JP2017521836A - 導電性oled支持体、それを組み込んだoled、及びその製造 - Google Patents
導電性oled支持体、それを組み込んだoled、及びその製造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017521836A JP2017521836A JP2017502682A JP2017502682A JP2017521836A JP 2017521836 A JP2017521836 A JP 2017521836A JP 2017502682 A JP2017502682 A JP 2017502682A JP 2017502682 A JP2017502682 A JP 2017502682A JP 2017521836 A JP2017521836 A JP 2017521836A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductive
- grid
- less
- scattering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 95
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 388
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 81
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 81
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 80
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 claims description 54
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 54
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 52
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 51
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 48
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 40
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 37
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 29
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 21
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 7
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 13
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 4
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 4
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 2,3,9,10-tetramethoxy-6,8,13,13a-tetrahydro-5H-isoquinolino[2,1-b]isoquinoline Chemical compound C1CN2CC(C(=C(OC)C=C3)OC)=C3CC2C2=C1C=C(OC)C(OC)=C2 AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 3
- 239000000176 sodium gluconate Substances 0.000 description 3
- 235000012207 sodium gluconate Nutrition 0.000 description 3
- 229940005574 sodium gluconate Drugs 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Natural products CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 2
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- KBEVZHAXWGOKCP-UHFFFAOYSA-N zinc oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[Zn++].[Sn+4] KBEVZHAXWGOKCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- FJXNABNMUQXOHX-UHFFFAOYSA-N 4-(9h-carbazol-1-yl)-n,n-bis[4-(9h-carbazol-1-yl)phenyl]aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C(C=C1)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=2NC3=CC=CC=C3C=2C=CC=1)C(C=C1)=CC=C1C1=C2NC3=CC=CC=C3C2=CC=C1 FJXNABNMUQXOHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000952 Be alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- HNOIDXDVCHVVGP-UHFFFAOYSA-N [Sn]=O.[Zn].[Sn].[In] Chemical compound [Sn]=O.[Zn].[Sn].[In] HNOIDXDVCHVVGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000218 acetic acid group Chemical group C(C)(=O)* 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001720 carbohydrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052575 non-oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011225 non-oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229940074439 potassium sodium tartrate Drugs 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
