KR20140074446A - 광추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

광추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR20140074446A
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박정우
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Abstract

펨토초 레이저로 형성한 산란 입자를 갖는 광추출층을 포함하는 유기 발광 소자(OLED) 및 상기 유기 발광 소자의 제조 방법이 개시된다. 개시된 발광 소자는, 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 배치된 투명한 광추출층, 상기 광추출층 상에 배치된 투명 전극, 상기 투명 전극 상에 배치된 발광층, 및 상기 발광층 상에 배치된 반사 전극을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 광추출층은 상기 투명 전극과 동일하거나 그보다 작은 굴절률을 갖는 재료로 이루어지며, 펨토초 레이저로 형성된 산란 입자를 내부에 포함할 수 있다.

Description

광추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조 방법 {Light emitting device having improved light extraction efficiency and method of fabricating the same}
개시된 실시예들은 광추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 펨토초 레이저로 형성한 산란 입자를 갖는 광추출층을 포함하는 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Device; OLED) 및 상기 유기 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 소자(OLED)는, 예를 들어 화합물 반도체 재료로 이루어지는 점광원 소자인 LED(Light Emitting Diode)와는 다르게, 면발광이 가능할 뿐만 아니라, 낮은 소비전력, 높은 야외시인성, 가요성(flexible) 등과 같은 많은 장점을 가지고 있다. 이러한 이유로 OLED는 디스플레이 장치뿐만아니라 조명 분야에서도 많은 관심을 받고 있다. 그런데, OLED는 통상적으로 발광된 빛의 약 20% 정도만이 외부로 방출될 정도로 광추출 효율이 낮은 편이다. 이러한 낮은 광추출 효율은 주로 유기 발광층과 외부의 공기 사이의 굴절률 차이에 기인한다. 즉, 유기 발광층에서 발생하는 빛 중에서 특정한 각도 영역의 빛만이 외부로 방출되고, 나머지 각도 영역의 빛은 공기와의 계면에서 발생하는 전반사로 인해 OLED 내부에서 흡수되어 사라지게 된다.
OLED의 광추출 효율을 향상시키기 위해 다양한 구조의 광추출층이 사용되고 있다. 예를 들어, 기판의 외부 표면 상에 마이크로렌즈 어레이 형태의 광추출층을 부착할 수 있다. 그러나, 기판의 외부 표면에 형성된 외부 광추출층은 OLED 내부의 층들 사이에서 발생하는 광손실을 방지할 수 없어서 효율 향상에 한계가 있다.
이에 따라, OLED 내부에 광추출층을 구현하기 위한 다양한 구조들이 제안되고 있다. 예를 들어, 이러한 내부 광추출층은 기판과 투명 전극 사이에 배치되는 것이 일반적이다. 내부 광추출층은 빛의 경로를 외부로 바꾸기 위해 통상적으로 요철이나 산란체를 포함하고 있는데, 이로 인해 투명 전극의 표면 평탄도가 저하될 수 있다. 투명 전극의 표면 평탄도가 저하되면, 정공 및 전자와 같은 전하들이 특정 영역에 집중되어 OLED의 전기적 특성이 악화될 수 있다. 따라서, 이를 방지하기 위하여 광추출층과 투명 전극 사이에 평탄층이 더 추가될 수 있다.
펨토초 레이저로 산란 입자를 형성함으로써 평탄층의 역할과 광추출의 기능을 동시에 수행할 수 있는 광추출층을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
상기 유기 발광 소자를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 일 유형에 따른 발광 소자는, 투명 기판; 상기 투명 기판 상에 배치된 것으로, 평탄한 상부 표면을 갖는 투명한 광추출층; 상기 광추출층의 평탄한 상부 표면 위에 배치된 투명 전극; 상기 투명 전극 상에 배치된 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치된 반사 전극;을 포함할 수 있으며, 여기서 상기 광추출층은 다수의 산란 입자들을 내부에 포함하고, 상기 산란 입자들의 굴절률은 상기 광추출층의 굴절률과 상이할 수 있다.
