MD499G2 - Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale AIII BV în sistem de cloruri - Google Patents
Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale AIII BV în sistem de cloruriInfo
- Publication number
- MD499G2 MD499G2 MD94-0008A MD940008A MD499G2 MD 499 G2 MD499 G2 MD 499G2 MD 940008 A MD940008 A MD 940008A MD 499 G2 MD499 G2 MD 499G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- layers
- chloride
- grown
- epitaxial
- grouing
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la tehnologia semiconductorilor şi poate fi utilizată pentru obţinerea straturilor epitaxiale de fosfură de indiu crescută prin procedeul de cloruri cu parametri electrofizici reproductibili.Ameliorarea calităţii şi sporirea reproductibilităţii parametrilor electrofizici în cadrul procedeului de creştere a straturilor epitaxiale AlllBV în sistem de cloruri, ce include pregătirea accesoriilor, decaparea chimică a substraturilor, suflarea cu hidrogen a reactorului, termostatarea clorurii, încălzirea sursei şi a substraturilor, decaparea gazoasă a substraturilor, creşterea straturilor subţiri, se efectuează decaparea gazoasă repetată a stratului crescut cu creşterea lui ulterioară.Rezultatul tehnic al invenţiei constă în decaparea gazoasă repetată a stratului crescut cu creşterea lui ulterioară.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD94-0008A MD499G2 (ro) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale AIII BV în sistem de cloruri |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD94-0008A MD499G2 (ro) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale AIII BV în sistem de cloruri |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD940008A MD940008A (ro) | 1995-06-30 |
| MD499F2 MD499F2 (ro) | 1996-10-31 |
| MD499G2 true MD499G2 (ro) | 1997-05-31 |
Family
ID=19738514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MD94-0008A MD499G2 (ro) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale AIII BV în sistem de cloruri |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD499G2 (ro) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD151Z (ro) * | 2008-12-30 | 2010-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale GaAs într-un reactor orizontal |
| MD972Z (ro) * | 2015-02-19 | 2016-06-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a structurii p+InP-p-InP-n+CdS pentru celule fotovoltaice |
-
1993
- 1993-12-30 MD MD94-0008A patent/MD499G2/ro not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Falrhurst, D. Lee, D.S. Robertson, H.T, Parfitt, W.H. Wilgoss.’’ A study of vapour phase epitaxy of indium phosphide’’, J. Mater. Sci., № 4,.т 16, 1981 , с. 1013-1022. * |
| Сб."Обзоры по электронной технике", сер. 2, "Полупроводниковые приборы", т. 3, 1983 г., Т.П.Колмакова, Г.Ф.Лымарь, "Выращивание эпитаксиальных слоев фосфида индия в системе In-PCl3-H2", c. 938. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD151Z (ro) * | 2008-12-30 | 2010-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale GaAs într-un reactor orizontal |
| MD972Z (ro) * | 2015-02-19 | 2016-06-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a structurii p+InP-p-InP-n+CdS pentru celule fotovoltaice |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD940008A (ro) | 1995-06-30 |
| MD499F2 (ro) | 1996-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0376252A3 (en) | Method of removing an oxide film on a substrate | |
| BR8902555A (pt) | Metodo para a producao de compostos supercondutores artificiais em camadas de elevada tc. | |
| Clarke et al. | The preparation of high purity epitaxial InP | |
| MY113505A (en) | Semiconductor substrate and process for production thereof | |
| US3669774A (en) | Low temperature silicon etch | |
| EP0253611A3 (en) | Method of epitaxially growing gallium arsenide on silicon | |
| MD499G2 (ro) | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale AIII BV în sistem de cloruri | |
| JPS56138917A (en) | Vapor phase epitaxial growth | |
| JPS6456364A (en) | Production of graphite | |
| JPS53126263A (en) | Method of epitaxially growing gallium arsenide layer on gallium arsenide body | |
| Vanzella et al. | Recovery of nitrification in marine bacteria following exposure to carbon monoxide or light | |
| US3679470A (en) | Method for producing high purity monocrystalline silicon | |
| JPS5284964A (en) | Vapor phase growth method for semiconductors | |
| MD673G2 (ro) | Procedeu de obţinere a straturilor InP | |
| JPS6442888A (en) | Manufacture of semiconductor laser | |
| Arizumi | Some Aspects of the Epitaxial Vapor Growth of Semiconductors: Elements, III--V Compounds and Alloys | |
| JPS54138194A (en) | Preparation of antibiotic substance | |
| JPS6430110A (en) | Superconductor | |
| ATE80498T1 (de) | Materialsparendes verfahren zur herstellung von mischkristallen. | |
| JPS561525A (en) | Epitaxial growing method of silicon crystal | |
| JPS57153438A (en) | Manufacture of semiconductor substrate | |
| JPS551137A (en) | Gaseous phase epitaxial breeding of monocrystalline layer of gallium arsenate | |
| JPS5572030A (en) | Gas phase growing of compound semiconductor | |
| JPS6419715A (en) | Growth method for semiconductor thin-film | |
| JPS57198686A (en) | Manufacture of semiconductor light emitting device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM3A | Patent for invention definitely lapsed |