KR101466832B1 - 유기발광소자 - Google Patents

유기발광소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101466832B1
KR101466832B1 KR1020130075473A KR20130075473A KR101466832B1 KR 101466832 B1 KR101466832 B1 KR 101466832B1 KR 1020130075473 A KR1020130075473 A KR 1020130075473A KR 20130075473 A KR20130075473 A KR 20130075473A KR 101466832 B1 KR101466832 B1 KR 101466832B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
transparent electrode
organic light
electrode layer
Prior art date
Application number
KR1020130075473A
Other languages
English (en)
Inventor
윤홍
Original Assignee
코닝정밀소재 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닝정밀소재 주식회사 filed Critical 코닝정밀소재 주식회사
Priority to KR1020130075473A priority Critical patent/KR101466832B1/ko
Priority to US14/319,172 priority patent/US20150001510A1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101466832B1 publication Critical patent/KR101466832B1/ko
Priority to US15/900,464 priority patent/US10276834B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 유기발광소자에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 유기 발광층으로부터 발생된 진동(dipole) 광의 추출 구조를 구비함으로써, 우수한 광추출 효율을 나타내는 유기발광소자에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 제1 유리기판; 상기 제1 유리기판 상에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되는 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상에 형성되는 제2 전극; 및 상기 제2 전극 상에 형성되는 제2 유리기판을 포함하되, 상기 제2 전극은 제1 투명 전극층 및 상기 제1 투명 전극층보다 굴절률이 상대적으로 높은 제2 투명 전극층의 적층으로 이루어진 복합전극 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다.

Description

유기발광소자{OLED}
본 발명은 유기발광소자에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 유기 발광층으로부터 발생된 진동(dipole) 광의 추출 구조를 구비함으로써, 우수한 광추출 효율을 나타내는 유기발광소자에 관한 것이다.
일반적으로, 유기발광소자는 발광량의 20%만 외부로 방출되고, 80% 정도의 빛은 유리 기판과 애노드 및 정공 주입층, 전공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 유기 발광층의 굴절률 차이에 의한 도파관(wave guiding) 효과와 유리 기판과 공기의 굴절률 차이에 의한 전반사 효과로 손실된다. 즉, 내부 유기 발광층의 굴절률은 1.7~1.8이고, 애노드로 일반적으로 사용되는 ITO의 굴절률은 약 1.9이다. 이때, 두 층의 두께는 대략 200~400㎚로 매우 얇고, 유리 기판을 이루는 유리의 굴절률은 1.5이므로, 유기발광소자 내에는 평면 도파로가 자연스럽게 형성된다. 계산에 의하면, 상기 원인에 의한 내부 도파모드로 손실되는 빛의 비율이 약 45%에 이른다. 그리고 유리 기판의 굴절률은 약 1.5이고, 외부 공기의 굴절률은 1.0이므로, 유리 기판에서 외부로 빛이 빠져 나갈 때, 임계각 이상으로 입사되는 빛은 전반사를 일으켜 유리 기판 내부에 고립되는데, 이렇게 고립된 빛의 비율은 약 35%에 이르기 때문에, 불과 발광량의 20% 정도만 외부로 방출된다.
한편, 유기 발광층에서 발생하는 빛의 형태인 진동자(dipole)의 진동 방향은 광 추출 효율에 큰 영향을 미친다. 일반적으로, 진동자는 유기 발광층의 평면을 기준으로 이에 수직한 방향과 평행한 방향으로 진동하는데, 이때, 수직한 방향으로 진동하는 진동자와 평행한 방향으로 진동하는 진동자는 균일한 분포를 이룬다.
이중, 수직한 방향으로 진동하는 진동자는 내부 도파모드 형성에 큰 기여를 한다. 즉, 수직한 방향으로 진동하는 진동자는 유기발광소자의 광추출 효율을 저해하는 요인이 된다.