・屈折率n1の範囲が1.3〜1.6であり、第1面と称する第1の主面を有する、(透明な、任意選択的に、特に表面が構造化されている場合には、半透明の)有機又は無機ガラスのグレージング基材、及び、
・金属グリッドと称するグリッドに配置された層を含む電極であって、このグリッドは20Ω/□未満、より好ましくは10Ω/□未満のシート抵抗を有する金属で製作されており(好ましくは、純粋な又はさらには合金化した金属の単層又は多層であり)、該金属グリッドは少なくとも100nm、好ましくは最大で1500nmの厚さe2を有し、また該グリッドは50μm以下の幅Aを有するストランド(トラックと称することもあるもの)から形成されて、5000μm以下のストランド間距離Bだけ離間されており、これらのストランドは1.65より高い屈折率の複数の電気絶縁非導電性区域で隔てられている、電極、
をこの順序で含む導電性OLED支持体であって、
第1面と同じ側に、
・光のバルク及び/又は表面散乱によって一般に光を取り出す、所定の厚さe0の電気絶縁性光取り出し層であって、好ましくは、
・散乱面(光を散乱させるために構造化された)である、前記基材の第1面、及び/又は、
・(平坦な又は構造化された)前記基材の第1面の上の(好ましくは直ぐ上の)追加散乱層であって、好ましくは、散乱要素を含有する無機材料で、例えば屈折率n4が1.7〜2.3、好ましくは1.80〜2.10、特に1.85〜2.00の材料であって、n4とは異なる、好ましくは少なくとも0.1、より好ましくは少なくとも0.2、特に少なくとも0.25だけ異なる屈折率neを有するのが好ましい散乱要素を含有する材料で(本質的に)製作された、追加散乱層、
を含む(からなる)電気絶縁性光取り出し層、及び、
・厚さの一部を構造化された電気絶縁性の層であり、所定の組成を有し、1.70〜2.3、好ましくは1.80〜2.10、特に1.85〜2.00の屈折率n3の層であって、前記光取り出し層の上(好ましくは直ぐ上)、且つ特に前記グリッドの下にそれと接触して位置しており、該当する場合n3−n4の差の絶対値が好ましくは0.1未満であって、次のものから、すなわち、
・キャビティーで構造化された領域(前記光取り出し層から最も遠くに位置し、別途高位領域と称される)であって、好ましくは電気絶縁性であるこの領域には非導電性の区域が含まれており、前記キャビティーに前記金属グリッドが含まれている、キャビティーで構造化された領域、及び、
・前記金属グリッドの下(且つ前記構造化された領域の直ぐ下)、そして当該光取り出し層の上(好ましくは直ぐ上)に位置し、好ましくは電気絶縁性である、別の(非構造化)領域、
から形成されている、厚さの一部を構造化された電気絶縁性の層、
を含んでいる、導電性OLED支持体に関する。
・好ましくは第一の金属から作製される、第一の金属層(キャビティーの底部に直接位置し、すなわちそれはキャビティーの底部に最も近い金属層である)であって、該金属層は好ましくは銀をベースとし、又はさらには銀からなり、グリッドの合計厚さe2の15%未満、さらには10%未満を構成し、及び/又は合計厚さe2のうちの少なくとも3nm、5nm又はさらには少なくとも10nmであり、好ましくは100nm未満又はさらには50nm未満である、第一の金属層、及び、
・第二の金属層(第一の層の上にあり、すなわち基材とは反対側にある)であって、特に第一の層との識別可能な界面を有し、第二の金属をベースとしており、該第二の金属は好ましくは銀、アルミニウム又は銅から選ばれ、グリッドの合計厚さe2の少なくとも70%、80%及びさらには90%を構成し、好ましくは、特に第一の層と同様に、銀をベースとし、又は銀からなる、第二の金属層、
を含む(さらにはそれらからなる)ことができる。
・上記の材料から作製され、好ましくは銀をベースとし又はさらには銀から作製された(単一の)金属層であって、好ましくは少なくとも100nmの厚さであり、例えば銀めっき又は真空被着(スパッタリング)により被着される、金属層、及び、
・腐食(水及び/又は空気)に対して保護する上層であって、上記金属層とは異なる材料、例えば特に銀でない金属で作製され、そして厚さが10nm未満、より好ましくは5nm未満又はさらには3nm未満である、上層、
から構成される二重層である。
・基材は好ましくは無機ガラス製であり、光取り出し層は、散乱要素とガラス質材料、好ましくはエナメル、を含む(特にそれからなる)材料とを含有する追加散乱層を含み(さらにはそれからなり)、部分的に構造化された層の組成はガラス質材料、好ましくはエナメル、を含み(特にそれからなり)、そしてこの組成は好ましくは追加散乱層の材料と同じであり、
・及び/又は、好ましくは無機ガラスで製作される基材の第1の(形成された)散乱面は、光取り出し層の一部を形成するか又はさらには光取り出し層であって、部分的に構造化された層の組成はガラス質材料、好ましくはエナメル、を含む(特にそれからなる)。
・基材と光取り出し層とで構成される組立体は、少なくとも40%、さらには50%の光透過率TLと、好ましくは最高5%、さらには3%の吸収率を有すること、及び、
・基材/(好ましくはガラス質材料/エナメルで製作される)光取り出し層/(好ましくはガラス質材料、より好ましくはエナメルで作製され、光取り出し層の直ぐ上に位置する)部分的に構造化された層の組立体は、少なくとも40%、さらには50%のTLと、好ましくは最高で5%、さらには3%の吸収率を有すること、
が好ましい。
・無機ガラス基材の第1面(この面は散乱性にされているか又は平坦な、場合によっては研磨された面である)と追加散乱層との間に、及び/又は、
・無機ガラス基材の第1面(この面は散乱性にされているか又は慣用的な平坦な研磨面である)と好ましくは電気絶縁性の部分的に構造化された層との間に、
追加してもよい。
・特に以下の、任意選択的にドープされた、金属酸化物、すなわち、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化モリブデンMoO3、酸化タングステンWO3、酸化バナジウムV2O5、のうちの一種以上をベースとし、
・(好ましくは)ITOの層であり、例えば酸化亜鉛スズSnZnOをベースとするか又は酸化亜鉛インジウム(IZO)をベースとするか又は酸化亜鉛スズインジウム(ITZO)をベースとする、(特に非結晶質の)層である。
・ρが10-2Ω・cm未満のClevios(登録商標)FET、又は、
・ρが約10Ω・cmのClevios(登録商標)HIL 1.1、
を挙げることができる。
・好ましくは、特にアルミニウム及び/又はガリウムをドープした酸化亜鉛(AZO又はGZO)をベースとした層、又は任意選択的にITZOをベースとした層、及び/又は、
・例えば厚さが好ましくは100nm未満である酸化亜鉛スズSnZnOをベースとし、又は酸化亜鉛インジウム(IZOで表される)をベースとした、又は酸化亜鉛スズインジウムスズ(ITZOで表される)をベースとした、(特に非結晶質の)層、