상기 광추출층의 굴절률은 상기 투명 전극의 굴절률과 동일하거나 그보다 작을 수 있다.
예를 들어, 상기 광추출층의 굴절률은 상기 투명 전극의 굴절률의 90% 내지 100%일 수 있다.
상기 광추출층은 예컨대 Al2O3로 이루어지며, 상기 산란 입자는 Al2O3의 내부에 형성된 기공(void)일 수 있다.
또한, 상기 산란 입자의 직경은 상기 광추출층의 높이의 10% 내지 60%이며, 상기 산란 입자는 상기 광추출층의 상하부 표면으로부터 상기 광추출층의 높이의 적어도 20% 이상 이격될 수 있다.
상기 다수의 산란 입자들 사이의 간격은 상기 산란 입자의 직경보다 클 수 있다.
또한, 상기 광추출층의 전체 부피에 대한 상기 다수의 산란 입자들 전체의 부피비가 3 내지 17 vol.%의 범위 이내일 수 있다.
상기 광추출층의 두께는 예를 들어 0.1㎛ 내지 2㎛일 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 유형에 따른 발광 소자의 제조 방법은, 투명 기판 상에 평탄한 상부 표면을 갖는 투명한 광추출층을 균일한 두께로 형성하는 단계; 상기 광추출층 내부의 다수의 영역들에 펌토초 레이저 펄스를 차례로 집속시켜 상기 광추출층의 내부에 다수의 산란 입자들을 형성하는 단계; 상기 광추출층의 평탄한 상부 표면 위에 투명 전극을 형성하는 단계; 상기 투명 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 상에 반사 전극을 형성하는 단계;를 포함할 수 있으며, 여기서 상기 산란 입자들의 굴절률은 상기 광추출층의 굴절률과 상이할 수 있다.
개시된 실시예에 따르면, 투명 기판 위에 광추출층을 형성한 후에 펨토초 레이저를 이용하여 광추출층의 내부에 다수의 산란 입자를 형성하고, 광추출층 위에 투명 전극을 형성할 수 있다. 이렇게 펌토초 레이저를 이용하여 산란 입자를 형성하면, 광추출층의 표면이 평탄한 상태를 유지하기 때문에 별도의 평탄층이 필요 없다. 또한, 광추출층의 내부에 형성되는 다수의 산란 입자들의 크기와 밀도 등에 따라 광추출층의 평균적인 굴절률을 크게 변화시킬 수 있기 때문에 광추출 효율이 향상될 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 발광 소자의 예시적인 구조를 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 투명 기판과 광추출층만을 별도로 보이는 개략적인 사시도이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 1에 도시된 발광 소자를 제조하는 과정을 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 4는 광추출층의 두께 변화에 따른 발광 소자의 투과율 변화를 예시적으로 보이는 그래프이다.
도 5는 광추출층의 내부에 형성된 산란 입자의 크기와 위치를 예시적으로 보이는 개략적인 단면도이다.
도 6은 광추출층의 내부에 다수의 산란 입자가 서로 다른 층에 형성된 예를 개략적으로 보이는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 광추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조 방법에 대해 상세하게 설명한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다. 또한, 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다. 또한 이하에서 설명하는 층 구조에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 표현은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 발광 소자(10)의 예시적인 구조를 개략적으로 보이는 단면도이며, 도 2는 도 1에 도시된 투명 기판(11)과 광추출층(12)만을 별도로 보이는 개략적인 사시도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 소자(10)는 투명 기판(11), 상기 투명 기판(11)의 상부 표면에 배치된 투명한 광추출층(12), 상기 광추출층(12)의 상부 표면에 배치된 투명 전극(13), 상기 투명 전극(13) 상에 배치된 발광층(14), 및 상기 발광층(14) 상에 배치된 반사 전극(15)을 포함할 수 있다. 여기서, 광추출층(12)은 예를 들어 펨토초 레이저(Femtosecond Pulse Laser)로 형성된 다수의 산란 입자(12a)들을 내부에 포함할 수 있다. 이러한 다수의 산란 입자(12a)들은, 도 2에 도시된 바와 같이, 광추출층(12)의 전체 영역에 걸쳐 2차원 어레이의 형태로 규칙적으로 배열될 수 있다. 그러나, 다수의 산란 입자(12a)들이 광추출층(12)의 내부에서 불규칙적으로 분산되도록 형성하는 것도 가능하다.
