MD499G2 - Способ выращивания эпитаксиальных слоев AIIIBV в хлоридной системе - Google Patents

Способ выращивания эпитаксиальных слоев AIIIBV в хлоридной системе

Info

Publication number
MD499G2
MD499G2 MD94-0008A MD940008A MD499G2 MD 499 G2 MD499 G2 MD 499G2 MD 940008 A MD940008 A MD 940008A MD 499 G2 MD499 G2 MD 499G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
layers
chloride
grown
epitaxial
grouing
Prior art date
Application number
MD94-0008A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD940008A (ro
MD499F2 (en
Inventor
Vasile Botnariuc
Леонид ГОРЧАК
Valentin Plesca
Симион РАЕВСКИЙ
Алексей СИМАШКЕВИЧ
Original Assignee
Государственный Университет Молд0
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственный Университет Молд0 filed Critical Государственный Университет Молд0
Priority to MD94-0008A priority Critical patent/MD499G2/ru
Publication of MD940008A publication Critical patent/MD940008A/xx
Publication of MD499F2 publication Critical patent/MD499F2/xx
Publication of MD499G2 publication Critical patent/MD499G2/ru

Links

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения эпитаксиальных слоев фосфида индия, выращенных хлоридным способом с воспроизводными электрофизическими параметрами. Для повышения качества и воспроизводимости электрофизических параметров эпитаксиальных слоев в процессе выращивания эпитаксиальных слоев AlllBV в хлоридной системе, включающем подготовку оснастки, химическое травление, продувку реакторов водородом, термостатирование хлорида, нагрев источника и подложек, химическое травление подложек, выращивание слоев, проводят повторное газовое травление выращенного слоя с последующим его ростом.Технический результат изобретения заключается в повторном проведении газового травления выращенного слоя с последующим его ростом.
MD94-0008A 1993-12-30 1993-12-30 Способ выращивания эпитаксиальных слоев AIIIBV в хлоридной системе MD499G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD94-0008A MD499G2 (ru) 1993-12-30 1993-12-30 Способ выращивания эпитаксиальных слоев AIIIBV в хлоридной системе

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD94-0008A MD499G2 (ru) 1993-12-30 1993-12-30 Способ выращивания эпитаксиальных слоев AIIIBV в хлоридной системе

Publications (3)

Publication Number Publication Date
MD940008A MD940008A (ro) 1995-06-30
MD499F2 MD499F2 (en) 1996-10-31
MD499G2 true MD499G2 (ru) 1997-05-31

Family

ID=19738514

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MD94-0008A MD499G2 (ru) 1993-12-30 1993-12-30 Способ выращивания эпитаксиальных слоев AIIIBV в хлоридной системе

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD499G2 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD151Z (ru) * 2008-12-30 2010-09-30 Государственный Университет Молд0 Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе
MD972Z (ru) * 2015-02-19 2016-06-30 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Falrhurst, D. Lee, D.S. Robertson, H.T, Parfitt, W.H. Wilgoss.’’ A study of vapour phase epitaxy of indium phosphide’’, J. Mater. Sci., № 4,.т 16, 1981 , с. 1013-1022. *
Сб."Обзоры по электронной технике", сер. 2, "Полупроводниковые приборы", т. 3, 1983 г., Т.П.Колмакова, Г.Ф.Лымарь, "Выращивание эпитаксиальных слоев фосфида индия в системе In-PCl3-H2", c. 938. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD151Z (ru) * 2008-12-30 2010-09-30 Государственный Университет Молд0 Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе
MD972Z (ru) * 2015-02-19 2016-06-30 Государственный Университет Молд0 Способ роста структуры p+InP-p-InP-n+CdS для фотоэлектрических элементов

Also Published As

Publication number Publication date
MD940008A (ro) 1995-06-30
MD499F2 (en) 1996-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0376252A3 (en) Method of removing an oxide film on a substrate
Clarke et al. The preparation of high purity epitaxial InP
MY113505A (en) Semiconductor substrate and process for production thereof
EP0253611A3 (en) Method of epitaxially growing gallium arsenide on silicon
MX9802344A (es) Metodo y aparato para producir bioxido de titanio.
MD499G2 (ru) Способ выращивания эпитаксиальных слоев AIIIBV в хлоридной системе
JPS56138917A (en) Vapor phase epitaxial growth
JPS6456364A (en) Production of graphite
JPS53126263A (en) Method of epitaxially growing gallium arsenide layer on gallium arsenide body
Vanzella et al. Recovery of nitrification in marine bacteria following exposure to carbon monoxide or light
US3679470A (en) Method for producing high purity monocrystalline silicon
JPS5284964A (en) Vapor phase growth method for semiconductors
MD673G2 (ru) Способ получения слоев InP
JPS6442888A (en) Manufacture of semiconductor laser
Arizumi Some Aspects of the Epitaxial Vapor Growth of Semiconductors: Elements, III--V Compounds and Alloys
JPS54138194A (en) Preparation of antibiotic substance
JPS6430110A (en) Superconductor
ATE80498T1 (de) Materialsparendes verfahren zur herstellung von mischkristallen.
JPS561525A (en) Epitaxial growing method of silicon crystal
JPS57153438A (en) Manufacture of semiconductor substrate
JPS551137A (en) Gaseous phase epitaxial breeding of monocrystalline layer of gallium arsenate
JPS5572030A (en) Gas phase growing of compound semiconductor
JPS57198686A (en) Manufacture of semiconductor light emitting device
JPS5727999A (en) Vapor phase growing method for gan
JPS57149769A (en) Manufacture of reverse direction operation npn transistor

Legal Events

Date Code Title Description
MM3A Patent for invention definitely lapsed