MD4182C1 - Dispozitiv semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante) - Google Patents

Abstract

Invenţia se referă la domeniul energeticii regenerabile şi electrotehnicii, în special, la dispozitive de conversie directă a radiaţiei solare în energie electrică, şi poate fi utilizată în fabricarea celulelor fotovoltaice şi dispozitivelor semiconductoare de putere.Dispozitivul semiconductor cu joncţiune p-n în relief, conform primei variante, conţine un substrat cristalin de semiconductor de tip p sau n cu banda energetică interzisă mai mare de 1,1 eV, de exemplu, din compus de tip A3B5, dopat cu o impuritate, donor sau acceptor, pânăla concentraţia purtătorilor de sarcină mai mare de 1018 cm-3, cu grosimea de 300…400 µm, pe suprafaţa substratului fiind formate multiple microdefecte. Joncţiunea p-n este formată din două straturi cristaline de semiconductori, primul strat fiind crescut epitaxial pe substrat, cu microstructură în relief din semiconductor de tip similar substratului, dopat cu o impuritate, donor sau acceptor, pânăla concentraţia purtătorilor de sarcină de (2…6)·1017 cm-3, cu grosimea de 3…5 µm, iar al doilea strat fiind crescut epitaxial pe suprafaţa primului strat, cu microstructură în relief din semiconductor de tip opus substratului, dopat cu o impuritate, acceptor sau donor, pânăla concentraţia purtătorilor de sarcină de 1019…102° cm-3, cu grosimea de 2…3 µm. Dispozitivul mai conţine un contact, executat în formă de plasă metalică, depusă pe suprafaţa stratului al doilea, şi un alt contact, executat în formă de strat metalic continuu, depus pe suprafaţa substratului.Dispozitivul semiconductor, conform variantei a doua, se deosebeşte prin aceea că primul strat cristalin al joncţiunii p-n este crescut epitaxial pe suprafaţa planară a substratului, dopat cu o impuritate, donor sau acceptor, pânăla concentraţia purtătorilor de sarcină de 1014…1018 cm-3, cu grosimea de până la 40 µm. Pe suprafaţa primului strat sunt formate multiple microdefecte. Al doilea strat este crescut epitaxial pe suprafaţa primului strat, cu grosimea de 2…18 µm.