이와 같이, 수직한 방향으로 진동하는 진동자가 계속 존재하는 환경에서는 예컨대, 광 산란 기능을 갖는 나노 구조의 내부 광추출층을 애노드와 유리 기판 사이에 삽입하더라도 우수한 광추출 효율의 향상 효과를 기대하기는 어렵다.
대한민국 공개특허공보 제10-2011-0062236호(2011.06.10.)
본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 유기 발광층으로부터 발생된 진동(dipole) 광의 추출 구조를 구비함으로써, 우수한 광추출 효율을 나타내는 유기발광소자를 제공하는 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 제1 유리기판; 상기 제1 유리기판 상에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되는 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상에 형성되는 제2 전극; 및 상기 제2 전극 상에 형성되는 제2 유리기판을 포함하되, 상기 제2 전극은 제1 투명 전극층 및 상기 제1 투명 전극층보다 굴절률이 상대적으로 높은 제2 투명 전극층의 적층으로 이루어진 복합전극 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다.
여기서, 상기 제1 투명 전극층은 상기 제2 유리기판 측에 형성되고, 상기 제2 투명 전극층은 상기 유기 발광층 측에 형성될 수 있다.
이때, 상기 제2 투명 전극층의 굴절률(n)은 2.1~2.5일 수 있다.
또한, 상기 제2 투명 전극층은 Al 또는 Ga이 도핑된 ZnO 또는 Nb가 도핑된 TiO2일 수 있다.
그리고 상기 제1 투명 전극층은 ITO일 수 있다.
게다가, 상기 제2 전극의 두께는 50~200㎚일 수 있다.
한편, 본 발명은, 제1 유리기판; 상기 제1 유리기판 상에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되는 유기 발광층; 상기 유기 발광층 상에 형성되고, 제1 투명 전극층 및 제1 투명 전극층 및 상기 제1 투명 전극층보다 굴절률이 상대적으로 높은 제2 투명 전극층의 적층으로 이루어진 복합전극 구조로 형성되는 제2 전극; 상기 제2 전극 상에 형성되는 광추출층; 및 상기 광추출층 상에 형성되는 제2 유리기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다.
여기서, 상기 광추출층은, 매트릭스 층, 및 상기 매트릭스 층 내부에 형성되고, 상기 매트릭스 층보다 굴절률이 상대적으로 높은 물질로 이루어진 적어도 하나의 광 산란체를 포함할 수 있다.
이때, 상기 광 산란체는 상기 제1 투명 전극층보다 굴절률이 높을 수 있다.
또한, 상기 제1 투명 전극층은 상기 광추출층 측에 형성되고, 상기 제2 투명 전극층은 상기 유기 발광층 측에 형성될 수 있다.
그리고 상기 광 산란체는 상기 매트릭스 층 내부 중 상기 제1 투명 전극층과 접하는 측의 상기 매트릭스 층 내부에 형성되어 있을 수 있다.
아울러, 상기 제2 투명 전극층의 굴절률(n)은 2.1~2.5일 수 있다.
이때, 상기 제2 투명 전극층은 Al 또는 Ga이 도핑된 ZnO 또는 Nb가 도핑된 TiO2일 수 있다.
또한, 상기 제1 투명 전극층은 ITO일 수 있다.
게다가, 상기 제2 전극의 두께는 50~200㎚일 수 있다.
그리고 상기 유기발광소자는 연결층을 매개로 복수 개의 상기 유기 발광층이 교번 배치되어 텐덤 구조를 이룰 수 있다.
본 발명에 따르면, 고굴절, 저굴절 및 고굴절 산란 구조로 이루어진, 유기 발광층으로부터 발생된 진동(dipole) 광의 추출 구조를 구비함으로써, 일차적으로 출광 방향으로 광 결합을 유도하고, 이차적으로 광 산란을 통한 광의 방출 경로를 다변화시킴으로써, 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 특히, 소자 내에서 광도파 모드(wave guide mode)를 형성시켜 전반사를 일으키는 요인 중 하나로 작용하는, 소자를 기준으로 이에 수직한 방향으로 진동하는 진동자(dipole)에 의해 발생한 광인 수직 진동 광을 평행 진동 광으로 전환시킴으로써, 보다 우수한 광추출 효율을 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자를 나타낸 개략적인 단면 모식도.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자를 나타낸 개략적인 단면 모식도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자와 종래 기술에 따른 유기발광소자로부터 발생된 수직 진동 광의 전파 형상에 시뮬레이션 결과.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자와 종래 기술에 따른 유기발광소자로부터 발생된 평행 진동 광의 파장에 따른 세기를 나타낸 그래프.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자와 종래 기술에 따른 유기발광소자로부터 발생된 수직 진동 광의 파장에 따른 세기를 나타낸 그래프.
도 6은 도 4 및 도 5의 유기발광소자 별 평행, 수직 진동 광의 파장에 따른 세기의 평균값으로 도시한 그래프.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자에 대해 상세히 설명한다.
아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자(100)는 제1 유리기판(110), 제1 전극(120), 유기 발광층(130), 제2 전극(140) 및 제2 유리기판(150)을 포함하여 형성된다. 이때, 이러한 유기발광소자(100)는 구동을 위해 박막트랜지스터(미도시)와 연결된다.
제1 유리기판(110)은 제1 전극(120), 유기 발광층(130) 및 제2 전극(140)을 외부 환경으로부터 보호하는 봉지(encapsulation) 기판이다. 또한, 제1 유리기판(110)은 제1 전극(120), 유기 발광층(130) 및 제2 전극(140)이 증착되는 베이스 기판이다. 이러한 제1 유리기판(110)은 소다 라임 유리(soda lime glass) 또는 알루미노 실리케이트계 유리(alumino-silicate glass) 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 유리기판(110)은 제2 유리기판(150)과 서로 대향되게 배치된다.
제1 전극(120)은 제1 유리기판(110) 상에 형성된다. 이러한 제1 전극(120)은 유기발광소자(100)의 캐소드(cathode)로 작용한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자(100)가 배면 발광(bottom emission) 구조인 경우, 제1 전극(120)은 유기 발광층(130)으로의 전자 주입이 잘 일어나도록 일함수가 작은 Al, Al:Li 또는 Mg:Ag의 금속 박막으로 이루어질 수 있다. 또한, 도시하진 않았지만, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자가 전면 발광(top emission) 구조인 경우에는 유기 발광층(130)에서 발광된 빛이 잘 투과될 수 있도록 하기 위해, 제1 전극(120)은 Al, Al:Li 또는 Mg:Ag의 금속 박막의 반투명 전극(semitransparent electrode)과 인듐 주석산화물(indium tin oxide; ITO)과 같은 산화물 투명 전극(transparent electrode) 박막의 다층구조로 이루어질 수 있다.
유기 발광층(130)은 제1 전극(120) 상에 차례로 적층되는 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층 및 정공 주입층을 포함하여 형성된다. 이러한 유기 발광층(130)의 구조에 따라, 유기발광소자(100)의 애노드인 제2 전극(140)과 캐소드인 제1 전극(120) 사이에 순 방향 전압이 인가되면, 제1 전극(120)으로부터 전자가 전자 주입층 및 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되고, 제2 전극(140)으로부터 정공이 정공 주입층 및 정공 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 된다. 그리고 발광층 내로 주입된 전자와 정공은 발광층에서 재결합하여 발광층의 평면을 기준으로, 이에 평행한 방향으로 진동하는 평행 및 발광층에 수직한 방향으로 진동하는 수직 진동자(dipole)를 생성하고, 이러한 평행 및 수직 진동자가 여기 상태(excited state)에서 기저 상태(ground state)로 전이하면서 평행 진동 광과 수직 진동 광을 방출하게 된다. 이때, 방출되는 평행 진동 광과 수직 진동 광의 밝기는 제1 전극(120)과 제2 전극(140) 사이에 흐르는 전류량에 비례하게 된다.
