MD1726G2 - Fotoreceptor de radiaţie ultravioletă - Google Patents
Fotoreceptor de radiaţie ultravioletăInfo
- Publication number
- MD1726G2 MD1726G2 MDA20000106A MD20000106A MD1726G2 MD 1726 G2 MD1726 G2 MD 1726G2 MD A20000106 A MDA20000106 A MD A20000106A MD 20000106 A MD20000106 A MD 20000106A MD 1726 G2 MD1726 G2 MD 1726G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- layer
- ultraviolet radiation
- semiconducting
- photodetector
- aiiibv
- Prior art date
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la fotoreceptori cu semiconductori, în special la receptori de radiaţie ultravioletă şi poate fi utilizată în sisteme optoelectronice de determinare a intensităţii şi dozei de radiaţie ultravioletă emisă de Soare sau de alte surse de lumină.Esenţa invenţiei constă în aceea că fotoreceptorul de radiaţie ultravioletă pe baza structurilor cu barieră de potenţial superficială conţine un strat din semiconductori AIIIBV, un strat de oxid propriu tunel transparent, şi un strat de SnO2 sau ITO, totodată în stratul din semiconductorii AIIIBV este format un strat defect, în care timpul de viaţă a purtătorilor de sarcină minoritari este minim. Stratul defect este plasat la o distanţă de la suprafaţa stratului semiconductor nu mai mare decât lungimea de absorbţie a radiaţiei vizibile.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20000106A MD1726G2 (ro) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | Fotoreceptor de radiaţie ultravioletă |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20000106A MD1726G2 (ro) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | Fotoreceptor de radiaţie ultravioletă |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD1726F1 MD1726F1 (ro) | 2001-08-31 |
| MD1726G2 true MD1726G2 (ro) | 2002-02-28 |
Family
ID=19739611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20000106A MD1726G2 (ro) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | Fotoreceptor de radiaţie ultravioletă |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD1726G2 (ro) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD4182C1 (ro) * | 2011-04-15 | 2013-04-30 | Государственный Университет Молд0 | Dispozitiv semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante) |
| MD4261B1 (ro) * | 2011-05-12 | 2013-11-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de fabricare a dispozitivului semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante) |
-
2000
- 2000-06-23 MD MDA20000106A patent/MD1726G2/ro unknown
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Малик А.И., Грушка Г.Г. Оптoэлектронные свойства гетеропереходов окисел металла - GaP. ФТП, том 25, вып.11, 1991, p. 1691-1696 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD4182C1 (ro) * | 2011-04-15 | 2013-04-30 | Государственный Университет Молд0 | Dispozitiv semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante) |
| MD4261B1 (ro) * | 2011-05-12 | 2013-11-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de fabricare a dispozitivului semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante) |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD1726F1 (ro) | 2001-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2256877T3 (es) | Dispositivo semiconductor optoelectronico. | |
| AR054459A2 (es) | Dispositivo optoelectronico organico fotosensible | |
| ES2157846A1 (es) | Dispositivo con lente discontinua de reflexion total interna y dioptrico asferico para concentracion o colimacion de energia radiante. | |
| WO2004053941A3 (en) | Optoelectronic devices employing fibers for light collection and emission | |
| DE50014824D1 (de) | Solarzelle mit einer Schutzdiode und ihr Herstellungsverfahren | |
| ITMI20000467A0 (it) | Circuito per rilevare con elevata precisione il tempo di arrivo dei fotoni incidenti su fotodiodi a valanga a singolo fotone | |
| DE60040181D1 (de) | Durchsichtprotektionssystem mit schief einfallendem Lichtbündel | |
| ATE413691T1 (de) | Verarmungszonelose photodiode mit unterdrücktem photostrom | |
| WO2002027805A3 (en) | A theory of the charge multiplication process in avalanche photodiodes | |
| TW200722781A (en) | Radiation detecting apparatus, scintillator panel, their manufacturing method and radiation detecting system | |
| TW200509383A (en) | Back-side incidence type light-detecting element | |
| ATE5115T1 (de) | Gold-metallisierung in halbleiteranordnungen. | |
| ATE381782T1 (de) | Halbleitersubstrat mit einer neutronenkonvertierungsschicht | |
| ATE471356T1 (de) | Organischer farbstoff, photoelektrisch signalgebendes material, halbleiterelektrode sowie photoelektrischer signalgeber | |
| AU6590398A (en) | Optical detector to detect the presence of a semiconductor wafer | |
| MD1726G2 (ro) | Fotoreceptor de radiaţie ultravioletă | |
| Collaboration–RD48 et al. | Study of evolution of active volume in irradiated silicon detectors | |
| TW200501440A (en) | A photo electric diodes array and the manufacturing method of the same and a radiation ray detector | |
| NO20011497L (no) | Kontakt av höydopet p-type for en frontbelyst, rask fotodiode | |
| MD1216G2 (ro) | Fotoreceptor de radiaţie ultravioletă | |
| TW200505040A (en) | A photo electric diodes array and the manufacturing method of the same and a radiation ray detector | |
| EP1467412A3 (en) | Visible light transmitting structure with photovoltaic effect | |
| WO2002044766A3 (de) | Statischer konzentrator | |
| TW200501441A (en) | A photo electric diodes array and the manufacturing method of the same and a radiation ray detector | |
| TW200802901A (en) | Optical semiconductor device with sensitivity improved |