 | 2012-11-30 | Saint Gobain | Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et sa fabrication |
| WO2009116531A1 (ja) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | 旭硝子株式会社 | 電子デバイス用基板、有機ｌｅｄ素子用積層体及びその製造方法、有機ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| JP5383219B2 (ja) | 2009-01-23 | 2014-01-08 | 三菱重工業株式会社 | レーザ溶接装置およびレーザ溶接方法 |
| KR101653431B1 (ko) | 2009-01-26 | 2016-09-01 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 유리 조성물 및 기판 상에 그것을 구비하는 부재 |
| KR20110113177A (ko) | 2009-01-26 | 2011-10-14 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 유기 ｌｅｄ 소자의 산란층용 유리 및 유기 ｌｅｄ 소자 |
| FR2944145B1 (fr) | 2009-04-02 | 2011-08-26 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'une structure a surface texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et structure a surface texturee |
| US10581020B2 (en) * | 2011-02-08 | 2020-03-03 | Vitro Flat Glass Llc | Light extracting substrate for organic light emitting diode |
| TW201123961A (en) * | 2009-12-28 | 2011-07-01 | Au Optronics Corp | Organic light emitting diode (OLED) display device |
| FR2955575B1 (fr) * | 2010-01-22 | 2012-02-24 | Saint Gobain | Substrat verrier revetu d'une couche haut indice sous un revetement electrode et dispositif electroluminescent organique comportant un tel substrat. |
| KR101818033B1 (ko) * | 2011-11-01 | 2018-01-16 | 한국전자통신연구원 | 플렉시블 전극 기판의 제조방법 |
| ES2548048T3 (es) | 2012-09-28 | 2015-10-13 | Saint-Gobain Glass France | Método de para producir un sustrato OLED difusor transparente |
| KR101421024B1 (ko) * | 2012-10-11 | 2014-07-22 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 금속산화물 박막 기판 및 그 제조방법 |
| JP2014096334A (ja) * | 2012-11-12 | 2014-05-22 | Panasonic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| FR3003084B1 (fr) * | 2013-03-08 | 2015-02-27 | Saint Gobain | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication |
| FR3023979B1 (fr) * | 2014-07-17 | 2016-07-29 | Saint Gobain | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication. |
-
2014
- 2014-07-17 FR FR1456880A patent/FR3023979B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-07-09 ES ES15754265T patent/ES2702713T3/es active Active
- 2015-07-09 JP JP2017502682A patent/JP2017521836A/ja active Pending
- 2015-07-09 RU RU2017105085A patent/RU2690730C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2015-07-09 US US15/326,909 patent/US9786849B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-07-09 KR KR1020177004076A patent/KR20170045210A/ko unknown
- 2015-07-09 EP EP15754265.5A patent/EP3170214B1/fr not_active Not-in-force
- 2015-07-09 CN CN201580038733.7A patent/CN106537625B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-07-09 MY MYPI2017700124A patent/MY179583A/en unknown
- 2015-07-09 WO PCT/FR2015/051895 patent/WO2016009132A1/fr active Application Filing
- 2015-07-15 TW TW104122962A patent/TW201614891A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR3023979B1 (fr) | 2016-07-29 |
| ES2702713T3 (es) | 2019-03-05 |
| JP2017521836A (ja) | 2017-08-03 |
| RU2690730C2 (ru) | 2019-06-05 |
| US20170207401A1 (en) | 2017-07-20 |
| WO2016009132A1 (fr) | 2016-01-21 |
| CN106537625A (zh) | 2017-03-22 |
| KR20170045210A (ko) | 2017-04-26 |
| US9786849B2 (en) | 2017-10-10 |
| EP3170214A1 (fr) | 2017-05-24 |
| TW201614891A (en) | 2016-04-16 |
| EP3170214B1 (fr) | 2018-09-19 |
| CN106537625B (zh) | 2019-08-13 |
| RU2017105085A3 (ru) | 2018-12-14 |
| FR3023979A1 (fr) | 2016-01-22 |
| MY179583A (en) | 2020-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2017105085A (ru) | Электропроводная основа для органического светоизлучающего диода (oled), oled, включающий в себя указанную основу, и его изготовление | |
| RU2015142817A (ru) | Электропроводящая основа для органического светодиода oled, содержащий ее oled и ее изготовление | |
| US9076987B2 (en) | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof | |
| US8841656B2 (en) | Organic electroluminescent element, lighting apparatus, and method for manufacturing organic electroluminescent element | |
| CN103456854B (zh) | 具有图形化界面的发光元件及其制造方法 | |
| CN102171851B (zh) | 具有被覆盖的分流线的oled器件 | |
| CN101790801A (zh) | 发光器件及其制造方法 | |
| JP2015505639A5 (ru) | ||
| US20170194392A1 (en) | Electroluminescent display panel, fabricating method thereof and display device | |
| JP2015511392A (ja) | 二層透明導電膜及びその製造方法 | |
| JP2013232484A5 (ru) | ||
| WO2016040640A2 (en) | Electroconductive support, oled incorporating it, and manufacture of same | |
| JP2014517999A5 (ru) | ||
| JP2012080104A5 (ru) | ||
| US20160064693A1 (en) | Method of fabricating light scattering layer, and organic light emitting diode including the same | |
| KR20140074446A (ko) | 광추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| CN104823296B (zh) | 具有改进的内部外耦合的发光器件和提供该器件的方法 | |
| JP2017517142A5 (ru) | ||
| KR20160082533A (ko) | 발광 디바이스 | |
| FR2965659B1 (fr) | Procédé de fabrication d'un circuit intégré | |
| CN103887445B (zh) | 一种有机电致发光器件及其制造方法 | |
| WO2014004469A3 (en) | Buckled organic light emitting diode for light extraction | |
| JPWO2013129611A1 (ja) | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 | |
| CN202423370U (zh) | 均匀电流分布led | |
| CN102456788B (zh) | 发光二极管及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200710 |