여기서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자(100)는 텐덤(tandom) 구조로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 유기 발광층(130)은 복수 개로 구비되고, 연결층(interconnecting layer)을 매개로 교번 배치될 수 있다.
제2 전극(140)은 유기 발광층(130) 상에 형성된다. 이러한 제2 전극(140)은 유기발광소자(100)의 애노드(anode)로 작용한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 제2 전극(140)은 제1 투명 전극층(141)과 제2 투명 전극층(142)의 적층으로 이루어진 복합전극 구조로 형성된다. 본 발명의 일 실시 예에서, 이와 같이, 복합전극 구조로 이루어진 제2 전극(140)은 50~200㎚ 두께로 형성될 수 있다.
제1 투명 전극층(141)은 제2 유리기판(150) 측에 형성되고, 제2 투명 전극층(142)은 유기 발광층(130) 측에 형성된다. 이때, 제2 투명 전극층(142)은 제1 투명 전극층(141)보다 굴절률이 상대적으로 높은 물질로 형성된다. 이에 따라, 유기 발광층(130)과 접하는 측의 제2 전극(140)은 상대적으로 고굴절을 이루게 되고, 제2 유리기판(150)과 접하는 측의 제2 전극(140)은 저굴절을 이루게 된다. 이와 같이, 제2 전극(140)은 상측과 하측(도면 기준)의 굴절률이 서로 다른 복합전극 구조를 이룬다.
여기서, 유기 발광층(130)과 접하는 측의 제2 투명 전극층(142)은 유기 발광층(130)으로부터 발생된 평행 진동 광 및 수직 진동 광이 굴절률이 상대적으로 낮은 제1 투명 전극층(141)으로 광 결합되도록 유도하는 역할, 즉, 유기 발광층(130)로부터 출광되는 광의 최외곽 경로에 있는 제2 유리기판(150) 방향으로 광 결합을 유도하는 역할을 한다. 이와 같이, 평행 진동 광과 수직 진동 광의 광 결합이 제2 유리기판(150) 방향으로 유도되면, 외부로 추출되는 광량은 증가하게 된다.
본 발명의 일 실시 예에서, 제2 투명 전극층(142)의 굴절률(n)은 2.1~2.5일 수 있다. 이와 같은 굴절률을 갖기 위해, 제2 투명 전극층(142)은 Al 또는 Ga이 도핑된 ZnO 또는 Nb가 도핑된 TiO2로 이루어질 수 있다. 하지만, 이는 일례일 뿐, 제2 투명 전극층(142)은 상기의 굴절률을 갖는 다양한 투명 전도성 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에서, 제1 투명 전극층(141)은 광 결합 유도를 위해 제1 투명 전극층(142)보다 굴절률이 상대적으로 낮은 물질로 이루어진다. 이때, 본 발명의 일 실시 예에서, 제2 투명 전극층(142)은 2.1~2.5의 굴절률을 가지므로, 제1 투명 전극층(141)은 이보다 굴절률이 상대적으로 낮은 투명 전도성 물질, 예컨대, ITO로 이루어질 수 있다.
제2 유리기판(150)은 제2 전극(140) 상에 형성된다. 제2 유리기판(150)은 제1 유리기판(110)과 마찬가지로 유기 발광층(130)을 외부 환경으로부터 보호하는 역할을 한다. 또한, 제2 유리기판(150)은 유기 발광층(130)으로부터 발생된 광을 외부로 방출시키는 통로 역할을 한다. 이러한 제2 유리기판(150)은 이와 대향되게 배치되는 제1 유리기판(110)과 마찬가지로, 소다 라임 유리(soda lime glass) 또는 알루미노 실리케이트계 유리(alumino-silicate glass) 등으로 이루어질 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자에 대하여 도 2를 참조하여 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자를 나타낸 개략적인 단면 모식도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자(200)는 제1 유리기판(110), 제1 전극(120), 유기 발광층(130), 제2 전극(140), 제2 유리기판(150) 및 광추출층(260)을 포함하여 형성된다.
