MD1216G2 - Fotoreceptor de radiaţie ultravioletă - Google Patents

Fotoreceptor de radiaţie ultravioletă Download PDF

Info

Publication number
MD1216G2
MD1216G2 MD97-0213A MD970213A MD1216G2 MD 1216 G2 MD1216 G2 MD 1216G2 MD 970213 A MD970213 A MD 970213A MD 1216 G2 MD1216 G2 MD 1216G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
ultra
violet radiation
semiconductors
photodetector
power width
Prior art date
Application number
MD97-0213A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Other versions
MD1216F1 (ro
Inventor
Валериан ДОРОГАН
Татьяна ВИЕРУ
Valeriu Coseac
Florian Chirita
Original Assignee
Валериан ДОРОГАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Валериан ДОРОГАН filed Critical Валериан ДОРОГАН
Priority to MD97-0213A priority Critical patent/MD1216G2/ro
Publication of MD1216F1 publication Critical patent/MD1216F1/ro
Publication of MD1216G2 publication Critical patent/MD1216G2/ro

Links

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Invenţia se referă la fotoreceptori cu semiconductori, în special la receptori de radiaţie ultravioletă, şi poate fi utilizată în sisteme optoelectronice de determinare a intensităţii şi dozei de radiaţie ultravioletă emisă de Soare sau de alte surse.În structura fotoreceptorului de radiaţie ultravioletă cu barieră de potenţial superficială formată din semiconductori A3B5 cu banda energetică interzisă Eg1, soluţiile lor solide cu bandă energetică interzisă Eg2 şi SnO2 sau ITO, în semiconductorii A3B5 la o distanţă de suprafaţă mai mică decât lungimea de absorbţie a radiaţiei vizibile este formată o heterojoncţiune izotipă între semiconductorii A3B5 şi soluţiile lor solide cu banda energetică interzisă Eg2>Eg1.Rezultatul tehnic constă în confecţionarea unui fotoreceptor sensibil numai la radiaţia ultravioletă.
MD97-0213A 1997-07-25 1997-07-25 Fotoreceptor de radiaţie ultravioletă MD1216G2 (ro)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD97-0213A MD1216G2 (ro) 1997-07-25 1997-07-25 Fotoreceptor de radiaţie ultravioletă

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD97-0213A MD1216G2 (ro) 1997-07-25 1997-07-25 Fotoreceptor de radiaţie ultravioletă

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD1216F1 MD1216F1 (ro) 1999-04-30
MD1216G2 true MD1216G2 (ro) 1999-11-30

Family

ID=19739041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MD97-0213A MD1216G2 (ro) 1997-07-25 1997-07-25 Fotoreceptor de radiaţie ultravioletă

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD1216G2 (ro)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD1516G2 (ro) * 1999-04-21 2001-01-31 Валериан ДОРОГАН Fotoreceptor de radiaţie ultravioletă
MD340Z (ro) * 2010-04-23 2011-09-30 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Bolometru
MD4182C1 (ro) * 2011-04-15 2013-04-30 Государственный Университет Молд0 Dispozitiv semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante)
MD4261B1 (ro) * 2011-05-12 2013-11-30 Государственный Университет Молд0 Procedeu de fabricare a dispozitivului semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante)

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Аннаева А. Р., Беркелиев А., Бессолов В. Н., Гольдберг Ю. А., Царенков Б. В., Яковлев Ю. П. ФП УФ излучения на основе варизонной Ga1-xAlxP (Xs=0,5+0,1) поверхностно-барьерной структуры. ФТП. 1981 г., том 15, вып. 6, с. 1122 *
Беркелиев А., Гольдберг Ю. А., Мелебаев Д., Царенков Б. В. ФП видимого и УФ излучения на основе GaAs1-xPx поверхностно-барьерных структур. ФТП. 1976 г., том 10, вып. 8, с. 1532-1538 *
Гуткин А. А., Дмитриев М. В., Наследов Д. Н., Пашковский А. В. Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерного диода Au-n-GaAs в области энергий фотонов 1-5 эВ. ФТП. 1971 г., том 5, вып. 10, с. 1927-1933 *
Клячкин Л. Е., Лопатина Л. Б., Маляренко А. М., Суханов В. Л. Спектральные характеристики селективных ФП для видимой и УФ областей спектра. Письма в ЖТФ. 1985 г., том 11, в. 6, с. 354-356 *
Малик А. И., Грушка Г. Г. Оптоэлектронные свойства гетеропереходов окисей металла-GaP. ФТП. 1991 г., том 25, вып. 11, с. 1691-1696 *
Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и инфракрасный диапазоны спектра. Под ред. Стафеева В. И., Анисимова И. Д., Викулина И. М. Москва, Радио и связь, 1984 г., 310 с. *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD1516G2 (ro) * 1999-04-21 2001-01-31 Валериан ДОРОГАН Fotoreceptor de radiaţie ultravioletă
MD340Z (ro) * 2010-04-23 2011-09-30 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Bolometru
MD4182C1 (ro) * 2011-04-15 2013-04-30 Государственный Университет Молд0 Dispozitiv semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante)
MD4261B1 (ro) * 2011-05-12 2013-11-30 Государственный Университет Молд0 Procedeu de fabricare a dispozitivului semiconductor cu joncţiune p-n în relief (variante)

Also Published As

Publication number Publication date
MD1216F1 (ro) 1999-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB2321783A (en) Low resistance contact semiconductor diode
TW359039B (en) Circuit-integrating light-receiving element
ITMI20000467A0 (it) Circuito per rilevare con elevata precisione il tempo di arrivo dei fotoni incidenti su fotodiodi a valanga a singolo fotone
DE69518938D1 (de) Lawinenphotodiode mit Übergitter
ATE292661T1 (de) Flächiges element mit dunkler oberfläche und verminderter solarer absorption
FI932395A7 (fi) Polymeerialustan ultraviolettisäteilystä johtuvan hajoamisen vähentämi nen
GB0001601D0 (en) Solar cell arrangements
EP0642178A3 (en) Semiconductor device for converting light and radiation into electrical energy.
FR2431770A1 (fr) Photodiode avalanche a semi-conducteurs de structure heterogene
MD1216G2 (ro) Fotoreceptor de radiaţie ultravioletă
AU2345201A (en) Semiconductor component, electronic component, sensor system and method for producing a semiconductor component
WO2002044766A3 (de) Statischer konzentrator
JPS57172273A (en) Radiation detector
SU1702831A1 (ru) Лавинный фотоприемник
AU8580998A (en) Semiconductor radiation detectors with intrinsic avalanche multiplication in self-limiting mode of operation
NO20011497L (no) Kontakt av höydopet p-type for en frontbelyst, rask fotodiode
DE69409341D1 (de) Halbleitervorrichtung mit Fotodioden
MD1726G2 (ro) Fotoreceptor de radiaţie ultravioletă
JO1929B1 (en) Photovoltaic cell system and optical structure therefor
MD1516F1 (ro) Fotoreceptor de radiatie ultravioleta
MD2025C2 (ro) Fotoreceptor de radiaţie ultravioletă
IT8822296A0 (it) Composizione di combustibile ad elevato contenuto energetico.
TW227629B (en) Photo receiver with high sensitivity and high current
Jenkins et al. Measurement of surface recombination velocity on heavily doped indium phosphide
JPS53142886A (en) Radiation detector of semiconductor

Legal Events

Date Code Title Description
IF99 Valid patent on 19990615

Free format text: EXPIRES: 20170725