투명 기판(11)은 예컨대 투명한 유리나 플라스틱 재료로 이루어질 수 있으며, 투명 전극(13)은 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 전도성 산화물로 이루어질 수 있다. 또한, 투명 전도성 산화물 이외에도, 그래핀(graphene)을 사용하거나, 또는 금속을 빛이 투과할 수 있는 매우 얇은 두께로 형성하여 투명 전극(13)으로서 사용할 수도 있다. 반사 전극(15)은 예를 들어 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 반사성이 우수한 도전성 금속 재료로 이루어질 수 있다.
발광층(14)은 예를 들어 유기 발광 재료로 이루어질 수 있다. 그러나, 본 실시예는 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 재료 이외에도 발광층(14)의 재료로서 예를 들어 양자점과 같은 무기 발광 재료나 다른 발광 재료를 사용할 수 있다. 도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 투명 전극(13)이 양극이고 반사 전극(15)이 음극인 경우에, 투명 전극(13)과 발광층(14) 사이에는 정공 주입층과 정공 수송층이 더 개재될 수 있으며, 반사 전극(15)과 발광층(14) 사이에는 전자 주입층과 전자 수송층이 더 개재될 수도 있다. 또한, 투명 전극(13)이 음극이고 반사 전극(15)이 양극인 경우에는, 투명 전극(13)과 발광층(14) 사이에 전자 주입층과 전자 수송층이 더 개재될 수 있으며, 반사 전극(15)과 발광층(14) 사이에 정공 주입층과 정공 수송층이 더 개재될 수도 있다.
광추출층(12)은 발광층(14)에서 발생하여 투명 전극(13)을 통과한 빛이 투명 기판(11)에서 전반사되는 것을 최소화하기 위해 빛의 진행 경로를 바꾸어주는 역할을 한다. 이를 위해, 광추출층(12)의 내부에는 다수의 산란 입자(12a)들이 형성될 수 있다. 상기 다수의 산란 입자(12a)들의 굴절률은 광추출층(12)의 굴절률과 서로 다르다. 따라서, 투명 전극(13)에 의해 전반사되는 각도 범위로 광추출층(12) 내부를 진행하는 빛은 산란 입자(12a)들에 의해 진행 각도가 바뀔 수 있다. 예를 들어, 투명 기판(11)의 상부 표면의 법선을 기준으로 높은 각도로 진행하던 빛의 진행 각도가 산란 입자(12a)들에 의해 투명 기판(11)의 상부 표면의 법선에 가까운 각도로 변경될 수 있다. 이러한 효과는 광추출층(12)과 산란 입자(12a) 사이의 굴절률 차이가 클수록 향상될 수 있다.
또한, 투명 전극(13)과 광추출층(12)의 계면에서 빛의 반사를 최소화하기 위해 광추출층(12)의 굴절률은 투명 전극(13)의 굴절률과 동일하거나 그보다 약간 작을 수 있다. 구체적으로, 광추출층(12)의 굴절률은 투명 전극(13)의 굴절률의 약 90% 내지 100% 정도일 수 있다. 예를 들어, 투명 전극(13)이 ITO(굴절률: 1.8)인 경우에 광추출층(12)의 굴절률은 약 1.7 내지 1.8 정도일 수 있는데, 그러한 광추출층(12)의 재료로서 예컨대 Al2O3를 들 수 있다.
