MD673G2 - Способ получения слоев InP - Google Patents
Способ получения слоев InPInfo
- Publication number
- MD673G2 MD673G2 MD94-0147A MD940147A MD673G2 MD 673 G2 MD673 G2 MD 673G2 MD 940147 A MD940147 A MD 940147A MD 673 G2 MD673 G2 MD 673G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- layers
- indium source
- inp
- preliminary
- inp layers
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения тонких чистых слоев InP с высокими воспроизводимыми электрофизическими параметрами.Предложенный способ заключается в предварительной термической обработке источника индия и эпитаксиальном выращивании слоев в системе In-PCl3-H2, причем, предварительная термическая обработка источника индия осуществляется в вакууме.Технический результат изобретения заключается в очистке источника индия от неконтролируемых загрязнений и сокращении времени выхода в режим роста слоев InP.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
MD94-0147A MD673G2 (ru) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | Способ получения слоев InP |
RU94040462/25A RU94040462A (ru) | 1994-05-24 | 1994-11-04 | Способ получения слоев inp |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
MD94-0147A MD673G2 (ru) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | Способ получения слоев InP |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
MD940147A MD940147A (ro) | 1995-11-30 |
MD673F2 MD673F2 (ro) | 1995-11-30 |
MD673G2 true MD673G2 (ru) | 1997-08-31 |
Family
ID=19738543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
MD94-0147A MD673G2 (ru) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | Способ получения слоев InP |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
MD (1) | MD673G2 (ru) |
RU (1) | RU94040462A (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD151Z (ru) * | 2008-12-30 | 2010-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе |
MD4510C1 (ru) * | 2016-06-23 | 2018-03-31 | Государственный Университет Молд0 | Способ роста структуры n+-p-p+ InP для солнечных батарей |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD4280C1 (ru) * | 2013-09-04 | 2014-10-31 | Государственный Университет Молд0 | Способ роста структуры pInP-nCdS |
-
1994
- 1994-05-24 MD MD94-0147A patent/MD673G2/ru active IP Right Grant
- 1994-11-04 RU RU94040462/25A patent/RU94040462A/ru unknown
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
R.D.Fairman, M.Omozi, E.B.Fank. Recent progress in the control of high-purity VPE by the PCl3-In-H2 technology. The 6th Symp. on GaAs and related compounds. London. 1977, p. 45-54. * |
Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. вып.3, 1983 г., М., Т.М.Колмакова, Г.Ф.Лымарь. "Выращивание эпитаксиальных слоев фосфида индия в системе In-PCl3-H2 для полевых транзисторов". * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MD151Z (ru) * | 2008-12-30 | 2010-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе |
MD4510C1 (ru) * | 2016-06-23 | 2018-03-31 | Государственный Университет Молд0 | Способ роста структуры n+-p-p+ InP для солнечных батарей |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU94040462A (ru) | 1996-09-27 |
MD940147A (ro) | 1995-11-30 |
MD673F2 (ro) | 1995-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
MY115099A (en) | Process for producing silicon semiconductor wafers with low defect density | |
EP0663688A3 (en) | Semiconductor substrate and method of its manufacture. | |
MY119169A (en) | Method of slicing semiconductor single crystal ingot | |
TW324834B (en) | Method for forming membrane | |
MY127594A (en) | Low defect density, vacancy dominated silicon | |
MY141499A (en) | Semiconductor member and process for preparing semiconductor member | |
MY124554A (en) | Process for producing semiconductor article | |
CA2231625A1 (en) | Semiconductor substrate having compound semiconductor layer, process for its production, and electronic device fabricated on semiconductor substrate | |
MY100449A (en) | High-oxygen-content silicon monocrystal substrate for semiconductor devices and production method therefor | |
MY112217A (en) | Process for eliminating dislocations in the neck of a silicon single crystal | |
AU7062498A (en) | Diamond growth | |
MY116855A (en) | Argon recovery from silicon crystal furnace | |
EP0253611A3 (en) | Method of epitaxially growing gallium arsenide on silicon | |
EP0273470A3 (en) | Method for decontamination of a chamber used in vacuum processes for deposition, etching and/or growth of high purity films, particularly applicable to semiconductor technology | |
EP0363554A3 (en) | Process and apparatus for producing epitaxially and/or highly texturally grown, high tc-oxide superconductor films, lacking in foreign phases, on substrates | |
MD673G2 (ru) | Способ получения слоев InP | |
WO1989003815A1 (en) | Process for producing 4,4'-dibromodiphenyl ether | |
CA2341608A1 (fr) | Procede pour le depot sous vide d'un substrat courbe | |
EP0770626A3 (en) | Method for purifying thrombomodulin | |
AU6091198A (en) | Method for improving the exploitability and processability of guar endosperm and products obtained using said method | |
EP0828286A3 (en) | Method of manufacturing mirror-polished silicon wafers, and apparatus for processing silicon wafers | |
MX9701087A (es) | Procedimiento novedoso para la preparacion de diisopinoalcanforilcloroborano. | |
EP0934072A4 (en) | PROCESS FOR PRODUCING PURIFIED TRANSFERRIN | |
WO2002057518A3 (en) | Apparatus and process for the preparation of low-iron_contamination single crystal silicon | |
SU1800856A1 (ru) | Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FG3A | Granted patent for invention | ||
IF99 | Valid patent on 19990615 |
Free format text: EXPIRES: 20140524 |