본 발명의 다른 실시 예는 본 발명의 일 실시 예와 비교하여 광추출층이 더 포함되는 것에만 차이가 있을 뿐 다른 구성요소들은 동일하므로, 동일한 구성요소들에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고, 이들에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 광추출층(260)은 제2 전극(140)과 제2 유리기판(150) 사이에 형성된다. 즉, 광추출층(260)은 유기발광소자(200)의 내부 광추출층으로 작용한다.
본 발명의 다른 실시 예에서, 이러한 광추출층(260)은 매트릭스 층(261) 및 광 산란체(262)를 포함하여 형성된다. 여기서, 광 산란체(262)는 매트릭스 층(261) 내부에 형성된다. 이때, 광 산란체(262)는 스피어(sphere)나 로드(rod) 형태로 형성될 수 있다. 이러한 형태의 광 산란체(262)는 복수 개로 구비되어 매트릭스 층(261) 내부 중 제1 투명 전극층(141)과 접하는 측의 매트릭스 층(261) 내부에 배열될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 광 산란체(262)는 매트릭스 층(261)보다 굴절률이 상대적으로 높은 물질로 이루어진다. 아울러, 광 산란체(262)는 제1 투명 전극층(141)보다 높은 굴절률을 갖는다. 또한, 광 산란체(262)는 제2 투명 전극층(142)과 동일 또는 유사한 굴절률을 가질 수 있다. 이를 통해, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자(200)는 유기 발광층(130)으로부터 발생된 평행 및 수직 진동 광이 방출되는 경로를 따라, 제2 투명 전극층(142), 제1 투명 전극층(141) 및 광추출층(262), 즉, 고굴절/저굴절/고굴절 산란 구조로 이루어진 광 추출 구조를 구비하게 된다. 이에 따라, 도 3의 시뮬레이션 결과를 참조하면, 유기 발광층(130)으로부터 발생된 평행 진동 광 및 수직 진동 광은 일차적으로, 고굴절률을 갖는 제2 투명 전극층(142)에 의해 저굴절률을 갖는 제1 투명 전극층(141)으로 광 결합이 유도되고, 이차적으로, 광추출층(260)의 고굴절률을 갖는 광 산란체(262)에 의해 산란된다. 이때, 수직 진동 광은 평행 진동 광으로 전환되는데, 특히, 유기발광소자(200) 내에서 광도파 모드(wave guide mode)를 형성시켜 전반사를 일으키는 요인 중 하나로 작용하는 수직 진동 광이 평행 진동 광으로 전환되면, 유기발광소자(200) 내 광도파 모드가 교란되고, 이는, 광추출 효율 향상으로 이어지게 된다.(a) 이에 반해, 종래 기술에 따른 유기발광소자로부터 발생된 광은 대부분 유기 발광층에 갇히게 된다.(b)
즉, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자(200)는 고굴절/저굴절/고굴절 산란 구조로 이루어진 광 추출 구조를 구비함으로써, 고굴절/저굴절로 이루어진 광 추출 구조를 구비하는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자(100)보다 우수한 광추출 효율을 구현할 수 있다.