から選択される。
・1時間にわたって200℃に耐性を示す。
・13のpH(洗浄溶液)に耐性を示す。
・1.5と2の間に含まれるpHに耐性を示す(特に、OLED系を被着させる前に導電性コーティング用にポリマーを被着する際に)。
・層間剥離に耐性を示す(スコッチテープ試験)。
・次のものを含む基材、すなわち、
・基材の散乱性の第1面により好ましく形成される及び/又は基材の第1面上の(好ましくはその直ぐ上に位置する)追加の散乱層により形成される、光取り出し層、及び、
・光取り出し層上の、屈折率n3の組成物で製作された高屈折率層と称するものであり、好ましくは散乱性粒子を含有しない、ガラス質材料を含み、任意選択的に細孔タイプの要素を0.5%未満、好ましくは0.2%未満、特に0.1%未満の体積濃度で含有する層であって、好ましくは光取り出し層を平坦化している、高屈折率層、
を含む基材を用意する工程、
・高屈折率層にキャビティーと呼ばれるブラインド開口部を形成し、こうして部分的に構造化された層を形成する工程であって、次のことを含む、すなわち、
・高屈折率層上に、所定の配置の貫通開口部(線及び/又はメッシュ)を有する不連続のマスキング層(例えばレジストの、特にポジ型又はネガ型フォトレジストの層)を形成すること、及び、
・前記マスキング層の貫通開口部を通して高屈折率層をウェットエッチングし、ここで、前記貫通開口部は特に口を広げていて(基材と反対の方向でさらに離れていく)、前記マスキング層の側面はキャビティーの側面に対して突出して、こうしてキャビティーに面しているマスキング層の内側表面と呼ばれる表面部分を画定しており、開口部の幅W0は高位表面のレベルでのキャビティーの幅Wcよりも小さいこと、
を含む工程、及び、
・金属グリッド(非導電性区域の高位表面と呼ばれる表面と金属グリッドの表面との間隔Hを有する)を形成する工程であって、
・グリッドの第一の金属を好ましくは無電解湿式被着させてキャビティーを部分的に充填し、該被着は好ましくは金属グリッドの被着のみであり、前記第一の金属はキャビティーの底部に直接被着させるか、又はキャビティーのすべて又は一部を覆っている誘電性(非金属)の下層(結合用の下層など)の上に被着させ、この第一の金属はキャビティーの底部、キャビティーの側面及びマスキング層の内側表面全体の上に被着されてストランドの側方ゾーンを形成し、これらのゾーンは高位表面と同一の高さにあり、そして(開口部に面している)ストランドの中央ゾーンよりも粗くないこと、
・そして前記マスキング層を除去し(好ましくは、湿式及びさらには超音波支援プロセスを用いて)、好ましくはグリッド表面に少なくとも10nmの高さの突起を形成することなくマスキング層を除去すること、
を含む工程、
をこの順序で含む導電性支持体の製造方法に関する。
・SnCl2の、好ましくは撹拌されている第一の(増感用)水溶液(好ましくは5分未満、例えば0.5〜3分)。その後、(蒸留)水でリンス。
・PdCl2の、好ましくは撹拌されている第二の(活性化用)水溶液(好ましくは5分未満、例えば0.5〜3分)。その後、(蒸留)水でリンス。
・銀塩、好ましくは硝酸銀の溶液と銀の還元剤、好ましくはグルコン酸ナトリウムの溶液との混合物である、好ましくは撹拌されている第三の溶液(好ましくは15分未満、さらには5分未満、例えば0.5〜3分)。その後、(蒸留)水でリンス。
・屈折率n3のガラスフリットを有機媒体と混合することで、平坦化ペーストと称するペーストを、好ましくは散乱性粒子を添加することなしに作り、
・このペーストを例えばスクリーン印刷で、
・好ましくは(散乱性表面の)無機ガラスシートの上に直接、又は(散乱性表面の)無機ガラスシート上の無機バリア層の上に、又は追加の散乱層の上に被着させ、
・この集成体を焼成する、
という方法により得られるエナメルであるのが好ましい。
・ガラスフリットを有機媒体と、及び好ましくは散乱性粒子と、混合することで、散乱ペーストと称するペーストを作り、
・このペーストを、好ましくは(平坦で研磨された又は表面を構造化されて散乱性の)無機ガラスシートの上に直接、又は無機ガラスシート上の無機バリア層の上に被着させ、
・この集成体を焼成する、
という方法により得られるエナメルであるのが好ましい。
・SnZnO若しくはAZOの任意選択的な第1の被着、及びITO、あるいは(ドープされた)ZnO又はさらにはMoO3、WO3又はV2O5をベースとする被着物の第2の又は最後の又は好ましくは唯一の被着を含む、物理気相成長により、特に陰極スパッタリングにより、及び/又は、
・湿式処理により、例えば、(電気)伝導性ポリマーの被着、好ましくは単層の導電性コーティングの単一被着により、
グリッド上に直接且つ部分的に構造化された層の上に(直接)被着する工程を含むことができる。
・無機ガラスを使用する場合には任意選択的なアルカリ金属バリア層(図示せず)、又は有機ガラスを使用する場合には湿分バリア層、例えば窒化ケイ素又はTi(Zr)Oxなど、
・散乱要素を含有する追加散乱層により形成される電気絶縁性の好ましくは無機の光取り出し層41であって、該層は屈折率n4が1.7〜2.3、好ましくは1.80〜2.10、特に1.85〜2.00である高屈折率ガラス質材料から作製されるのが好ましく、エナメルなどのこれらのガラス質材料は散乱要素として、散乱性粒子4’及び細孔4”(又は別の形態として、これら2つのうちの一方のみ)などの散乱性要素を含み、該層は所与の、好ましくはミクロンサイズの厚さe4、さらには最大で30μmの厚さである、光取り出し層、
・屈折率n3が1.7〜2.3、好ましくは1.80〜2.10、特に1.85〜2.00であり、好ましくはミクロンサイズの、さらには最大で20μmの厚さe3の高屈折率、電気絶縁性の部分的に構造化された層3あって、高屈折率ガラス質材料、より好ましくはエナメル、で製作されるのが好ましく、該高屈折率材料には散乱性粒子が添加されておらず、追加散乱層の表面を覆い、且つ次のもの、すなわち、
・追加散乱層の直ぐ上に位置し、追加散乱層の表面を覆う、所定の(好ましくはミクロンサイズの)厚さe’3の、下方領域30と称する(連続で、構造化されていない)領域、及び、
・突出部と凹部とで構造化された構造化領域31であって、突出部が平坦な高位表面31’を画定し、キャビティー又は凹部が底部32’(下側面を画定している)及び側面32に囲まれていて、キャビティーは好ましくは最大1500nmで且つ200nmより大きい、中央部で測定した高さecを有し、且つキャビティーは所定の均一又は不均一な配置構成(個別のバンド、メッシュ等)で延在しており、上記高位表面は局所的に平坦である、構造化領域31、
を含んでなる高屈折率、電気絶縁性の部分的に構造化された層3、
・金属グリッドと称する、グリッド20に配置された層を含む電極2であって、このグリッドは金属で製作され、好ましくは銀の単層で製作されており、またこのグリッドはキャビティー内に固定したストランド、言い換えるとトラック、20から形成された単層であり、ストランドは50μm未満、より好ましくは30μm以下(且つ少なくとも1μm)の幅Aを有し、5000μm以下の間隔Bをあけて離間されており、そしてグリッドはストランド表面の中央部で規定される少なくとも100nm、且つ好ましくは1500nm未満の厚さe2を有し、該グリッドは20Ω/□未満、さらには10Ω/□未満又は5Ω/□未満のシート抵抗を有している、電極2、及び、