한편, 광추출층(12) 내부의 산란 입자(12a)들로 인하여 광추출층(12)의 상부 표면이 울퉁불퉁해지면, 그 위에 형성되는 투명 전극(13)의 평탄도도 악화될 수 있다. 그러면, 정공 및 전자와 같은 전하들이 투명 전극(13)의 특정 영역에 집중되면서 발광 소자(10)의 전기적 특성이 열화될 수 있다. 따라서, 광추출층(12)의 상부 표면에 요철이 생기지 않도록 하면서 광추출층(12)의 내부에 산란 입자(12a)들을 형성할 필요가 있다. 본 실시예에서는, 이를 위해 펨토초 레이저로 광추출층(12)의 내부를 조사하여 광추출층(12) 내부의 물성을 변화시킴으로써 산란 입자(12a)들을 형성한다. 도 3a 내지 도 3c는 이러한 원리를 이용하여 발광 소자(10)를 제조하는 과정을 개략적으로 보이는 단면도이다.
먼저, 도 3a를 참조하면, 표면이 매끄럽게 잘 세척된 투명 기판(11) 위에 광추출층(12)을 균일한 두께로 형성한다. 예컨대, 투명 기판(11)은 유리(glass)일 수 있으며, 광추출층(12)은 Al2O3일 수 있다. 이후의 공정에서 펨토초 레이저로 광추출층(12)을 조사할 때, 대물렌즈의 개구수(NA)의 한계로 인한 오차가 발생할 수 있기 때문에 광추출층(12)은 충분히 두꺼운 두께로 형성한다. 예를 들어, 광추출층(12)의 두께는 약 0.1㎛ 내지 약 2㎛일 수 있다. 도 4는 광추출층(12)의 두께 변화에 따른 발광 소자(10)의 투과율 변화를 예시적으로 보이는 그래프인데, 광추출층(12)의 두께가 발광 소자(10)의 투과율에 큰 영향을 주지 않는 것으로 확인되었다. 따라서, 광추출층(12)의 두께를 산란 입자(12a)의 형성에 적당하도록 충분히 두껍게 선택하더라도 발광 소자(10)의 성능에는 큰 영향을 주지 않는다.
다음으로, 도 3b를 참조하면, 펨토초 레이저(20)를 사용하여 광추출층(12)의 내부에 레이저 펄스를 조사한다. 비록 도면에는 생략되어 있지만, 개구수가 비교적 높은 대물렌즈를 사용하여 광추출층(12)의 내부에 레이저 펄스가 정확하게 포커싱되도록 할 수 있다. 펨토초 레이저(20)는 펨토초 단위의 매우 짧은 주기의 레이저 펄스를 발생시켜 광추출층(12)의 내부에 제공할 수 있다. 레이저 펄스의 주기가 매우 짧고 레이저 펄스가 광추출층(12)의 내부에만 집속되기 때문에, 광추출층(12)의 표면은 레이저 펄스에 의한 영향을 거의 받지 않고 광추출층(12)의 내부의 물성만이 변할 수 있다. 예를 들어, 광추출층(12)의 내부에서 레이저 펄스가 집속되는 영역은 강한 에너지에 의해 부분적으로 용융되었다가 결정화되면서 광추출층(12)의 나머지 영역과 굴절률이 상이하게 될 수 있다. 특히, 레이저 펄스의 세기가 충분히 크거나 레이저 펄스의 조사 시간이 충분히 길면, 광추출층(12)의 내부에서 레이저 펄스가 집속되는 영역이 완전히 기화됨으로써 기공(void)이 생길 수도 있다. 이러한 방식으로 광추출층(12)의 내부에 레이저 펄스를 조사하여 산란 입자(12a)를 하나씩 형성할 수 있다. 즉, 광추출층(12)의 한 영역에 하나의 산란 입자(12a)를 형성한 후에는, 펨토초 레이저(20) 또는 투명 기판(11)을 이동시켜 광추출층(12)의 다음 영역에 산란 입자(12a)를 형성할 수 있다. 즉, 광추출층(12)의 내부의 다수의 영역들에 펌토초 레이저 펄스를 차례로 집속시킴으로써 다수의 산란 입자(12a)를 형성할 수 있다.
그런데, 산란 입자(12a)가 광추출층(12)의 내부에 지나치게 많이 형성되거나 또는 광추출층(12)의 표면과 지나치게 가깝게 형성되면, 이후에 광추출층(12)의 표면이 붕괴되면서 광추출층(12)의 표면에 요철이 형성될 수 있다. 이러한 현상을 방지하기 위하여, 산란 입자(12a)의 개수와 위치를 적절하게 선택할 수 있다.
예를 들어, 도 5는 광추출층(12)의 내부에 형성된 산란 입자(12a)의 크기와 위치를 예시적으로 보이고 있다. 도 5를 참조하면, 광추출층(12)의 내부에 직경이 D인 산란 입자(12a)가 형성될 수 있으며, 산란 입자(12a)들 사이의 간격은 G일 수 있다. 또한, 산란 입자(12a)는 광추출층(12)의 상하부 표면으로부터 각각 d1 및 d2만큼 이격될 수 있다. 여기서, 광추출층(12)의 높이를 h라고 할 때, D는 약 0.1h 내지 0.6h 정도일 수 있다. 즉, 산란 입자(12a)의 직경은 광추출층(12)의 높이의 약 10% 내지 60% 정도일 수 있다. 또한, d1 및 d2는 적어도 약 0.2h 정도일 수 있다. 즉, 산란 입자(12a)는 광추출층(12)의 상하부 표면으로부터 광추출층(12)의 높이의 적어도 약 20% 이상 이격될 수 있다. 그리고, G는 D보다 클 수 있다. 즉, 산란 입자(12a)들 사이의 간격은 산란 입자(12a)의 직경보다 클 수 있다. 이러한 방식으로, 광추출층(12)의 전체 부피에 대한 다수의 산란 입자(12a)들 전체의 부피비가 약 3 내지 약 17 vol.%의 범위에 있도록 할 수 있다. 예컨대, 광추출층(12)의 높이가 1㎛인 경우, 산란 입자(12a)의 직경은 0.6㎛, 산란 입자(12a)들 사이의 간격은 1㎛이고, 산란 입자(12a)는 광추출층(12)의 상하부 표면으로부터 각각 0.2㎛만큼 이격될 수 있다.
도 1 및 도 5에는 산란 입자(12a)가 하나의 층으로 형성된 것으로 도시되어 있다. 그러나, 산란 입자(12a)의 크기가 충분히 작고 광추출층(12)의 두께가 충분히 두꺼우면, 도 6에 도시된 바와 같이, 광추출층(12) 내에서 산란 입자(12a)가 다수의 층으로 형성될 수도 있다. 이 경우에도, 광추출층(12)의 표면이 붕괴되지 않도록 하기 위한 상술한 조건을 만족하도록 산란 입자(12a)들을 형성할 수 있다. 또한, 다수의 산란 입자(12a)들의 직경은 모두 같을 수도 있지만, 다수의 산란 입자(12a)들의 직경이 서로 다를 수도 있다.
이러한 방식으로 광추출층(12) 내에 다수의 산란 입자(12a)들을 형성한 후에는, 도 3c에 도시된 바와 같이, 광추출층(12) 위에 투명 전극(13), 발광층(14) 및 반사 전극(15)을 차례로 적층하여 발광 소자(10)를 완성할 수 있다. 또한, 비록 도 3c에는 도시되어 있지 않지만, 반사 전극(15) 상에는 보호 기판을 추가적으로 더 적층할 수도 있다.