한편, 도 4 및 도 5는 각각, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광소자와 종래 기술에 따른 유기발광소자로부터 발생된 평행 진동 광의 파장에 따른 세기 및 수직 진동 광의 파장에 따른 세기를 나타낸 그래프이고, 도 6은 도 4 및 도 5의 유기발광소자 별 평행, 수직 진동 광의 파장에 따른 세기를 평균값으로 도시한 그래프이다. 이들 그래프를 보면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자(with modif. TCO+micron Rods) 및 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자(with modif. TCO+micron Rods) 모두, 종래 기술에 따른 유기발광소자(Conventional)보다 파장에 따른 광 세기, 즉, 광추출 효율이 향상되는 것으로 확인되었다. 아울러, 고굴절/저굴절/고굴절로 이루어진 광 추출 구조를 구비한 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기발광소자(with modif. TCO+micron Rods)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광소자(with modif. TCO+micron Rods)보다 수직 진동 광을 더 효율적으로(대략 2배 이상) 추출할 수 있는 것으로 확인되었다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100, 200: 유기발광소자 110: 제1 유리기판
120: 제1 전극 130: 유기 발광층
140: 제2 전극 141: 제1 투명 전극층
142: 제2 투명 전극층 150: 제2 유리기판
260: 광추출층 261: 매트릭스 층
262: 광 산란체

Claims (16)

  1. 제1 유리기판;
    상기 제1 유리기판 상에 형성되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 형성되는 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 상에 형성되는 제2 전극; 및
    상기 제2 전극 상에 형성되는 제2 유리기판;
    을 포함하되,
    상기 제2 전극은 제1 투명 전극층 및 상기 제1 투명 전극층보다 굴절률이 상대적으로 높은 제2 투명 전극층의 적층으로 이루어진 복합전극 구조로 형성되고,
    상기 제1 투명 전극층은 상기 제2 유리기판 측에 형성되고, 상기 제2 투명 전극층은 상기 유기 발광층 측에 형성되어, 상기 유기 발광층으로부터 발광된 광의 방출 경로를 기준으로 볼 때, 상기 복합전극 구조가 고굴절/저굴절 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 투명 전극층의 굴절률(n)은 2.1~2.5인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 투명 전극층은 Al 또는 Ga이 도핑된 ZnO 또는 Nb가 도핑된 TiO2인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 투명 전극층은 ITO인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극의 두께는 50~200㎚인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  7. 제1 유리기판;
    상기 제1 유리기판 상에 형성되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 형성되는 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 상에 형성되고, 제1 투명 전극층 및 상기 제1 투명 전극층보다 굴절률이 상대적으로 높은 제2 투명 전극층의 적층으로 이루어진 복합전극 구조로 형성되는 제2 전극;
    상기 제2 전극 상에 형성되는 광추출층; 및
    상기 광추출층 상에 형성되는 제2 유리기판;
    을 포함하되,
    상기 광추출층은,
    매트릭스 층, 및
    상기 매트릭스 층 내부에 형성되고, 상기 매트릭스 층보다 굴절률이 상대적으로 높은 물질로 이루어진 적어도 하나의 광 산란체를 포함하고,
    상기 광 산란체는 상기 제1 투명 전극층보다 굴절률이 높으며,
    상기 제1 투명 전극층은 상기 광추출층 측에 형성되고, 상기 제2 투명 전극층은 상기 유기 발광층 측에 형성되고,
    상기 광 산란체는 상기 매트릭스 층 내부 중 상기 제1 투명 전극층과 접하는 측의 상기 매트릭스 층 내부에 형성되어, 상기 유기 발광층으로부터 발광된 광의 방출 경로를 기준으로 볼 때, 차례로 접하는 상기 제2 투명 전극층, 상기 제1 투명 전극층 및 상기 광 산란체가 고굴절/저굴절/고굴절 산란 구조로 이루어진 광추출 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제7항에 있어서,
    상기 제2 투명 전극층의 굴절률(n)은 2.1~2.5인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제2 투명 전극층은 Al 또는 Ga이 도핑된 ZnO 또는 Nb가 도핑된 TiO2인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 투명 전극층은 ITO인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  15. 제7항에 있어서,
    상기 제2 전극의 두께는 50~200㎚인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  16. 제1항 또는 제7항에 있어서,
    연결층을 매개로 복수 개의 상기 유기 발광층이 교번 배치되어 텐덤 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
KR1020130075473A 2013-06-28 2013-06-28 유기발광소자 KR101466832B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130075473A KR101466832B1 (ko) 2013-06-28 2013-06-28 유기발광소자
US14/319,172 US20150001510A1 (en) 2013-06-28 2014-06-30 Organic light-emitting device
US15/900,464 US10276834B2 (en) 2013-06-28 2018-02-20 Organic light-emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130075473A KR101466832B1 (ko) 2013-06-28 2013-06-28 유기발광소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101466832B1 true KR101466832B1 (ko) 2014-11-28

Family

ID=52114706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130075473A KR101466832B1 (ko) 2013-06-28 2013-06-28 유기발광소자

Country Status (2)

Country Link
US (2) US20150001510A1 (ko)
