MD249Z - Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа - Google Patents
Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа Download PDFInfo
- Publication number
- MD249Z MD249Z MDS20090070A MDS20090070A MD249Z MD 249 Z MD249 Z MD 249Z MD S20090070 A MDS20090070 A MD S20090070A MD S20090070 A MDS20090070 A MD S20090070A MD 249 Z MD249 Z MD 249Z
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- chip substrate
- manufacturing
- thermoelectric cooler
- layer
- thermoelectric
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 3
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 abstract 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 abstract 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способам изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа и может найти применение в различных областях микроэлектроники, вычислительной техники, медицины и других областях, требующих отвода тепла.Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа состоит в том, что выполненная из кремния подложка ЧИПа обрабатывается химически, отжигается при температуре 1073К 3…5 мин в камере сверхвысокого вакуума. Затем на нее наносят двойной промежуточный слой на основе фторидов, при температуре 973К, составленный из слоя CaF2 толщиной 2…3 nm и слоя BaF2 толщиной примерно 150 nm, со скоростью 0,1 nm/s. На двойной промежуточный слойнаносят термоэлектрический преобразовательный слой, выполненный из полупроводникового материала типа А4В6, на котором размещают радиатор с вентилятором.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20090070A MD249Z (ru) | 2009-04-29 | 2009-04-29 | Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20090070A MD249Z (ru) | 2009-04-29 | 2009-04-29 | Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD249Y MD249Y (en) | 2010-07-30 |
| MD249Z true MD249Z (ru) | 2011-02-28 |
Family
ID=45815089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20090070A MD249Z (ru) | 2009-04-29 | 2009-04-29 | Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD249Z (ru) |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD627F2 (en) * | 1994-07-25 | 1996-11-29 | Univ De Stat Din Moldova | The method of making epitaxy layers of phosphide indium from gaz phase |
| MD957G2 (ru) * | 1996-09-12 | 1999-02-28 | Государственный Университет Молд0 | Способ и установка для получения многослойных эпитахиальных структур |
| RU2129246C1 (ru) * | 1993-09-03 | 1999-04-20 | Кабусики Кайся Секуто Кагаку | Теплоизлучающая панель и способ охлаждения с ее применением |
| MD20000111A (ru) * | 2000-06-27 | 2002-07-31 | Vieru Stanislav | Устройство для скалывания в вакууме полупроводниковых эпитаксиальных структур |
| RU2196683C2 (ru) * | 1997-11-07 | 2003-01-20 | Денки Кагаку Когио Кабусики Кайся | Подложка, способ ее получения (варианты) и металлическое соединенное изделие |
| RU2198949C2 (ru) * | 1999-03-16 | 2003-02-20 | Хитачи, Лтд. | Композитный материал, способ его получения, излучающая тепло панель для полупроводникового прибора, полупроводниковый прибор (варианты), диэлектрическая панель и электростатическое поглощающее устройство |
| RU2206502C2 (ru) * | 2000-11-21 | 2003-06-20 | Акционерное общество закрытого типа "Карбид" | Композиционный материал |
| RU2214698C2 (ru) * | 1998-07-08 | 2003-10-20 | Квин Мэри Энд Уестфилд Колледж | Устройство отвода тепла, электрическая система, содержащая устройство отвода тепла, способ изготовления устройства отвода тепла и способ изготовления электрического компонента |
| MD2556G2 (ru) * | 2004-06-01 | 2005-03-31 | Ион ТИГИНЯНУ | Способ получения полупроводниковых наноструктур |
| RU2004133862A (ru) * | 2003-11-21 | 2006-04-27 | Эл Джи Электроникс Инк. (Kr) | Система и способ теплоизлучения для мобильного терминала связи |
| RU2005137313A (ru) * | 2003-05-01 | 2006-04-27 | Квин Мэри Энд Уестфилд Колледж (Gb) | Заключенное в оболочку терморегулирующее устройство и способ изготовления такого устройства |
| RU2006110512A (ru) * | 2003-09-03 | 2007-10-20 | Дженерал Электрик Компани (US) | Теплопроводный материал, использующий электронные наночастицы |
| MD20070209A (ru) * | 2007-07-23 | 2009-01-31 | Технический университет Молдовы | Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников |
| MD3934B1 (en) * | 2008-09-08 | 2009-06-30 | Institutul De Inginerie Electronica Si Tehnologii Industriale Al Academiei De Stiinte A Moldovei | Process for obtaining the substrate of BaF2 with perfect surface |
| MD20070296A (en) * | 2007-10-31 | 2009-07-31 | Institutul De Inginerie Electronica Si Tehnologii Industriale Al Academiei De Stiinte A Moldovei | Method for increasing the microwire magnetic resistance on base of solid heterogeneous materials |
| MD20080058A (ru) * | 2008-02-25 | 2009-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Устройство для получения сверхпроводящих слоев |
-
2009
- 2009-04-29 MD MDS20090070A patent/MD249Z/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2129246C1 (ru) * | 1993-09-03 | 1999-04-20 | Кабусики Кайся Секуто Кагаку | Теплоизлучающая панель и способ охлаждения с ее применением |
| MD627F2 (en) * | 1994-07-25 | 1996-11-29 | Univ De Stat Din Moldova | The method of making epitaxy layers of phosphide indium from gaz phase |
| MD957G2 (ru) * | 1996-09-12 | 1999-02-28 | Государственный Университет Молд0 | Способ и установка для получения многослойных эпитахиальных структур |
