MD499G2 - Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale AIII BV în sistem de cloruri - Google Patents
Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale AIII BV în sistem de cloruriInfo
- Publication number
- MD499G2 MD499G2 MD94-0008A MD940008A MD499G2 MD 499 G2 MD499 G2 MD 499G2 MD 940008 A MD940008 A MD 940008A MD 499 G2 MD499 G2 MD 499G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- layers
- chloride
- grown
- epitaxial
- grouing
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la tehnologia semiconductorilor şi poate fi utilizată pentru obţinerea straturilor epitaxiale de fosfură de indiu crescută prin procedeul de cloruri cu parametri electrofizici reproductibili.Ameliorarea calităţii şi sporirea reproductibilităţii parametrilor electrofizici în cadrul procedeului de creştere a straturilor epitaxiale AlllBV în sistem de cloruri, ce include pregătirea accesoriilor, decaparea chimică a substraturilor, suflarea cu hidrogen a reactorului, termostatarea clorurii, încălzirea sursei şi a substraturilor, decaparea gazoasă a substraturilor, creşterea straturilor subţiri, se efectuează decaparea gazoasă repetată a stratului crescut cu creşterea lui ulterioară.Rezultatul tehnic al invenţiei constă în decaparea gazoasă repetată a stratului crescut cu creşterea lui ulterioară.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD94-0008A MD499G2 (ro) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale AIII BV în sistem de cloruri |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD94-0008A MD499G2 (ro) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale AIII BV în sistem de cloruri |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD940008A MD940008A (ro) | 1995-06-30 |
| MD499F2 MD499F2 (ro) | 1996-10-31 |
| MD499G2 true MD499G2 (ro) | 1997-05-31 |
Family
ID=19738514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MD94-0008A MD499G2 (ro) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale AIII BV în sistem de cloruri |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD499G2 (ro) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD151Z (ro) * | 2008-12-30 | 2010-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale GaAs într-un reactor orizontal |
| MD972Z (ro) * | 2015-02-19 | 2016-06-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a structurii p+InP-p-InP-n+CdS pentru celule fotovoltaice |
-
1993
- 1993-12-30 MD MD94-0008A patent/MD499G2/ro not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Falrhurst, D. Lee, D.S. Robertson, H.T, Parfitt, W.H. Wilgoss.’’ A study of vapour phase epitaxy of indium phosphide’’, J. Mater. Sci., № 4,.т 16, 1981 , с. 1013-1022. * |
| Сб."Обзоры по электронной технике", сер. 2, "Полупроводниковые приборы", т. 3, 1983 г., Т.П.Колмакова, Г.Ф.Лымарь, "Выращивание эпитаксиальных слоев фосфида индия в системе In-PCl3-H2", c. 938. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD151Z (ro) * | 2008-12-30 | 2010-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale GaAs într-un reactor orizontal |
| MD972Z (ro) * | 2015-02-19 | 2016-06-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a structurii p+InP-p-InP-n+CdS pentru celule fotovoltaice |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD499F2 (ro) | 1996-10-31 |
| MD940008A (ro) | 1995-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW325601B (en) | Process of manufacturing thin film semiconductor | |
| EP0376252A3 (en) | Method of removing an oxide film on a substrate | |
| MY113505A (en) | Semiconductor substrate and process for production thereof | |
| US3669774A (en) | Low temperature silicon etch | |
| EP0186495A3 (en) | Production of microbial cellulose | |
| EP0253611A3 (en) | Method of epitaxially growing gallium arsenide on silicon | |
| AU3369299A (en) | Stable concentrated rare earth carboxylate liquids | |
| MX9802344A (es) | Metodo y aparato para producir bioxido de titanio. | |
| MY100449A (en) | High-oxygen-content silicon monocrystal substrate for semiconductor devices and production method therefor | |
| EE03114B1 (et) | Meetod tsüklosporiin A tootmiseks | |
| JPS6456364A (en) | Production of graphite | |
| JPS53126263A (en) | Method of epitaxially growing gallium arsenide layer on gallium arsenide body | |
| Arizumi | Some Aspects of the Epitaxial Vapor Growth of Semiconductors: Elements, III--V Compounds and Alloys | |
| JPS5284964A (en) | Vapor phase growth method for semiconductors | |
| MD673G2 (ro) | Procedeu de obţinere a straturilor InP | |
| JPS6442888A (en) | Manufacture of semiconductor laser | |
| JPS54138194A (en) | Preparation of antibiotic substance | |
| JPS6430110A (en) | Superconductor | |
| ATE80498T1 (de) | Materialsparendes verfahren zur herstellung von mischkristallen. | |
| JPS57153438A (en) | Manufacture of semiconductor substrate | |
| JPS6419715A (en) | Growth method for semiconductor thin-film | |
| JPS642592A (en) | Production of pyrroloquinolinequinone | |
| JPS6490523A (en) | Epitaxial growth method for ingaasp mixed crystal | |
| MD627G2 (ro) | Procedeu de obţinere a straturilor epitaxiale de fosfură de indiu din fază gazoasă | |
| EP0365199A3 (en) | Vapor phase growth process using organo-group v compounds |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM3A | Patent for invention definitely lapsed |