・厚さe5が100nm以下、より好ましくは60nm以下であり、抵抗率ρ5が20Ω・cm未満であって金属グリッドの抵抗率よりも高く、そして少なくとも1.55の所与の屈折率n5の、好ましくは単層の、導電性コーティング5であって、グリッド2の上及び高位表面31’上にITO(又はAZO又はGZO、AGZO)から製作されるのが好ましい無機層からなる導電性コーティング5、又は別形態として、抵抗率ρ1が例えば約10-1Ω・cm、そして厚さが約100nmの、湿式法により被着された高屈折率導電性ポリマー層、例えばPEDOT:PSS層、
を支持している。
・下記の銀めっき液を希釈した(希釈すべき液はドイツ国,64807 Dieburg, Dieselstr. 16のDR.−ING. SCHMITT, GMBH社より入手)。
・250cm3フラスコ中の100μlのMiraflex(登録商標) 1200(SnCl2溶液)(液番号1)
・250cm3フラスコ中の200μlのMiraflex(登録商標) PD(PdCl2溶液)(液番号2)
・250cm3フラスコ中の15mlのMiraflex(登録商標) RV(還元剤であるグルコン酸ナトリウムの溶液)(液番号3)
・250cm3フラスコ中の15mlのMiraflex(登録商標) S(硝酸銀溶液)(液番号4)
・基材(エナメル層4、3を含む)をトレイに配置し、これに液番号1の内容物を注ぎ入れ、1分間撹拌してから、蒸留水中でリンスした。
・基材(エナメル層4、3を含む)を第二のトレイに配置し、これに液番号2の内容物を注ぎ入れ、1分間撹拌してから、蒸留水中でリンスした。
・基材(エナメル層4、3を含む)を最後のトレイに配置し、これに液番号3及び4の内容物を注ぎ入れ、2分間撹拌してから、蒸留水中でリンスした。
・いろいろな厚さ(約200nmと600nmの間)のHTL、
・厚さ10nmの電子ブロック層(EBL)、
・オレンジ色で発光する厚さ10nmの層、
・青色で発光する厚さ25nmの層、
・厚さ10nmの正孔ブロック層(HBL)、及び、
・厚さ40nmの電子輸送層(ETL)、
を含んでいる。
・光取り出し層の上に、屈折率n3を有するガラス質材料(好ましくはエナメル)を含む高屈折率層3aを形成すること、及び、
・層3aに対して、液体マスキング材料、ここではポジ型フォトレジストである慣用的なAZ1505レジストの層60を適用すること、
からなる。
Claims (25)
- 導電性OLED支持体(100、200)であり、
・第1面と称する第1の主面(11)を有する、屈折率n1が1.3〜1.6の有機又は無機ガラスのグレージング基材(1)、及び、
・第1面(11)と同じ側で該グレージング基材によって支持された電極であって、この電極は金属グリッドと称するグリッド(2、20)に配置された層を含み、このグリッドは20Ω/□未満のシート抵抗を有する金属で製作されていて、少なくとも100nmの厚さe2を有し、また該グリッドはストランド(20)から形成されており、該ストランドは、50μm以下の幅Aを有し、且つ5000μm以下のストランド間距離Bで離間されており、これらのストランドは1.65より高い屈折率の複数の電気絶縁非導電性区域(31)で隔てられている、電極、
をこの順序で含む導電性OLED支持体(100、200)であって、
第1面(11)と同じ側に、
・金属グリッド(2)の下の電気絶縁性光取り出し層(41〜42)、及び、
・厚さの一部を構造化された電気絶縁層(3)であり、所定の組成を有し、屈折率n3が1.70〜2.3であり、前記光取り出し層の上に位置している電気絶縁層(3)であって、次のものから、すなわち、
・前記光取り出し層から最も遠くに位置し、前記金属グリッドを含むキャビティで構造化された領域(31)であって、前記非導電性区域を含んでいる領域(31)、及び、
・前記金属グリッドの下且つ前記光取り出し層の上に位置する、下方領域と称する別の領域(30)、
から形成された部分的に構造化された層(3)、
を含むこと、
且つ、前記グリッドが非導電性区域(31)の高位表面(31’)と称する表面から後退しており、そして高位表面(31’)と金属グリッド(2)の表面との間隔Hが100nmより大きく、Hはストランドの表面の中央部と高位表面との間で測定され、また、前記ストランド(2)がその長さに沿って、高位表面(31’)と同一高さにある側方ゾーン(22、22’)の間に中央ゾーン(21)を有すること、
を特徴とする、導電性OLED支持体(100、200)。 - Hが150nmより大きく、好ましくは500nmより小さいことを特徴とする、請求項1記載の導電性支持体(100、200)。
- 前記ストランド(20)の表面に、側方ゾーン(22、22’)の内側の端に沿って10nmよりも大きい高さの突起がないことを特徴とする、請求項1又は2記載の導電性支持体(100、200)。
- 前記金属グリッド(2、20)が無電解めっきにより得られ、好ましくは銀めっきにより得られることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1つに記載の導電性支持体(100、200)。
- 前記中央ゾーン(21)の表面粗さが側方ゾーン(22、22’)の表面粗さよりも大きく、そして側方ゾーン(22、22’)のRq粗さパラメータが最大で5nmであることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1つに記載の導電性支持体(100、200)。
- 前記側方ゾーン(22、22’)の幅がL1であり、L1は前記キャビティーの高さecよりも大きく、そしてL1≦2ecであることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1つに記載の導電性支持体(100、200)。
- 金属グリッド(2、20)が、好ましくは銀で製作されていて、25%未満又は10%未満、そしてさらには6%未満の被覆率Tを有することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1つに記載の導電性支持体(100、200)。
- 前記金属グリッド(2、20)の厚さe2が1500nm未満であり、好ましくは100nm〜1000nmの範囲、特に200nm〜800nmの範囲にあり、そして幅Aが30μm未満であり、好ましくは1.5μm〜20μmの範囲にあることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1つに記載の導電性支持体(100、200)。
- 前記金属グリッド(20)の1種以上の材料が、銀、銅、ニッケル及びこれらの金属をベースとする合金により形成される群より選ばれており、好ましくは銀をベースとしていることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1つに記載の導電性支持体(100、200)。
