SU1702831A1 - Лавинный фотоприемник - Google Patents

Abstract

Изобретение относится к области микрофотоэлектроники, конкретно к полупроводниковым фотоприемникам. Целью изобретения является улучшение стабильности, увеличение отношения сигнал/шум и уменьшение темнового тока. Лавинный фотоприемник содержит полупроводниковую подложку, не менее двух полупроводниковых областей с противоположным подложке типом проводимости, буферный слой и полевой электрод. Полупроводниковые области отделены от полевого электрода буферными областями, расположенными в буферном слое. При этом выполняется условие σ+σ<σ+σ, где σи σ- проводимость обедненного слоя на границе подложка - полупроводниковая область и подложка - буферный слой соответственно, σи σ- проводимость буферных областей и буферного слоя соответственно. Расстояние между полупроводниковыми областями не менее толщины буферного слоя, но не более удвоенной суммы максимальной толщины обедненного слоя при лавинном пробое и диффузионной длины неосновных носителей заряда в подложке. Использование буферных областей позволяет улучшить стабильность работы, т. к. конечное сопротивление буферной области ограничивает резкое развитие лавинного процесса. 1 ил.