MD627G2 - Procedeu de obţinere a straturilor epitaxiale de fosfură de indiu din fază gazoasă - Google Patents
Procedeu de obţinere a straturilor epitaxiale de fosfură de indiu din fază gazoasăInfo
- Publication number
- MD627G2 MD627G2 MD94-0257A MD940257A MD627G2 MD 627 G2 MD627 G2 MD 627G2 MD 940257 A MD940257 A MD 940257A MD 627 G2 MD627 G2 MD 627G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- indium
- bases
- source
- saturation
- gaz
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la tehnologia semiconductorilor şi poate fi utilizată la obţinerea straturilor epitaxiale de fosfură de indiu cu parametrii electrofizici dirijabili.Pentru excluderea pierderilor de material al sursei în procesul de saturaţie a ei cu fosfor şi asigurarea dirijabilităţii compoziţiei fazei gazoase prin intermediul procedeului solicitat, care include pregătirea utilajului, decaparea chimică a substraturilor, purjarea reactorului cu hidrogen, termostatarea triclorurii, încălzirea sursei şi a substraturilor, decaparea gazoasă a substraturilor, creşterea straturilor se efectuează utilizând concomitent sursele de indiu lichid şi fosfură de indiu solidă, amplasate în canale diferite.Rezultatul tehnic al invenţiei constă în reducerea considerabilă a pierderilor de indiu în procesul de saturaţie a lui cu fosfor şi ameliorarea reproductibilităţii parametrilor electrofizici ai straturilor epitaxiale, datorită dozării dirijate a elementelor în fază gazoasă.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD94-0257A MD627G2 (ro) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | Procedeu de obţinere a straturilor epitaxiale de fosfură de indiu din fază gazoasă |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD94-0257A MD627G2 (ro) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | Procedeu de obţinere a straturilor epitaxiale de fosfură de indiu din fază gazoasă |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD627F2 MD627F2 (ro) | 1996-11-29 |
| MD627G2 true MD627G2 (ro) | 1997-06-30 |
Family
ID=19738568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MD94-0257A MD627G2 (ro) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | Procedeu de obţinere a straturilor epitaxiale de fosfură de indiu din fază gazoasă |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD627G2 (ro) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD151Z (ro) * | 2008-12-30 | 2010-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale GaAs într-un reactor orizontal |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD249Z (ro) * | 2009-04-29 | 2011-02-28 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Procedeu de fabricare a răcitorului termoelectric pentru substratul circuitului integrat |
-
1994
- 1994-07-25 MD MD94-0257A patent/MD627G2/ro active IP Right Grant
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| J.Cryst. Growth, vol. 54, nr.1, 1981 (R.C.Clark , Indium phosphide vapor phase epitaxy, p. 88-100). * |
| Сборник "Обзоры по электронной технике", Сер. 2, Полупроводниковые приборы, B. 3, 1985 г. (Т.П.Колмакова, Г.Ф.Лымарь. "Выращивание эпитаксиальных слоев фосфида индия в системе InP-PCl3-H2", c. 93). * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD151Z (ro) * | 2008-12-30 | 2010-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale GaAs într-un reactor orizontal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD627F2 (ro) | 1996-11-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE60317814T2 (de) | Vorrichtung und verfahren zur abscheidung eines oxidfilms | |
| WO2000001615A8 (en) | Method and apparatus for the preparation of high purity phosphine or other gas | |
| Kanber et al. | A comparison of rapid thermal annealing and controlled atmosphere annealing of Si‐implanted GaAs | |
| MD627G2 (ro) | Procedeu de obţinere a straturilor epitaxiale de fosfură de indiu din fază gazoasă | |
| JPS56138917A (en) | Vapor phase epitaxial growth | |
| JPS5740940A (en) | Semiconductor device | |
| EP0259759A3 (en) | Method for low temperature, low pressure chemical vapor deposition of epitaxial silicon layers | |
| GB1477941A (en) | Epitaxial methods of growing layers of gallium phosphide | |
| JPS54106081A (en) | Growth method in vapor phase | |
| JPS6071596A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS56161832A (en) | Gaseous phase treatment device | |
| JPS5591815A (en) | Silicon epitaxial growth | |
| MD626G2 (ro) | Procedeu de preparare a heterojoncţiunilor p+ InP-pInP/CdS şi p+ GaAs-pGaAs/CdS | |
| JPS56112720A (en) | Supperssion of thermal denaturation of compound semiconductor | |
| JPS56164523A (en) | Vapor phase growth of semiconductor | |
| JPS5727999A (en) | Vapor phase growing method for gan | |
| JPS5469062A (en) | Vapor growth method for magnespinel | |
| JPS57149721A (en) | Method of vapor epitaxial growth | |
| JPS5618000A (en) | Vapor phase growing method for 3-5 group compound semiconductor | |
| JPS5518024A (en) | Vapor phase reactor | |
| JPS5669297A (en) | Method of growing to large-size single crystal | |
| JPS56163752A (en) | Method and device for vapor phase growth | |
| JPS5526622A (en) | Method of controlling density of carrier in epitaxial film of chemical semiconductor | |
| JPS607715A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPS53105966A (en) | Growth method for epitaxial layer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG3A | Granted patent for invention | ||
| IF99 | Valid patent on 19990615 |
Free format text: EXPIRES: 20140725 |