- 前記キャビティー(32、32’)が200nmよりも大きい高さecを有し、そしてグレージング基材からの距離とともにさらに離れていく口を広げた側面(32)を境界としていて、水平距離Lがecよりも大きく、L≦2ecであることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1つに記載の導電性支持体(100、200)。
- 前記構造化された領域(31)、及び好ましくは前記下方領域(30)が、散乱性粒子を含まないことを特徴とする、請求項1〜10のいずれか1つに記載の導電性支持体(100、200)。
- 前記部分的に構造化された層(3)がガラス質材料、好ましくはエナメルで製作されていることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1つに記載の導電性支持体(100、200)。
- 前記基材(1)が好ましくは無機ガラス製であり、前記光取り出し層が追加の散乱層(41)を含んでいて、この追加散乱層の構成成分はガラス質材料、好ましくはエナメルと、散乱性要素(4’、4”)とを含み、且つ前記部分的に構造化された層(3)の組成がガラス質材料、好ましくはエナメルを含み、その組成は特に前記追加の散乱層の材料のそれと同一であること、及び/又は、好ましくは無機ガラス製である前記基材の散乱性の第1面(42)が前記光取り出し層の一部を形成するか又はさらには前記光取り出し層であり、前記部分的に構造化された層(3)の組成がガラス質材料、好ましくはエナメルを含むこと、を特徴とする、請求項1〜12のいずれか1つに記載の導電性支持体(100、200)。
- 導電性コーティング(5)が、前記高位表面(31’)及び好ましくは銀で作製される前記金属グリッド(2)を、好ましくは直接、覆っており、この導電性コーティングが特に500nm以下の厚さe5、20Ω・cm未満であり且つ前記金属グリッドの抵抗率より高い抵抗率ρ5、及び少なくとも1.55の屈折率n5を有することを特徴とする、請求項1〜13のいずれか1つに記載の導電性支持体(100、200)。
- 前記導電性コーティング(5)が、屈折率naが1.7と2.3の間に含まれる無機層を含み、該層は厚さが好ましくは150nm未満であり、そして好ましくは酸化スズインジウム又は酸化亜鉛をベースとする透明導電性酸化物で作製されていることを特徴とする、請求項14記載の導電性支持体(100、200)。
- 前記導電性コーティングが、少なくとも前記基材から最も遠い最後の層として、PEDOT又はPEDOT:PSSなどの導電性ポリマーから作製されたサブミクロンサイズの厚さの、屈折率nbが少なくとも1.55の有機層を含むことを特徴とする、請求項14又は15記載の導電性支持体。
- 前記導電性コーティング(5)上に被着され、正孔輸送層HTL又は正孔注入層HILを任意選択的に含む、有機的発光系を含むことを特徴とする、請求項14又は15記載の導電性支持体。
- 金属グリッドを含む電極が、基材に最も近い下部電極と呼ばれる電極を形成している、請求項1〜17のいずれか1つに記載の導電性支持体(100、200)を組み込んだ有機発光デバイス。
- 請求項1〜17のいずれか1つに記載の導電性支持体(100、200)の製造方法であって、以下の工程、すなわち、
・次のものを含む基材、すなわち、
・好ましくは当該基材の散乱性の第1面により形成される、及び/又は当該基材の第1面上の追加の散乱層により形成される、光取り出し層(4)、及び、
・前記光取り出し層の上の、屈折率n3の組成物で作製され、好ましくは散乱性粒子を含有せず、好ましくは前記光取り出し層を平坦化している、高屈折率層(3a)と称するもの、
を含む基材を用意する工程、
・前記高屈折率層(3a)にキャビティーを形成して、部分的に構造化された層(3)を形成する工程であって、
・前記高屈折率層(3a)上に、側面を有する貫通開口部の所定の配置構成を有する不連続のマスキング層を形成すること、及び、
・マスキング層の貫通開口部を通して高屈折率層(3a)をウェットエッチングし、マスキング層の側面がキャビティーの側面に対して突出して、マスキング層のキャビティーと面している、内側表面(62、62’)と称する表面部分を画定すること、
を含むキャビティー形成工程、
・金属グリッド(2)を形成する工程であって、好ましくはグリッドの第一の金属の無電解湿式被着により、キャビティーを部分的に充填することを含み、この第一の金属をキャビティーの底部、キャビティーの側面、及びマスキング層(60)の内側表面(62、62’)の全体に被着させて、ストランドの側方ゾーン(22、22’)を形成し、これらのゾーンは高位表面と同一高さにあり、そしてストランドの中央ゾーン(21)よりも粗くない、金属グリッド形成工程、及び、
・前記マスキング層を除去する工程、
をこの順序で含むことを特徴とする、請求項1〜17のいずれか1つに記載の導電性支持体(100〜00)の製造方法。 - 前記マスキング層を除去することが、金属グリッドの表面に少なくとも10nmの高さの突起を形成しないことを特徴とする、請求項19記載の導電性支持体(100、200)の製造方法。
- 前記湿式被着が銀めっきであり、そして好ましくは前記グリッド(2)が単層であることを特徴とする、請求項19又は20記載の導電性支持体(100、200)の製造方法。
- 前記マスキング層(60)がフォトレジストであることを特徴とする、請求項19〜21のいずれか1つに記載の導電性支持体(100、200)の製造方法。
- 前記マスキング層を除去後に、ITO又はドープされた酸化亜鉛をベースとする導電性コーティング(5)を陰極スパッタリングにより被着すること、又はポリマーの導電性コーティングを湿式被着することを含むことを特徴とする、請求項19〜22のいずれか1つに記載の導電性支持体(100、200)の製造方法。
- 前記高屈折率層(30)がガラスフリットをベースとする第1組成物から特に得られるエナメルを含み、そして好ましくは、前記追加の散乱層が、散乱性粒子を含むこと以外は好ましくは前記第1組成物と同一であるガラスフリットをベースとする第2組成物から得られるエナメルを含むことを特徴とする、請求項19〜23のいずれか1つに記載の導電性支持体(100、200)の製造方法。
- 前記導電性コーティングを被着する前に、180℃より高い温度、好ましくは250℃と450℃の間、特に250℃と350℃の間に含まれる温度に、好ましくは5分と120分の間、特に15分と90分の間に含まれる時間わたって加熱する工程を含むこと、及び/又は、前記導電性コーティングを形成するための無機層、好ましくはITO層の被着と、180℃より高い温度、好ましくは250℃と450℃の間、特に250℃と350℃の間に含まれる温度への、好ましくは5分と120分の間、特に15分と90分の間に含まれる時間にわたるその後の加熱とを含むこと、を特徴とする、請求項19〜24のいずれか1つに記載の導電性支持体(100、200)の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1456880 | 2014-07-17 | ||
FR1456880A FR3023979B1 (fr) | 2014-07-17 | 2014-07-17 | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication. |
PCT/FR2015/051895 WO2016009132A1 (fr) | 2014-07-17 | 2015-07-09 | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017521836A true JP2017521836A (ja) | 2017-08-03 |
Family
ID=51485776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017502682A Pending JP2017521836A (ja) | 2014-07-17 | 2015-07-09 | 導電性oled支持体、それを組み込んだoled、及びその製造 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9786849B2 (ja) |
EP (1) | EP3170214B1 (ja) |
JP (1) | JP2017521836A (ja) |
KR (1) | KR20170045210A (ja) |
CN (1) | CN106537625B (ja) |
ES (1) | ES2702713T3 (ja) |
FR (1) | FR3023979B1 (ja) |
MY (1) | MY179583A (ja) |
RU (1) | RU2690730C2 (ja) |
TW (1) | TW201614891A (ja) |
WO (1) | WO2016009132A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3023979B1 (fr) * | 2014-07-17 | 2016-07-29 | Saint Gobain | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication. |
WO2018102512A1 (en) * | 2016-11-30 | 2018-06-07 | Corning Incorporated | Textured glass for light extraction enhancement of oled lighting |
CN109429428B (zh) * | 2017-08-29 | 2020-12-15 | 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 | 电路板及其制作方法 |
CN110112319B (zh) * | 2019-05-27 | 2022-04-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光单元及其制造方法、显示装置 |
DE102019129832A1 (de) * | 2019-11-05 | 2021-05-06 | Heliatek Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, sowie Verfahren zur Kontaktierung eines optoelektronischen Bauelements |
CN114868235A (zh) * | 2019-11-21 | 2022-08-05 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 具有低电阻背面触点的封装电子器件 |
US12009315B2 (en) * | 2020-09-03 | 2024-06-11 | AT&SAustria Technologie & Systemtechnik AG | Component carrier structure connectable by electrically conductive connection medium in recess with cavity having surface profile |
CN114171416B (zh) * | 2022-02-14 | 2022-06-03 | 浙江里阳半导体有限公司 | 一种tvs芯片及其玻璃钝化方法、制造方法 |
WO2023159580A1 (zh) * | 2022-02-28 | 2023-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 导电网格的制备方法、薄膜传感器及其制备方法 |
CN115074799B (zh) * | 2022-07-21 | 2024-04-26 | 日铭电脑配件(上海)有限公司 | 一种阳极氧化阴极板及其制备方法和应用 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0266870A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜el素子及びその製造方法 |
JP2008251814A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Nec Lcd Technologies Ltd | 埋込配線の形成方法、表示装置用基板及び当該基板を有する表示装置 |
US20130108777A1 (en) * | 2011-11-01 | 2013-05-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for manufacturing flexible electrode substrate |
JP2014096334A (ja) * | 2012-11-12 | 2014-05-22 | Panasonic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2014135817A1 (fr) * | 2013-03-08 | 2014-09-12 | Saint-Gobain Glass France | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication. |
EP3170214A1 (fr) * | 2014-07-17 | 2017-05-24 | Saint-Gobain Glass France | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9409538D0 (en) * | 1994-05-12 | 1994-06-29 | Glaverbel | Forming a silver coating on a vitreous substrate |
TW364275B (en) * | 1996-03-12 | 1999-07-11 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device |
US6645645B1 (en) | 2000-05-30 | 2003-11-11 | The Trustees Of Princeton University | Phosphorescent organic light emitting devices |
JP2004513483A (ja) | 2000-11-02 | 2004-04-30 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 明るさおよびコントラスト増強直視型発光型ディスプレイ |
FR2844364B1 (fr) | 2002-09-11 | 2004-12-17 | Saint Gobain | Substrat diffusant |
US6965197B2 (en) | 2002-10-01 | 2005-11-15 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency |
US20070013293A1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Eastman Kodak Company | OLED device having spacers |
FR2892594B1 (fr) * | 2005-10-21 | 2007-12-07 | Saint Gobain | Structure lumineuse comportant au moins une diode electroluminescente, sa fabrication et ses applications |
US20070170846A1 (en) * | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Choi Dong-Soo | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
JP5577012B2 (ja) * | 2007-05-03 | 2014-08-20 | 株式会社カネカ | 多層基板およびその製造方法 |
KR100889677B1 (ko) * | 2007-06-19 | 2009-03-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
EP2178343B2 (en) * | 2007-07-27 | 2020-04-08 | AGC Inc. | Translucent substrate, method for manufacturing the translucent substrate and organic led element |
FR2924274B1 (fr) | 2007-11-22 | 2012-11-30 | Saint Gobain | Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et sa fabrication |
WO2009116531A1 (ja) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | 旭硝子株式会社 | 電子デバイス用基板、有機led素子用積層体及びその製造方法、有機led素子及びその製造方法 |
JP5383219B2 (ja) | 2009-01-23 | 2014-01-08 | 三菱重工業株式会社 | レーザ溶接装置およびレーザ溶接方法 |
JP5510337B2 (ja) | 2009-01-26 | 2014-06-04 | 旭硝子株式会社 | ガラス組成物、ガラスフリット、および基板上にガラス層を具備する部材 |
EP2383235B1 (en) | 2009-01-26 | 2017-09-13 | Asahi Glass Company, Limited | Glass for scattering layer of organic led device and organic led device |
FR2944145B1 (fr) | 2009-04-02 | 2011-08-26 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'une structure a surface texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et structure a surface texturee |
US10581020B2 (en) * | 2011-02-08 | 2020-03-03 | Vitro Flat Glass Llc | Light extracting substrate for organic light emitting diode |
TW201123961A (en) * | 2009-12-28 | 2011-07-01 | Au Optronics Corp | Organic light emitting diode (OLED) display device |
FR2955575B1 (fr) * | 2010-01-22 | 2012-02-24 | Saint Gobain | Substrat verrier revetu d'une couche haut indice sous un revetement electrode et dispositif electroluminescent organique comportant un tel substrat. |
ES2548048T3 (es) | 2012-09-28 | 2015-10-13 | Saint-Gobain Glass France | Método de para producir un sustrato OLED difusor transparente |
KR101421024B1 (ko) * | 2012-10-11 | 2014-07-22 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 금속산화물 박막 기판 및 그 제조방법 |
-
2014
- 2014-07-17 FR FR1456880A patent/FR3023979B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-07-09 ES ES15754265T patent/ES2702713T3/es active Active
- 2015-07-09 JP JP2017502682A patent/JP2017521836A/ja active Pending
- 2015-07-09 WO PCT/FR2015/051895 patent/WO2016009132A1/fr active Application Filing