KR (1) KR101466832B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104795430A (zh) * 2015-04-14 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示器件及其制作方法
KR102326303B1 (ko) * 2017-07-11 2021-11-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070079249A (ko) * 2006-02-01 2007-08-06 삼성전기주식회사 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법
KR20110062236A (ko) * 2009-12-03 2011-06-10 한국전자통신연구원 유기 전계 발광소자 및 그 제조 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6316786B1 (en) * 1998-08-29 2001-11-13 International Business Machines Corporation Organic opto-electronic devices
JP3724725B2 (ja) * 2001-11-01 2005-12-07 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
EP1577949A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-21 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Flexible organic electronic device and methods for preparing the same
US8125128B2 (en) * 2005-03-11 2012-02-28 Mitsubishi Chemical Corporation Electroluminescence element and lighting apparatus
JP2007158132A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法
KR101234228B1 (ko) * 2010-06-04 2013-02-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101365671B1 (ko) * 2010-08-26 2014-02-24 한국전자통신연구원 유기전계발광소자
KR101830170B1 (ko) * 2011-05-17 2018-02-21 삼성디스플레이 주식회사 산화물 반도체 소자, 산화물 반도체 소자의 제조 방법, 산화물 반도체소자를 포함하는 표시 장치 및 산화물 반도체 소자를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
JP5722453B2 (ja) * 2011-09-26 2015-05-20 シャープ株式会社 表示装置の製造方法
JP2015026418A (ja) * 2011-11-18 2015-02-05 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびそれを用いた電子機器、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
US9444068B2 (en) * 2013-03-12 2016-09-13 Ppg Industries Ohio, Inc. Transparent conductive oxide coatings for organic light emitting diodes and solar devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070079249A (ko) * 2006-02-01 2007-08-06 삼성전기주식회사 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법
KR20110062236A (ko) * 2009-12-03 2011-06-10 한국전자통신연구원 유기 전계 발광소자 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20150001510A1 (en) 2015-01-01
US10276834B2 (en) 2019-04-30
US20180175328A1 (en) 2018-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10177344B2 (en) Display panel and method for manufacturing the same
KR101504117B1 (ko) 유기발광 디스플레이 장치
US9425431B2 (en) Organic electroluminescent element and light emitting device with light extraction portions
US9461276B2 (en) Organic electroluminescence device and method of fabricating the same
KR20130113642A (ko) 광추출 효율이 향상된 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자
JP2014096367A (ja) 有機発光素子
KR101466831B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101466832B1 (ko) 유기발광소자
KR101421024B1 (ko) 유기발광소자용 금속산화물 박막 기판 및 그 제조방법
KR101762642B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20140074446A (ko) 광추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조 방법
US9806294B2 (en) Surface light emitting element
KR101608332B1 (ko) 전면 발광형 유기발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 전면 발광형 유기발광소자
KR101535236B1 (ko) 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20180041746A (ko) 유기 발광 소자
KR102608318B1 (ko) 유기발광장치
KR20120029269A (ko) 그래핀을 포함하는 적층 구조물 및 이를 채용한 발광 소자
KR101608335B1 (ko) 유기발광소자
JP2016035830A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101699275B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
WO2014104042A1 (ja) 有機ｅｌ素子並びにそれを備えた画像表示装置及び照明装置
KR101970567B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 패널
KR101250879B1 (ko) 구멍이 형성된 무기물 층을 포함하는 유기 발광 다이오드 소자
JP2015090799A (ja) 有機ｅｌ素子並びにそれを備えた画像表示装置及び照明装置
JP2014164999A (ja) 発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170920

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180920

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190924

Year of fee payment: 6