MD249Z - Procedeu de fabricare a răcitorului termoelectric pentru substratul circuitului integrat - Google Patents
Procedeu de fabricare a răcitorului termoelectric pentru substratul circuitului integratInfo
- Publication number
- MD249Z MD249Z MDS20090070A MDS20090070A MD249Z MD 249 Z MD249 Z MD 249Z MD S20090070 A MDS20090070 A MD S20090070A MD S20090070 A MDS20090070 A MD S20090070A MD 249 Z MD249 Z MD 249Z
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- chip substrate
- manufacturing
- thermoelectric cooler
- layer
- thermoelectric
- Prior art date
Links
Abstract
Invenţia se referă la procedee de fabricare a răcitorului termoelectric pentru substratul circuitului integrat şi poate fi aplicată în diferite domenii ale microelectronicii, tehnicii de calcul, medicinii şi în alte domenii, care necesită îndepărtarea căldurii.Procedeul de fabricare a răcitorului termoelectric pentru substratul circuitului integrat constă în aceea că substratul circuitului integrat executat din siliciu se tratează chimic, se recoace la temperatura de 1073K timp de 3…5 min într-o cameră de vid supraînalt. Apoi pe acesta se depune un strat intermediar dublu pe bază de fluoruri la temperatura de 973K, compus dintr-un strat de CaF2 cu grosimeade 2…3 nm şi un strat de BaF2 cu grosimea deaproximativ 150 nm, cu o viteză de 0,1 nm/s. Pe stratul intermediar dublu se depune un strat termoelectric de convertizare executat din material semiconductor de tipul A4B6, pe care se amplasează un radiator cu ventilator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20090070A MD249Z (ro) | 2009-04-29 | 2009-04-29 | Procedeu de fabricare a răcitorului termoelectric pentru substratul circuitului integrat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20090070A MD249Z (ro) | 2009-04-29 | 2009-04-29 | Procedeu de fabricare a răcitorului termoelectric pentru substratul circuitului integrat |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD249Y MD249Y (ro) | 2010-07-30 |
| MD249Z true MD249Z (ro) | 2011-02-28 |
Family
ID=45815089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20090070A MD249Z (ro) | 2009-04-29 | 2009-04-29 | Procedeu de fabricare a răcitorului termoelectric pentru substratul circuitului integrat |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD249Z (ro) |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD627F2 (ro) * | 1994-07-25 | 1996-11-29 | Univ De Stat Din Moldova | Procedeu de obtinere a straturilor epitaxiale de fosfura de indiu din faza gazoasa |
| MD957G2 (ro) * | 1996-09-12 | 1999-02-28 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu şi instalaţie pentru obţinerea structurilor epitaxiale multestratificate |
| RU2129246C1 (ru) * | 1993-09-03 | 1999-04-20 | Кабусики Кайся Секуто Кагаку | Теплоизлучающая панель и способ охлаждения с ее применением |
| MD20000111A (ro) * | 2000-06-27 | 2002-07-31 | Vieru Stanislav | Dispozitiv pentru clivarea în vid a structurilor epitaxiale semiconductoare |
| RU2196683C2 (ru) * | 1997-11-07 | 2003-01-20 | Денки Кагаку Когио Кабусики Кайся | Подложка, способ ее получения (варианты) и металлическое соединенное изделие |
| RU2198949C2 (ru) * | 1999-03-16 | 2003-02-20 | Хитачи, Лтд. | Композитный материал, способ его получения, излучающая тепло панель для полупроводникового прибора, полупроводниковый прибор (варианты), диэлектрическая панель и электростатическое поглощающее устройство |
| RU2206502C2 (ru) * | 2000-11-21 | 2003-06-20 | Акционерное общество закрытого типа "Карбид" | Композиционный материал |