- 2015-07-09 MY MYPI2017700124A patent/MY179583A/en unknown
- 2015-07-09 KR KR1020177004076A patent/KR20170045210A/ko unknown
- 2015-07-09 RU RU2017105085A patent/RU2690730C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2015-07-09 US US15/326,909 patent/US9786849B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-07-09 CN CN201580038733.7A patent/CN106537625B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-07-09 EP EP15754265.5A patent/EP3170214B1/fr not_active Not-in-force
- 2015-07-15 TW TW104122962A patent/TW201614891A/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0266870A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜el素子及びその製造方法 |
JP2008251814A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Nec Lcd Technologies Ltd | 埋込配線の形成方法、表示装置用基板及び当該基板を有する表示装置 |
US20130108777A1 (en) * | 2011-11-01 | 2013-05-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for manufacturing flexible electrode substrate |
JP2014096334A (ja) * | 2012-11-12 | 2014-05-22 | Panasonic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2014135817A1 (fr) * | 2013-03-08 | 2014-09-12 | Saint-Gobain Glass France | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication. |
EP3170214A1 (fr) * | 2014-07-17 | 2017-05-24 | Saint-Gobain Glass France | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3170214B1 (fr) | 2018-09-19 |
RU2690730C2 (ru) | 2019-06-05 |
CN106537625A (zh) | 2017-03-22 |
EP3170214A1 (fr) | 2017-05-24 |
RU2017105085A (ru) | 2018-08-17 |
FR3023979B1 (fr) | 2016-07-29 |
US9786849B2 (en) | 2017-10-10 |
ES2702713T3 (es) | 2019-03-05 |
FR3023979A1 (fr) | 2016-01-22 |
RU2017105085A3 (ja) | 2018-12-14 |
KR20170045210A (ko) | 2017-04-26 |
WO2016009132A1 (fr) | 2016-01-21 |
TW201614891A (en) | 2016-04-16 |
US20170207401A1 (en) | 2017-07-20 |
CN106537625B (zh) | 2019-08-13 |
MY179583A (en) | 2020-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9786849B2 (en) | Electrically conductive OLED carrier, OLED incorporating said carrier, and its manufacture | |
JP6542677B2 (ja) | Oled用導電性支持体、これを組み込んだoled、及びその製造 | |
JP5742838B2 (ja) | 有機led素子、透光性基板、および有機led素子の製造方法 | |
US20120112224A1 (en) | Method for producing a structure with a textured external surface, intended for an organic light emitting diode device, and a structure with a textured external surface | |
TW200947783A (en) | Substrate bearing an electrode, organic light-emitting device incorporating it, and its manufacture | |
JP2016532994A (ja) | 発光装置用積層体及びその作製方法 | |
US20160079560A1 (en) | Electroconductive Support, OLED Incorporating It, and Manufacture of Same | |
KR20130106832A (ko) | 유기 발광 다이오드 소자의 지지체, 이러한 유기 발광 다이오드 소자 및 그의 제조 방법 | |
US10147894B2 (en) | Transparent diffusive oled substrate and method for producing such a substrate | |
KR20140128321A (ko) | Oled용 투명 지지 전극 | |
KR20170031142A (ko) | 투명 확산성 oled 기판 및 이러한 기판의 제조 방법 | |
JP6684225B2 (ja) | Oled用の被支持透明電極 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180608 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190605 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191105 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200602 |