상술한 실시예에 따르면, 광추출층(12)의 내부에 산란 입자(12a)들을 형성하더라도 광추출층(12)의 상부 표면이 평탄한 상태를 유지할 수 있기 때문에, 광추출층(12) 위에 별도의 평탄층을 형성할 필요가 없다. 따라서, 광추출층(12)은 평탄층의 역할도 함께 수행할 수 있다. 또한, 광추출층(12)의 내부에 형성되는 다수의 산란 입자(12a)들의 크기와 밀도 등에 따라 광추출층(12)의 평균적인 굴절률을 크게 변화시킬 수 있기 때문에 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
지금까지, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 광추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조 방법에 대한 예시적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었다. 그러나, 이러한 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 설명에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 이는 다양한 다른 변형이 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.
10.....발광 소자 11.....투명 기판
12.....광추출층 12a....산란 입자
13.....투명 전극 14.....발광층
15.....반사 전극

Claims (16)

  1. 투명 기판;
    상기 투명 기판 상에 배치된 것으로, 평탄한 상부 표면을 갖는 투명한 광추출층;
    상기 광추출층의 평탄한 상부 표면 위에 배치된 투명 전극;
    상기 투명 전극 상에 배치된 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치된 반사 전극;을 포함하며,
    상기 광추출층은 다수의 산란 입자들을 내부에 포함하며, 상기 산란 입자들의 굴절률은 상기 광추출층의 굴절률과 상이한 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광추출층의 굴절률은 상기 투명 전극의 굴절률과 동일하거나 그보다 작은 발광 소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 광추출층의 굴절률은 상기 투명 전극의 굴절률의 90% 내지 100%인 발광 소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 광추출층은 Al2O3로 이루어지며, 상기 산란 입자는 Al2O3의 내부에 형성된 기공(void)인 발광 소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 산란 입자의 직경은 상기 광추출층의 높이의 10% 내지 60%이며, 상기 산란 입자는 상기 광추출층의 상하부 표면으로부터 상기 광추출층의 높이의 적어도 20% 이상 이격되어 있는 발광 소자.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 다수의 산란 입자들 사이의 간격은 상기 산란 입자의 직경보다 큰 발광 소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 광추출층의 전체 부피에 대한 상기 다수의 산란 입자들 전체의 부피비가 3 내지 17 vol.%의 범위 내에 있는 발광 소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 광추출층의 두께는 0.1㎛ 내지 2㎛인 발광 소자.
  9. 투명 기판 상에 평탄한 상부 표면을 갖는 투명한 광추출층을 균일한 두께로 형성하는 단계;
    상기 광추출층 내부의 다수의 영역들에 펌토초 레이저 펄스를 차례로 집속시켜 상기 광추출층의 내부에 다수의 산란 입자들을 형성하는 단계;
    상기 광추출층의 평탄한 상부 표면 위에 투명 전극을 형성하는 단계;
    상기 투명 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 발광층 상에 반사 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,
    상기 산란 입자들의 굴절률은 상기 광추출층의 굴절률과 상이한 발광 소자의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 광추출층의 굴절률은 상기 투명 전극의 굴절률과 동일하거나 그보다 작은 발광 소자의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 광추출층의 굴절률은 상기 투명 전극의 굴절률의 90% 내지 100%인 발광 소자의 제조 방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 광추출층은 Al2O3로 이루어지며, 상기 산란 입자는 Al2O3의 내부에 형성된 기공(void)인 발광 소자의 제조 방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 산란 입자의 직경은 상기 광추출층의 높이의 10% 내지 60%이며, 상기 산란 입자는 상기 광추출층의 상하부 표면으로부터 상기 광추출층의 높이의 적어도 20% 이상 이격되어 있는 발광 소자의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 다수의 산란 입자들 사이의 간격은 상기 산란 입자의 직경보다 큰 발광 소자의 제조 방법.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 광추출층의 전체 부피에 대한 상기 다수의 산란 입자들 전체의 부피비가 3 내지 17 vol.%의 범위 내에 있는 발광 소자의 제조 방법.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 광추출층의 두께는 0.1㎛ 내지 2㎛인 발광 소자의 제조 방법.
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