| RU2196683C2 (ru) * | 1997-11-07 | 2003-01-20 | Денки Кагаку Когио Кабусики Кайся | Подложка, способ ее получения (варианты) и металлическое соединенное изделие |
| RU2214698C2 (ru) * | 1998-07-08 | 2003-10-20 | Квин Мэри Энд Уестфилд Колледж | Устройство отвода тепла, электрическая система, содержащая устройство отвода тепла, способ изготовления устройства отвода тепла и способ изготовления электрического компонента |
| RU2198949C2 (ru) * | 1999-03-16 | 2003-02-20 | Хитачи, Лтд. | Композитный материал, способ его получения, излучающая тепло панель для полупроводникового прибора, полупроводниковый прибор (варианты), диэлектрическая панель и электростатическое поглощающее устройство |
| MD20000111A (ru) * | 2000-06-27 | 2002-07-31 | Vieru Stanislav | Устройство для скалывания в вакууме полупроводниковых эпитаксиальных структур |
| RU2206502C2 (ru) * | 2000-11-21 | 2003-06-20 | Акционерное общество закрытого типа "Карбид" | Композиционный материал |
| RU2005137313A (ru) * | 2003-05-01 | 2006-04-27 | Квин Мэри Энд Уестфилд Колледж (Gb) | Заключенное в оболочку терморегулирующее устройство и способ изготовления такого устройства |
| RU2006110512A (ru) * | 2003-09-03 | 2007-10-20 | Дженерал Электрик Компани (US) | Теплопроводный материал, использующий электронные наночастицы |
| RU2004133862A (ru) * | 2003-11-21 | 2006-04-27 | Эл Джи Электроникс Инк. (Kr) | Система и способ теплоизлучения для мобильного терминала связи |
| RU2291599C2 (ru) * | 2003-11-21 | 2007-01-10 | Эл Джи Электроникс Инк. | Система и способ теплоизлучения для мобильного терминала связи |
| MD2556G2 (ru) * | 2004-06-01 | 2005-03-31 | Ион ТИГИНЯНУ | Способ получения полупроводниковых наноструктур |
| MD20070209A (ru) * | 2007-07-23 | 2009-01-31 | Технический университет Молдовы | Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников |
| MD20070296A (en) * | 2007-10-31 | 2009-07-31 | Institutul De Inginerie Electronica Si Tehnologii Industriale Al Academiei De Stiinte A Moldovei | Method for increasing the microwire magnetic resistance on base of solid heterogeneous materials |
| MD20080058A (ru) * | 2008-02-25 | 2009-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Устройство для получения сверхпроводящих слоев |
| MD3934B1 (en) * | 2008-09-08 | 2009-06-30 | Institutul De Inginerie Electronica Si Tehnologii Industriale Al Academiei De Stiinte A Moldovei | Process for obtaining the substrate of BaF2 with perfect surface |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Chowdhury I., Ravi Prasher R., Lofgreen K., Chrysler G., Narasimhan S., Mahajan R., Koester D., Alley R., Venkatasubramanian R. Pn-chip cooling by superlattice-based thin-film thermoelectrics. Nature Nanotechnology. 2009, Vol. 4, Issure 4, p. 235-238 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD249Y (en) | 2010-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2009075124A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| DE602004013920D1 (de) | Haftfolie, schutzverfahren für halbleiterwaferoberfläche sowie bearbeitungsverfahren | |
| SG139648A1 (en) | A method of direct bonding two substrates used in electronics, optics, or optoelectronics | |
| SG139691A1 (en) | Coating and developing system, coating and developing method and storage medium | |
| WO2009153422A8 (fr) | Traitement de surface par plasma d'azote dans un procédé de collage direct | |
| TW200635014A (en) | Composite structure with high heat dissipation | |
| TW200739801A (en) | A method of revealing crystalline defects in a bulk substrate | |
| WO2008120469A1 (ja) | 炭化珪素半導体素子の製造方法 | |
| JP2015067869A5 (ru) | ||
| TWI267186B (en) | Process for preparation of separable semiconductor assemblies, particularly to form substrates for electronics, optoelectronics and optics | |
| EA200970668A1 (ru) | Способ нанесения тонкого слоя и полученный продукт | |
| WO2009099284A3 (en) | Substrate supporting unit, substrate processing apparatus, and method of manufacturing substrate supporting unit | |
| TW200511422A (en) | Treatment or processing of substrate surfaces | |
| WO2007059027A3 (en) | Thermal processing system, components, and methods | |
| ATE512744T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur temperaturbehandlung, insbesondere lotverbindung | |
| EP1621048A4 (en) | Multi-zone ceramic heating system and method of manufacture thereof | |
| TW200514130A (en) | Substrate processing apparatus and method for producing the semiconductor device | |
| TW200733206A (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, program, and recording medium having the same | |
| EP3104417A3 (en) | Method of manufacturing a protective film for a solar cell | |
| WO2008051670A3 (en) | Substrate support structure with rapid temperature change | |
| WO2009078121A1 (ja) | 半導体基板支持治具及びその製造方法 | |
| MD249Z (ru) | Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа | |
| ATE463837T1 (de) | Inline-heizelement zur verwendung bei der chemischen halbleiter-nassbearbeitung und herstellungsverfahren dafür | |
| ITMI20091294A1 (it) | Modulo a semiconduttore e un procedimento per la produzione di un circuito elettronico | |
| JP2012015344A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| KA4Y | Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |