MD4182B1 - Dispozitiv semiconductor cu jonctiune p-n în relief (variante) - Google Patents

Abstract

Inventia se refera la domeniul energeticii regenerabile si electrotehnicii, în special, la dispozitive de conversie directa a radiatiei solare în energie electrica, si poate fi utilizata în fabricarea celulelor fotovoltaice si dispozitivelor semiconductoare de putere.Dispozitivul semiconductor cu jonctiune p-n în relief, conform primei variante, contine un substrat cristalin de semiconductor de tip p sau n cu banda energetica interzisa mai mare de 1,1 eV, de exemplu, din compus de tip A3B5, dopat cu o impuritate, donor sau acceptor, pânala concentratia purtatorilor de sarcina mai mare de 1018 cm-3, cu grosimea de 300…400 µm, pe suprafata substratului fiind formate multiple microdefecte. Jonctiunea p-n este formata din doua straturi cristaline de semiconductori, primul strat fiind crescut epitaxial pe substrat, cu microstructura în relief din semiconductor de tip similar substratului, dopat cu o impuritate, donor sau acceptor, pânala concentratia purtatorilor de sarcina de (2…6)·1017 cm-3, cu grosimea de 3…5 µm, iar al doilea strat fiind crescut epitaxial pe suprafata primului strat, cu microstructura în relief din semiconductor de tip opus substratului, dopat cu o impuritate, acceptor sau donor, pânala concentratia purtatorilor de sarcina de 1019…102° cm-3, cu grosimea de 2…3 µm. Dispozitivul mai contine un contact, executat în forma de plasa metalica, depusa pe suprafata stratului al doilea, si un alt contact, executat în forma de strat metalic continuu, depus pe suprafata substratului.Dispozitivul semiconductor, conform variantei a doua, se deosebeste prin aceea ca primul strat cristalin al jonctiunii p-n este crescut epitaxial pe suprafata planara a substratului, dopat cu o impuritate, donor sau acceptor, pânala concentratia purtatorilor de sarcina de 1014…1018 cm-3, cu grosimea de pâna la 40 µm. Pe suprafata primului strat sunt formate multiple microdefecte. Al doilea strat este crescut epitaxial pe suprafata primului strat, cu grosimea de 2…18 µm.