MD972Y - Procedeu de creştere a structurii p+InP-p-InP-n+CdS pentru celule fotovoltaice - Google Patents

Abstract

Invenţia se referă la tehnologia semiconductorilor şi poate fi utilizată, în special, în convertoarele fotovoltaice.Procedeul de creştere a structurii p+InP-p-InP-n+CdS pentru celule fotovoltaice constă în aceea că se prelucrează în toluen şi alcool izopropilic un substrat, executat în formă de plachetă din p+InP cu orientarea cristalografică (100), cu dezorientarea de 3…5° în direcţia (110) şi concentraţia purtătorilor de sarcină de 1018 cm-3, apoi acesta se corodează în soluţie de 5% Br2 în metanol, se spală în alcool izopropilic, se usucă în vaporii acestuia şi se plasează într-un reactor pe un suport. Reactorul se purjează cu hidrogen timp de cel puţin o oră, după care se majorează temperatura în acesta până la 670°C şi se corodează substratul. Pe substrat se creşte şi se corodează un strat din p-InP, pe care se creşte unal doilea strat din p-InP. Semifabricatul obţinut se scoate din reactor şi se introduce într-un reactor pentru creşterea prin metoda volumului cuaziînchis, în care se creşte un strat din n+CdS la temperatura de 710°C. Se depune un contact ohmic din Ag+Zn pe partea posterioară a substratului şi se tratează termic la temperatura de 500°C, ulterior se depune un contact ohmic din In pe stratul din n+CdS şi se tratează termic la temperatura de 260°C.