| RU2214698C2 (ru) * | 1998-07-08 | 2003-10-20 | Квин Мэри Энд Уестфилд Колледж | Устройство отвода тепла, электрическая система, содержащая устройство отвода тепла, способ изготовления устройства отвода тепла и способ изготовления электрического компонента |
| MD2556G2 (ro) * | 2004-06-01 | 2005-03-31 | Ион ТИГИНЯНУ | Procedeu de obtinere a nanostructurilor semiconductoare |
| RU2004133862A (ru) * | 2003-11-21 | 2006-04-27 | Эл Джи Электроникс Инк. (Kr) | Система и способ теплоизлучения для мобильного терминала связи |
| RU2005137313A (ru) * | 2003-05-01 | 2006-04-27 | Квин Мэри Энд Уестфилд Колледж (Gb) | Заключенное в оболочку терморегулирующее устройство и способ изготовления такого устройства |
| RU2006110512A (ru) * | 2003-09-03 | 2007-10-20 | Дженерал Электрик Компани (US) | Теплопроводный материал, использующий электронные наночастицы |
| MD20070209A (ro) * | 2007-07-23 | 2009-01-31 | Технический университет Молдовы | Procedeu de obţinere a straturilor subţiri de semiconductori oxidici |
| MD3934B1 (ro) * | 2008-09-08 | 2009-06-30 | Institutul De Inginerie Electronica Si Tehnologii Industriale Al Academiei De Stiinte A Moldovei | Procedeu de obtinere a substratului de BaF2 cu suprafata perfecta |
| MD20070296A (ro) * | 2007-10-31 | 2009-07-31 | Institutul De Inginerie Electronica Si Tehnologii Industriale Al Academiei De Stiinte A Moldovei | Procedeu de majorare a rezistentei magnetice in microfire pe baza materialelor solide neomogene |
| MD20080058A (ro) * | 2008-02-25 | 2009-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Dispozitiv de obţinere a peliculelor supraconductoare |
-
2009
- 2009-04-29 MD MDS20090070A patent/MD249Z/ro not_active IP Right Cessation
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2129246C1 (ru) * | 1993-09-03 | 1999-04-20 | Кабусики Кайся Секуто Кагаку | Теплоизлучающая панель и способ охлаждения с ее применением |
| MD627F2 (ro) * | 1994-07-25 | 1996-11-29 | Univ De Stat Din Moldova | Procedeu de obtinere a straturilor epitaxiale de fosfura de indiu din faza gazoasa |
| MD957G2 (ro) * | 1996-09-12 | 1999-02-28 | Государственный Университет Молд0 | Procedeu şi instalaţie pentru obţinerea structurilor epitaxiale multestratificate |
| RU2196683C2 (ru) * | 1997-11-07 | 2003-01-20 | Денки Кагаку Когио Кабусики Кайся | Подложка, способ ее получения (варианты) и металлическое соединенное изделие |
| RU2214698C2 (ru) * | 1998-07-08 | 2003-10-20 | Квин Мэри Энд Уестфилд Колледж | Устройство отвода тепла, электрическая система, содержащая устройство отвода тепла, способ изготовления устройства отвода тепла и способ изготовления электрического компонента |
| RU2198949C2 (ru) * | 1999-03-16 | 2003-02-20 | Хитачи, Лтд. | Композитный материал, способ его получения, излучающая тепло панель для полупроводникового прибора, полупроводниковый прибор (варианты), диэлектрическая панель и электростатическое поглощающее устройство |
| MD20000111A (ro) * | 2000-06-27 | 2002-07-31 | Vieru Stanislav | Dispozitiv pentru clivarea în vid a structurilor epitaxiale semiconductoare |
| RU2206502C2 (ru) * | 2000-11-21 | 2003-06-20 | Акционерное общество закрытого типа "Карбид" | Композиционный материал |
| RU2005137313A (ru) * | 2003-05-01 | 2006-04-27 | Квин Мэри Энд Уестфилд Колледж (Gb) | Заключенное в оболочку терморегулирующее устройство и способ изготовления такого устройства |
| RU2006110512A (ru) * | 2003-09-03 | 2007-10-20 | Дженерал Электрик Компани (US) | Теплопроводный материал, использующий электронные наночастицы |
| RU2004133862A (ru) * | 2003-11-21 | 2006-04-27 | Эл Джи Электроникс Инк. (Kr) | Система и способ теплоизлучения для мобильного терминала связи |
| RU2291599C2 (ru) * | 2003-11-21 | 2007-01-10 | Эл Джи Электроникс Инк. | Система и способ теплоизлучения для мобильного терминала связи |
