JP2008541368A - エレクトロルミネッセンス光源 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
不均一な角度分布生成のためには、第1の光取り出し層の厚さH2が、100nmないし10μmであるのが好ましい。
第1の材料が屈折率n1を有し、該第2の材料が屈折率n2を有し、且つ屈折率n1とn2の差が0.1と2.5の間であることが、特に好ましい。このようにすると、二つの材料は、十分に光学的に異なり、光の角度分布に対し十分に効果を有する。
第2の光取り出し層が、基板の屈折率以上の屈折率を有することが好ましく、これにより基板から光が出る際の、基板と第2の取り出し層の境界面での全反射が回避される。
Claims (12)
- 透明基板(2)と、
該基板を通して光を放射するエレクトロルミネッセンス層構造体と、
前記基板とエレクトロルミネッセンス層構造体との間に配置され、前記基板(2)に光が入射したとき該光を不均一な角度分布にする第1の光取り出し層(3)と、
前記光(7)の伝搬方向における前記基板(2)の上方に設けられ、前記光の不均一な角度分布に適合し前記エレクトロルミネッセンス光源からの効果的な光取り出しを可能にする表面構造を備えている第2の光取り出し層(1)とを備えている、
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス光源。 - 前記不均一な角度分布が最大値を有し、
前記最大値を中心とした±15°の角度範囲に、70%を越える光(11)、好ましくは80%を越える光(11)、さらに好ましくは90%を越える光(11)が含まれる、
請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス光源。 - 前記不均一な角度分布の最大値が、45°より大きい角度、好ましくは60°より大きい角度、さらに好ましくは75°より大きい角度である、
請求項1又は2に記載のエレクトロルミネッセンス光源。 - 前記第1の光取り出し層(3)の厚さH2が、100nmないし10μmである、
請求項1ないし3のいずれか1項に記載のエレクトロルミネッセンス光源。 - 前記第1の光取り出し層(3)が、少なくとも第1材料(9)と第2の材料(10)を含む、
請求項1ないし4のいずれか1項に記載のエレクトロルミネッセンス光源。 - 前記第1の材料(9)の屈折率がn1であり、第2の材料(10)の屈折率がn2であり、屈折率n1とn2の間の差が0.1ないし2.5である、
請求項5に記載のエレクトロルミネッセンス光源。 - 前記第1の材料(9)が前記第2の材料(10)内で、実質的には多数の構造要素の周期的な構造で、前記第1の光取り出し層(3)の表面に平行な平面に設けられ、
前記構造要素が球形、円筒状、ピラミッド型、立方体又は長円体の本体を含む空間体として設計される、
請求項5又は6に記載のエレクトロルミネッセンス光源。 - 前記構造要素が、光伝播方向の高さH1を有し、前記第1の光取り出し層(3)の厚さH3が、H1からH1の10倍の値の間の値である、
請求項7に記載するエレクトロルミネッセンス光源。 - 前記第2の光取り出し層(1)の表面構造(8)が、四角錐構造、三角錐構造、六角錐構造、長円体のドーム構造又は錐体構造を含む、
請求項1ないし9のいずれか1項に記載のエレクトロルミネッセンス光源。 - 光(7)の伝播の方向における前記第2の光取り出し層(1)の表面構造(8)の高さHrが、10μmより大きく、かつ前記基板の厚さの5倍より小さい、
請求項1ないし10のいずれか1項に記載のエレクトロルミネッセンス光源。 - 前記第2の光取り出し層(1)が、前記基板(2)の屈折率以上、かつ3未満の屈折率を有する、
請求項1ないし11のいずれか1項に記載するエレクトロルミネッセンス光源。
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