| MD2556G2 (ro) * | 2004-06-01 | 2005-03-31 | Ион ТИГИНЯНУ | Procedeu de obtinere a nanostructurilor semiconductoare |
| MD20070209A (ro) * | 2007-07-23 | 2009-01-31 | Технический университет Молдовы | Procedeu de obţinere a straturilor subţiri de semiconductori oxidici |
| MD20070296A (ro) * | 2007-10-31 | 2009-07-31 | Institutul De Inginerie Electronica Si Tehnologii Industriale Al Academiei De Stiinte A Moldovei | Procedeu de majorare a rezistentei magnetice in microfire pe baza materialelor solide neomogene |
| MD20080058A (ro) * | 2008-02-25 | 2009-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Dispozitiv de obţinere a peliculelor supraconductoare |
| MD3934B1 (ro) * | 2008-09-08 | 2009-06-30 | Institutul De Inginerie Electronica Si Tehnologii Industriale Al Academiei De Stiinte A Moldovei | Procedeu de obtinere a substratului de BaF2 cu suprafata perfecta |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Chowdhury I., Ravi Prasher R., Lofgreen K., Chrysler G., Narasimhan S., Mahajan R., Koester D., Alley R., Venkatasubramanian R. Pn-chip cooling by superlattice-based thin-film thermoelectrics. Nature Nanotechnology. 2009, Vol. 4, Issure 4, p. 235-238 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD249Y (ro) | 2010-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2009075124A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| DE602004013920D1 (de) | Haftfolie, schutzverfahren für halbleiterwaferoberfläche sowie bearbeitungsverfahren | |
| SG139648A1 (en) | A method of direct bonding two substrates used in electronics, optics, or optoelectronics | |
| SG139691A1 (en) | Coating and developing system, coating and developing method and storage medium | |
| TW200505050A (en) | Solid-state component device and manufacturing method thereof | |
| TW200739801A (en) | A method of revealing crystalline defects in a bulk substrate | |
| WO2008120469A1 (ja) | 炭化珪素半導体素子の製造方法 | |
| JP2015067869A5 (ro) | ||
| EA200970668A1 (ru) | Способ нанесения тонкого слоя и полученный продукт | |
| WO2007059027A3 (en) | Thermal processing system, components, and methods | |
| TW200511422A (en) | Treatment or processing of substrate surfaces | |
| TWI267186B (en) | Process for preparation of separable semiconductor assemblies, particularly to form substrates for electronics, optoelectronics and optics | |
| WO2008073926A3 (en) | Formation of epitaxial layers containing silicon | |
| WO2009028314A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| DE602004016985D1 (de) | Mehrzonen-keramikheizsystem und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE602005009159D1 (de) | Kalibrierverfahren für Apparaturen zur thermischen Behandlung | |
| TW201612961A (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, program | |
| WO2008051670A3 (en) | Substrate support structure with rapid temperature change | |
| EP3104417A3 (en) | Method of manufacturing a protective film for a solar cell | |
| DE602005020453D1 (de) | Inline-heizelement zur verwendung bei der chemischen halbleiter-nassbearbeitung und herstellungsverfahren dafür | |
| WO2009078121A1 (ja) | 半導体基板支持治具及びその製造方法 | |
| MD249Z (ro) | Procedeu de fabricare a răcitorului termoelectric pentru substratul circuitului integrat | |
| WO2011139640A3 (en) | Improved radiation heating efficiency by increasing absorption of a silicon containing material | |
| CN110024080A (zh) | Soi晶圆的制造方法 | |
| ITMI20091294A1 (it) | Modulo a semiconduttore e un procedimento per la produzione di un circuito elettronico |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| KA4Y | Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |